JPH03159144A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、テーブーオー
トメイテンド・ボンディング技術を利用した製造技術に
関し、例えば、半導体集稙回路装置（以下、ＩＣという
、）の製造に利用して有効なものに関する。 〔従来の技術〕 薄形で作業性の良好な実装を実現するためのテ−ブ・キ
ャリア形のパンケージを備えているｔＣとして、半導体
ペレット（以下、単にベレットという、）とリード群と
がテープ・オートメイテッド・ボンディング（Ｔａｐｅ
　　Ａｕｔｏｍａｔａｅｄ　　Ｂｏｎｄｉｎｇ：ＴＡＢ
）により機械的かつ電気的に接続されるように構成され
ているものがある。 すなわち、半導体集積回路が作り込まれたベレットの第
１主面には、この回路を外部に取り出すためのパッドが
複数個、その外周辺部に配されて形成されているととも
に、各パッドの表面りこは金等のような導体からなるバ
ンブがそれぞれ突設されている。一方、リード群は銅等
のような導電材料を用いて製作されて、ポリイミＦ゛等
のような絶縁性ｔＭ脂からなるキャリアテープ上りこ／
す設されているとともに、その表面に電解めっき処理等
により、錫系金属膜を被着されている。そして、ベレッ
トはキャリアテープ上に一体的に付設されている各リー
ドＬこ各バンブがそれぞれ整合するように配されて、バ
ンブおよびリードをボンディング工具によって熱圧着さ
れることにより、同時にボンディングされる。その後、
封止！ｉＩ脂がリードおよびペレノ１〜を１１止するよ
うにポンティングされることにより、樹脂封止パッケー
ジが成形される。 なお、ＴＡＢ技術を述べである例としては、特公昭６１
−１３３７９号公報、および株式会社工業調査会発行「
電子材料１９８８年１２月号別冊」昭和６３年１２月１
３日発行　Ｐ　１０５〜Ｐ１１３、がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、このようなＴＡＢ技術においては、ギャングボ
ンディングに通したパッド＆Ｈについての配慮がなされ
ていないため、インナリードボンディング時の圧接力の
片寄りムこまって、ボンディング強度の不足やベレット
の１員傷等が発生するという問題点があることが、本発
明者によって明らかにされた。 本発明の目的は、インナリードボンディング時のボンデ
ィング強度不足やベレットの損傷等の発生を防とするこ
とができる半導体装置を提供することにある。 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。 〔課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。 すなわち、電子回路が作り込まれている半導体ベレット
の第１主面に、この電子回路を外部２こ取り出すための
パッドが複数個形成されており、各パッドに各インナリ
ードがギヤングボンディングされている半導体装置にお
いて、前記パッドのそれぞれを、このパッド群の重心値
ｌが前記半導体ペレットの中央部に来るように配置した
ものである。 〔作用〕 前記した手段によれば、パッド群の重心が半導体ベレッ
トの中央部に位置するため、インナリードボンディング
時に８けるボンディング工具による圧接力は各パッドに
ついて略均等に加わる。その結果、インナリードボンデ
ィング時のボンディング強度不足やベレットの損傷等の
発生は防止されることになる。 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例である半導体装置にｆ受用さ
れているベレットにおけるパッドの配置を示す模式的平
面図、第２図以降はその半導体装置の製造方法をそれぞ
れ説明するための各説明図である。 本実施例において、本発明に係る半導体装置はＴ　Ａ　
Ｂ法を用いられて製造されている。以下、その製造方法
を説明することにより、本発明に係る半導体装置の構成
および作用を説明する。 本実施例において、本発明に係る半導体装置に使用され
ているベレット１０は半導体装置の製造工程における所
謂前工程において、半導体シリコンウェハに４７ガとノ
ド・ランダム・アクセス・メモリー（以下、４ＭＤＲＡ
Ｍということがある。 ）系の半導体集積回路を作り込まれ、平面形状が長方形
の薄い平板形状の小片にグイシングされている、このペ
レット１０の４ＭＤＲＡＭは、第３図に示されているよ
うに、回路レイアウトされている。 すなわち、ペレットＩＯの中央部にはメモリーマット２
０が設けられ、そのＸ方向の中央部にはＹ軸に並行にＹ
デコーダ２１がメモリーマット２０に沿って設けられ、
そのＹ方向の中央部にはＸ軸に並行にワードドライバ２
２、およびＸデコーダ２３がメモリーマット２０に沿っ
て設けられている。また、短手方向の一端部には、それ
ぞれＲＡＳ系回ｎ２４、ＣＡＳ系−Ｗ１％［３２５，ｔ
；よびＸ９．１０およびＹ９、ＩＯアドレスパフファ２
６が設けられ、その内側にメインアンプ２７が設けられ
、隅部にはＤｏｕＬバッファ２８が設けられている。他
端部にはＲＡＳ系回路２４、Ｘアドレスバッファ２９、
Ｘジェネレータ３０、Ｘ。 Ｙジェネレータ３１、Ｙアドレスバッファ３２およびＳ
ＩＲ−ＰＣジェネレータ３３が設けられている。また、
長手方向の右側端部にはセンスアンプ・コモン入出力・
コモンソース３４が設けられている。 そして、第１図に示されているように、このペレットｌ
Ｏの一端面（以下、第１主面という、）には、電子回路
を外部に取り出すためのパッドＰが複数個、ペレットの
外周辺部に互いに干渉しない適当な間隔をおいて環状に
配されて、それぞれ開設されている。以下、各パッドを
個別に説明する必要がある場合には、第１図において、
左上隅のパッドから時計回り方向に、第１パツドＰ１、
第２パッドＰ２　・・・・第２７パツドＰ２７として説
明し、区別する必要がない場合りこは、添字を省略して
パッドＰとして説明する。 第２図に示されているように、ペレット１０の第１主面
シニ開設されたパラ）＝Ｐ上にはバンプ１１が第１主面
から突出するように形成されている。 すなわち、ベレン）１０の前記集積回路が作り込まれて
いる本体部１２上にはＰＳＧ　（リン・シリケート・ガ
ラス）Ｎ１３が形成されており、このＰＳＣ！１３上に
はアルミニウム（Ａ］）からなる配置ｄＡ１１４が形成
されている。この配線！１４は前記集積回路に電気的に
接続されており（図示せず）、この配線層】４はＰ−５
５Ｎ（ポリ・シリコン・ナイトライド）層１５およびそ
の上層のＰＩＱ（ポリイミド・イソ・インドロ・キナ・
ゾリンジオン）ＪｕＪ１６により被覆されている。Ｐ・
５ｉＮｊｉ１５およびＰＩＱ層１６のパッドＰに対応す
る位置には、スルーホール１７が配線層１４の上面を局
所的に露出させるように開設されており、この局所的に
露出された配線層１４の上面によりパッドＰが実質的に
構成されている。 詳細な説明は省略するが、Ｐｌ、９層１６上にレジスト
膜１８が被着されるとともに、レジスト膜１８のパッド
Ｐに対応する部分にスルーホールがリソグラフィー処理
により開設された後、ペレットＩＯの第１主面全体に電
気めっき処理用金属膜１９が被着され、この金ｒｊＡ膜
１９を利用して金（Ａｕ）が使用された電気めっきが実
施されると、パッドＰ上にＡ’ｕからなるめっき層が形
成される。 その後、レジスト１１１１Ｂが金属１１１９と共に除却
されると、第２図に示されているように、パッドＰ上に
Ａｕめっき層からなるバンプ１１が、ペレッ）１０の第
】主面から若干突出した状態で形成される。 本実施例において、ペレッ）１０の第１主面にそれぞれ
形成された第１バツドＰＩ〜第２７パツドＰ２７のそれ
ぞれは、これらパッドＰｉ　−Ｐ２？群の重心位置Ｇが
ペレット１０の第１主面における中心点Ｏに可及的に近
接する状態になるように、調整されて配置されている。 すなわち、第１図に示されているように、ペレット１０
の第１主面における中心点Ｏで直交する一対の中心線が
ｘＹ座標のＸ軸およびＹ軸と仮定された時、第１パツド
Ｐ１〜第２７パノドＰ２７の位置座標値の総和がＸ座と
およびＹ座標について、原点０に対してペレット１０の
総面積の１０％以内の’ａＪＴ　Ｊ！！　Ｈに収まるよ
うに、第１パッドＰ

【〜第２７バツドＰ２７のそれぞれ
が適宜設定配置されている。これは式で示すと、次式〇
）の通りである。 Σｘｉ＝ｏ＋αＸ〜 ｉ＝１ Σ　ｘｉ＝Ｏ±αｙ− ｉ＝１ αｘ＝Ｘ／１０、αｙ＝Ｙ／１０゜ ここで、ｘｉは各パッドＰＩ　−Ｐ２７のＸ座標値、ｙ
ｉは同じくＹ座標値、ＸはベレットｌＯＯ長辺の長さ、
Ｙは短辺の、長さである。 また、これを図示例の具体的数値を用いて説明すると、
次の通りである。 まず、第１バツドＰ１〜第２７パッドＰ２７のＸＹ座ぽ
値（ｘ、ｙ）を示す、Ｐｌ（−９、Ｂ）、Ｐ２　　（−
６，８）、Ｐ３　　（−３，３）、Ｐ４（０，８）、Ｐ
５（２，８）、Ｐ６（４，８）、Ｐ７（７，８）、Ｐ８
　　（１０，８）、Ｐ９（１２，６）、Ｐｌｏ（１２，
３）、ｐＨ（１２，０）、Ｐｌ２（１２、−３）、Ｐｌ
３（１２、−６）、Ｐｌ４（１０、−８）、Ｐｌ５（８
、−８）、Ｐｌ６（６、−８）、ＰＩＴ（１、−８）、
Ｐｌ８（−１、−８）、Ｐｌ９（−３、−８）、Ｐ２Ｏ
（−６、−８）、Ｐ２１（−９、−８）、Ｐ２２（−１
２、−７）、Ｐ２３（−１２、−３）　、Ｐ２４（−１
２、−１）、Ｐ２５（−１２、ｌ）、　Ｐ２６（−ｔ２
、４）、　Ｐ２７（１２、６）。 ｍｌパッドＰＰＩＴ２７パノドＰ２７のＸ座標値の総和
ΣＸは、 Σｘ＝−９−６−３＋Ｏ＋２＋４＋７＋１０＋１２十１
２＋１２＋１２＋１２＋ＩＯ＋８＋６＋ｌ−１−３−６
−９−１２−１２−１２−１２１２−１２＝−１、 同しくＹ座標値の総和Σｙは、 Σｙ＝ａ＋ａ＋ｓ＋ａ＋Ｂ＋Ｂ＋Ｂ＋Ｂ＋６＋３＋０−
３＝６−８−８−８−８−８−８−８８−７−３−１＋
１＋４＋６＝Ｏ１ になる。したがって、第１パツドＰＩ〜第２７パノドＰ
２７の重心位置Ｇは、ＸＹ座標（−１，０）に位置する
ことになり、これはペレット１０の中心点０周りにおけ
る１０％以内の頷Ｍ　Ｈ内に存在している。 ところで、−ｍに、パッド群は集積回路の各種機能を効
果的に発揮するように設計された回路レイアウトに対応
してペレットの周辺部に適宜配置されるため、パッド群
をペレットの周辺部に均等に配分することはできない場
合が多い、つまり、パッド群はペレットの周辺部に不均
一に分布されているのが、−ａ的である。そのため、後
述するような作用により、インナリードボンディング時
に、ボンディング強度不足や、ペレットに対するボンデ
ィングダメージが発生し易い。 本実施例において、各パッドＰ１〜Ｐ２７はこのパッド
群の重心位置Ｇがペレット１０の中心点０の近傍に来る
ようにそれぞれ配置されているが、同時に各パッドＰＩ
−Ｐ２７はペレット１０の集積回路レイアウトとの対応
が最適に確保されるようにそれぞれ配置されている。す
なわち、重心位置Ｇの中央部配置の要求と、集積回路レ
イアウトとの対応の要求とを同時に満足するため、電気
的には８１能しないダミーパッドＰａ（例えば、第５バ
７ドＰ５および第２４パツドＰ２４）と、電気的に同一
の機能を有する共通パッドＰｂ（例えば、第１７パッド
ＰＩＴ、第１８バ７ドＰ１８および第１９パ・７ドＰ１
９）とが設けられている。つまり、このダミーパッドＰ
ａおよび共通パッドｐｂを設けることにより、各パッド
Ｐ１〜Ｐ２７（共通パッド１７〜１９を含む、）による
集積回路レイアウトとの量適対応を確保しつつ、パッド
Ｐ１〜Ｐ２７（ダミーパッドＰ５およびＰ２４を含む、
）群の重心位置Ｇの中央部配置が実現されている。 本実施例において、本発明に係る半導体装置の製造に使
用されるキャリアテープ１はＩＣのペレットとリード群
とをテープ・オートメイテッド・ボンディング（ＴＡＢ
）により機械的かつ電気的に接続させ得るように構成さ
れており、絶縁性を有するキャリアとしてのテープ本体
２を備えている。すなわち、キャリアとしてのテープ本
体２はポリイミド等のような絶縁性Ｐｌ脂を用いられて
、第４図に示されているように、同一パターンが長手方
向に連続するように一体成形されている。但し、説明お
よび図示は一単位だけについて行われている。テープ本
体２の両側端辺部にはピッチ送りに使用される送り孔３
が等ピッチに配されて開設されており、両側の送り孔群
間にはサポートリング４が等ピッチをもって１列縦隊に
配されて形成されている。サポートリング４は長方形の
枠形状に形成されており、その枠の内側空所はベレット
１０を収容するためのベレット収容部５を実質的に構成
している。サポートリング４の外側空所６には保持部材
７が四隅に配されて、サポートリング４を保持するよう
に一体的に架設されている。 集積回路を電気的に外部に引き出すためのり一ド８は複
数本が、テープ本体２の片側平面（以下、上面とする。 ）上に配され、ｉｊｌ箔等のような導電性材料を用いら
れて溶着や接着等のような適当な手段により固定的に付
設されている。リード８群はサポートリング４における
４辺に分けられて、サポートリング４を径方向に貫通す
るように配設されており、最終的に各リード８同士が互
いに電気的に非接続になるように形成されている。各リ
ード８の内側先端部はベレット収容部５内に突き出され
ることによりインナリード！１〜１２７を構成しており
、その外側部分は外側空所６を横断して外方に突き出さ
れることによりアウタリードＯ１〜０２５を構成してお
り、各アウタリードの外側端部はテープ本体２上に固着
されている。リード８群の表面には金属膜としての錫め
っき膜９（第５図以降参暇）が被着されており、第５図
に詳示されているように、錫めっき膜９はその厚さがイ
ンナリードから７ウタリードにかけて全体的に均一にな
るように形成されている。 本実施例において、各インナリード１１〜１２７は前記
ベレットｌＯにおける第１パツドＰＩ〜第２７パツドＰ
２７と同数設けられており、各インナリードの先端部が
各バッドのそれぞれに整合するようにその先端部が、配
置されている０例えば、第１インナリード１１は第１パ
ツドｐｔに、第２インナリード１２は第２バツドＰ２に
、それぞれ整合されるようになっている。 そして、ダミーバッドＰａである第５パツドＰ５および
第２４パツドＰ２４にそれぞれ整合される第５インナリ
ード１５および第２４インナリード＋２４は、電気的に
機能を発揮しないダミーインナリードＩａを構成するよ
うにそれぞれ形成されている。すなわち、ダミーインナ
リードＩａにはアウタリードが接続されておらず、サポ
ートリング４上において途中で切断されている。したが
って、アウタリード０５およびアウタリード０２４は省
略されていることになる。 また、共通バッドＰｂである第１７パフドＰ１７、第１
８パツドＰｌＢおよび第１９パツドＰ１９にそれぞれ整
合される第１フインナリード１１７、第１８インナリー
ドｔ　ｔＳおよび＠１９インナリード１１９は、電気的
に同一の機能を発揮する共通インナリードＩｂを構成す
るように形成されている。すなわち、共通インナリード
！ｂとしての３本のインナリード１１７．１１８および
１１９ば、サポートリング４上において互いに電気的に
接続されており、これらインナリード１１？、１１Ｂお
よびｌ１９には２本の７ウタリード０１７および０１８
がそれぞれ接続されている。したがって、アウタリード
０１９は省略されていることになる。そして、各アウタ
リ−ＦＯＬ−０２７（但Ｌ、第５アウタリード０５、第
２４７ウタリード０２４および第１９アウタリード０１
９は欠除されている。）は、４辺の外側空所６内におい
て長手方向に等間隔にそれぞれ配置されている。 前記構成に係るキャリアテープｌおよびベレット１０が
用いられてインナリードボンディングされる際、第５図
に示されているように、キャリアテープｌはスプロケッ
ト（図示せず）間に張設されて一方向に間欠送りされる
。そして、張設されたキャリアテープｌの途中に配設さ
れているインナリードボンデインダステージにおいて、
ベレット１０はペレット収容部５内にサポートリング４
の下方から収容されるとともに、各バッドＰＩ〜Ｐ２７
を各インナリード！１〜１２７にそれぞれ整合されて、
ボンディング工具４１によって各バンブ１１を各インナ
リードの先端部にそれぞれ熱圧着されることにより、キ
ャリアテープｌに組み付けられる。すなわち、リード８
の表面に被着されている錫めっき１１１９と全系材料か
ら成るバンブ１１との間において、金−錫の共晶が形成
されるため、各バッドＰ１〜Ｐ２７のバンブ１１と各イ
ンナリード１１〜１２７の先端部とは一体的に結合され
ることになる。 このとき、本実施例においては、パッド群の重心位置Ｇ
がペレノ）１０の中心点Ｏの近傍に来るように、各パッ
ドＰＩ−Ｐ２７およびインナリード１１〜１２７が配置
されているため、後述する作用により、適正なインナリ
ードボンディングが実施される。 ところで、集積回路の各種機能を効果的に発揮するよう
に設計された回路レイアウトに対応されて、ペレットの
周辺部に各パッドが配置されている従来例の場合、イン
ナリードボンディング時に各パッドおよびベレットに作
用する圧接力が不均衡になるため、ボンディング強度不
足やベレツトに対するボンディングダメージが発生し易
い。 例えば、第６図に示されているように、パッド群の重心
位置Ｇ′が片側に偏在するように、各パッドの配置が設
定されている従来例の場合、インナリードボンディング
時にボンディング工具４１による荷重Ｗにより各パッド
のパン１１１′に作用する応力ｃ′の合力Ｆ′は各パッ
ドの配置に対応して片寄って作用するため、その片寄り
に対応して、ボンディング強度不足やペレットｌＯ′に
対するボンディングダメージが発生する。すなわち、第
６図に示されている例においては、左側領域でボンディ
ング強度不足が発生し、右側領域でボンディングダメー
ジが発生し易い傾向になる。 しかし、本実施例においては、パッド群の重心値ＫＧが
ペレットｌＯの中心点Ｏの近傍に来るように、各パッド
Ｐ１〜Ｐ２７が配置されているとともに、この位置に対
応してインナリード１１−１２７の先端部が配置されて
いるため、ボンディング強度不足やペレットに対するボ
ンディングダメージの発生は防止される。 すなわち、第７図に示されているように、パッド群の重
心位置Ｇがベレン）１０の中心点０の近傍に来るように
各パッドＰＩ　−Ｐ２７が配置されている本実施例の場
合、インナリードボンディング時にボンディング工具４
１による荷重Ｗにより各パッドＰ１〜Ｐ２７のバンブ１
１に作用する応力ｆの合力Ｆはベレン）１０の中心点Ｏ
の近傍に作用するため、各パッドＰ】〜Ｐ２７に作用す
る応力は略均等になり、その結果、ボンディング強度不
足や、ボンディングダメージの発生は防止される。 このインナリードボンディング時、第８図に示されてい
るよう番こ、各ダミーパッドＰ５およびＰ２４、各共通
パッドＰＩＴ、ＰｌＢおよびＰＩ３上にそれぞれ形成さ
れた各バンブ１１は、各ダミーインナリード■５および
１２４、各共通パッド！１７、！１８およびＪ］９に、
他のパッドおよびインナリードと同様にそれぞれインナ
リードボンディングされる。 そして、これらダミーパッドおよび共通パッドについて
のインナリードボンディングにより、荷重の各パッドへ
の均等配分が実行されるため、適正なインナリードボン
ディングが実施されることになる。 このようにして、第８図に示されているように、テープ
・オートメイテッド・ボンディングされたペレットＩＯ
とリード８群との周囲には、エポキシ・フェノール樹脂
等のような絶録性樹脂がポツティングにより供給される
ことにより、樹脂封止パッケージがペレット１０および
インナリード１１〜１２７群を樹脂封止するように成形
される。すなわち、第９図に示されているように、ボン
ティング樹脂４３ばボッティング装置４２によりキャリ
アテープ１の上方からサポートリング４のペレット収容
部５を中心に満遍無く塗布するように供給され、サポー
トリング４とペレット１ｏとの隙間を通ってサポートリ
ング４およびペレット１０の下面に回り込み、インナリ
ード１群およびペレット１０を全体的に色面して非気密
封止することになる。 このようにしてＩＰＡ脂封止パッケージ３５を成形され
た半導体装置３６はキャリアテープｌに付設された状態
のまま、または、サポートリング４の外方位置で切断さ
ｌでキャリアテープ】がら個別に分離された状態におい
て、第１０図に示されているように、プリント配＆９基
板４４上に配されて、アウタリードＯＩ〜０２７とラン
ドパッド４５との間がリフローはんだ処理される。この
とき、リード８の表面には錫めっきＭ！、９が被着され
ているため、ソルダビリティ−は良好に行われる。 また、インナリード２〜【２７の配置にかかわらず、ア
ウタリード０１〜０２７は４辺において長手方向に等間
隔に配置されているため、プリント配線基板４４上に形
成されたランドパッド４５群に容易に対応することがで
きる。したがって、この半導体装置３６は通常の規格通
りに配置されたランドパッド４５群を有するプリント配
線基板４４に対応し得ることになる。この場合、共通パ
ッドＰＩＴ、ＰＩ３、ＰＩ３に電気的に接続されている
アウタリード０１７および０１８は、大電流を供給する
ために、”１１　ａ　ｔ　部用端子またはモーストネガ
ティブ端子に使用するとよい。 前記実施例によれば次の効果が得られる。 （１）　　パッド群の重心位置がペレットの中心近傍に
来るように、各パッドを配置することにより、インナリ
ードボンディング時において、各パッドに作用する応力
を略均等化することができるため、インナリードボンデ
ィング時におけるボンディング強度不足や、ペレットに
対するボンディングダメージの発生を防止することがで
き、その結果、ＴＡＢ法の製造歩留りを高めることがで
きるとともに、ＴＡＢ製品の品質および信顧性を高める
ことができる。 （２）　　ペレットの第１主面における中心点がＸＹ座
標の原点と仮定された時に、各パッドの位置座標値の総
和がＸ座標およびＹ座標についてそれぞれ可及的に零に
なるように、各パッドを配置することにより、各パッド
群の重心位置をペレットの中心点近傍に設定することが
できる。 （３）　　ダミーパッドおよび／または共通パッドを設
けることにより、ペレットにおける集積回路についての
最適レイアウトを変更させずに、パッド群の重心位置が
ペレットの中心近傍に来るように各パッドを配置するこ
とができるため、ペレットの機能を低下させずに、良好
なインナリードボンディング状態を確保することができ
、その結果、前記（１）の効果をより一層高めることが
できる。 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。 例えば、パッドとインナリードとをボンディングするた
めのバンプは、パッド側に突設するに限らず、インナリ
ードリード側に突設してもよい。 ダミーパッドおよび／または共通パッドを設けて、パッ
ド群の重心位置がペレットの中心近傍に来るように構成
するに限らず、所定の機能を発揮する各パッドの配置を
適宜調整することにより、パッド群の重心位置がペレッ
トの中心近傍に来るように構成してもよい、つまり、ダ
ミーパッドおよび／または共通パッドは、場合によって
省略することができる。 また、ダミーパッドおよび／または共通パッドの数や配
置場所は、ペレットにおける回路レイアウト、パッド、
インナリードおよびアウタリードの数や配置場所等の諸
条件に対応して適宜選定することが望ましい。 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＴＡＢ法による半導
体装置製造技術に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、ビームリード法による半
導体装置の製造技術等のようなギヤングボンディング法
による半導体装置の製造技術全般に適用することができ
る。 〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。 パッド群の重心位置がペレットの中心近傍に来るように
、各パッドを配置することにより、インナリードボンデ
ィング時において、各パッドに作用する応力を略均等化
することができるため、インナリードボンディング時に
おけるボンディング強度不足や、ペレットに対するボン
ディングダメージの発生を防止することができ、その結
果、ギヤングボンディング法の製造歩留りを高めること
ができるとともに、ギヤングボンディング製品の品質お
よび信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置に使用され
ているベレットにおけるパッドの配置を示す模式的平面
図、 第２図はパッドを示す拡大部分断面図、第３図はベレッ
トの回路レイアウトを示す模式第４図は半導体装置の製
造に使用されるキャリアテープを示す一部省略平面図、 第５図はインナリードボンディング作業を示す縦断面図
、 第６図はその作用を説明するための各拡大部分断面図Ｉ
図、 第７図は同しく拡大部分断面図、 第８図はインナリードボンディング作業後を示す一部省
略平面図、 第９図はパンケージング作業を示すｒ４ＩｒＭ面図、第
１Ｏ図は半導体装置の実装状態を示す拡大部分断面図で
ある。 ｌ・−・キャリアテープ、２・・・テープ本体、３・・
・送り孔、４・・・サポートリング、５・・・ペレット
収容舐６・・・外側空所、７・・・保持部材、８・−・
リード、１１〜１２７・・・インナリード、０１〜０２
７・・・アウタリード、９・・・錫めっき膜、ＩＯ−・
ベレット、１１−・・バンブ、１２・・・本体部、１３
・−ｐｓｃ層、１４・・・配線層、１５・・・Ｐ＝Ｓｉ
ＮＦｉ！、１６・・・ＰＩＱ層、１７・・・スルーホー
ル、１Ｂ・・・レジスト膜、１９・・・電気めっき処理
用金属膜、３５・・・樹脂封止パンケージ、３６・・・
半導体装置、４１・・・ボンディング工臭、４２・・・
ポツティング装置、４３・・・ポツティング樹脂、４４
・・・プリント６１！線基板、４５・・・ランドパッド
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　１、電子回路が作り込まれている半導体ペレットの第
   １主面に、この電子回路を外部に取り出すためのパツド
   が複数個形成されており、各パッドに各インナリードが
   ギャングボンディングされている半導体装置であって、
   前記パッドのそれぞれは、このパッド群の重心位置が前
   記半導体ペレットの中央部に来るように配置されている
   ことを特徴とする半導体装置。 ２、前記半導体ペレットの第１主面における中心点がＸ
   Ｙ座標の原点と仮定された時に、前記各パッドの位置座
   標値の総和がＸ座標およびＹ座標についてそれぞれ零に
   なるように、前記パッドのそれぞれが配置されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
   。 ３、電気的に非機能のダミーパッドおよびこれにボンデ
   ィングされるダミーインナリードが設けられていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、電気的に同一機能のインナリードが複数個のパッド
   にそれぞれボンディングされていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ５、前記パッド群の重心が前記半導体ペレットの中央部
   における１０％以内の範囲に位置するように、前記パッ
   ドのそれぞれが配置されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体装置。