JPH03103394A - 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 - Google Patents
半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法Info
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- JPH03103394A JPH03103394A JP24129689A JP24129689A JPH03103394A JP H03103394 A JPH03103394 A JP H03103394A JP 24129689 A JP24129689 A JP 24129689A JP 24129689 A JP24129689 A JP 24129689A JP H03103394 A JPH03103394 A JP H03103394A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は化合物半導体単結晶の製造技術に関し、例えば
液体封止チョクラルスキー法（ＬＥＣ法）により高純度
の半絶縁性ＩｎＰ単結晶を製造する場合に利用して効果
的な技術に関する。
液体封止チョクラルスキー法（ＬＥＣ法）により高純度
の半絶縁性ＩｎＰ単結晶を製造する場合に利用して効果
的な技術に関する。
［従来の技術コ
化合物半導体材料を半絶縁性化するにあたり、ｎ型の不
純物となるＳｉやＳを含む材料では，深いアクセプター
となるＦｅ，ＣｏまたはＣｒ等を添加する方法が工業的
に用いられている。この半絶縁性化は，浅いドナーを深
いアクセプターで補償するという機構によるものである
．したがって，深いアクセプターの添加量は、結晶材料
中に含有されているドナーの量より多くなければ、半＃
＠縁性化することはできない。
純物となるＳｉやＳを含む材料では，深いアクセプター
となるＦｅ，ＣｏまたはＣｒ等を添加する方法が工業的
に用いられている。この半絶縁性化は，浅いドナーを深
いアクセプターで補償するという機構によるものである
．したがって，深いアクセプターの添加量は、結晶材料
中に含有されているドナーの量より多くなければ、半＃
＠縁性化することはできない。
電子デバイスに用いる半ＭＪｌｉ性の化合物半導体材料
としては，ＦｅドープＩｎＰ．ＣｒドープＧａＡｓ、ア
ンドープＧａＡｓ等が主として用いられている。ここで
、ＧａＡ＋ｑの場合にあっては、直接合或ＬＥＣ法によ
りアンドープの半絶縁性ＧａＡｓを容易に得ることがで
きるので Ｃｒのドープ量をいくら減らしても半絶縁性
が常に得られる． ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ＩｎＰの場合にあっては、直接合成ＬＥ
Ｃ法を適用することができないため、ＨＢ法により多結
晶原料を作威した後．ＬＥＣ法により単結晶を育或する
が、この際、Ｆｅの含有濃度がＱ．２ｐｐｍｗ以下であ
ると、抵抗率が１０６Ω・国より低くなってしまい、半
絶縁性が低下してしまう。また、Ｇ ａ Ａ ｓの場合
でも，ＨＢ法により単結晶を育成するには、Ｃｒドープ
の半絶縁性結晶を得ようとすると，Ｃｒの含有濃度が０
．２ｐｐｍｗ以下であると、抵抗率が１０’Ω・国より
低くなってしまう。
としては，ＦｅドープＩｎＰ．ＣｒドープＧａＡｓ、ア
ンドープＧａＡｓ等が主として用いられている。ここで
、ＧａＡ＋ｑの場合にあっては、直接合或ＬＥＣ法によ
りアンドープの半絶縁性ＧａＡｓを容易に得ることがで
きるので Ｃｒのドープ量をいくら減らしても半絶縁性
が常に得られる． ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ＩｎＰの場合にあっては、直接合成ＬＥ
Ｃ法を適用することができないため、ＨＢ法により多結
晶原料を作威した後．ＬＥＣ法により単結晶を育或する
が、この際、Ｆｅの含有濃度がＱ．２ｐｐｍｗ以下であ
ると、抵抗率が１０６Ω・国より低くなってしまい、半
絶縁性が低下してしまう。また、Ｇ ａ Ａ ｓの場合
でも，ＨＢ法により単結晶を育成するには、Ｃｒドープ
の半絶縁性結晶を得ようとすると，Ｃｒの含有濃度が０
．２ｐｐｍｗ以下であると、抵抗率が１０’Ω・国より
低くなってしまう。
すなわち、従来、ＦｅドープＩｎＰやＨＢ法によるＣｒ
ドープＧａＡｓ等では、これを半絶縁性結晶とするため
には，ＦｅやＣｒのドープ量を一定量（０． ２ｐｐｍ
ｖ）以上にしなければならなかった。
ドープＧａＡｓ等では、これを半絶縁性結晶とするため
には，ＦｅやＣｒのドープ量を一定量（０． ２ｐｐｍ
ｖ）以上にしなければならなかった。
しかしながら、Ｆｅ，ＣｏまたはＣｒ等のドープ量が多
いと、Ｆｅ，Ｃｏ， Ｃｒ等は深いアクセプターとして
作用するため，イオン注入型の電子デバイスにおいては
キャリアとなる不純物の活性化率を低下させ、また高周
波で動作させるデバイスにおいてはトラップとして作用
してデバイスの電気的特性を低下させたり、特性のバラ
ツキを大きくしてしまうという問題点が１あることが分
かった。
いと、Ｆｅ，Ｃｏ， Ｃｒ等は深いアクセプターとして
作用するため，イオン注入型の電子デバイスにおいては
キャリアとなる不純物の活性化率を低下させ、また高周
波で動作させるデバイスにおいてはトラップとして作用
してデバイスの電気的特性を低下させたり、特性のバラ
ツキを大きくしてしまうという問題点が１あることが分
かった。
本発明は上記のような背景の下になされたもので，その
目的とするところは電子デバイスの製造工程におけるイ
オン注入後のキャリアの活性化率が高くかつ一定であり
，トラップの量の少ないＦｅ，ＣｏまたはＣｒ含有半絶
縁性化合物半導体単結晶を提供することにある。
目的とするところは電子デバイスの製造工程におけるイ
オン注入後のキャリアの活性化率が高くかつ一定であり
，トラップの量の少ないＦｅ，ＣｏまたはＣｒ含有半絶
縁性化合物半導体単結晶を提供することにある。
なお、本出願人は先に、Ｆｅ，ＣｏまたはＣｒのいずれ
か１種以上の元素を含み、その含有濃度の合計が０．２
ｐｐｍｗ以下であり、かつ抵抗率が１×１０６Ω・■以
上である化合物半導体単結晶とその製造技術を開発し，
提案した（特願平１−５８２４８号）。この発明はその
ような低濃度Ｆｅ含有半絶縁性ＩｎＰ単結晶の他の製造
方法を提供するものである。
か１種以上の元素を含み、その含有濃度の合計が０．２
ｐｐｍｗ以下であり、かつ抵抗率が１×１０６Ω・■以
上である化合物半導体単結晶とその製造技術を開発し，
提案した（特願平１−５８２４８号）。この発明はその
ような低濃度Ｆｅ含有半絶縁性ＩｎＰ単結晶の他の製造
方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段コ
Ｇ．Ｗ．工Ｓｅ１ｅｒは． ”’Ｊ ． Ｅ １ ｅ
ｃ １ ｒｏｎ．ｍａｔｅｒ．１３，９８９ （１９
８４）”において、Ｉｎ過剰融液から引き上げたアンド
ープＩｎＰ結晶はストイキオメトリな融液から引き上げ
たアンドープＩｎＰ結晶よりもキャリア濃度が低く、高
純度であると報告している。これは、ＩｎＰ融液中に含
まれる不純物（Ｓｉ，Ｓ等）が結晶成長時に偏析し、Ｉ
ｎ過剰融液中に取り込まれるためと考えられている。
ｃ １ ｒｏｎ．ｍａｔｅｒ．１３，９８９ （１９
８４）”において、Ｉｎ過剰融液から引き上げたアンド
ープＩｎＰ結晶はストイキオメトリな融液から引き上げ
たアンドープＩｎＰ結晶よりもキャリア濃度が低く、高
純度であると報告している。これは、ＩｎＰ融液中に含
まれる不純物（Ｓｉ，Ｓ等）が結晶成長時に偏析し、Ｉ
ｎ過剰融液中に取り込まれるためと考えられている。
本発明者らは、ＩｎとＦｅ，ＣｏおよびＣｒとは互いに
非固溶であるという物性に着目し．Ｆｅ，ＧＯまたはＣ
ｒのうち１種以上をドープしてＩｎ過剰融液から引き上
げることで不純物量の少ない半絶縁性ＩｎＰ単結晶が得
られるのではないかと考えた。
非固溶であるという物性に着目し．Ｆｅ，ＧＯまたはＣ
ｒのうち１種以上をドープしてＩｎ過剰融液から引き上
げることで不純物量の少ない半絶縁性ＩｎＰ単結晶が得
られるのではないかと考えた。
しかし、Ｉｓｅｌｅｒの方法によると，初期融液組或を
Ｉｎ：Ｐ＝６０：４０前後として結晶の引上げを開始す
るため，結晶の成長に伴って融液のＩｎ過剰度が進み組
成的過冷却が起こり易くなる。その結果、育成結晶が多
結晶化したり、セル構造化したり，Ｉｎのインクルージ
ョン（固まり）を取込み易くなる。これを防止するため
、Ｉｓｅｌｅｒは引上げ軸方向の温度勾配を大きくした
り引上げ速度を数ｏｎ ／ ｈ ｒと小さくしているが
、６０ ： ４．０のような初期融点ｍ戒から引上げを
開始すると成長に伴ってますますＩｎ過剰となるので結
局多結晶化は防止できないことを見出した。
Ｉｎ：Ｐ＝６０：４０前後として結晶の引上げを開始す
るため，結晶の成長に伴って融液のＩｎ過剰度が進み組
成的過冷却が起こり易くなる。その結果、育成結晶が多
結晶化したり、セル構造化したり，Ｉｎのインクルージ
ョン（固まり）を取込み易くなる。これを防止するため
、Ｉｓｅｌｅｒは引上げ軸方向の温度勾配を大きくした
り引上げ速度を数ｏｎ ／ ｈ ｒと小さくしているが
、６０ ： ４．０のような初期融点ｍ戒から引上げを
開始すると成長に伴ってますますＩｎ過剰となるので結
局多結晶化は防止できないことを見出した。
そこで本発明・者らは、育或結品が単結晶化する条件と
、結晶が半絶縁性化するＦｅ濃度を調べるため、Ｆｅを
０．０１５重量％ドープして融液組成を変化させながら
通常の引上げ速度（１２１１Ｒ／ｈｒ）による結晶の育
或実験を繰返し行なった。
、結晶が半絶縁性化するＦｅ濃度を調べるため、Ｆｅを
０．０１５重量％ドープして融液組成を変化させながら
通常の引上げ速度（１２１１Ｒ／ｈｒ）による結晶の育
或実験を繰返し行なった。
その結果、結晶引上げ速度が１２ｍｎ＋／ｈｒであって
も第２図に示すように初期融液組或が原子比で５７ ：
４３までは引上げた結晶が全体に亘って単結晶となり
、しかもＩｎのインクルージョンを含まないことを見出
した。
も第２図に示すように初期融液組或が原子比で５７ ：
４３までは引上げた結晶が全体に亘って単結晶となり
、しかもＩｎのインクルージョンを含まないことを見出
した。
この発明は上記知見に基づいてなされたもので、液体封
止チョクラルスキー法によりＩｎＰ単結晶を製造するに
あたり、原料融液の組或をＩｎＰ過剰にするとともに、
Ｆｅ，ＧｏまたはＣｒのいずれか１種以上の元素を原料
中に加える。この際、望ましくは育成後のＩｎＰ単結晶
中のＦ ｅ Ｈ Ｃ ｏまたはＣｒの含有濃度の合計が
０．２ρｐＨ以下となるように予めＦａ，ＣｏまたはＣ
ｒの添加量を決定するとともに，ＩｎとＰが原子比で５
０：５０を超え５７：４３以下となるように原料融液の
組成を決定することを提案するものである。
止チョクラルスキー法によりＩｎＰ単結晶を製造するに
あたり、原料融液の組或をＩｎＰ過剰にするとともに、
Ｆｅ，ＧｏまたはＣｒのいずれか１種以上の元素を原料
中に加える。この際、望ましくは育成後のＩｎＰ単結晶
中のＦ ｅ Ｈ Ｃ ｏまたはＣｒの含有濃度の合計が
０．２ρｐＨ以下となるように予めＦａ，ＣｏまたはＣ
ｒの添加量を決定するとともに，ＩｎとＰが原子比で５
０：５０を超え５７：４３以下となるように原料融液の
組成を決定することを提案するものである。
［実施例］
直径１００ｍｎのｐＢＮ′ｆＢるつぼに、キャリア濃度
１〜３ Ｘ １ ０ １５ａｎ−”のＩｎＰ多結晶を１
１００ｇ入れ、そこにＩｎとＰの原子比が５２ ： ４
８（Ｉｎ／ （Ｉｎ＋Ｐ）＝０．５２）となるようにＩ
ｎの量を決定して加えるとともに、ｏ．ｏｏｓ重量％の
Ｆｅを添加した。さらに，るつぼ内には厚さ２０ｍｍと
なる量のＢ，０３を封止剤として入れ、このるつぼを高
圧引上げ炉内に設置した。
１〜３ Ｘ １ ０ １５ａｎ−”のＩｎＰ多結晶を１
１００ｇ入れ、そこにＩｎとＰの原子比が５２ ： ４
８（Ｉｎ／ （Ｉｎ＋Ｐ）＝０．５２）となるようにＩ
ｎの量を決定して加えるとともに、ｏ．ｏｏｓ重量％の
Ｆｅを添加した。さらに，るつぼ内には厚さ２０ｍｍと
なる量のＢ，０３を封止剤として入れ、このるつぼを高
圧引上げ炉内に設置した。
そして、炉内を真空排気してから、４０気圧のＡｒガス
で満たした後、ヒータに給電し、昇温を開始した。
で満たした後、ヒータに給電し、昇温を開始した。
次に、るつぼ内原料が融解してから融液表面温度をＩｎ
Ｐの融点付近に調整した後、融液上方から引上げ軸を下
して種結晶を接触させ、種結晶を６ ｒｐ＋ｍ、るつぼ
を３ ｒｐｍで回転させながら、１２ＷＩＩ／ｈｒの速
さで結晶を引き上げた。
Ｐの融点付近に調整した後、融液上方から引上げ軸を下
して種結晶を接触させ、種結晶を６ ｒｐ＋ｍ、るつぼ
を３ ｒｐｍで回転させながら、１２ＷＩＩ／ｈｒの速
さで結晶を引き上げた。
育成された結晶は、直径６０ｍ、重量９００ｇで完全に
単結晶であった。また、このＦｅドープＩｎＰ単結晶か
らウェーハを切り出してＦｅ濃度と抵抗率を測定した。
単結晶であった。また、このＦｅドープＩｎＰ単結晶か
らウェーハを切り出してＦｅ濃度と抵抗率を測定した。
その結果を第１図に実線Ａで示す。また、従来方法によ
り育成したＦｅドープＩｎＰ単結晶についての測定結果
を実線Ｂで示した。同図より、本実施例により得られた
ＩｎＰ単結晶はＦａ濃度が５ Ｘ １ ０”ａｍ−３付
近で抵抗率が急に高くなっており、従来方法によるＩｎ
Ｐ単結晶に比べておよそ２分のｌのＦｅ濃度で高抵抗化
することが分かる。
り育成したＦｅドープＩｎＰ単結晶についての測定結果
を実線Ｂで示した。同図より、本実施例により得られた
ＩｎＰ単結晶はＦａ濃度が５ Ｘ １ ０”ａｍ−３付
近で抵抗率が急に高くなっており、従来方法によるＩｎ
Ｐ単結晶に比べておよそ２分のｌのＦｅ濃度で高抵抗化
することが分かる。
次に、上記ウェーハを鏡面研摩し，その表面にＳｉイオ
ンを１５０ＫｅＶ、ドーズ量５Ｘ１０”個２で注入した
。イオン注入後、保護膜としてＳｉＮｘ膜をウェーハの
両面に付けてから７００℃で１５分間活性化アニールを
行なったあと、ＳｉＮＸ膜をＨＦで除去しこのウェーハ
のキャリア濃度を測定し、活性化率を求めたところ従来
は活性化率の変動が大きかったものが、本実施例で得ら
れた結晶は肩部からテール部にわたり活性化率が均一に
なることを確認した。
ンを１５０ＫｅＶ、ドーズ量５Ｘ１０”個２で注入した
。イオン注入後、保護膜としてＳｉＮｘ膜をウェーハの
両面に付けてから７００℃で１５分間活性化アニールを
行なったあと、ＳｉＮＸ膜をＨＦで除去しこのウェーハ
のキャリア濃度を測定し、活性化率を求めたところ従来
は活性化率の変動が大きかったものが、本実施例で得ら
れた結晶は肩部からテール部にわたり活性化率が均一に
なることを確認した。
なお、上記実施例では半絶縁性化のためＦｅをドープし
たＩｎＰ単結晶の製造に適用した場合について説明した
が、この発明はそれに限定されるものでなく，結晶中で
深いアクセプタとなるＦｅやＣｏ，Ｃｒ等の元素を１種
または２種以上含むＩｎＰ単結晶に適用することができ
る。
たＩｎＰ単結晶の製造に適用した場合について説明した
が、この発明はそれに限定されるものでなく，結晶中で
深いアクセプタとなるＦｅやＣｏ，Ｃｒ等の元素を１種
または２種以上含むＩｎＰ単結晶に適用することができ
る。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、液体封止チョクラルスキ
ー法によりＩｎＰＪｌ結晶を製造するにあたり，ＩＭ料
融液の８１或をＩｎＰ過剰にするとともに、Ｆｅ，Ｃｏ
またはＣｒのいずれか１種以上の元素を原料中に加える
ようにしたので、より低いＦｅ，ＣｏまたはＣｒ’ｌｌ
度で育或結晶を半絶縁性化することができ、これによっ
て電子デバイス製造工程におけるイオン注入後の活性化
率を高め、電子デバイスの電気的特性を向上させること
ができるという効果がある。
ー法によりＩｎＰＪｌ結晶を製造するにあたり，ＩＭ料
融液の８１或をＩｎＰ過剰にするとともに、Ｆｅ，Ｃｏ
またはＣｒのいずれか１種以上の元素を原料中に加える
ようにしたので、より低いＦｅ，ＣｏまたはＣｒ’ｌｌ
度で育或結晶を半絶縁性化することができ、これによっ
て電子デバイス製造工程におけるイオン注入後の活性化
率を高め、電子デバイスの電気的特性を向上させること
ができるという効果がある。
また，上記方法において、育成後のＩｎＰ単結晶中のＦ
ｅ，ＣｏまたはＣｒの含有濃度の合計が０．２ｐｐｍｗ
以下となるように予めＦｅ，ＧｏまたはＣｒの添加量を
決定するとともに、ＩｎとＰが原子比で５０ ： ５０
を超え５７：４３以下となるように原料融液の組成を決
定するようにしたので、育成結晶の多結晶化やセル構造
化、Ｉｎのインクルージョンの取込みを防止しつつ低い
Ｆｅｉ度で半絶縁性ＩｎＰ単結晶を育或することができ
る。
ｅ，ＣｏまたはＣｒの含有濃度の合計が０．２ｐｐｍｗ
以下となるように予めＦｅ，ＧｏまたはＣｒの添加量を
決定するとともに、ＩｎとＰが原子比で５０ ： ５０
を超え５７：４３以下となるように原料融液の組成を決
定するようにしたので、育成結晶の多結晶化やセル構造
化、Ｉｎのインクルージョンの取込みを防止しつつ低い
Ｆｅｉ度で半絶縁性ＩｎＰ単結晶を育或することができ
る。
第１図は本発明方法と従来方法を適用して得られたＩｎ
Ｐ単結晶のＦｅ濃度と抵抗率との関係を示すグラフ、 第２図は初期融液組成比と高抵抗化するＦｅ濃度との関
係を示すグラフである。 第 ２ 図 １０１５ １０１６ Ｆｅ喋友（ｃｒｎ’″勺 １０Ｉ７ 勃介鉱液匁威 《−！！！−） ＴｒｒＰ 手続補正書 （自発） 平成 ２年 ４月２０日
Ｐ単結晶のＦｅ濃度と抵抗率との関係を示すグラフ、 第２図は初期融液組成比と高抵抗化するＦｅ濃度との関
係を示すグラフである。 第 ２ 図 １０１５ １０１６ Ｆｅ喋友（ｃｒｎ’″勺 １０Ｉ７ 勃介鉱液匁威 《−！！！−） ＴｒｒＰ 手続補正書 （自発） 平成 ２年 ４月２０日
Claims (1)
- （１）液体封止チョクラルスキー法によりＩｎＰ単結晶
を製造するにあたり、原料融液の組成をＩｎ過剰にする
とともに、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以上の
元素を原料中に加えることを特徴とする半絶縁性ＩｎＰ
単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241296A JP2736343B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241296A JP2736343B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03103394A true JPH03103394A (ja) | 1991-04-30 |
| JP2736343B2 JP2736343B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17072167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1241296A Expired - Lifetime JP2736343B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736343B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008201672A (ja) * | 2003-03-13 | 2008-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＩｎＰ基板及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117198A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 |
| JPS62176997A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-08-03 | Nippon Mining Co Ltd | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の育成方法 |
| JPS62275099A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-30 | Showa Denko Kk | 半絶縁性リン化インジウム単結晶 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1241296A patent/JP2736343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117198A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 |
| JPS62176997A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-08-03 | Nippon Mining Co Ltd | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の育成方法 |
| JPS62275099A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-30 | Showa Denko Kk | 半絶縁性リン化インジウム単結晶 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008201672A (ja) * | 2003-03-13 | 2008-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＩｎＰ基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2736343B2 (ja) | 1998-04-02 |
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