JPH03108901A - 誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器の製造方法Info
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- JPH03108901A JPH03108901A JP1246819A JP24681989A JPH03108901A JP H03108901 A JPH03108901 A JP H03108901A JP 1246819 A JP1246819 A JP 1246819A JP 24681989 A JP24681989 A JP 24681989A JP H03108901 A JPH03108901 A JP H03108901A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は自動車電話等の高周波機器に１■］いられる誘
電体共振器の製造方法に関するものである。
電体共振器の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、高周波関連機器の急速な進展に伴い、誘電体共振
器の需要は著しく増加している。
器の需要は著しく増加している。
このような中にあって昨今、誘電体共振器の低価格化に
対する要求が増加しており、低コスト化を指向した誘電
体共振器のさまざまな製造方法が実施されている。
対する要求が増加しており、低コスト化を指向した誘電
体共振器のさまざまな製造方法が実施されている。
従来段も広く使われている誘電体共振器は円筒状に成形
加工して焼結した例えばチタン酸バリウム等の強誘電性
セラミック焼結体の全面または一部分に銀のグレーズペ
ーストを塗布し、このペーストを例えば８６０°Ｃ位の
高温中で焼成することにより、銀とガラスの焼結体から
成る電極層を形成したものである。
加工して焼結した例えばチタン酸バリウム等の強誘電性
セラミック焼結体の全面または一部分に銀のグレーズペ
ーストを塗布し、このペーストを例えば８６０°Ｃ位の
高温中で焼成することにより、銀とガラスの焼結体から
成る電極層を形成したものである。
また一方、より低コスト化を指向した誘電体共振器の製
造方法として最近無電解銅めっき技術を利用した電極形
成方法が一部で実施されており、その代表的な方法とし
ては例えば特開昭５４−１０８５５４号公報や特開昭６
４−７７８４０号公報に示す方法がある。
造方法として最近無電解銅めっき技術を利用した電極形
成方法が一部で実施されており、その代表的な方法とし
ては例えば特開昭５４−１０８５５４号公報や特開昭６
４−７７８４０号公報に示す方法がある。
これらの方法はいずれもチタン酸バリウム等の強誘電性
セラミック焼結体に直接無電解銅めっきを行って銅から
成る電極層を形成した誘電体共振器の製造方法である。
セラミック焼結体に直接無電解銅めっきを行って銅から
成る電極層を形成した誘電体共振器の製造方法である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上述した従来例による誘電体共振器におい
ては、前者の方法は電極材料に銀という高価な貴金属を
使用し、またこの銀電極を形成する方法においても銀ペ
ーストを塗布する方法が煩雑を極め、経済性に欠けると
云う問題点があった。
ては、前者の方法は電極材料に銀という高価な貴金属を
使用し、またこの銀電極を形成する方法においても銀ペ
ーストを塗布する方法が煩雑を極め、経済性に欠けると
云う問題点があった。
また後者の無電解銅めっき法による方法では、通常の無
電解銅めっき液を使用した場合には、めっき浴が銅イオ
ンとロッシェル塩（錯塩）、ホルマリンから成る浴成分
のものであり、浴温度は２５〜４０’Ｃで通常はめっき
を行うものであるのである。
電解銅めっき液を使用した場合には、めっき浴が銅イオ
ンとロッシェル塩（錯塩）、ホルマリンから成る浴成分
のものであり、浴温度は２５〜４０’Ｃで通常はめっき
を行うものであるのである。
ところが、このような無電解銅めっき液で析出した銅の
電極層は一般にその色調は表面が黒ずみ、結晶状態は極
めて粗で、素体との密着性に乏しく、また析出銅皮膜は
一価の銅酸化物や水素ガスを多量に含み、従って銅の純
度が低いために誘電体共振器の高周波電気特性として特
にＱ特性が悪いという問題点があった。
電極層は一般にその色調は表面が黒ずみ、結晶状態は極
めて粗で、素体との密着性に乏しく、また析出銅皮膜は
一価の銅酸化物や水素ガスを多量に含み、従って銅の純
度が低いために誘電体共振器の高周波電気特性として特
にＱ特性が悪いという問題点があった。
本発明はこのような無電解銅めっき法による従来例の問
題点を解決してＱ特性に優れた誘電体共振器の製造方法
を提供することを目的としたものである。
題点を解決してＱ特性に優れた誘電体共振器の製造方法
を提供することを目的としたものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、強誘電性セラミッ
ク焼結体の表面に無電解銅めっき法を行う方法として、
めっき浴に銅イオン、ＥＤＴＡ錯塩、還元剤にホルマリ
ンを使用した基本浴に添加剤として２．２゛ビピリジー
ルを微量添加したものを使用し、浴温度６０〜８０°Ｃ
で無電解銅めっきを行って電極層を形成したものである
。
ク焼結体の表面に無電解銅めっき法を行う方法として、
めっき浴に銅イオン、ＥＤＴＡ錯塩、還元剤にホルマリ
ンを使用した基本浴に添加剤として２．２゛ビピリジー
ルを微量添加したものを使用し、浴温度６０〜８０°Ｃ
で無電解銅めっきを行って電極層を形成したものである
。
作用
この無電解銅めっき法により、強誘電性セラミック焼結
体の表面に高純度で緻密且つ密着性に優れた高物性の銅
の皮膜が形成されるので、Ｑ特性に優れた誘電体共振器
が実現されることとなる。
体の表面に高純度で緻密且つ密着性に優れた高物性の銅
の皮膜が形成されるので、Ｑ特性に優れた誘電体共振器
が実現されることとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例に於ける誘電体共振器の斜視
図、第２図は同断面図である。
図、第２図は同断面図である。
図において、１は強誘電性セラミック焼結体、２は貫通
孔、３は無電解銅めっき金属層よりなる電極層である。
孔、３は無電解銅めっき金属層よりなる電極層である。
以上のように構成された誘電体共振器について以下その
製造方法の詳細について説明する。
製造方法の詳細について説明する。
第一の実施例では、先ず、強誘電性セラミック焼結体１
を作る。これは先ず中央に貫通孔２を有する任意の寸法
の円筒状に押し出し成形し、次にこの成形体を高温中（
１０００°Ｃ以上）の高温中で焼結して第１図に示す円
筒状の強誘電性セラミック焼結体１を作った。
を作る。これは先ず中央に貫通孔２を有する任意の寸法
の円筒状に押し出し成形し、次にこの成形体を高温中（
１０００°Ｃ以上）の高温中で焼結して第１図に示す円
筒状の強誘電性セラミック焼結体１を作った。
この場合、強誘電性セラミック焼結体１としてはＢａＯ
−ＴｉＯ２系、ＺｒＯ２−３ｎＯ□−Ｔｉ０２系、Ｂａ
Ｏ−Ｎｄ２０３−Ｔｉ０２系、ＣａＯ−ＴｉＯ２−３ｉ
０２系等の色々な材料系があるが、本実施例では主に、
ＢａＯ−ＴｉＯ２系の材料を使用して検討を行った。
−ＴｉＯ２系、ＺｒＯ２−３ｎＯ□−Ｔｉ０２系、Ｂａ
Ｏ−Ｎｄ２０３−Ｔｉ０２系、ＣａＯ−ＴｉＯ２−３ｉ
０２系等の色々な材料系があるが、本実施例では主に、
ＢａＯ−ＴｉＯ２系の材料を使用して検討を行った。
次いで・これらのセラミック焼結体１をバレル研摩して
コーナ部にアールを付け、これをフッ酸や燐酸系のエツ
チング液に浸漬してセラミック焼結体１の表面を微細に
粗面化した。
コーナ部にアールを付け、これをフッ酸や燐酸系のエツ
チング液に浸漬してセラミック焼結体１の表面を微細に
粗面化した。
そして、この強誘電性セラミック焼結体１を例えば塩化
第一ヌーズ（０，０５ｇ／Ｌ３．塩化パラジウム（ｏ、
１ｉ／Ｌ ）の溶液にそれぞれ順次浸漬して活性化処
理を行い、強誘電性セラミック焼結体１の全表面に金属
パラジウムの微粒子核から成る触媒層を付着させた後で
必要により素体の端部の一面電極層を形成させないよう
にするために耐めっき性に優れたレジストを被覆した。
第一ヌーズ（０，０５ｇ／Ｌ３．塩化パラジウム（ｏ、
１ｉ／Ｌ ）の溶液にそれぞれ順次浸漬して活性化処
理を行い、強誘電性セラミック焼結体１の全表面に金属
パラジウムの微粒子核から成る触媒層を付着させた後で
必要により素体の端部の一面電極層を形成させないよう
にするために耐めっき性に優れたレジストを被覆した。
次いで、この活性化処理を行った強誘電性セラミック焼
結体１を無電解銅めっき液に浸漬して触媒層が露出した
表面に金属銅を析出させ、６〜１０μの厚さの電極層３
を形成した。
結体１を無電解銅めっき液に浸漬して触媒層が露出した
表面に金属銅を析出させ、６〜１０μの厚さの電極層３
を形成した。
この場合、無電解銅めっき液としては下記する組成のめ
つき浴を使用し、浴温度を６０〜８０°Ｃでめっきを行
った。
つき浴を使用し、浴温度を６０〜８０°Ｃでめっきを行
った。
く本実施例に用いた無電解銅めっき液〉・硫酸銅
； ０，０３αズＬ０６０Ｍ／Ｌ−ＥＤＴＡ
；０．０３６〜ｏ、１０ｏＭ／Ｌ・ホルマリン
；５〜１０肩／／Ｌ・ ２．２′ビピリジール：１０
ｑ／Ｌ−Ｐ Ｈ； １２，０〜１３．０ このようにして電極層３を形成した誘電体共振器は従来
例のロノ７エル錯塩を使用して低温中（４０’Ｃ１で無
電解銅めっきを行ったものに比べてＢａＯ−ＴｉＯｚ系
の誘電体セラミックのものでＱ値が約３０チ向上するこ
とがわかった。
； ０，０３αズＬ０６０Ｍ／Ｌ−ＥＤＴＡ
；０．０３６〜ｏ、１０ｏＭ／Ｌ・ホルマリン
；５〜１０肩／／Ｌ・ ２．２′ビピリジール：１０
ｑ／Ｌ−Ｐ Ｈ； １２，０〜１３．０ このようにして電極層３を形成した誘電体共振器は従来
例のロノ７エル錯塩を使用して低温中（４０’Ｃ１で無
電解銅めっきを行ったものに比べてＢａＯ−ＴｉＯｚ系
の誘電体セラミックのものでＱ値が約３０チ向上するこ
とがわかった。
その理由としては、従来のロッセル錯塩を使用して低温
で無電解銅めっきを行ったものでは、銅の析出速度が速
いだめ、析出銅中に水素ガヌや一価の銅酸化物が多量に
共析して銅の純度が低下することはもとより、析出銅の
表面が黒化してその結晶状態も極めて粗く、また強誘電
性セラミック焼結体との密着性が十分に得られないため
に満足すべきＱ特性が得られなかったのに対して、本実
施例による無電解銅めっきは鋼イオンの錯化剤としてＥ
ＤＴＡを使用し、浴の安定化と析出高温中でめっき浴の
安定化をはかるために添加剤として２．２゛ ビピリジ
ールを加えたものであり、この無電解銅めっき液を６０
〜８０’Ｃの高温でめっきすることにより析出銅皮膜中
への一価の銅の共析や水素ガスの吸蔵が防止され、析出
銅の高純度化とともに結晶が緻密化され、しかもセラミ
ック誘電体層との密着性が改善されて、その結果として
誘電体共振器のＱ特性が向上するものと考えられた。
で無電解銅めっきを行ったものでは、銅の析出速度が速
いだめ、析出銅中に水素ガヌや一価の銅酸化物が多量に
共析して銅の純度が低下することはもとより、析出銅の
表面が黒化してその結晶状態も極めて粗く、また強誘電
性セラミック焼結体との密着性が十分に得られないため
に満足すべきＱ特性が得られなかったのに対して、本実
施例による無電解銅めっきは鋼イオンの錯化剤としてＥ
ＤＴＡを使用し、浴の安定化と析出高温中でめっき浴の
安定化をはかるために添加剤として２．２゛ ビピリジ
ールを加えたものであり、この無電解銅めっき液を６０
〜８０’Ｃの高温でめっきすることにより析出銅皮膜中
への一価の銅の共析や水素ガスの吸蔵が防止され、析出
銅の高純度化とともに結晶が緻密化され、しかもセラミ
ック誘電体層との密着性が改善されて、その結果として
誘電体共振器のＱ特性が向上するものと考えられた。
尚、本実施例による無電解銅めっき浴では、第３図に示
すようにめっき浴温度が６０〜８０°Ｃの範囲ムで良好
なＱ特性が得られたが、めっき浴温度６０’Ｃ以下では
銅の析出が不均一でセラミック誘電体層へのつき回り性
が悪く、８０°Ｃ以上ではめつき浴が分解して析出銅の
結晶が粗くなるためにＱ特性の向上が得られなかりた。
すようにめっき浴温度が６０〜８０°Ｃの範囲ムで良好
なＱ特性が得られたが、めっき浴温度６０’Ｃ以下では
銅の析出が不均一でセラミック誘電体層へのつき回り性
が悪く、８０°Ｃ以上ではめつき浴が分解して析出銅の
結晶が粗くなるためにＱ特性の向上が得られなかりた。
また一方、他の実施例では無電解銅めっきによって電極
形成を行って良好なＱ特性が得られた誘電体共振器につ
いて、さらに真空中で熱処理を行うことによって第４図
に示すようにＱ特性が一段と向上することがわかった。
形成を行って良好なＱ特性が得られた誘電体共振器につ
いて、さらに真空中で熱処理を行うことによって第４図
に示すようにＱ特性が一段と向上することがわかった。
その理由は、無電解鋼めっき皮膜を真空中で熱処理を行
うことによって結晶状態がより一層緻密化され、強誘電
性セラミック焼結体１との密着性が飛躍的に向上しただ
めであろうと考えられる。
うことによって結晶状態がより一層緻密化され、強誘電
性セラミック焼結体１との密着性が飛躍的に向上しただ
めであろうと考えられる。
しかしながらこの真空熱処理の温度は実験の結果による
と第４図に示すように３００〜６００°Ｃの範囲Ｂが最
適で熱処理温度が６００°Ｃ以上になると強誘電性セラ
ミツク焼結体１自体が変質して逆にＱ値が低下し、また
熱処理温度が３００°Ｃ以下では無電解鋼めっき皮膜の
緻密化が起こらずＱ特性の向上がえられなかったものと
思われる。
と第４図に示すように３００〜６００°Ｃの範囲Ｂが最
適で熱処理温度が６００°Ｃ以上になると強誘電性セラ
ミツク焼結体１自体が変質して逆にＱ値が低下し、また
熱処理温度が３００°Ｃ以下では無電解鋼めっき皮膜の
緻密化が起こらずＱ特性の向上がえられなかったものと
思われる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明による誘電体共振
器は、強誘電性セラミック焼結体に無電解銅めっき法に
よって電極層を形成する方法において、無電解鋼めっき
液に銅イオン、ＥＤＴＡ錯化剤、還元剤にホｌレマリン
を使用した基本浴に、析出鋼の物性を改善するために添
加剤として２．２゛ビピリジールを少量加えためつき浴
を使用して金属銅から成る電極層を形成したものである
。
器は、強誘電性セラミック焼結体に無電解銅めっき法に
よって電極層を形成する方法において、無電解鋼めっき
液に銅イオン、ＥＤＴＡ錯化剤、還元剤にホｌレマリン
を使用した基本浴に、析出鋼の物性を改善するために添
加剤として２．２゛ビピリジールを少量加えためつき浴
を使用して金属銅から成る電極層を形成したものである
。
従って、本発明による誘電体共振器は無電解銅めっきに
よって析出した銅金層皮膜中への一価の銅酸化物の共析
や水素ガスの吸蔵が著しく減少し、銅皮膜の高純度化と
結晶の緻密化、さらにはセラミック焼結素体との密着に
優れた電極層を形成できるので従来法に比べて誘電体共
振器のＱ特性が向上する効果が得られた。さらに、本発
明では無電解めっきにより析出した無電解銅めっき皮膜
を真空中で熱処理を行うことによりＱ特性が著しく向上
する効果が得られた。
よって析出した銅金層皮膜中への一価の銅酸化物の共析
や水素ガスの吸蔵が著しく減少し、銅皮膜の高純度化と
結晶の緻密化、さらにはセラミック焼結素体との密着に
優れた電極層を形成できるので従来法に比べて誘電体共
振器のＱ特性が向上する効果が得られた。さらに、本発
明では無電解めっきにより析出した無電解銅めっき皮膜
を真空中で熱処理を行うことによりＱ特性が著しく向上
する効果が得られた。
第１図は本発明による誘電体共振器の斜視図、第２図は
同断面図である。また第３図は本発明の一実施例におけ
る無電解銅めっき温度とＱ特性の関係を示すグラフ、第
４図は本発明の一実施例に於ける真空熱処理温度とＱ特
性の関係を示すグラフである。 １・・・・・・強誘電性セラミック焼結体、２ ・・・・・貫通 孔・ ・・・・・無電解銅めっき金属層よりなる電極層。 ！−゛衰１我覧市Ｌゼラミフク洗糺Ｕ収２−・貫１人
同断面図である。また第３図は本発明の一実施例におけ
る無電解銅めっき温度とＱ特性の関係を示すグラフ、第
４図は本発明の一実施例に於ける真空熱処理温度とＱ特
性の関係を示すグラフである。 １・・・・・・強誘電性セラミック焼結体、２ ・・・・・貫通 孔・ ・・・・・無電解銅めっき金属層よりなる電極層。 ！−゛衰１我覧市Ｌゼラミフク洗糺Ｕ収２−・貫１人
Claims (2)
- （１）強誘電性セラミック焼結体に無電解銅めつき法に
よって銅による電極層を形成する製造方法において、無
電解銅めつき液として銅イオン、ＥＤＴＡ錯塩、ホルマ
リンを主成分とした基本浴に添加剤として２、２′ビピ
リジールを添加しためっき液を使用し、めつき浴温度を
６０〜８０℃として強誘電性セラミック焼結体に銅を析
出させることを特徴とする誘電体共振器の製造方法。 - （２）強誘電性セラミック焼結体に析出させた無電解銅
めつき皮膜を真空中で３００〜５００℃で熱処理を行う
請求項（１）記載の誘電体共振器の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246819A JPH03108901A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 誘電体共振器の製造方法 |
| KR1019900701458A KR930011385B1 (ko) | 1988-11-07 | 1989-11-07 | 유전체 공진기의 제조에 사용하는 도금장치 |
| DE68920994T DE68920994T2 (de) | 1988-11-07 | 1989-11-07 | Plattierungsanordnung für dielektrische Resonatoren. |
| PCT/JP1989/001140 WO1990005389A1 (en) | 1988-11-07 | 1989-11-07 | Dielectric resonator, method of producing the same, and plating device therefor |
| EP89912133A EP0399049B1 (en) | 1988-11-07 | 1989-11-07 | Plating device for dielectric resonators |
| US07/555,415 US5234562A (en) | 1988-11-07 | 1989-11-07 | Electroplating apparatus for coating a dielectric resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246819A JPH03108901A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108901A true JPH03108901A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17154166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246819A Pending JPH03108901A (ja) | 1988-11-07 | 1989-09-22 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03108901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268412A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1246819A patent/JPH03108901A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268412A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
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