JPH03123758A - 液晶中間体及び液晶ポリマー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶中間体及び液晶ポリマーに関するもので
ある。

さらに詳しくいえば、本発明はオプトエレクトロニクス
分野、特に電卓、時計などの表示素子、電子光学シャッ
ター、電子光学絞り、光変調器、光通信光路切換スイッ
チ、メモリー、液晶プリンターヘッド、焦点距離可変レ
ンズなどの種々の電子光学デバイスとして有用な液晶ポ
リマー及びこの液晶ポリマーの製造用に好適に利用する
ことができる液晶中間体に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、低分子液晶を用いた表示素子は電卓、時計などの
デジタル表示に広く使用されている。これらの利用分野
では、通常、従来の低分子液晶は間隔をミクロンオーダ
ーで制御した２枚のガラス基板の間にはさんで使用され
ている。しかしながら、このような間隙の調整は大型画
面および曲面画面では実現が不可能であった。この難点
を解決する１つの手段として、液晶を高分子化し、それ
自体を成形可能ならしめることが試みられているしかし
ながら、これらの液晶ポリマーにおいては、電界など外
的因子の変化に対するその透過光量変化等の応答速度が
一般に遅く、未だ満足しうるちのは得られていない。

また、現在までに知られている強誘電性液晶ポリマーの
ＳｍＣ“相温度領域は、一般に２環骨格体では室温より
低温側に狭く現れ、また３環骨格体では、領域は広いが
室温より高温側に現れ、実用性が低かった（特開昭６３
−２６４６２９号公報）。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、室温付近の幅広い温度領域においてＳａｃ”
相を有し、かつ大きな自発分極値を示すなど優れた液晶
特性を有する新規な強誘電性液晶ポリマーを提供するこ
とを目的とする。

本発明はまた、上記の液晶ポリマーの製造用の中間体と
して好適に利用することができる新規な光学活性化合物
である液晶中間体を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重
ねた結果、側鎖に相隣接する異なった種類の特定の光学
活性炭素を有する特定の構造のポリエーテル型ポリマー
が室温付近の幅広い温度領域においてＳｍＣ”相を有し
、かつ大きな自発分極値を示すなど優れた液晶特性を有
することを見い出し、その知見に基づいて本発明を完成
するに至った。

すなわち、本発明は、下記の一般式で表される繰り返し
単位からなる液晶ポリマーを提供するものである。

〔但し、式中のＸは−ｏ−−ｃｏｏ−又は単結合であ。

す、Ｙは−ｃｏｏ−−ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−で
あり、ｒは１〜３０の整数であり、ｎはＯ〜９の整数で
あ炭素原子を表す。〕 本発明はさらに、上記液晶ポリマーを合成するための中
間体として、下記の一般式で表される液晶中間体を提供
するものである。

は光学活性不斉炭素原子を表す。〕 本発明のポリマーの数平均分子量は、好ましくは１，０
００〜４００．０００である。１，０００未満であると
該ポリマーのフィルム、塗膜としての成形性に支障を生
じる場合があり、一方、４ｏｏ、ｏｏｏを超えると応答
速度が小さいなどの好ましくない効果の現れることがあ
る。そして、数平均分子量の特に好ましい範囲はＸ、Ｙ
、Ｈの種類、ｒ、ｎの値、置換基の光学純度などに依存
するので一概に規定できないが、３，０００〜２ｏｏ、
ｏｏｏである。

以下に、本発明のポリマーの一般的な合成方法を示す。

本発明のポリマーは、下記一般式 〔但し、式中のｍは１又は２であり、ｎはＯ〜９の整数
であり、ｐ及びｑは０又は１であり、じ（ここで、Ｘ、
Ｙ、Ｒ，ｒ、ｎは先に規定したと同じ意味を有する。） で示されるモノマーを公知の方法で重合することにより
得ることができる。

これらの七ツマ−は例えば次のようにして得ることがで
きる。

（１）Ｘが−０−で、Ｙが−ＣＯＯ−で、Ｒが下記の反
応式で示されるように、アルケニルオキシフェニル安息
香酸に５塩化リン等のハロゲン化剤を加え、ヘキサン等
の溶媒中で加熱して酸ハライドとする。次いでこの酸ハ
ライドと（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸２−クロロ−
２−アルコキシカルボニル−１−メチルエチルエステル
とをＴＨＦ等の溶媒中でトリエチルアミン等の存在下に
反応させ、エステル体を得た後、塩化メチレン等の適当
な溶媒中でｍ−クロロ過安息香酸等の過酸を用いてオキ
シラン化することにより、目的とする七ツマ−を得る。

（式中Ｚはハロゲンである。） ここで、下記式で表される（＋）−４−ヒドロキシ安息
香酸２−クロロ−２−アルコキシカルボニル−１−メチ
ルエチルエステルは次のようにして得られる。

４−アセトキシ安息香酸を塩化チオニル等のハロゲン化
剤でハロゲン化して得られた酸ハライドに光学活性な３
−ヒドロキシ−２−クロロブタン酸アルキルエステル（
Ｒ’−ＯＨ）をトリエチルアミン等のアルカリの存在下
ＴＨＦ等の溶媒中で反応させてエステル化する。次いで
、エーテル等の溶媒中でベンジルアミンを用いて脱アセ
チル化することにより得られる。このものは液晶ポリマ
ーの合成に好適に用いられる新規な液晶中間体である。

具体的には、（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸２−クロ
ロ−２−エトキシカルボニル−１−メチルエチルエステ
ルが好適に用いられる。

（２）Ｘが一〇−で、Ｙが−ＣＯＯ−で、Ｒが下記の反
応式で示されるように、アルケニルオキシ安息香酸に塩
化チオニル等のハロゲン化剤を加え、トルエン等の溶媒
中で加熱して酸ハライドとする。次いでこの酸ハライド
と（＋）−４（４′−ヒドロキシフェニル）安息ｔｉ酸
２−り。

ロー２−アルコキシカルボニル−１−メチルエチルエス
テルとをＴＨＦ等の溶媒中でトリエチルアミン等の存在
下に反応させ、エステル体を得た後、（１）と同様にし
てオキシラン化することにより、目的とする七ツマ−を
得る。

ここで、下記式で表される（＋）　−４−（４’−ヒド
ロキシフェニル）安息香酸２−クロロ−２−アルコキシ
カルボニル−１−メチルエチルエステルは次のようにし
て得られる。

４−（４’−アセトキシフェニル）安息香酸を塩化チオ
ニル等のハロゲン化剤でハロゲン化して得られた酸ハラ
イドに光学活性な３−ヒドロキシ−２−クロロブタン酸
アルキルエステルヲトリエチルアミン等のアルカリの存
在下ＴＨＦ等の溶媒中で反応させてエステル化する。次
いで、エーテル等の溶媒中でベンジルアミンを用いて脱
アセチル化することにより得られる。このものは液晶ポ
リマーの合成に好適に用いられる新規な液晶中間体であ
る。具体的には、（＋）　−４−（４’−ヒドロキシフ
ェニル）安息香酸２−クロロ−２−へキシルオキシカル
ボニル−１〜メチルエチルエステルが好適に用いられる
。

（３）Ｘが一〇−で、Ｙが−ＣＯＯ−又は−０−で、）
１ｚＣ＝ＣＨ（ＣＨｔ）　、−Ｚ （ｎ） （Ｉ［） （ＩＶ） 下記反応式で示されるように、アルテノール（１）をピ
リジンの存在下、塩化チオニル等のハロゲン化剤でハロ
ゲン化し、アルケンハライド（ＩＩ）を得る。アルケン
ハライド（ＩＩ）と化合物（Ｉ［［）とを、炭酸カリウ
ム等のアルカリの存在下、２−ブタノン等の適当な溶媒
中で反応させてエーテル体（ＩＶ）を得る０次いでこの
エーテル体を塩化メチレン等の適当な溶媒中で、ｍ−ク
ロロ過安息香酸等の過酸でオキシラン化することにより
、目的とするモノマー（Ｖｌ）を得る。

Ｈ２Ｃ＝ＣＨ（ＣＨｚ）　−−ＯＨ→　Ｈ，Ｃ＝ＣＨ（
ｃｕｔ）　ｒ−Ｚ（１）　　　　　　　　　　（ｎ） （Ｖ） アルテノールとしては９−デセン−１−オール、１１−
ドデセン−１−オール、７−オクテン−１−オール、５
−ヘキセン−１−オールなどが好ましい。

ここで、上記化合物（１）は、下記の如くして合成され
る。

下記反応式に示す如（，４′−ヒドロキシビフェニル−
４−カルボン酸と光学活性アルコール（Ｖｌ）とを、適
当な溶媒、例えばベンゼンなどの溶媒中において、エス
テル化触媒、例えば濃硫酸やＰ−）ルエンスルホン酸な
どの存在下に、所望の温度で反応させることにより、こ
のエステル化合物（■′）を得る。

１）　　　　　　　（ＩＩＩ’　　） 下記の反応式で示されるように、前記光学活性アルコー
ル（Ｖｌ）をトシル化し、これにビフェニル−４，４′
−ジオールを反応させてこのエーテル体（■）を得る。

る。

下記化合物（ＩＸ）を塩化チオニル等により酸クロリド
化する。得られた酸クロリドとエーテル体（■）とをピ
リジンの存在下反応させ、エステル体（Ｘ）を得る。以
後は（１）と同様にオキシラン化を行い、目的とするモ
ノマー（ＸＩ）を得る。

（ＩＸ） （■） （４）ｘが−Ｏ−で、Ｙが−ＣＯＯ−又は−〇−テ、Ｒ
が＠ＯＣ喧唖）ｇ〉である場合 下記反応式で示す如く、アルケンハライド（■）とハイ
ドロキノンとを炭酸カリウム等のアルカリの存在下で反
応させ、エーテル体（■）を得下記の如くして得られる
。

光学活性アルコール（Ｖｌ）とビフェニル−４゜４′−
ジカルボン酸をトルエン等の溶媒中でエスチル化触媒の
存在下反応、させ、上記エステル体（ＸＩ）を得る。

４′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン酸エチルニ
ステルト光学活性アルコール（ＶＩ）ヲｌ−シル化して
得たＲ　’　０３　Ｓ　＠　ＣＨｘとを炭酸カリウム等
の存在下反応させ、エーテル体を得る。このエーテル体
をアルカリ水溶液等と反応させ、保護基のエステルを加
水分解し、上記化合物（Ｘｌｌｌ）を得る。

前記（２）のＲが＠ｃｏｏ−＠）＠）−である七ツマ−
の合成法において、化合物 １（０（）（）Ｃ００Ｒ’の　代わりに化合物ＨＯ＠　
ＯＲ’を用いて同様に合成を行う。

（６）ｘが一〇−テ、Ｙが一〇−又は−ＣＯＯ−で、Ｒ
がを行い、目的とする下記一般式のモノマーを得る。

（５）ｘが−ｏ−テ、Ｙが一〇−テ、Ｒが＠ｃｏｏ＠で
ある場合 過酸　ハ ＨｔＣ−ＣＨ（ＣＨｚ）ｋＯ＠ＯＣＯ＠Ｒ”ここで、上
記化合物（Ｘ■）は下記の如くして得られる。

上記（４）における化合物（Ｘｎ）の合成において、ビ
フェニル−４，４′−ジカルボン酸の代わりにテレフタ
ル酸を用いて同様の反応を行い、上記エステル体（ＸＶ
）を得る。

であるモノマーの合成において、ハイドロキノンの代わ
りにビフェニル−４，４′−ジオールを用←ｎｏｏｃ＠
ｃｏｏＲ’　　（Ｘ　Ｖ　）上記（４）における化合物
（Ｘｌｎ）の合成において、４′−ヒドロキシビフェニ
ル−４−カルボン酸エチルエステルの代わりにｐ−ヒド
ロキシ安息香酸エチルエステルを用いて同様の反応を行
い、上記エーテル体（ＸＶＩ）を得る。

（７）ｘが一〇−テ、ｙカーｃｏｏ−又は−〇−テ、Ｒ
−ｈ＜応を行い、目的とする下記一般式のモノマー（×
■）を得る。

次に、このようにして得られた、一種または二種以上の
モノマーを重合して、本発明のポリマーを合成するが、
この際重合方法として公知のカチオン重合法などを採用
することができる。

カチオン重合の触媒として、各種のものが知られている
が、硫酸、リン酸、過塩素酸のようなプロトン酸、三フ
ッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、塩化第
二スズのようなルイス酸、三フッ化ホウ素エーテラート
などが挙げられ、この中で塩化第二スズが好適に用いら
れる。

また、有機アルミニウム錯体等を用いた配位重合を行う
ことも可能である。この場合には数平均分子量３０，０
００以上のものが得られる。

重合方法としては、塊状重合、スラリー重合、溶液重合
などの種々の方式が知られており、これらのいずれの方
式を用いてもよいが、溶液重合が好ましい。

重合温度は、触媒の種類に依存し一様ではないが、通常
、０〜３０°Ｃが適当である。

重合時間は重合温度など他の要因によって異なるが、通
常１〜６日間である。

分子量の調節は、公知の分子量調節剤の添加および／ま
たはモノマーに対する触媒の濃度の調節によって行うこ
とができる。

塊状重合方式においては、前記モノマーと開始剤とを十
分に混合し、その混合物を十分に脱気し、２枚の基板、
例えばガラス基板の間に導入し、加熱することによって
、ポリマーを基板間に密着した状態で直接に固定化する
こともできる。

スラリー重合、溶液重合方式の場合の溶媒としては、公
知の不活性溶媒を用いることができ、なかでもヘキサン
、塩化メチレン、又はベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族系の溶媒が好適に用いられる。

また、重合反応および前記オキシラン化の反応において
は、必須ではないが、アルゴン、窒素等の不活性ガスで
系を置換して行うことが好ましい。

このようにして得られたポリマーは、公知の成膜法、例
えばキャスティング法、Ｔダイ法、インフレーション法
、カレンダー法、延伸法などによってフィルムに成形し
て用いることができる。フィルム状のポリマーは、２枚
の通常のガラス基板はもとより、大型のガラス基板、曲
面状のガラス基板、ポリエステルフィルムなどの間には
さんで液晶デイスプレー、電子光学シャッター、電子光
学絞りなどの種々のオプトエレクトロニクスの分野に利
用することができる。また、適当な溶媒に溶解したポリ
マー溶液をガラス基板などの基板面に塗布し、溶媒を蒸
発させることによって、直接基板面上に密着した状態で
フィルム化することもできる。

本発明のポリマーは、その相転移温度の測定から、カイ
ラルスメクチックＣ相液晶状態が、室温付近の幅広い温
度領域で実現することが確認された。

本発明のポリマーにおいては、スメクチック相液晶の性
質と、成形容易であるという典型的なポリマーの性質と
が結合しているので、インテグレーテッドオブティクス
、オプトエレクトロニクス、情報記憶の分野に数多くの
応用可能性がある。例えば、種々の形状のディジタル表
示デイスプレィなどの液晶デイスプレィ、電子光学シャ
ッター光通信用光路切換スイッチなどの電子光学スイッ
チ、電子光学絞り、メモリー素子、光変調器、液晶光プ
リンターヘッド、焦点距離可変レンズなどの種々の電子
光学デバイスとして使用することができる。

なお、必要に応じて、前記ポリマー同志の混合、他のポ
リマーとの混合、安定剤、可塑剤などを含めた種々の無
機、有機および金属類等の添加物の添加など、当業界に
おいてよく知られている数多くの処理方法により、改善
することができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明の範囲
はこれら実施例によりなんら限定されるものではない。

なお、得られたポリマーの構造は、ＮＭＲ１■Ｒ１元素
分析により確認し、また相転移温度の測定および相のｉ
認は、それぞれＤＳＣおよび偏光顕微鏡により行った。

（ｇニガラス状態、Ｃｒｙ：結晶状態、ＳｍＣ”　　：
カイラルスメクチックＣ相、ＳｍＡ　：スメクチックＡ
相、Ｉｓｏ：等吉相、相転移挙動の数字は相変化温度を
°Ｃで表したものである。） 電界応答速度および自発分極値は次のようにして測定し
た。

帯　心”声の渭 ２０×１０ＩＩＩＩｎのＩＴＯ基板２枚の間にポリマー
をはさみ、スペーサーで厚さを２５μ艶に調整し、交流
電場Ｅ＝２Ｘ　１０’　Ｖ／ｍをかけ、その際の透過光
量の変化（０→９０％）の応答時間を測定した。

ｌ１」」口１λ虹定 面積０．２ｄのＩＴＯ円形透明電極付ガラス基板でポリ
マーを挟持し、スペーサーで厚さを１０μｍに調整した
。波高値２００■の三角波状に変化する電圧を印加し、
この時観測される分極反転電流の信号から、自発分極値
を求めた。

実施例１ ４−アセトキシ安息香酸９ミリモル（１，６ｇ）及び塩
化チオニル１８ミリモル（２，１ｇ）のトルエン３０Ｊ
ｌｉ！溶液を２時間還流攪拌後、減圧濃縮して酸クロラ
イド体を得た。次に３−アセトキシ−２−クロロブタン
酸エチルエステルの不斉加水分解により合成した（＋）
　−３−ヒドロキシ−２−クロロブタン酸エチルエステ
ル２．９ミリモル（４８０■）及びトリエチルアミン１
ｄのＴＨＦ　１０戚溶液に上記酸クロライド体のＴＨＦ
５＃ｔｌ！溶液を滴下後、室温で５時間攪拌した。減圧
濃縮後、水を加えてエーテル抽出した。乾燥後、エーテ
ルを追加して１００ｊ！ｌ！溶液とした後、ベンジルア
ミン２０ミリモルを加えて、３時間攪拌した。水洗、乾
燥、濃縮を行った後、カラムクロマトグラフィーにより
精製し、目的とするヒドロキシ体６３０■（収率７６％
、〔α〕管＝＋３５．６°　（ＣＨＣ１３）を得た。

得られた化合物の元素分析結果は分子量２８６゜７１と
して、計算値はＣ：５４．４６％、Ｈ：　５．２７％、
実測値はＣ：５４．３％、Ｈ：　５．４％であった。ま
た、’Ｈ−ＮＭＲ分析のチャートを第１図に示した。

実施例２ ポリ　４−　４’−４“−９１０−エボ−ＧＣＨ，ＣＩ
Ｉ（９− ４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸をアセチル
化して合成した４−（４’−アセトキシフェニル）安息
香酸９ミリモル（２，３ｇ）及び（＋）−３−ヒドロキ
シ−２−クロロフ゛タン酸ヘキシルエステル３ミリモル
（６７０＋ｏｇ）！用いて実施例１と同様に合成した。

（収量８１０■、収率６４％、Ｃｃｘ〕％’　＝＋２５
−５　’　　（ＣＦＩＣＩｓ））　ヲ４だ。

得られた化合物の元素分析結果は分子！４１８゜９２と
して、計算値はＣ：　６５．９４％、Ｈ：　６．５０％
、実測値はＣ：６５．９％、Ｈ：　６．６％であった。

実施例３ ４−　（４’　−（９−デセニルオキシ）フェニル１安
息香酸２ミリモル（７０４ｍｇ）のエーテル２（ｌｄ懸
濁液に五塩化リン２．２ミリモルを加えて２時間撹拌後
、濾過、濃縮を行った。濃縮物にヘキサンを加えて７０
℃まで加熱し、固形物を溶解後、静置して結晶を析出さ
せた。結晶を濾別後、乾燥して酸クロライド体を得た。

実施例１で合成したヒドロキシ体１ミリモル（２８７■
）及びトリエチルアミン１ｄのＴ　ＨＦ　５　ｘｌＱ’
４液に上記酸りロライド体のＴＨＦ２ｄ溶液を滴下後、
室温で５時間攪拌した。減圧濃縮後、カラムクロマトグ
ラフィーにより精製し、アルケン体４７０■（収率７６
％、〔α〕’、’　＝　＋１４．８°　（ＣＨＣＩ３）
）を得た。

得られた化合物の相転移挙動を次に示す。

より精製し、目的とするポリマー１３５ｍｇ（収率７７
％、ＧＰＣによるＰＳ換算値　Ｍｎ−２８００、（α〕
管＝＋１２．６　＠（ＣＨＣＩ３））を得た。

’Ｈ−ＮＭＲ分析のチャートを第２図に示した。

得られたポリマーの相転移挙動及び自発分極値を次に示
す。

■で合成したアルケン体０．２９ミリモル（１８０■）
及びｍ−クロロ過安息香酸０．４３ミリモル（１１０ｍ
１ｇ）の塩化メチレン１０ｄ溶液をアルゴン置換後、室
温で５時間攪拌した。反応液を炭酸カリウム水溶液で洗
浄後、乾燥、−ａ縮し、エポキシ体１７５■（収率９５
％）を得た。

■±ユヱニ金底 ■で得たエポキシ体（エポキシモノマー）１７５ｍｇの
塩化メチレン８ｄｌ液をアルゴン置換後場化第二スズ０
．０３ミリモルを加えて室温で４日間攪拌した。濃縮物
をカラムクロマトグラフィーに実施例４ ■４−　４’　−４”−９−デセニルオキシ）ベン゛イ
ルオキシ　フェニル　′自　　　−ロ４−（９−デセニ
ルオキシ）安息香酸２ミリモル（５５０■）及び塩化チ
オニル６ミリルエン２０ｄ溶液を２時間還流攪拌後、減
圧濃縮して酸クロライド体を得た。実施例２で合成した
ヒドロキシ体１ミ′リモル（４２０ｍｇ）及びトリエチ
ルアミンｌｄのＴＨＦ１０１１１溶液に上記酸クロライ
ド体のＴＩ（Ｆ！Ｍ！溶液を滴下後、５時間攪拌した。

濃縮物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、アル
ケン体５８５■（収率８６％、〔α〕り＝　＋１　６．
　２　＠（ＣＨＣＩ：＋））を得た。

得られた化合物の相転移挙動を次に示す。

■で合成したアルケン体０．５０ミリモル（３４０■）
を用いて実施例３の■と同様にしてエポキシ体３４０■
（収率９８％）を得た。

■ｆＪ」≧二色底 ■で得たエポキシモノマー３４０■を用いて実施例３の
■と同様にして目的とするポリマー２８０■（収率８２
％、ＧＰＣによるＰＳ換算値　Ｍｎ−２　６　０　０、
（α）％’＝＋１７．８°　（ＣＨＣ１＋））を得た。

得られた化合物の相転移挙動及び自発分極値を次に示す
。

〔発明の効果〕

本発明によると、室温付近の幅広い温度領域において、
Ｓａｃ′″相を有し、かつ大きな自発分極を示す強誘電
性液晶ポリマーと、該液晶ポリマーの中間体等として好
適に利用することができる液晶中間体を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１で得られた液晶中間体の’Ｈ−ＮＭＲ
スペクトルのチャート、第２図は実施例３で得られた液
晶ポリマーのＩＨ−ＮＭＲスペクトルのチャートをを表
す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記の一般式で表される液晶中間体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、式中のｍは１又は２であり、ｎは０〜９の整数
   であり、ｐ及びｑは０又は１であり、Ｃ＾＊は光学活性
   不斉炭素原子を表す。〕２、下記の一般式で表される繰
   り返し単位からなる液晶ポリマー。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、式中のＸは−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は単結合であ
   り、Ｙは−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−
   であり、ｒは１〜３０の整数であり、ｎは０〜９の整数
   であり、Ｒは▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ であり、Ｃ＾＊は光学活性不斉炭素原子を表す。〕