JPH03107460A - 気相法ダイヤモンド膜のコーティング方法 - Google Patents
気相法ダイヤモンド膜のコーティング方法Info
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- JPH03107460A JPH03107460A JP24520089A JP24520089A JPH03107460A JP H03107460 A JPH03107460 A JP H03107460A JP 24520089 A JP24520089 A JP 24520089A JP 24520089 A JP24520089 A JP 24520089A JP H03107460 A JPH03107460 A JP H03107460A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は切削工具等に利用される超硬金属基板への気相
法ダイヤモンド膜のコーティング方法に関する。
法ダイヤモンド膜のコーティング方法に関する。
〔従来の技術]
ダイヤモンド膜をコーティングする際の超硬金属基板表
面の前処理法としては酸、アルカリ等の化学薬品による
エツチング(第48回応用物理学会学術講演会、18a
−T−4)、ダイヤモンドパウダー等による傷つけ処理
(第48回応用物理学会学術講演会、18a−T−5)
、またアルコール等を含む特定のガス中でエツチング(
特開平1−145396号)等が知られている。
面の前処理法としては酸、アルカリ等の化学薬品による
エツチング(第48回応用物理学会学術講演会、18a
−T−4)、ダイヤモンドパウダー等による傷つけ処理
(第48回応用物理学会学術講演会、18a−T−5)
、またアルコール等を含む特定のガス中でエツチング(
特開平1−145396号)等が知られている。
しかし以上の方法を用いて超硬金属基板にダイヤモンド
膜をコーティングし、それを旋削等に用いても実用可能
なレベルでの付着強度は得られなかった。
膜をコーティングし、それを旋削等に用いても実用可能
なレベルでの付着強度は得られなかった。
従来の表面処理法で超硬金属基板上にダイヤモンド膜を
成膜した場合、基板とダイヤモンド膜の付着強度が不十
分で、そのダイヤモンド膜をコーティングした超硬金属
基板を施、削等に用いた場合、簡単にダイヤモンド膜が
剥離する等の問題があった。本発明の目的は実用上、基
板とダイヤモンド膜の付着強度を高め切削工具等に好適
に使用されるダイヤモンド膜のコーティング方法にある
。
成膜した場合、基板とダイヤモンド膜の付着強度が不十
分で、そのダイヤモンド膜をコーティングした超硬金属
基板を施、削等に用いた場合、簡単にダイヤモンド膜が
剥離する等の問題があった。本発明の目的は実用上、基
板とダイヤモンド膜の付着強度を高め切削工具等に好適
に使用されるダイヤモンド膜のコーティング方法にある
。
本発明者らは上記の目的を達成するために超硬金属基板
表面に無数の突起を形成することを思い付いた。即ち、
これらの突起部にダイヤモンド膜をコーティングすると
突起がダイヤモンド膜内に入り込み、基板とダイヤモン
ド膜をつなぎとめるアンカーの役割を果たす。
表面に無数の突起を形成することを思い付いた。即ち、
これらの突起部にダイヤモンド膜をコーティングすると
突起がダイヤモンド膜内に入り込み、基板とダイヤモン
ド膜をつなぎとめるアンカーの役割を果たす。
本発明者らは上記の表面状態を得るために種々の処理法
を試みたところ、超硬金属基板を鉱酸中で電解研摩する
ことにより得られ、さらにその表面をダイヤモンドパウ
ダー等の砥粒で傷つけ処理を施し、燃焼炎法(EP公開
324538号)等のCVD法ダイヤモンド合成法によ
ってダイヤモンド膜をコーティングすることでより密着
性が高まることを見出し本件発明を完成するに至った。
を試みたところ、超硬金属基板を鉱酸中で電解研摩する
ことにより得られ、さらにその表面をダイヤモンドパウ
ダー等の砥粒で傷つけ処理を施し、燃焼炎法(EP公開
324538号)等のCVD法ダイヤモンド合成法によ
ってダイヤモンド膜をコーティングすることでより密着
性が高まることを見出し本件発明を完成するに至った。
すなわち、本件発明の要旨は、超硬金属基板を鉱酸中で
電解研摩し、表面に無数の突起を形成させ、さらにその
表面を砥粒で傷つけ処理を施した後、当該超硬金属基板
をCVD法ダイヤモンドの生成領域下に設置して緻密で
付着強度の高いダイヤモンド膜を生成させることを特徴
とする気相法ダイヤモンド膜のコーティング方法にある
。
電解研摩し、表面に無数の突起を形成させ、さらにその
表面を砥粒で傷つけ処理を施した後、当該超硬金属基板
をCVD法ダイヤモンドの生成領域下に設置して緻密で
付着強度の高いダイヤモンド膜を生成させることを特徴
とする気相法ダイヤモンド膜のコーティング方法にある
。
以下、本発明の詳細な説明する。
超硬金属は周期律表の■、v、vr族の金属の炭化物、
窒化物、ホウ化物、ケイ化物をGo、 Ni、 Fe金
属またはこれらの合金を結合材として焼結したものを指
し、例えば代表的なものとしては、WC−Co系のもの
が挙げられる。
窒化物、ホウ化物、ケイ化物をGo、 Ni、 Fe金
属またはこれらの合金を結合材として焼結したものを指
し、例えば代表的なものとしては、WC−Co系のもの
が挙げられる。
この超硬金属基板を電解研摩するわけであるが、溶液は
鉱酸がよく、アルカリ溶液は突起の生成が不十分で好ま
しくない。鉱酸としては硫酸、硝酸、塩酸等があるが、
とりわけ塩酸が好ましい。塩酸の場合5〜30重量%溶
液がよい。電流密度は0.1〜2A/crr?の範囲が
好ましく、また研摩時間は鉱酸の種類、溶液の温度、濃
度、電流密度によって異なるが1〜20分程度で超硬金
属基板を陽極にすれば十分な無数の突起が得られる。こ
の場合、突起の密度、大きさ等は鉱酸の種類、研摩時間
等によっである程度制御できるが、好ましくは突起の密
度が100個/ m rn’以上、突起の太さは直径1
μm以上、突起の長さは5μm以上で、この数値が大き
くなるとダイヤモンド膜の付着強度が上がる傾向が見ら
れた。
鉱酸がよく、アルカリ溶液は突起の生成が不十分で好ま
しくない。鉱酸としては硫酸、硝酸、塩酸等があるが、
とりわけ塩酸が好ましい。塩酸の場合5〜30重量%溶
液がよい。電流密度は0.1〜2A/crr?の範囲が
好ましく、また研摩時間は鉱酸の種類、溶液の温度、濃
度、電流密度によって異なるが1〜20分程度で超硬金
属基板を陽極にすれば十分な無数の突起が得られる。こ
の場合、突起の密度、大きさ等は鉱酸の種類、研摩時間
等によっである程度制御できるが、好ましくは突起の密
度が100個/ m rn’以上、突起の太さは直径1
μm以上、突起の長さは5μm以上で、この数値が大き
くなるとダイヤモンド膜の付着強度が上がる傾向が見ら
れた。
しかし、この表面状態のままでダイヤモンド膜をコーテ
ィングすると突起部分がかえって核発生サイトとなり、
均一な膜とならないばかりでなく、膜の付着強度も向上
しない。
ィングすると突起部分がかえって核発生サイトとなり、
均一な膜とならないばかりでなく、膜の付着強度も向上
しない。
そこで本発明では、電解研摩によって表面に突起を形成
させた後、その表面を砥粒で傷つけ処理を施す。砥粒と
してはダイヤモンド、cBN、Al2O,、SiC等が
挙げられるが、とりわけダイヤモンドが好ましい。この
場合、表面に形成している突起が失われない程度に研摩
することが好ましい。このため砥粒による研摩はダイヤ
モンド粒をペースト状にした、いわゆるダイヤモンドペ
ーストの使用や、ダイヤモンド粒その他の砥粒をアルコ
ール等の溶液に懸濁させたものを超音波振動させるのも
効果的である。ダイヤモンドパウダー等の砥粒で超硬金
属基板を研摩する圧力は、超硬金属基板の材質、電解研
摩の時間にもよるが、一般にはほんのわずかな圧力、例
えば5kg/ c rr?以下で十分である。又、ダイ
ヤモンドパウダー等の砥粒の粒径も0.5〜10μmが
好ましく、より好ましくは1〜5μm程度である。
させた後、その表面を砥粒で傷つけ処理を施す。砥粒と
してはダイヤモンド、cBN、Al2O,、SiC等が
挙げられるが、とりわけダイヤモンドが好ましい。この
場合、表面に形成している突起が失われない程度に研摩
することが好ましい。このため砥粒による研摩はダイヤ
モンド粒をペースト状にした、いわゆるダイヤモンドペ
ーストの使用や、ダイヤモンド粒その他の砥粒をアルコ
ール等の溶液に懸濁させたものを超音波振動させるのも
効果的である。ダイヤモンドパウダー等の砥粒で超硬金
属基板を研摩する圧力は、超硬金属基板の材質、電解研
摩の時間にもよるが、一般にはほんのわずかな圧力、例
えば5kg/ c rr?以下で十分である。又、ダイ
ヤモンドパウダー等の砥粒の粒径も0.5〜10μmが
好ましく、より好ましくは1〜5μm程度である。
以上の表面処理の後、熱フイラメント法、その他の公知
の方法でダイヤモンドをコーティングするが、望ましく
は燃焼炎法[前記開示のEP公開324538号(特願
昭63−71758号)]を用いてダイヤモンド膜を形
成すると、超硬金属基板表面上で均一にダイヤモンドが
核発生し、またダイヤモンド膜内に隙間なく基板の突起
が入り込むため付着強度の高い膜となる。
の方法でダイヤモンドをコーティングするが、望ましく
は燃焼炎法[前記開示のEP公開324538号(特願
昭63−71758号)]を用いてダイヤモンド膜を形
成すると、超硬金属基板表面上で均一にダイヤモンドが
核発生し、またダイヤモンド膜内に隙間なく基板の突起
が入り込むため付着強度の高い膜となる。
ダイヤモンド膜の合成手法に燃焼・炎法な用いることに
よって付着強度が増す原因は不明で、燃焼炎法の場合、
ダイヤモンドを形成するラジカルが高速で基板上に吹き
付けられるため、基板上の突起の奥の部分へラジカルが
到達し易く隙間なくダイヤモンド膜が形成するためであ
ると考えられる。
よって付着強度が増す原因は不明で、燃焼炎法の場合、
ダイヤモンドを形成するラジカルが高速で基板上に吹き
付けられるため、基板上の突起の奥の部分へラジカルが
到達し易く隙間なくダイヤモンド膜が形成するためであ
ると考えられる。
次に実施例、比較例により本発明をより詳しく説明する
。
。
〔実施例1〕
6%のGoを含有したWC超硬金属基板(12mmX1
2mmX 2mm)を陽極、炭素棒を陰極として、H
CllO%水溶液中で電解研摩を行った。電圧は3■、
電流は0.5A、研摩時間は5分である。電解研摩後、
超硬金属基板表面は酸化物で覆われるためNa0tl
10%水溶液で洗浄する。この超硬金属基板の表面を1
μm粒のダイヤモンドペーストで傷つけ処理を行い、ア
ルコールで洗浄後ダイヤモンド膜の合成を行った。合成
には第1図に示す燃焼炎法を用いた。反応炉lは直径3
5cm、高さ50cm、内容積48I2である。
2mmX 2mm)を陽極、炭素棒を陰極として、H
CllO%水溶液中で電解研摩を行った。電圧は3■、
電流は0.5A、研摩時間は5分である。電解研摩後、
超硬金属基板表面は酸化物で覆われるためNa0tl
10%水溶液で洗浄する。この超硬金属基板の表面を1
μm粒のダイヤモンドペーストで傷つけ処理を行い、ア
ルコールで洗浄後ダイヤモンド膜の合成を行った。合成
には第1図に示す燃焼炎法を用いた。反応炉lは直径3
5cm、高さ50cm、内容積48I2である。
この反応炉1は上部に火口2を有するバーナー6が設置
され、横に排気パイプを有する。火口2の下に水冷台3
、その上に超硬金属基板4を置き、火口2と基板4の間
の距離を1cmとする。
され、横に排気パイプを有する。火口2の下に水冷台3
、その上に超硬金属基板4を置き、火口2と基板4の間
の距離を1cmとする。
反応炉内の圧力を300Torr、火口にアセチレンガ
スを512/分、酸素ガスを4.5f2/分で供給し、
不完全燃焼領域7中で30分間ダイヤモンド膜を合成し
た。合成後、基板とダイヤモンド膜の付着強度を調べる
ため、先端が半径0.2mmの球面で頂角120°のダ
イヤモンド製ロックウェル圧子を用い、ダイヤモンド膜
に圧入してダイヤモンド膜が剥離するまでの荷重を求め
た。その結果20kgでダイヤモンド膜が剥離した。
スを512/分、酸素ガスを4.5f2/分で供給し、
不完全燃焼領域7中で30分間ダイヤモンド膜を合成し
た。合成後、基板とダイヤモンド膜の付着強度を調べる
ため、先端が半径0.2mmの球面で頂角120°のダ
イヤモンド製ロックウェル圧子を用い、ダイヤモンド膜
に圧入してダイヤモンド膜が剥離するまでの荷重を求め
た。その結果20kgでダイヤモンド膜が剥離した。
〔比較例1]
実施例と同様の基板を用いHCI溶液中で同様の条件で
電解研摩を行った。そして表面に生じた酸化物をNaO
H水溶液で除去した後、ダイヤモンドペーストで傷つけ
処理を行わずにダイヤモンド膜の合成を行った。ダイヤ
モンド膜合成手法、条件は実施例と同様である。合成後
、ダイヤモンド膜を観察すると実施例に比べて膜の表面
に凹凸が多(、また所々に下地の超硬金属基板が見えて
いた。また実施例と同様の手法でダイヤモンド膜が剥離
するまでの荷重を求めると5kgであった。
電解研摩を行った。そして表面に生じた酸化物をNaO
H水溶液で除去した後、ダイヤモンドペーストで傷つけ
処理を行わずにダイヤモンド膜の合成を行った。ダイヤ
モンド膜合成手法、条件は実施例と同様である。合成後
、ダイヤモンド膜を観察すると実施例に比べて膜の表面
に凹凸が多(、また所々に下地の超硬金属基板が見えて
いた。また実施例と同様の手法でダイヤモンド膜が剥離
するまでの荷重を求めると5kgであった。
[比較例2]
実施例と同様の基板を用い、電解研摩を行わずに、表面
を1μm粒のダイヤモンドペーストで傷つけ処理のみを
行ってダイヤモンド膜を合成した。合成手法、条件は実
施例と同様である。合成後、ダイヤモンド膜を観察する
と膜は基板からすでに剥離していた。
を1μm粒のダイヤモンドペーストで傷つけ処理のみを
行ってダイヤモンド膜を合成した。合成手法、条件は実
施例と同様である。合成後、ダイヤモンド膜を観察する
と膜は基板からすでに剥離していた。
[実施例2]
実施例と同様の表面処理を行った超硬金属基板を用い熱
フイラメント法でダイヤモンド膜を合成した。第2図は
合成に用いた装置図である。反応炉lは直径15cm、
長さ30cm、内容積52で内部に励起源である熱フィ
ラメント8、超硬金属基板4、基板支持台10が設置さ
れている。9は原料ガス供給パイプ、5は排気パイプで
ある。
フイラメント法でダイヤモンド膜を合成した。第2図は
合成に用いた装置図である。反応炉lは直径15cm、
長さ30cm、内容積52で内部に励起源である熱フィ
ラメント8、超硬金属基板4、基板支持台10が設置さ
れている。9は原料ガス供給パイプ、5は排気パイプで
ある。
この装置を用いて原料ガスに水素100cc/分、エタ
ノール3 cc/分を用い、熱フイラメント温度245
0℃、基板とフィラメント間の距離を5mm、圧力90
Torrでダイヤモンド膜合成を行った。合成後、実施
例と同様の方法でダイヤモンドが剥離するまでの荷重を
求めると16kgであった。
ノール3 cc/分を用い、熱フイラメント温度245
0℃、基板とフィラメント間の距離を5mm、圧力90
Torrでダイヤモンド膜合成を行った。合成後、実施
例と同様の方法でダイヤモンドが剥離するまでの荷重を
求めると16kgであった。
〔発明の効果1
本発明に係るダイヤモンド膜のコーティング方法によっ
て、超硬金属基板とダイヤモンド膜の付着強度が一段と
高まり、本コーティング基板を旋削用刃先に用いた場合
、実用可能な切削性能が得られた。
て、超硬金属基板とダイヤモンド膜の付着強度が一段と
高まり、本コーティング基板を旋削用刃先に用いた場合
、実用可能な切削性能が得られた。
第1図は本発明の実施例1の燃焼炎法によるダイヤモン
ドコーティングを行う装置の概念図であり、第2図は実
施例2の熱フイラメント法によるダイヤモンドコーティ
ングを行う装置の概念図である。
ドコーティングを行う装置の概念図であり、第2図は実
施例2の熱フイラメント法によるダイヤモンドコーティ
ングを行う装置の概念図である。
Claims (2)
- 1.超硬金属基板を鉱酸中で電解研摩し、表面に無数の
突起を形成させ、さらにその表面を砥粒で傷つけ処理を
施した後、当該超硬金属基板をCVD法ダイヤモンドの
生成領域下に設置して緻密で付着強度の高いダイヤモン
ド膜を生成させることを特徴とする気相法ダイヤモンド
膜のコーティング方法。 - 2.CVD法ダイヤモンドの生成領域が燃焼炎中の不完
全燃焼領域であることを特徴とする気相法ダイヤモンド
膜のコーティング方法。
Priority Applications (5)
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JPH03146663A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-21 | Toyo Kohan Co Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金部材の製造方法 |
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Citations (1)
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JPS6267174A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質炭素膜被覆超硬合金の製造法 |
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1989
- 1989-09-22 JP JP1245200A patent/JP2766686B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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