JPH03111677A - ドライシールド型真空ポンプの運転方法 - Google Patents
ドライシールド型真空ポンプの運転方法Info
- Publication number
- JPH03111677A JPH03111677A JP24652889A JP24652889A JPH03111677A JP H03111677 A JPH03111677 A JP H03111677A JP 24652889 A JP24652889 A JP 24652889A JP 24652889 A JP24652889 A JP 24652889A JP H03111677 A JPH03111677 A JP H03111677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry
- vacuum pump
- dry air
- type vacuum
- pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004880 explosion Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、非接触ロータを備えたドライシールド型真空
ポンプを用いて主たる操作を行う装置(例えばシリコン
単結晶引上げ装置)からの排気運転を行うドライシール
ド型真空ポンプの運転方法に関する。
ポンプを用いて主たる操作を行う装置(例えばシリコン
単結晶引上げ装置)からの排気運転を行うドライシール
ド型真空ポンプの運転方法に関する。
・[従来の技術]
従来、例えば半導体材料製造プラントの一つであるシリ
コン単結晶用」二げ装置において主たる操作を行う装置
である真空容器を真空排気する場合、油をシール媒体と
して排気するウェットシールド型真空ポンプ、あるいは
非接触ロータを備えたドライシールド型真空ポンプを使
用している。ここで、いずれのポンプにおいても、ここ
から排気されるガスおよびそのガスと共に副次的に発生
する強い酸化性を有する物質は、酸素と接触しないでポ
ンプの吐出側へ排出される。また、ドライシールド型真
空ポンプにおいて、ポンプの吸込、吐出配管又はポンプ
内部にN2ガス等の不活性ガスを導入して爆発限界点以
下まで希釈する技術も提案されている。
コン単結晶用」二げ装置において主たる操作を行う装置
である真空容器を真空排気する場合、油をシール媒体と
して排気するウェットシールド型真空ポンプ、あるいは
非接触ロータを備えたドライシールド型真空ポンプを使
用している。ここで、いずれのポンプにおいても、ここ
から排気されるガスおよびそのガスと共に副次的に発生
する強い酸化性を有する物質は、酸素と接触しないでポ
ンプの吐出側へ排出される。また、ドライシールド型真
空ポンプにおいて、ポンプの吸込、吐出配管又はポンプ
内部にN2ガス等の不活性ガスを導入して爆発限界点以
下まで希釈する技術も提案されている。
[発明が解決しようとする課題]
ここで、真空容器から排出されるガスと共にポンプ内に
流入する液状又は固体状の物質(例えば酸化珪素:5i
O)については、ウエットシールド型真空ポンプの場合
、該物質はシール媒体である油に捕捉され、油交換又は
濾過操作によりポンプ外に排出される。
流入する液状又は固体状の物質(例えば酸化珪素:5i
O)については、ウエットシールド型真空ポンプの場合
、該物質はシール媒体である油に捕捉され、油交換又は
濾過操作によりポンプ外に排出される。
しかし、ドライシールド型真空ポンプの場合には、酸化
珪素の様な物質が排気系統内に蓄積してしまうという問
題点がある。この酸化珪素は空気中の酸素に触れると急
激に酸化反応を生じ、二酸化珪素(S i 02 )に
変化する。したがって、ドライシールド型真空ポンプを
分解整備する際、蓄積した酸化珪素が大気中の酸素と瞬
時に反応して爆発事故が発生する危険があった。
珪素の様な物質が排気系統内に蓄積してしまうという問
題点がある。この酸化珪素は空気中の酸素に触れると急
激に酸化反応を生じ、二酸化珪素(S i 02 )に
変化する。したがって、ドライシールド型真空ポンプを
分解整備する際、蓄積した酸化珪素が大気中の酸素と瞬
時に反応して爆発事故が発生する危険があった。
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みて提案され
たもので、ポンプ内部に蓄積した強い酸化性を有する物
質が分解時に急激な酸化反応を起こすことによる爆発事
故を防止出来るドライシールド型真空ポンプの運転方法
の提供を目的としている。
たもので、ポンプ内部に蓄積した強い酸化性を有する物
質が分解時に急激な酸化反応を起こすことによる爆発事
故を防止出来るドライシールド型真空ポンプの運転方法
の提供を目的としている。
[課題を解決するための手段]
本発明によれば、非接触ロータを備えたドライシールド
型真空ポンプを用いて排気運転を行うドライシールド型
真空ポンプの運転方法において、該ポンプ内に流入した
強い酸化性を有する物質が瞬時に燃焼・爆発するのを防
止するために、該ポンプの吸込側またはポンプ内部に乾
燥空気を導入する管路から乾燥空気を導入し、該管路か
ら導入された乾燥空気により前記強い酸化性を有する物
質を穏やかに酸化させる工程を含んでいる。
型真空ポンプを用いて排気運転を行うドライシールド型
真空ポンプの運転方法において、該ポンプ内に流入した
強い酸化性を有する物質が瞬時に燃焼・爆発するのを防
止するために、該ポンプの吸込側またはポンプ内部に乾
燥空気を導入する管路から乾燥空気を導入し、該管路か
ら導入された乾燥空気により前記強い酸化性を有する物
質を穏やかに酸化させる工程を含んでいる。
本発明の実施に際して、主たる操作を行う装置とポンプ
とを接続する排気管に出口閉止弁を設け、抜弁とポンプ
との間に或いはポンプ内部に、乾燥空気ヘッダ配管の分
岐管をそれぞれ乾燥空気導入弁を介して接続するのが好
ましい。もちろん、分岐管の一方を省略することは可能
である。
とを接続する排気管に出口閉止弁を設け、抜弁とポンプ
との間に或いはポンプ内部に、乾燥空気ヘッダ配管の分
岐管をそれぞれ乾燥空気導入弁を介して接続するのが好
ましい。もちろん、分岐管の一方を省略することは可能
である。
また、導入する乾燥空気の量、或いはそこに含有されて
いる酸素の量を、前記強い酸化性を有する物質を穏やか
に酸化させるのに好適な量に調整する工程を含んでいる
のが好ましい。
いる酸素の量を、前記強い酸化性を有する物質を穏やか
に酸化させるのに好適な量に調整する工程を含んでいる
のが好ましい。
[作用]
上記のように構成された本発明のドライシールド型真空
ポンプの運転方法において、主たる操作を行う装置を作
動するときは、ドライシールド型真空ポンプを運転して
、閉止弁を開き且つ導入弁を閉じて排気を行う。
ポンプの運転方法において、主たる操作を行う装置を作
動するときは、ドライシールド型真空ポンプを運転して
、閉止弁を開き且つ導入弁を閉じて排気を行う。
主たる操作を行う装置による処理(主たる操作)が完了
したら、ポンプの運転は継続して、閉止弁を閉じ且つ導
入弁を開く。この際に導入弁の開度は、導入するべき乾
燥空気の量が適当になる様に調整される。そして、導入
された乾燥空気に含有されている酸素により、半導体製
造ガスと共にポンプに流入した酸化珪素の様な強い酸化
性を有する物質が、瞬時に燃焼・爆発することなく、穏
やかに酸化されて二酸化珪素となる。その結果、ドライ
シールド型真空ポンプを分解整備しても、酸化珪素は既
に二酸化珪素となっているので、大気中の酸素と瞬時に
反応して爆発事故が発生する恐れはない。
したら、ポンプの運転は継続して、閉止弁を閉じ且つ導
入弁を開く。この際に導入弁の開度は、導入するべき乾
燥空気の量が適当になる様に調整される。そして、導入
された乾燥空気に含有されている酸素により、半導体製
造ガスと共にポンプに流入した酸化珪素の様な強い酸化
性を有する物質が、瞬時に燃焼・爆発することなく、穏
やかに酸化されて二酸化珪素となる。その結果、ドライ
シールド型真空ポンプを分解整備しても、酸化珪素は既
に二酸化珪素となっているので、大気中の酸素と瞬時に
反応して爆発事故が発生する恐れはない。
[実施例]
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図には半導体材料製造のシリコン単結晶引き上げ装置を
主たる操作を行う装置の例とした本発明を実施する装置
が示されている。
主たる操作を行う装置の例とした本発明を実施する装置
が示されている。
図において、半導体材料製造のシリコン単結晶引き上げ
装置はプロセス室1に設備されている。
装置はプロセス室1に設備されている。
そして、プロセス室1は排気管り及び出口閉止弁3を介
してドライシールド型真空ポンプ4の吸込口4Iに接続
され、そのポンプ4の吐出口40は、排気管L1により
集合排気ダクト5に接続されている。
してドライシールド型真空ポンプ4の吸込口4Iに接続
され、そのポンプ4の吐出口40は、排気管L1により
集合排気ダクト5に接続されている。
他方、排気管りの出[]閉止弁3とドライシールド型真
空ポンプ4との間には、乾燥空気ヘッダ配管し2の分岐
管り、が乾燥空気導入弁6を介して接続されている。ま
た、ポンプ4の内部には、乾燥空気導入弁7を介して乾
燥空気ヘッダ配管し2の分岐管L4が接続されている。
空ポンプ4との間には、乾燥空気ヘッダ配管し2の分岐
管り、が乾燥空気導入弁6を介して接続されている。ま
た、ポンプ4の内部には、乾燥空気導入弁7を介して乾
燥空気ヘッダ配管し2の分岐管L4が接続されている。
運転に際し、プロセス室1の操作を行うときは、ドライ
シールド型真空ポンプ4を運転し、出口閉止弁3を開い
て排気を行う。この際、乾燥空気導入弁6.7は閉じて
おく。
シールド型真空ポンプ4を運転し、出口閉止弁3を開い
て排気を行う。この際、乾燥空気導入弁6.7は閉じて
おく。
プロセス室1の操作が終了したら、出口閉止弁3を閉じ
、その後乾燥空気導入弁6.7を開いて乾燥空気を導入
する。この際、ドライシールド型真空ポンプ4は運転状
態になっており、乾燥空気導入弁6.7の開度を調整し
て、排気管り及びドライシールド型真空ポンプ4に導入
される乾燥空気量を調整する。これにより、プロセス室
1から排気される半導体製造ガスと共にドライシールド
型真空ポンプ4内に流入し、その内部に蓄積する物質、
例えば酸化珪素は、導入量が調整された乾燥空気中に含
有されている酸素により穏やかに酸化され、瞬時に燃焼
・爆発することがない。
、その後乾燥空気導入弁6.7を開いて乾燥空気を導入
する。この際、ドライシールド型真空ポンプ4は運転状
態になっており、乾燥空気導入弁6.7の開度を調整し
て、排気管り及びドライシールド型真空ポンプ4に導入
される乾燥空気量を調整する。これにより、プロセス室
1から排気される半導体製造ガスと共にドライシールド
型真空ポンプ4内に流入し、その内部に蓄積する物質、
例えば酸化珪素は、導入量が調整された乾燥空気中に含
有されている酸素により穏やかに酸化され、瞬時に燃焼
・爆発することがない。
また、所定量の乾燥空気の導入が確保されるならば、分
岐管り3、L4のいずれか一方を省いても良い。
岐管り3、L4のいずれか一方を省いても良い。
また、乾燥空気導入弁6.7が開のときは出口閉1に弁
3を閉にして、プロセス室から排出されるガスに含有さ
れる酸化珪素等の物質が導入される乾燥空気中の酸素と
反応して急激な酸化が起こることを防止して、該急激な
酸化がプロセス室3−に及ぼす影響及び危険を回避して
いる。しかし、その様な危険が存在しないときは、乾燥
空気導入弁6.7及び出口閉止弁3を同時に開放状態に
しておいて、プロセス室1の運転中にも酸化珪素等の物
質が穏やかな酸化を行うようにすることができる。
3を閉にして、プロセス室から排出されるガスに含有さ
れる酸化珪素等の物質が導入される乾燥空気中の酸素と
反応して急激な酸化が起こることを防止して、該急激な
酸化がプロセス室3−に及ぼす影響及び危険を回避して
いる。しかし、その様な危険が存在しないときは、乾燥
空気導入弁6.7及び出口閉止弁3を同時に開放状態に
しておいて、プロセス室1の運転中にも酸化珪素等の物
質が穏やかな酸化を行うようにすることができる。
[発明の効果コ
本発明は、以上説明したように構成されているので、酸
化珪素等の様に強い酸化性を有する物質が系内やポンプ
内に蓄積しても、乾燥空気中に含有される酸素により穏
やかに酸化し、ポンプ分解時に急激な酸化反応を起こす
ことが防止され、その様な急激な酸化反応による爆発事
故を回避することができる。
化珪素等の様に強い酸化性を有する物質が系内やポンプ
内に蓄積しても、乾燥空気中に含有される酸素により穏
やかに酸化し、ポンプ分解時に急激な酸化反応を起こす
ことが防止され、その様な急激な酸化反応による爆発事
故を回避することができる。
図は本発明を実施する装置の一例を示す全体措成図であ
る。 L、L、 ・・・排気管 L2・・・乾燥空気ヘッ
ダ配管 し3、L4 ・・・分岐管 1・・・プロ
セス室 3・・・出口閉止弁 4・・・ドライシー
ルド型真空ポンプ 5.6−・・乾燥空気導入弁
る。 L、L、 ・・・排気管 L2・・・乾燥空気ヘッ
ダ配管 し3、L4 ・・・分岐管 1・・・プロ
セス室 3・・・出口閉止弁 4・・・ドライシー
ルド型真空ポンプ 5.6−・・乾燥空気導入弁
Claims (1)
- 非接触ロータを備えたドライシールド型真空ポンプを用
いて排気運転を行うドライシールド型真空ポンプの運転
方法において、該ポンプ内に流入した強い酸化性を有す
る物質が瞬時に燃焼・爆発するのを防止するために、該
ポンプの吸込側またはポンプ内部に乾燥空気を導入する
管路から乾燥空気を導入し、該管路から導入された乾燥
空気により前記強い酸化性を有する物質を穏やかに酸化
させる工程を含んでいることを特徴とするドライシール
ド型真空ポンプの運転方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24652889A JPH03111677A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | ドライシールド型真空ポンプの運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24652889A JPH03111677A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | ドライシールド型真空ポンプの運転方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03111677A true JPH03111677A (ja) | 1991-05-13 |
Family
ID=17149749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24652889A Pending JPH03111677A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | ドライシールド型真空ポンプの運転方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03111677A (ja) |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP24652889A patent/JPH03111677A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0314299B1 (en) | Method of and apparatus for treating waste gas from semiconductor manufacturing process | |
RU2086873C1 (ru) | Способ удаления отходящих газов из дуговой электропечи, устройство для его осуществления и дуговая электропечь | |
JPH03111677A (ja) | ドライシールド型真空ポンプの運転方法 | |
JP3163160B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH01166457A (ja) | 荷電粒子を用いる分析装置および方法 | |
JPH0633900A (ja) | 固体粒子と混合されているかまたは固体凝縮液若しくは粒子を生成するガスを含むエンクロージャからポンプで汲み上げるためのポンプ装置 | |
JP2511363B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JPS63199071A (ja) | バッチ式真空ロウ付け装置 | |
JP3958499B2 (ja) | 半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法 | |
JP2507518B2 (ja) | 真空排気装置 | |
JPH10146791A (ja) | グローブボックス装置 | |
JP2881154B2 (ja) | 真空排気装置 | |
JPS6073336A (ja) | サンプリングガス導入装置 | |
JP3545566B2 (ja) | 真空精錬設備および真空精錬方法 | |
JP3545567B2 (ja) | 真空精錬方法および真空精錬設備 | |
JPH0795528B2 (ja) | 縦型拡散cvd装置のロードロック室ガスコントロール装置 | |
CN116705657A (zh) | 氧气浓度控制系统及控制方法 | |
JPS58173826A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0522794Y2 (ja) | ||
JPH10125652A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH02102194A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2704052B2 (ja) | 真空装置 | |
KR20010051686A (ko) | 기체류 정화 시스템 및 방법 | |
JPH10204522A (ja) | 真空・減圧精錬方法および真空・減圧精錬設備 | |
JPS62234328A (ja) | 半導体製造装置のプロセス制御方法 |