JPH03116779A - 受光素子内蔵集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、受光素子とその出力である光電流と増幅等の
信号処理を行なう集積回路とが同一ペレット上に形成さ
れた受光素子内蔵集積回路装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の受光素子内蔵集積回路装置の断面図を第３図、平
面図を第４図に示す、従来、半導体基板４上にＮ型高濃
度埋込み領域５を有し、Ｎ型低濃度領域のエピタキシャ
ル層３を成長させ、Ｐ型窩濃度領域６．Ｎ型高濃度領域
７と素子分離領域１とが拡散により設けられている。

さらに、シリコン酸化膜１１が形成され、Ｎ型高濃度領
域７及びＰ型窩濃度領域６上のシリコン酸化膜１１を開
孔して金属８が設けられ、その上部に眉間絶縁膜９が成
長され、受光素子、ボンディング窓１０を除くチップ全
面に遮光用金属２が形成されている。つまり受光素子に
照射されるべき光の一部やもれ光などがトランジスタや
抵抗の部分に光が照射されるとその部分で光電流が発生
し集積回路装置の正常な動作をさまたげる為に遮光用金
属２が形成されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、ボンディング窓１０に対向する遮光用金
属の部分は、ワイヤボンディングする為にボンディング
窓と遮光用金属が接触しない様に離している為、受光素
子に照射されるべき光の一部や装置周囲からのもれ光な
どがボンディング窓と遮光用金属との間から入射し、シ
リコン酸化膜、眉間絶縁膜を乱反射して内部に光がもれ
、その部分で光電流が発生し集積回路装置の正常な動作
をさまたげる欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の受光素子内蔵集積回路装置は、ボンディング窓
に対向する遮光用金属下の素子分離領域にコンタクトし
た金属を形成し、この金属を前記遮光用金属に接続させ
ている。

〔実施例〕

本発明の受光素子内蔵集積回路装置の断面図を第１図、
平面図を第２図に示す、半導体基板４上にＮ型高濃度埋
込み領域５を有し、Ｎ型低濃度領域のエピタキシャル層
（コレ、フタ）３を成長させ、Ｐ型高濃度（ベース）６
、Ｎ型高濃度領域（エミッタ）７と素子分離領域１とが
拡散により設けている。さらに素子分離領域１．Ｎ型高
濃度領域７．Ｐ型窩濃度領域６上のシリコン酸化膜１１
を開孔し、各開孔部に金属８を設け、その上部に層間絶
縁膜９を成長し、受光素子、ボンディング窓を除くチッ
プ全面に遮光用金属２を形成している。ボンディング窓
１０に対向する遮光用金属２下の素子分離領域１上の層
間絶縁膜９にスルーホール１３を形成し、このスルーホ
ール１３を介してコンタクトホール１４の部分に形成し
た金属を前記遮光用金属２に接続させている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ボンディング窓に対向す
る遮光用金属下の素子分離領域にコンタクトホールを介
して金属を設け、ホールを介して素子分離領域上に設け
た金属を前記遮光用金属に接続したので、シリコン酸化
膜、眉間絶縁膜中においても遮光される為、受光素子に
照射されるべき光や外部からのもれ光などがシリコン酸
化膜。

眉間絶縁膜を乱反射し内部に光がもれることがなく集積
回路装置の誤動作を防ぐことが出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例による断面図である。第２
図は、本発明の一実施例による平面図である。第３図は
、従来の受光素子内蔵集積回路装置の断面図である。第
４図は、従来の受光素子内蔵集積回路装置の平面図であ
る。 １・・・素子分離領域、２・・・遮光用金属、３・・・
エピタキシャル層、４・・・半導体基板、５・・・Ｎ型
高濃度埋込み領域、６・・・Ｐ型高濃度領域、７・・・
Ｎ型高濃度領域、８・・・金属、９・・・層間絶縁膜、
１０・・・ボンディング窓、１１・・・シリコン酸化膜
、１３・・・スルーホール、１４・・・コンタクトホー
ル。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光信号を電気信号に変換する受光素子と、該受光素子よ
   り発生する光電流を増幅及び信号処理を行なう回路とが
   同一ペレット上に集積され、少くとも前記回路上に遮光
   用金属を備えた受光素子内蔵集積回路装置に於いて、ボ
   ンディング窓に対向する遮光用金属下の素子分離領域と
   前記遮光用金属を金属膜にて接続したことを特徴とする
   受光素子内蔵集積回路装置。