JP2845846B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置に関し、特に半導体チップを搭載する金属板（リード
フレーム）などの構造を改良した樹脂封止型半導体装置
に関する。
置に関し、特に半導体チップを搭載する金属板（リード
フレーム）などの構造を改良した樹脂封止型半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は、例えば
特公昭６１−３１６２０号公報に記載されたように、耐
熱性絶縁基板に半導体チップを搭載し、放熱効果を持た
せるために金属板を併用したものが知られている。
特公昭６１−３１６２０号公報に記載されたように、耐
熱性絶縁基板に半導体チップを搭載し、放熱効果を持た
せるために金属板を併用したものが知られている。
【０００３】図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の一例
を説明するための樹脂部を除いた状態の樹脂封止型半導
体装置の平面図およびその装置中央でのＢ−Ｂ’線縦断
面図である。図３（ａ），（ｂ）に示すように、従来の
樹脂封止型半導体装置１ａは、ガラスエポキシ基板１３
に半導体チップ３ａを搭載し、チップ上面に千鳥状に形
成した電極５ａと基板上面に形成したメタライズ部１６
間をボンディングワイヤ６により接続してから樹脂部７
で封止している。このガラスエポキシ基板１３は、外側
周辺に、すなわち樹脂部７の端縁にスルーホール１４を
形成し、裏面側に半田ボール９ａを固着している。ここ
で、点線枠１５はメタライズ部１６の領域を表わしてい
る。なお、図３（ａ）においては、樹脂部７の上半分を
取り除いて示し、図３（ｂ）においては、樹脂部７があ
る状態の縦断面を示している。
を説明するための樹脂部を除いた状態の樹脂封止型半導
体装置の平面図およびその装置中央でのＢ−Ｂ’線縦断
面図である。図３（ａ），（ｂ）に示すように、従来の
樹脂封止型半導体装置１ａは、ガラスエポキシ基板１３
に半導体チップ３ａを搭載し、チップ上面に千鳥状に形
成した電極５ａと基板上面に形成したメタライズ部１６
間をボンディングワイヤ６により接続してから樹脂部７
で封止している。このガラスエポキシ基板１３は、外側
周辺に、すなわち樹脂部７の端縁にスルーホール１４を
形成し、裏面側に半田ボール９ａを固着している。ここ
で、点線枠１５はメタライズ部１６の領域を表わしてい
る。なお、図３（ａ）においては、樹脂部７の上半分を
取り除いて示し、図３（ｂ）においては、樹脂部７があ
る状態の縦断面を示している。
【０００４】要するに、表面にメタライズ部１６を施す
とともに、裏面までスルーホール９ａで接続されている
ガラスエポキシ基板１３に半導体チップ３ａを搭載し、
ボンディングワイヤ６でチップ３ａの電極５ａとガラス
エポキシ基板１３のメタライズ部１６とを結線する。さ
らに、基板１３の表面を樹脂封止して樹脂部７を形成し
た後、裏面に半田ボール９ａをリフローにより固着させ
せる。
とともに、裏面までスルーホール９ａで接続されている
ガラスエポキシ基板１３に半導体チップ３ａを搭載し、
ボンディングワイヤ６でチップ３ａの電極５ａとガラス
エポキシ基板１３のメタライズ部１６とを結線する。さ
らに、基板１３の表面を樹脂封止して樹脂部７を形成し
た後、裏面に半田ボール９ａをリフローにより固着させ
せる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型半導体装置は、半導体チップを搭載する絶縁基板に
ガラスエポキシ基板を用いているため、熱放散性が悪
く、熱による誤動作が生じるという欠点がある。
止型半導体装置は、半導体チップを搭載する絶縁基板に
ガラスエポキシ基板を用いているため、熱放散性が悪
く、熱による誤動作が生じるという欠点がある。
【０００６】また、従来の樹脂封止型半導体装置は、熱
抵抗が大きく、クロック周波数を上げられないので、装
置の高速化が困難になるという欠点がある。
抵抗が大きく、クロック周波数を上げられないので、装
置の高速化が困難になるという欠点がある。
【０００７】本発明の目的は、かかる熱による誤動作を
防止するとともに、熱放散を良くしてクロック周波数を
上げ、高速動作を実現することのできる樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。
防止するとともに、熱放散を良くしてクロック周波数を
上げ、高速動作を実現することのできる樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、平板状中央部および前記平板状中央部の四隅
を吊り部を介して支持するとともに、前記平板状中央部
の外側に形成される周辺部を備えた金属板と、前記金属
板の前記平板状中央部の下面に接着され且つ接着されな
い箇所に千鳥状に第１の電極を形成した半導体チップ
と、第２の電極を備え、前記金属板の前記中央部および
前記周辺部に接着されるＴＡＢテープと、前記半導体チ
ップの前記第１の電極および前記ＴＡＢテープの前記第
２の電極を接続するボンディングワイヤと、前記ＴＡＢ
テープの前記第２の電極の表面を除いて前記半導体チッ
プおよび前記金属板を封止する樹脂部と、樹脂封止後に
前記ＴＡＢテープの前記第２の電極の表面に被着した半
田ボールとを有して構成される。
体装置は、平板状中央部および前記平板状中央部の四隅
を吊り部を介して支持するとともに、前記平板状中央部
の外側に形成される周辺部を備えた金属板と、前記金属
板の前記平板状中央部の下面に接着され且つ接着されな
い箇所に千鳥状に第１の電極を形成した半導体チップ
と、第２の電極を備え、前記金属板の前記中央部および
前記周辺部に接着されるＴＡＢテープと、前記半導体チ
ップの前記第１の電極および前記ＴＡＢテープの前記第
２の電極を接続するボンディングワイヤと、前記ＴＡＢ
テープの前記第２の電極の表面を除いて前記半導体チッ
プおよび前記金属板を封止する樹脂部と、樹脂封止後に
前記ＴＡＢテープの前記第２の電極の表面に被着した半
田ボールとを有して構成される。
【０００９】また、本発明の樹脂封止型半導体装置にお
ける前記金属板は、前記平板状中央部，前記平板状中央
部の四隅を支持する前記吊り部および前記周辺部で構成
し、前記平板状中央部を前記半導体チップの面積よりも
小さく形成するとともに、前記吊り部の間に台形状の空
間部を形成し、前記空間部において前記第１の電極およ
び前記第２の電極を前記ボンディングワイヤで接続する
ように構成される。
ける前記金属板は、前記平板状中央部，前記平板状中央
部の四隅を支持する前記吊り部および前記周辺部で構成
し、前記平板状中央部を前記半導体チップの面積よりも
小さく形成するとともに、前記吊り部の間に台形状の空
間部を形成し、前記空間部において前記第１の電極およ
び前記第２の電極を前記ボンディングワイヤで接続する
ように構成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一
実施の形態を説明するための樹脂部を除いた状態の樹脂
封止型半導体装置の平面図およびその装置中央でのＡ−
Ａ’線縦断面図である。図１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、本実施の形態の樹脂封止型半導体装置１は、平板状
中央部およびこの平板状中央部の外側に形成される周辺
部を備えた金属板２と、金属板２の中央部の下面に接着
剤８で接着する半導体チップ３とを有する。この半導体
チップ３は、金属板２の中央部に接着されない外周部箇
所に千鳥状に第１の電極５Ａを形成している。また、こ
の金属板２は、平板状中央部の四隅を吊り部を介して支
持し、その面積は半導体チップ３の面積よりも小さく形
成するとともに、吊り部間には台形状の空間部を形成す
る。しかも、金属板２の中央部および周辺部の上面に
は、第２の電極５Ｂや配線パターンを備えたＴＡＢテー
プ４を貼り付けている。このため、半導体チップ３の第
１の電極５ＡおよびＴＡＢテープ４の第２の電極５Ｂ
は、金属板２の空間部を利用してボンディングワイヤ６
により接続される。
実施の形態を説明するための樹脂部を除いた状態の樹脂
封止型半導体装置の平面図およびその装置中央でのＡ−
Ａ’線縦断面図である。図１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、本実施の形態の樹脂封止型半導体装置１は、平板状
中央部およびこの平板状中央部の外側に形成される周辺
部を備えた金属板２と、金属板２の中央部の下面に接着
剤８で接着する半導体チップ３とを有する。この半導体
チップ３は、金属板２の中央部に接着されない外周部箇
所に千鳥状に第１の電極５Ａを形成している。また、こ
の金属板２は、平板状中央部の四隅を吊り部を介して支
持し、その面積は半導体チップ３の面積よりも小さく形
成するとともに、吊り部間には台形状の空間部を形成す
る。しかも、金属板２の中央部および周辺部の上面に
は、第２の電極５Ｂや配線パターンを備えたＴＡＢテー
プ４を貼り付けている。このため、半導体チップ３の第
１の電極５ＡおよびＴＡＢテープ４の第２の電極５Ｂ
は、金属板２の空間部を利用してボンディングワイヤ６
により接続される。
【００１２】かかるボンディング後に、ＴＡＢテープ４
の第２の電極５Ｂの表面を除いて半導体チップ３および
金属板２を封止し、樹脂部７を形成する。さらに、樹脂
封止後にＴＡＢテープ４の第２の電極５Ｂの表面に半田
ボール９を被着する。なお、１０はリードを表わしてい
る。
の第２の電極５Ｂの表面を除いて半導体チップ３および
金属板２を封止し、樹脂部７を形成する。さらに、樹脂
封止後にＴＡＢテープ４の第２の電極５Ｂの表面に半田
ボール９を被着する。なお、１０はリードを表わしてい
る。
【００１３】要するに、この樹脂封止型半導体装置１
は、金属板２の表面にＴＡＢテープ４を貼り付けてお
り、しかもこの金属板２はチップ電極部５Ａに相当する
箇所の周囲のみをくり抜かれており、このチップ電極部
５ＡとＴＡＢテープ電極５Ｂをボンディングワイヤ６に
より結線する。なお、このボンディングにあたり、半導
体チップ３の表面は金属板２と接着剤８により固着され
ている。その後、モールド樹脂７により封止するが、Ｔ
ＡＢテープ４の電極５Ｂは露出するように、金型（図示
省略）にて成形する。最後に、この露出した電極部５Ｂ
に半田ボール９を付け、リフローにて固着する。
は、金属板２の表面にＴＡＢテープ４を貼り付けてお
り、しかもこの金属板２はチップ電極部５Ａに相当する
箇所の周囲のみをくり抜かれており、このチップ電極部
５ＡとＴＡＢテープ電極５Ｂをボンディングワイヤ６に
より結線する。なお、このボンディングにあたり、半導
体チップ３の表面は金属板２と接着剤８により固着され
ている。その後、モールド樹脂７により封止するが、Ｔ
ＡＢテープ４の電極５Ｂは露出するように、金型（図示
省略）にて成形する。最後に、この露出した電極部５Ｂ
に半田ボール９を付け、リフローにて固着する。
【００１４】図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１におけ
るＴＡＢテープを接着した金属板の平面図および中央部
の断面図である。図２（ａ），（ｂ）に示すように、こ
の金属板２は、平板状中央部２Ａと、その四隅を支持す
る中央吊り部１１と、平板状中央部２Ａの外側に形成さ
れる周辺部２Ｂとを備えて構成され、これら中央部２
Ａ，周辺部２Ｂに前述したＴＡＢテープ４が接着され
る。また、この金属板２の平板状中央部２Ａは半導体チ
ップ３の上面の面積よりも小さく形成するとともに、こ
れら中央部２Ａ，周辺部２Ｂおよび吊り部１１間には、
台形状の空間部１２を形成することになる。さらに、Ｔ
ＡＢテープ４は、その上に電極部５Ｂと、それに続く配
線パターン５Ｃを形成している。
るＴＡＢテープを接着した金属板の平面図および中央部
の断面図である。図２（ａ），（ｂ）に示すように、こ
の金属板２は、平板状中央部２Ａと、その四隅を支持す
る中央吊り部１１と、平板状中央部２Ａの外側に形成さ
れる周辺部２Ｂとを備えて構成され、これら中央部２
Ａ，周辺部２Ｂに前述したＴＡＢテープ４が接着され
る。また、この金属板２の平板状中央部２Ａは半導体チ
ップ３の上面の面積よりも小さく形成するとともに、こ
れら中央部２Ａ，周辺部２Ｂおよび吊り部１１間には、
台形状の空間部１２を形成することになる。さらに、Ｔ
ＡＢテープ４は、その上に電極部５Ｂと、それに続く配
線パターン５Ｃを形成している。
【００１５】上述したように、本実施の形態によれば、
金属板をベースしてそこへ発熱する半導体チップの表面
を直接接着させることにより、熱放散性を著じるしく向
上させることができ、しかも高周波クロックを使用する
ことが可能になるので、高速動作を実現することができ
る。
金属板をベースしてそこへ発熱する半導体チップの表面
を直接接着させることにより、熱放散性を著じるしく向
上させることができ、しかも高周波クロックを使用する
ことが可能になるので、高速動作を実現することができ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置は、平板状中央部を形成した金属板をベー
スとして半導体チップを搭載し且つその半導体チップの
上面に形成される電極が位置する金属板部分に空間部を
形成することにより、熱放散性を向上させることができ
るので、動作時の誤動作を解消することができるという
効果がある。
型半導体装置は、平板状中央部を形成した金属板をベー
スとして半導体チップを搭載し且つその半導体チップの
上面に形成される電極が位置する金属板部分に空間部を
形成することにより、熱放散性を向上させることができ
るので、動作時の誤動作を解消することができるという
効果がある。
【００１７】また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、
半導体チップと金属板を直接接着することにより、熱抵
抗を小さくすることができるので、クロックの高周波数
化、すなわち高速動作を実現することができるという効
果がある。
半導体チップと金属板を直接接着することにより、熱抵
抗を小さくすることができるので、クロックの高周波数
化、すなわち高速動作を実現することができるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施の形態を説明するための樹脂部
を除いた状態の樹脂封止型半導体装置の平面およびその
装置中央でのＡ−Ａ’線縦断面を表わす図である。
を除いた状態の樹脂封止型半導体装置の平面およびその
装置中央でのＡ−Ａ’線縦断面を表わす図である。
【図２】図１におけるＴＡＢテープを接着した金属板の
平面および中央の断面を表わす図である。
平面および中央の断面を表わす図である。
【図３】従来の一例を説明するための樹脂部を除いた状
態の樹脂封止型半導体装置の平面およびその装置中央で
のＢ−Ｂ’線縦断面を表わす図である。
態の樹脂封止型半導体装置の平面およびその装置中央で
のＢ−Ｂ’線縦断面を表わす図である。
１ 半導体装置 ２ 金属板 ２Ａ 平板状中央部 ２Ｂ 周辺部 ３ 半導体チップ ４ ＴＡＢテープ ５Ａ 第１の電極 ５Ｂ 第２の電極 ５Ｃ 配線パターン ６ ボンディングワイヤ ７ 樹脂部 ８ 接着剤 ９ 半田ボール １１ 中央吊り部 １２ 空間部
Claims (2)
- 【請求項１】 平板状中央部および前記平板状中央部の
四隅を吊り部を介して支持するとともに、前記平板状中
央部の外側に形成される周辺部を備えた金属板と、前記
金属板の前記平板状中央部の下面に接着され且つ接着さ
れない箇所に千鳥状に第１の電極を形成した半導体チッ
プと、第２の電極を備え、前記金属板の前記中央部およ
び前記周辺部に接着されるＴＡＢテープと、前記半導体
チップの前記第１の電極および前記ＴＡＢテープの前記
第２の電極を接続するボンディングワイヤと、前記ＴＡ
Ｂテープの前記第２の電極の表面を除いて前記半導体チ
ップおよび前記金属板を封止する樹脂部と、樹脂封止後
に前記ＴＡＢテープの前記第２の電極の表面に被着した
半田ボールとを有することを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項２】 前記金属板は、前記平板状中央部，前記
平板状中央部の四隅を支持する前記吊り部および前記周
辺部で構成し、前記平板状中央部を前記半導体チップの
面積よりも小さく形成するとともに、前記吊り部の間に
台形状の空間部を形成し、前記空間部において前記第１
の電極および前記第２の電極を前記ボンディングワイヤ
で接続する請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29631896A JP2845846B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29631896A JP2845846B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144830A JPH10144830A (ja) | 1998-05-29 |
| JP2845846B2 true JP2845846B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=17832001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29631896A Expired - Fee Related JP2845846B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845846B2 (ja) |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP29631896A patent/JP2845846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10144830A (ja) | 1998-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980929 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |