JPH03116713A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
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- JPH03116713A JPH03116713A JP2164340A JP16434090A JPH03116713A JP H03116713 A JPH03116713 A JP H03116713A JP 2164340 A JP2164340 A JP 2164340A JP 16434090 A JP16434090 A JP 16434090A JP H03116713 A JPH03116713 A JP H03116713A
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- chamber
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 4
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L21/00—Vacuum gauges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、埃で汚染され易い対象物の保管、計量、又は
処理用であって、ガス入口部とガス出口部を有し、真空
吸引可能なチャンバーを備えた真空装置に関する。
処理用であって、ガス入口部とガス出口部を有し、真空
吸引可能なチャンバーを備えた真空装置に関する。
(従来の技術)
処理サイクル中に埃で汚染され易い対象物の計量、予備
処理、処理、又は−時的保管のための真空装置を実現す
る手段として、種々の手段が既知である。
処理、処理、又は−時的保管のための真空装置を実現す
る手段として、種々の手段が既知である。
米国特許第4.718,975号は、処理すべき対象物
、即ち半導体ウェファ−を非処理段階で移動可能な覆仮
により覆う処理チャンバーを開示している。
、即ち半導体ウェファ−を非処理段階で移動可能な覆仮
により覆う処理チャンバーを開示している。
米国特許第4,687,542号はウェファ−の中間倉
庫用の装置を開示している。その倉庫には、多数のウェ
ファ−が密封された箱に格納されて真空吸引する空間に
収納されていて、前記空間が封止されかつ真空吸引され
た時にのみ前記箱は開放される。
庫用の装置を開示している。その倉庫には、多数のウェ
ファ−が密封された箱に格納されて真空吸引する空間に
収納されていて、前記空間が封止されかつ真空吸引され
た時にのみ前記箱は開放される。
日本特許出願第59−114814号は、事前真空吸引
バルブがチョーク弁として機能する多孔質材料を備えて
いる真空装置を開示している。
バルブがチョーク弁として機能する多孔質材料を備えて
いる真空装置を開示している。
日本特許出願第61−58252号は、埃を軽減するた
めに、格納空間に品物を出し入れする間、ガス流れが常
に下向きに指向されている試料チャンバーを開示してい
る。
めに、格納空間に品物を出し入れする間、ガス流れが常
に下向きに指向されている試料チャンバーを開示してい
る。
(発明が解決しようとする課題)
上記手段の全てが、埃汚染の見地から成る改善を達成し
たとしても、多くの適用においてそれらの手段が適切で
ないことが判明している。これらの欠陥を軽減すること
が本発明の目的である。
たとしても、多くの適用においてそれらの手段が適切で
ないことが判明している。これらの欠陥を軽減すること
が本発明の目的である。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、冒頭に定義した本発明に係
る真空装置は、次の特徴を有している。
る真空装置は、次の特徴を有している。
即ち、ガス入口部は、断面積がガス入口部より大きい通
路を通って多孔板を介して真空チャンバーに連結された
中間チャンバーを備えている。
路を通って多孔板を介して真空チャンバーに連結された
中間チャンバーを備えている。
本発明に係る真空装置の多孔材料は、比較的大きな通路
を閉止しているので、多孔材料は、チョークバルブと、
空間的に均質化されたガス入口と、及び交換容易でかつ
再生可能なダスト濾過器の機能を結合することができる
。
を閉止しているので、多孔材料は、チョークバルブと、
空間的に均質化されたガス入口と、及び交換容易でかつ
再生可能なダスト濾過器の機能を結合することができる
。
好適実施例では、多孔板は、入口開口部の拡大部と真空
チャンバーの間に配置されている。多孔板の有効通過断
面積は、好適には出来るかぎり大きい、特定すれば出口
開口部の通路断面積の少なくとも10倍に達するのが望
ましい。そのような多孔板は、簡単な脱着自在のクラン
プ具により入口開口部と真空チャンバーとの間に取り付
けられた、例えば多孔ステンレス鋼板により形成されて
いる。
チャンバーの間に配置されている。多孔板の有効通過断
面積は、好適には出来るかぎり大きい、特定すれば出口
開口部の通路断面積の少なくとも10倍に達するのが望
ましい。そのような多孔板は、簡単な脱着自在のクラン
プ具により入口開口部と真空チャンバーとの間に取り付
けられた、例えば多孔ステンレス鋼板により形成されて
いる。
多孔板により閉止された本発明に係る真空チャンバーは
、例えばチップ検査装置の電子ビームパターンジェネレ
ータ等のチップ製造装置の一部、適当に構成された走査
電子顕微鏡の一部、イオンインプランテーション装置の
一部、例えば集積回路素子、ホトダイオード及び類似の
物の物理的化学的処理装置の一部を構成することもでき
る。真空空間は、測定空間又は処理空間として働くのと
同時に処理又は測定工程中例えばウェファ−又はチップ
の一時的保管のための真空倉庫として働く。
、例えばチップ検査装置の電子ビームパターンジェネレ
ータ等のチップ製造装置の一部、適当に構成された走査
電子顕微鏡の一部、イオンインプランテーション装置の
一部、例えば集積回路素子、ホトダイオード及び類似の
物の物理的化学的処理装置の一部を構成することもでき
る。真空空間は、測定空間又は処理空間として働くのと
同時に処理又は測定工程中例えばウェファ−又はチップ
の一時的保管のための真空倉庫として働く。
簡単のために、術語′″真空チャンバー°°は、圧力に
関して調節される空間を意味すると理解すべきで、術語
°”真空゛は、減圧の程度を意味しないことに注意すべ
きである。
関して調節される空間を意味すると理解すべきで、術語
°”真空゛は、減圧の程度を意味しないことに注意すべ
きである。
添付図面を参照して、以下に詳細に本発明に係る好適実
施例を説明する。
施例を説明する。
(実施例)
図は、本発明に係る真空装置を図解的に示す。
真空装置1は、濾過器6と、ポンプ8と、駆動モータ1
0とをを備えたガス人口4を有する真空チャンバー2を
備えている。入口の反対側には、パルプ14と、ポンプ
16と、駆動モータ18とを備えたガス出口12が位置
している。ガス入口開口部20は、ガス入口開口部に比
べて断面積が大きい通路開口部24を介して事実上の真
空チャンバー2と連通ずる中間チャンバー22と連通ず
る。入口開口部20は、好適には例えば焼結ステンレス
鋼製の多孔板25により閉止されている。多孔板25は
、この場合Oリング28を介在させて比較的脱着容易な
りランプ具2Gにより入口開口部に取り付けられる。埃
に汚染され易い処理又は測定対象物30は、真空チャン
バー2に存在する。この対象物は、例えば半導体ウェフ
ァ−1半導体素子のマトリックス、及びそれに類似する
ものである。
0とをを備えたガス人口4を有する真空チャンバー2を
備えている。入口の反対側には、パルプ14と、ポンプ
16と、駆動モータ18とを備えたガス出口12が位置
している。ガス入口開口部20は、ガス入口開口部に比
べて断面積が大きい通路開口部24を介して事実上の真
空チャンバー2と連通ずる中間チャンバー22と連通ず
る。入口開口部20は、好適には例えば焼結ステンレス
鋼製の多孔板25により閉止されている。多孔板25は
、この場合Oリング28を介在させて比較的脱着容易な
りランプ具2Gにより入口開口部に取り付けられる。埃
に汚染され易い処理又は測定対象物30は、真空チャン
バー2に存在する。この対象物は、例えば半導体ウェフ
ァ−1半導体素子のマトリックス、及びそれに類似する
ものである。
この種の対象物は、位置決め、温度測定、電流消散等の
測定装置を構成する図解的に示した支持装置32により
支持される。この場合、装置は、軸38の周りに回転自
在である壁部分36に連結されている。そのため、対象
物を調節室40と真空チャンバーとの間で移動できる。
測定装置を構成する図解的に示した支持装置32により
支持される。この場合、装置は、軸38の周りに回転自
在である壁部分36に連結されている。そのため、対象
物を調節室40と真空チャンバーとの間で移動できる。
本実施例において、ガス出口12は、ポンプ下降開口部
42と、ポンプ下降室44と、出口通路開口部46とを
介して真空チャンバーに連結されている。
42と、ポンプ下降室44と、出口通路開口部46とを
介して真空チャンバーに連結されている。
出口通路開口部は、多孔板50により同じく閉止されて
いる。
いる。
図は、本発明に係る真空装置を図解的に示す。
■・・・真空装置
2・・・真空チャンバー
4・・・ガス入口部
6・・・濾過器
8・・・ポンプ
10・・・駆動モータ
12・・・ガス出口部
14・・・バルブ
16・・・ポンプ
18・・・駆動モータ
20・・・ガス入口開口部
22・・・中間チャンバー
24・・・通路開口
25・・・多孔板
26・・・脱着自在クランプ具
28・・・O−リング
30・・・対象物
32・・・支持装置
36・・・壁部
38・・・軸
40・・・調節室
42・・・ポンプ下降開口部
44・・・ポンプ下降チャンバー
46・・・出口通路開口部
50・・・多孔板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、埃に汚染され易い対象物の保管、測定、又は処理用
であって、ガス入口部とガス出口部とを有し、真空吸引
可能なチャンバーを備える真空装置において、前記ガス
入口部は、断面積がガス入口部より大きい通路を通って
多孔板を介して前記真空チャンバーに連結された中間チ
ャンバーを備えている、ことを特徴とする真空装置。 2、前記多孔板は、前記ガス入口部の開口拡大部と前記
真空チャンバーとの間に配置されている、ことを特徴と
する請求項1に記載の真空装置。 3、前記多孔板の有効通過断面積は前記ガス出口部の開
口の断面積の少なくとも約2倍から10倍である、こと
を特徴とする請求項1又は2に記載の真空装置。 4、前記多孔板は、脱着自在クランプ具によりガス通路
開口部に取り付けてある、ことを特徴とする請求項1か
ら3のうちいずれか1項に記載の真空装置。 5、前記ガス出口通路開口部は、多孔板により閉止され
ている、ことを特徴とする請求項1から4のうちいずれ
か1項に記載の真空装置。 6、チップ製造装置の一部を構成する、ことを特徴とす
る請求項1から5のうちいずれか1項に記載の真空装置
。 7、チップ検査装置の一部を構成する、ことを特徴とす
る請求項1から5のうちいずれか1項に記載の真空装置
。 8、イオン注入装置の一部を構成する、ことを特徴とす
る請求項1から5のうちいずれか1項に記載の真空装置
。 9、電子走査顕微鏡の一部を構成する、ことを特徴とす
る請求項1から5のうちいずれか1項に記載の真空装置
。 10、埃汚染を受け易い対象物の製造装置又は検査装置
の一部を構成する、ことを特徴とする請求項1から5の
うちいずれか1項に記載の真空装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8901630A NL8901630A (nl) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | Vacuuem systeem. |
NL8901630 | 1989-06-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116713A true JPH03116713A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=19854916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2164340A Pending JPH03116713A (ja) | 1989-06-28 | 1990-06-25 | 真空装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5013384A (ja) |
EP (1) | EP0405668B1 (ja) |
JP (1) | JPH03116713A (ja) |
KR (1) | KR910001367A (ja) |
DE (1) | DE69017284T2 (ja) |
NL (1) | NL8901630A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103424303A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 中国科学院物理研究所 | 一种真空精密位移装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2661455B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
US5308989A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-03 | Eaton Corporation | Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter |
US5718029A (en) * | 1996-11-06 | 1998-02-17 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Pre-installation of pumping line for efficient fab expansion |
US6105435A (en) | 1997-10-24 | 2000-08-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same |
KR100379475B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2003-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브의 무촉매 성장방법 |
KR100550342B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 가스 산포 방법, 및 샤워 헤드, 및 샤워 헤드를 구비하는반도체 기판 가공 장치 |
WO2006023595A2 (en) | 2004-08-18 | 2006-03-02 | New Way Machine Components, Inc. | Moving vacuum chamber stage with air bearing and differentially pumped grooves |
US7927423B1 (en) * | 2005-05-25 | 2011-04-19 | Abbott Kenneth A | Vapor deposition of anti-stiction layer for micromechanical devices |
CN102464278B (zh) * | 2010-10-29 | 2014-09-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种直线驱动装置及应用该装置的半导体处理设备 |
KR101267150B1 (ko) * | 2011-04-11 | 2013-05-24 | (주)엘지하우시스 | 다단식 진공단열재의 진공도 측정 장치 및 이를 이용한 측정방법 |
KR102662055B1 (ko) * | 2021-12-20 | 2024-04-29 | 세메스 주식회사 | 기판 반송 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4622918A (en) * | 1983-01-31 | 1986-11-18 | Integrated Automation Limited | Module for high vacuum processing |
EP0555891B1 (en) * | 1985-10-24 | 1999-01-20 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum processing system and method |
US4687542A (en) * | 1985-10-24 | 1987-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum processing system |
US4718957A (en) * | 1986-07-24 | 1988-01-12 | Sensenbrenner Kenneth C | Process of creating an artificial fingernail |
US4718975A (en) * | 1986-10-06 | 1988-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Particle shield |
FR2621887B1 (fr) * | 1987-10-20 | 1990-03-30 | Sgn Soc Gen Tech Nouvelle | Confinement dynamique et accostage sans contact |
-
1989
- 1989-06-28 NL NL8901630A patent/NL8901630A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-06-22 US US07/542,454 patent/US5013384A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-25 JP JP2164340A patent/JPH03116713A/ja active Pending
- 1990-06-25 DE DE69017284T patent/DE69017284T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-25 EP EP90201644A patent/EP0405668B1/en not_active Revoked
- 1990-06-25 KR KR1019900009375A patent/KR910001367A/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103424303A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 中国科学院物理研究所 | 一种真空精密位移装置 |
CN103424303B (zh) * | 2012-05-22 | 2015-12-02 | 中国科学院物理研究所 | 一种真空精密位移装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0405668B1 (en) | 1995-03-01 |
NL8901630A (nl) | 1991-01-16 |
DE69017284T2 (de) | 1995-09-14 |
EP0405668A1 (en) | 1991-01-02 |
KR910001367A (ko) | 1991-01-30 |
DE69017284D1 (de) | 1995-04-06 |
US5013384A (en) | 1991-05-07 |
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