JPH03120854A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH03120854A JPH03120854A JP26043689A JP26043689A JPH03120854A JP H03120854 A JPH03120854 A JP H03120854A JP 26043689 A JP26043689 A JP 26043689A JP 26043689 A JP26043689 A JP 26043689A JP H03120854 A JPH03120854 A JP H03120854A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に外部リード
の構造に関する。
の構造に関する。
従来、パッケージの周囲に形成される樹脂封止型半導体
装置（以下モールドＩＣと記す）の外部リードは、第４
図に示すように、０．１２５〜０．２ｍｍ程度の厚みを
もったＦｅ−Ｎｉ合金、あるいはＣｕ合金等からなる板
材を、特定形状に加工したものにメツキあるいはディッ
ピングにより半田、Ｓｎ等がその表面に被覆された構造
のものとなっていた。また、その外部リード２間のピッ
チは、２．５４ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０ｍｍ、０．
８ｍｍ、０．６５ｍｍ、０．５ｍｍ等となっていた。
装置（以下モールドＩＣと記す）の外部リードは、第４
図に示すように、０．１２５〜０．２ｍｍ程度の厚みを
もったＦｅ−Ｎｉ合金、あるいはＣｕ合金等からなる板
材を、特定形状に加工したものにメツキあるいはディッ
ピングにより半田、Ｓｎ等がその表面に被覆された構造
のものとなっていた。また、その外部リード２間のピッ
チは、２．５４ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０ｍｍ、０．
８ｍｍ、０．６５ｍｍ、０．５ｍｍ等となっていた。
上述した従来のモールドＩＣの外部リード２は、０．１
２５〜０．２ｍｍ程度の厚みをもっているなめ、リード
間ピッチが０．５ｍｍ程度以下になってくると、樹脂封
止工程でリード間をつないで樹脂の外部への流出を防止
しているタイバーの切断が困難となる。すなわち、樹脂
封止工程後にタイバーを切断する際に、従来の金型によ
る切断ではその金型パンチが細くなるため強度が不足し
て切断できなかったり、パンチの磨耗が早かったりする
という欠点がある。
２５〜０．２ｍｍ程度の厚みをもっているなめ、リード
間ピッチが０．５ｍｍ程度以下になってくると、樹脂封
止工程でリード間をつないで樹脂の外部への流出を防止
しているタイバーの切断が困難となる。すなわち、樹脂
封止工程後にタイバーを切断する際に、従来の金型によ
る切断ではその金型パンチが細くなるため強度が不足し
て切断できなかったり、パンチの磨耗が早かったりする
という欠点がある。
また、外部リードピッチが小さくなればなるはど、リー
ドの変形によるリード間ショートの発生、および半田付
時の半田ブリッジによるリード間ショートの発生が生じ
るという欠点がある。従って樹脂封止型半導体装置の信
頼性及び歩留りが低下する。
ドの変形によるリード間ショートの発生、および半田付
時の半田ブリッジによるリード間ショートの発生が生じ
るという欠点がある。従って樹脂封止型半導体装置の信
頼性及び歩留りが低下する。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、パッケージ周囲に外
部リードを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
外部リードは薄板または箔より成り、かつその半田付部
分以外はフィルム状の絶縁膜により被覆されているもの
である。
部リードを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
外部リードは薄板または箔より成り、かつその半田付部
分以外はフィルム状の絶縁膜により被覆されているもの
である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）および第２図は、本発明の一実施
例の下面図とそのコーナ一部Ｂの拡大斜視図、および斜
視図である。
例の下面図とそのコーナ一部Ｂの拡大斜視図、および斜
視図である。
モールドＩＣｌ０のパッケージ１の外周部には、外部リ
ード２が厚さ３５μｍの銅箔により形成され、その周囲
はポリイミドフィルム３により被覆されている。ただし
、半田付部４は、ポリイミドフィルム３がエツチングあ
るいはレーザー等による開口により形成されており、外
部リード２がクリーム半田を介してプリント基板と電気
的接続ができるようになっている。
ード２が厚さ３５μｍの銅箔により形成され、その周囲
はポリイミドフィルム３により被覆されている。ただし
、半田付部４は、ポリイミドフィルム３がエツチングあ
るいはレーザー等による開口により形成されており、外
部リード２がクリーム半田を介してプリント基板と電気
的接続ができるようになっている。
このように構成された第１の実施例によれば、外部リー
ド２に銅箔を用いることによりリードピッチが０．５ｍ
ｍ以下、例えば０．２ｍｍ程度となっても十分に外部リ
ード２を形成することができる。また、この外部リード
２をフィルム状のポリイミドで被覆し、かつ外部リード
間もつないでいるため、リード間距離の変形もなく、シ
ョート不良の発生もなくなっている。さらに、パッケー
ジ１の下面に外部リード２を配置することにより、実装
密度の向上も図られている。
ド２に銅箔を用いることによりリードピッチが０．５ｍ
ｍ以下、例えば０．２ｍｍ程度となっても十分に外部リ
ード２を形成することができる。また、この外部リード
２をフィルム状のポリイミドで被覆し、かつ外部リード
間もつないでいるため、リード間距離の変形もなく、シ
ョート不良の発生もなくなっている。さらに、パッケー
ジ１の下面に外部リード２を配置することにより、実装
密度の向上も図られている。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の外部リ
ード部の斜視図および側面図である。
ード部の斜視図および側面図である。
外部リード２Ａは厚さ７０μｍの銅合金により形成され
、その周囲はポリイミドフィルム３により被覆されてい
る。
、その周囲はポリイミドフィルム３により被覆されてい
る。
水弟２の実施例においては、外部リード２Ａの厚さを第
１の実施例より２倍に厚くしたことにより、ガルウィン
グ形状にリードを形成し、ポリイミドフィルム３の被覆
とともに安定したチドリ形状を保つことができる。さら
に第４図に示した従来のモールドＩＣよりも外部リード
の厚さは薄いため、リードピッチを縮小することができ
る。更にリード間のショートも防止できるという利点が
ある。
１の実施例より２倍に厚くしたことにより、ガルウィン
グ形状にリードを形成し、ポリイミドフィルム３の被覆
とともに安定したチドリ形状を保つことができる。さら
に第４図に示した従来のモールドＩＣよりも外部リード
の厚さは薄いため、リードピッチを縮小することができ
る。更にリード間のショートも防止できるという利点が
ある。
以上説明したように本発明は、樹脂封止型半導体装置の
外部リードを導電性の薄板または箔により形成し、かつ
その半田付部分を除きフィルム状の電気絶縁性物質によ
り被覆することにより、外部リードピッチを縮小するこ
とができ、また外部リードのリード変形あるいは実装時
の半田ブリッジによる外部導出リード間のショート不良
を低減できる効果がある。従って樹脂封止型半導体装置
の信頼性及び歩留りを向上させることができる。
外部リードを導電性の薄板または箔により形成し、かつ
その半田付部分を除きフィルム状の電気絶縁性物質によ
り被覆することにより、外部リードピッチを縮小するこ
とができ、また外部リードのリード変形あるいは実装時
の半田ブリッジによる外部導出リード間のショート不良
を低減できる効果がある。従って樹脂封止型半導体装置
の信頼性及び歩留りを向上させることができる。
さらに、外部リード形状がフレキシブルななめ、形状に
より半導体装置の実装密度を向上させることができる効
果もある。
より半導体装置の実装密度を向上させることができる効
果もある。
第１図（ａ）、（ｂ）および第２図はそれぞれ本発明の
一実施例の下面図とそのコーナ一部Ｂの拡大斜視図、お
よび斜視図、第３図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の
実施例の外部リード部の斜視図および側面図、第４図は
従来例の斜視図である。 １・・・パッケージ、２，２Ａ・・・外部リード、３・
・・ポリイミドフィルム、４・・・半田付部、１０・・
・モールドＩＣ。
一実施例の下面図とそのコーナ一部Ｂの拡大斜視図、お
よび斜視図、第３図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の
実施例の外部リード部の斜視図および側面図、第４図は
従来例の斜視図である。 １・・・パッケージ、２，２Ａ・・・外部リード、３・
・・ポリイミドフィルム、４・・・半田付部、１０・・
・モールドＩＣ。
Claims (1)
- パッケージ周囲に外部リードを有する樹脂封止型半導体
装置において、前記外部リードは薄板または箔より成り
、かつその半田付部分以外はフィルム状の絶縁膜により
被覆されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043689A JPH03120854A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043689A JPH03120854A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120854A true JPH03120854A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17347914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26043689A Pending JPH03120854A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259880A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP26043689A patent/JPH03120854A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259880A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4524570B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2010-08-18 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
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