JPH03112188A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置に適用して有効な技術に関するも
ので、特に、面実装タイプのパッケージを実装基板に実
装してなる半導体装置に利用して有効な技術に関するも
のである。

［従来の技術］ フラットパッケージ等の面実装タイプのパッケージを実
装基板に実装してなる半導体装置が知られている。

この半導体装置の一例を示したのが第４図である。

同図において、符号１１は、例えばガラスエポキシ樹脂
等を主体とした＃＠縁物よりなる実装基板を示しており
、この実装基板１１上には１例えばＣｕ、Ｎｉ等の金属
メツキによるメタライズ部３゜３〜３が所定間隔離間さ
れて多数形成されている。

これらメタライズ部３，３〜３には、面実装タイプの半
導体パッケージより突出するアウタリード５．５〜５が
、例えば半田ペースト４等の導電性接合材を介して接続
されており、これらアウタリード５，５〜５とメタライ
ズ部３，３〜３との電気的導通がなされるようになって
いる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記半導体装置においては以下の問題点
がある。

すなわち、製造誤差や製造中における外力等によりアウ
タリード５，５〜５にリード高さバラツキＡが生じた場
合には、第４図に示されるように、アウタリード５ａが
他の正常なアウタリード５に対して浮いてしまい、該浮
きリード５ａを半田ペースト４によりメタライズ部３に
接続できなくなって導通不良等を起こすといった問題点
がある。

ここで、この浮きリード５ａをメタライズ部３に接続し
ようと半田ペースト量を増量した場合には、第５図に示
されるように、増量された半田ペースト１４がメタライ
ズ部３より流出し、隣設の半田ペースト１４に接触して
ショートを起こすという問題点がある。

本発明は係る問題点に鑑みなされたものであって、導通
不良並びにショート不良が防止された半導体装置を提供
することを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、絶縁板上に複数のメタライズが施され、これ
らのメタライズ部に、面実装型の半導体パッケージより
突出するアウタリードを導電性接合材を介してそれぞれ
接合してなる半導体装置において、前記メタライズ部が
、該メタライズ間の絶縁部より低くなるよう該半導体装
置を構成したものである。

［作用］ 上記した手段によれば、メタライズ部が、該メタライズ
間の絶縁部より低くなるよう半導体装置を構成するよう
にしたので、導電性接合材を従来より増量した場合に、
この増量された導電性接合材の流出による隣設導電性接
合材との接触が、メタライズ間の絶縁部により阻止され
ると共に、この導電性接合材の増量により浮きリードを
メタライズ部に電気的に接続できるようになるという作
用により、ショート不良並びに導通不良を防止するとい
う上記目的が達成されることになる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

第１図には本発明に係る半導体装置の第１実施例が示さ
れている。

この第１実施例の半導体装置は、例えばフラットパッケ
ージ等の面実装タイプのパッケージを、例えばガラスエ
ポキシ樹脂等を主体とした絶縁物よりなる実装基板ｌに
実装してなる半導体装置であって、この半導体装置では
、実装基板１上に、例えばＣｕ、Ｎｉ等の金属メツキに
よるメタライズ部３，３〜３が所定間隔離間されて多数
形成されている。そして、この第１実施例の半導体装置
にあっては、メタライズ部３，３〜３間には１例えばレ
ジスト等の絶縁物よりなり、その高さがメタライズ部３
のそれより高いダム２がそれぞれ形成されている。

従って、導電性接合材としての半田ペースト４を増量し
た場合、この増量された半田ペースト４の流出による隣
設の半田ペースト４との接触が、」二記ダム２により阻
止されると共に、この半田ペースト４の増量により、製
造誤差や製造中における外力等により生じる浮きリード
５ａがメタライズ部３に電気的に接続されるようになる
。

ここで、ダム２の高さは、上記増量された半田ペースト
４がダム２から溢れ出さないような高さとなっていると
いうのはいうまでもない。

このように構成される半導体装置によれば次のような効
果を得ることができる。

すなわち、メタライズ３，３〜３間に、該メタライズ３
より高いダム２をそれぞれ形成するようにしたので、半
田ペースト４を従来より増量した場合に、この増量され
た半田ペースト４の流出による隣設半田ペースト４との
接触が、メタライズ３．３〜３間のダム２により阻止さ
れると共に。

この半田ペースト４の増量により浮きリード５ａをメタ
ライズ部３に電気的に接続できるようになるという作用
により、ショート不良並びに導通不良を防止することが
可能になる。

また、本実施例によれば、アウターリード５゜５〜５を
ダム２により形成される凹部内に配置すれば位置決めが
なされることになるので、パッケージの実装を簡易にで
きるという効果もある。

因に、上記ダム２の形成は、メタライズ３形成時のマス
クの逆マスクによりなされている。

第２図には本発明に係る半導体装置の第２実施例が示さ
れている。

この第２実施例の半導体装置が第１実施例のそれと違う
点は、メタライズ３，３〜３間に形成されるダムを、メ
タライズ３の端部上面にラップする形状のダム１２とし
た点である。

このように構成されても第１実施例と同様な効果が得ら
れるというのはいうまでもなく、さらにメタライズ３の
剥がれが防止されるという新たな効果を期待できるよう
にもなっている。

第３図には本発明に係る半導体装置の第３の実施例が示
されている。

この第３の実施例の半導体装置が第１の実施例のそれと
違う点は、実装基板１上にダム２を設けずに、該実装基
板１表面に凹部６，６〜６を形成し、この四部６，６〜
６内にメタライズ部３，３〜３をそれぞれ配した点であ
る。

このように構成されても、メタライズ部３，３間に形成
される実装基板１の白部分１ａが、増量された半田ペー
スト４の流出を防止し得るので。

第１実施例と同様な効果を得られることになるというの
は勿論である。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、上記実施例おいては、アウタリード５゜５ａと
メタライズ３との電気的接合を半田ペース１−４により
行なうようにしているが、他の導電性接合材により行な
うことも可能である。

また、ダム及び凹部の形状は、第１図〜第３図に示され
るものに限定されるものではなく、要は。

メタライズ部３が、該メタライズ３間の絶縁部より低く
なるような構成となっていれば良い。

［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。

すなわち、絶縁板上に複数のメタライズが施され、これ
らのメタライズ部に、面実装型の半導体パッケージより
突出するアウタリードを導電性接合材を介してそれぞれ
接合してなる半導体装置において、前記メタライズ部が
、該メタライズ間の絶縁部より低くなるよう該半導体装
置を構成するようにしたので、導電性接合材を従来より
増量した場合に、この増量された導電性接合材の流出に
よる隣設導電性接合材との接触が、メタライズ間のＭｌ
縁部により阻止されると共に、この導電性接合材の増量
により浮きリードをメタライズ部に電気的に接続できる
ようになる。その結果、ショート不良並びに導通不良を
防止することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体装置の第１実施例の縦断面
図。 第２図は本発明に係る半導体装置の第２実施例の縦断面
図、 第３図は本発明に係る半導体装置の第３実施例の縦断面
図、 第４図、第５図は従来技術に係る半導体装置の問題点を
説明するための図である。 ■・・・・絶縁板、ｌａ、２．１２・・・・メタライズ
間の絶縁部、３・・・・メタライズ、４・・・・導電性
接合材（半田ペースト）、５．５ａ・・・・アウタリー
ド。 第 １ 図 第 図 第 図 ５ｒ　５’、ｌ’４７？Ｗｒｉ（ＩＦａｐ＜−ズト）第 図 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．絶縁板上に複数のメタライズが施され、これらのメ
   タライズ部に、面実装型の半導体パッケージより突出す
   るアウタリードを導電性接合材を介してそれぞれ接合し
   てなる半導体装置において、前記メタライズ部が、該メ
   タライズ間の絶縁部より低くなるよう構成したことを特
   徴とする半導体装置。
2. ２．前記メタライズ間には、ダムが形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
3. ３．前記メタライズは、絶縁板上に形成される凹部内に
   配されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の半導体装置。