JPS61117198A - ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 - Google Patents
ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法Info
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- JPS61117198A JPS61117198A JP59238824A JP23882484A JPS61117198A JP S61117198 A JPS61117198 A JP S61117198A JP 59238824 A JP59238824 A JP 59238824A JP 23882484 A JP23882484 A JP 23882484A JP S61117198 A JPS61117198 A JP S61117198A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１↓Ωμ月分！
本発明はインジウム・リン（ＩｎＰ）溶融物に関し、特
に良質のＩｎＰ単結晶を成長させるのに適した溶融物に
関する。また、その使用法にも関する。
に良質のＩｎＰ単結晶を成長させるのに適した溶融物に
関する。また、その使用法にも関する。
従来の技術
間接遷移型の８１等の単体半導体によって、高効率の発
光デバイス等を作製することは著しく困難であることが
認識されて以来、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザ・
ダイオード（ＬＤ）等の材料として、直接遷移型の化合
物半導体が注目されてきている。
光デバイス等を作製することは著しく困難であることが
認識されて以来、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザ・
ダイオード（ＬＤ）等の材料として、直接遷移型の化合
物半導体が注目されてきている。
直接遷移型化合物半導体は例えばＧａＡｓ、 Ｉｎｋ。
Ｉｎ八へなどであり、特にＧａＡｓは禁制帯の幅が室温
動作デバイスとして有利な値（例えば３００にで１．４
３ｅＶ）を有しており、また、電子の移動度が高く、超
高速デバイスとしての要件を備えている。
動作デバイスとして有利な値（例えば３００にで１．４
３ｅＶ）を有しており、また、電子の移動度が高く、超
高速デバイスとしての要件を備えている。
一方、その他の直接遷移型化合物半導体の中でＩｎＰは
ＧａＡｓと良く似たバンド構造（例えばＩｎＰの禁制帯
幅は同じ＜３００Ｋにおいて１．２７ｅＶである）を有
しており、ＧａＡｓと同様にＧｕｎｎ効果を示すことが
知られ、実用的なエレクトロニクス、オプトエレクトロ
ニクスデバイス用材料として、ＧａＡｓ同様に期待され
ているものである。
ＧａＡｓと良く似たバンド構造（例えばＩｎＰの禁制帯
幅は同じ＜３００Ｋにおいて１．２７ｅＶである）を有
しており、ＧａＡｓと同様にＧｕｎｎ効果を示すことが
知られ、実用的なエレクトロニクス、オプトエレクトロ
ニクスデバイス用材料として、ＧａＡｓ同様に期待され
ているものである。
これら化合物半導体をデバイス作製に利用するためには
、高純度のバルク単結晶を得る必要がある。その例とし
ては、例えば水平ブリッジマン法、引き上げ法（Ｃｚｏ
ｃｈｒａｌｓｋｉ法）、液体封止チョクラルスキー法（
ＬＥＣ法）などが知られ利用されている。
、高純度のバルク単結晶を得る必要がある。その例とし
ては、例えば水平ブリッジマン法、引き上げ法（Ｃｚｏ
ｃｈｒａｌｓｋｉ法）、液体封止チョクラルスキー法（
ＬＥＣ法）などが知られ利用されている。
化合物半導体のバルク結晶を成長させる際に最も重要な
ことは蒸気圧の制御にある。これは、一般に、化合物半
導体のバルク結晶はその融点以上の高温度下にある融液
から成長させることにより行われるが、化合物半導体の
多くがその融点において高い平衡解離圧を有しているこ
とに基くものであり、特に結晶の化学量論組成からのず
れが大きくなり、この点を解決する必要がある。
ことは蒸気圧の制御にある。これは、一般に、化合物半
導体のバルク結晶はその融点以上の高温度下にある融液
から成長させることにより行われるが、化合物半導体の
多くがその融点において高い平衡解離圧を有しているこ
とに基くものであり、特に結晶の化学量論組成からのず
れが大きくなり、この点を解決する必要がある。
例えば、［ｎＰ単結晶は、光、光・電子集積化デバイス
用基板材料として最近大きな注目を集めているが、この
ＩｎＰは高温で分解し易く、そのため常圧下で溶融状態
から単結晶を成長させることは現在までのところ不可能
であった。
用基板材料として最近大きな注目を集めているが、この
ＩｎＰは高温で分解し易く、そのため常圧下で溶融状態
から単結晶を成長させることは現在までのところ不可能
であった。
従って、高温高圧装置を用いて結晶成長を行う必要があ
り、通常、高圧液体カプセル引上げ法（ＬＥＣ法）が利
用されている。この方法は、第１図にその一例を示した
ように、ヒータｌにより加熱されたるつぼ２内に、化学
式１ｒ＋、−、Ｐイにおいてｘ＝０．５とした原子組成
を有する融液３を収容し、その表面をＢ、０３融液４で
覆い、更にＢ２Ｏ３融液表面を約４０気圧の不活性ガス
（例えばＮ２ガス、Ａｒガスなど）で加圧して融液表面
での解離を防止 ２しつつ、原料融液３の表面に種結
晶５を浸漬し、馴染ませた後、回転させつつ引上げて単
結晶６を得る方法である。
り、通常、高圧液体カプセル引上げ法（ＬＥＣ法）が利
用されている。この方法は、第１図にその一例を示した
ように、ヒータｌにより加熱されたるつぼ２内に、化学
式１ｒ＋、−、Ｐイにおいてｘ＝０．５とした原子組成
を有する融液３を収容し、その表面をＢ、０３融液４で
覆い、更にＢ２Ｏ３融液表面を約４０気圧の不活性ガス
（例えばＮ２ガス、Ａｒガスなど）で加圧して融液表面
での解離を防止 ２しつつ、原料融液３の表面に種結
晶５を浸漬し、馴染ませた後、回転させつつ引上げて単
結晶６を得る方法である。
このＬＥＣ法によれば、任意の結晶軸方向に結晶成長さ
せることが可能であり、またその大形化も容易である。
せることが可能であり、またその大形化も容易である。
しかしながら、約４０気圧にも達する高圧ガス雰囲気の
対流効果のため、結晶に大きな熱応力が加わり、成長結
晶は高転位密度となるという短所を有している。
対流効果のため、結晶に大きな熱応力が加わり、成長結
晶は高転位密度となるという短所を有している。
このために、ｌｎＰ無転位達成がＬＥＣ法結晶成長技術
において重要な課題となっているが、満足な解決策はい
まだ見出されていない。
において重要な課題となっているが、満足な解決策はい
まだ見出されていない。
発明が解決しようとする問題点
以上述べたようにＩｎＰはＧａＡｓに次いで、注目され
ている化合物半導体材料であるが、これをデバイス作製
に利用するためには高純度のバルク単結晶を得る必要が
ある。このＩｎＰは高温で分解され易いことから高温高
圧装置、例えばＬＥＣ法が用いられてきたが、この方法
では約４０気圧もの高圧ガス雰囲気を利用するため、そ
の対流効果により得られる結晶が高転位密度を有すると
いう難点があることが知られている。
ている化合物半導体材料であるが、これをデバイス作製
に利用するためには高純度のバルク単結晶を得る必要が
ある。このＩｎＰは高温で分解され易いことから高温高
圧装置、例えばＬＥＣ法が用いられてきたが、この方法
では約４０気圧もの高圧ガス雰囲気を利用するため、そ
の対流効果により得られる結晶が高転位密度を有すると
いう難点があることが知られている。
しかしながら、問題提起はなされたが、依然としてその
解決策は今のところ提案されていおらず、ｌｎＰバルク
単結晶作製おける無転位化達成が強く望まれており、本
発明の目的もこの点を解決することにある。即ち、本発
明の目的は、従来不可能とされていた無転位１ｎＰ単結
晶を容易に得ることを可能とするＩｎＰ単結晶の成長用
溶融物およびその使用方法を提供することにある。
解決策は今のところ提案されていおらず、ｌｎＰバルク
単結晶作製おける無転位化達成が強く望まれており、本
発明の目的もこの点を解決することにある。即ち、本発
明の目的は、従来不可能とされていた無転位１ｎＰ単結
晶を容易に得ることを可能とするＩｎＰ単結晶の成長用
溶融物およびその使用方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者等は上記［ｎＰ単結晶製造法におけるＬＥＣ法
を検討し、ＩｎＰ溶融物の組成を特定範囲に制限するこ
とが従来のＬＥＣ法の欠点である高転位密度の問題を解
決する上で極めて有効であることを知り、本発明を完成
した。
を検討し、ＩｎＰ溶融物の組成を特定範囲に制限するこ
とが従来のＬＥＣ法の欠点である高転位密度の問題を解
決する上で極めて有効であることを知り、本発明を完成
した。
即ち、本発明のＩｎＰ溶融物は化学式：％式％
においてＸが０．２０≦Ｘ≦０．４３となるような原子
組成を有することを特徴とする。
組成を有することを特徴とする。
このＩｎＰ溶融物は、更にドナー型、アクセプタ型並び
に中性不純物などを添加することができる。
に中性不純物などを添加することができる。
また、本発明の前記１ｎＰ溶融物の使用方法は、加熱さ
れたるつぼ内にＩｎＰ溶融を収納し、その表面をＢ２Ｏ
３融液で覆い、これを不活性ガス雰囲気で覆い、この状
態でＩｎＰ種晶を前記１ｎＰ融液に浸漬し、これを回転
させつつ引上げることにより［ｎＰ単結晶を得るにあた
り、 前記１ｎＰ融液として、一般式： ％式％ に右いて、Ｘが０．２０≦Ｘ≦０．４３となるような原
子組成のものを用い。不活性ガス雰囲気圧力を１〜５気
圧としたことを特徴とする。
れたるつぼ内にＩｎＰ溶融を収納し、その表面をＢ２Ｏ
３融液で覆い、これを不活性ガス雰囲気で覆い、この状
態でＩｎＰ種晶を前記１ｎＰ融液に浸漬し、これを回転
させつつ引上げることにより［ｎＰ単結晶を得るにあた
り、 前記１ｎＰ融液として、一般式： ％式％ に右いて、Ｘが０．２０≦Ｘ≦０．４３となるような原
子組成のものを用い。不活性ガス雰囲気圧力を１〜５気
圧としたことを特徴とする。
詐月
ＬＥＣ法における転移発生の主因は、成長時に結晶に加
わる熱応力であり、これは結晶の内部と表面との間の温
度差に起因するものであると思われる。従って、この熱
応力を低減するためには、結晶中の温度の均一性を確保
することが有利である。
わる熱応力であり、これは結晶の内部と表面との間の温
度差に起因するものであると思われる。従って、この熱
応力を低減するためには、結晶中の温度の均一性を確保
することが有利である。
添付第２図は、第１図の配置において、ガス雰囲気の圧
力を変えた場合の、るつぼの中心位置での軸方向におけ
る温度分布の変化を示したものである。この第２図の結
果から、ガス圧力の低下と共に雰囲気温度は上昇し、そ
のためＢ２Ｏ３相内の温度勾配が緩やかになることおよ
び５気圧以下では雰囲気温度のガス圧による影響は殆ど
なくなることを理解することができる。
力を変えた場合の、るつぼの中心位置での軸方向におけ
る温度分布の変化を示したものである。この第２図の結
果から、ガス圧力の低下と共に雰囲気温度は上昇し、そ
のためＢ２Ｏ３相内の温度勾配が緩やかになることおよ
び５気圧以下では雰囲気温度のガス圧による影響は殆ど
なくなることを理解することができる。
従って、結晶中の温度の均一性を良くし、熱応力の低減
を図るためには雰囲気ガス圧を５気圧以下とする必要が
ある。しかしながら、［ｎＰの融点（１０６０℃）での
解離圧（２８気圧）以下では結晶成長は不可能である。
を図るためには雰囲気ガス圧を５気圧以下とする必要が
ある。しかしながら、［ｎＰの融点（１０６０℃）での
解離圧（２８気圧）以下では結晶成長は不可能である。
このような問題を解決するためには、ＩｎＰ融液の組成
を、化学量論組成よりもｉｎを過剰に含むＩｎ−Ｐ組成
とすることが有利であり、これによってＩｎＰの析出温
度を下げることが可能であることかわかった。かくして
、本発明の上記のような組成のＩｎＰ融液を使用するこ
とによって、雰囲気ガス圧を低くすることができるので
、従来不可能とされていた無転位１ｎＰ単結晶を良好に
制御性良く、かつ容易に成長させ得る。
を、化学量論組成よりもｉｎを過剰に含むＩｎ−Ｐ組成
とすることが有利であり、これによってＩｎＰの析出温
度を下げることが可能であることかわかった。かくして
、本発明の上記のような組成のＩｎＰ融液を使用するこ
とによって、雰囲気ガス圧を低くすることができるので
、従来不可能とされていた無転位１ｎＰ単結晶を良好に
制御性良く、かつ容易に成長させ得る。
本発明のｒｎＰ融液はその組成、即ちＩｎ＋−ｘＰｘに
おいてＸを０．２０≦Ｘ≦０．４３とすることが臨界的
な条件であり、これは以下の測定結果から明らかである
。
おいてＸを０．２０≦Ｘ≦０．４３とすることが臨界的
な条件であり、これは以下の測定結果から明らかである
。
ｘ ＝０．１５．０．２０．０．３０．０．４０．０．
４３．０．４５．０．５０の７＋！！の組成のＩｎＰ融
液を用いて、はぼ同一の育成条件で単結晶を育成し、得
られた単結晶のエッチピット密度を測定した。結果は以
下の第１表に示す通りである。
４３．０．４５．０．５０の７＋！！の組成のＩｎＰ融
液を用いて、はぼ同一の育成条件で単結晶を育成し、得
られた単結晶のエッチピット密度を測定した。結果は以
下の第１表に示す通りである。
第１表
第１表の結果から、Ｘ＝０．２０．０．３０．０．４０
．０，４３において、エッチピット密度が小さくなでい
ることがわかる。この結果は以下のように説明される。
．０，４３において、エッチピット密度が小さくなでい
ることがわかる。この結果は以下のように説明される。
即ち、Ｘが増大するに伴って、ＩｎＰの析出温度が高く
なり、結晶成長に必要なガス圧が高くなり、ｘ＝０．５
で最大となる。ｘ＝０．４３での析出温度は約１０４５
℃で、必要なガス圧は５気圧であり、雰囲気ガス圧低減
効果を期待することができる限界のガス圧に相当する。
なり、結晶成長に必要なガス圧が高くなり、ｘ＝０．５
で最大となる。ｘ＝０．４３での析出温度は約１０４５
℃で、必要なガス圧は５気圧であり、雰囲気ガス圧低減
効果を期待することができる限界のガス圧に相当する。
従って、ｘ ＝０．４３がＸの上限である。
一方、Ｘを小さくすると、析出温度は減少し、成長速度
が低下する。尚、析出温度が低下するとはいえ、依然と
してかなりの高温であるので、成長結晶の表面は、長時
間高温に露呈され、激しい熱分解を受ける。即ち、引上
げられたＩｎＰ結晶が表面から熱分解され、この分解に
より生じたＩｎ溶液がＩｎＰ結晶表面を複雑に浸蝕し、
その結果！ｎＰは形状が著しく損われるばかりでなく、
転位導入の原因ともなる。
が低下する。尚、析出温度が低下するとはいえ、依然と
してかなりの高温であるので、成長結晶の表面は、長時
間高温に露呈され、激しい熱分解を受ける。即ち、引上
げられたＩｎＰ結晶が表面から熱分解され、この分解に
より生じたＩｎ溶液がＩｎＰ結晶表面を複雑に浸蝕し、
その結果！ｎＰは形状が著しく損われるばかりでなく、
転位導入の原因ともなる。
結局、Ｘを小さくしすぎると、成長速度の低下による結
晶表面欠陥の発生が顕著になり、雰囲気ガス圧低減効果
が相殺されるために、低転位密度化にとって逆効果とな
る。上記第１表の結果から、その下限がｘ＝０．２０で
与えられることがわかる。
晶表面欠陥の発生が顕著になり、雰囲気ガス圧低減効果
が相殺されるために、低転位密度化にとって逆効果とな
る。上記第１表の結果から、その下限がｘ＝０．２０で
与えられることがわかる。
更に、本発明のＩｎＰ溶融物の使用方法において、不活
性ガス雰囲気圧力は５気圧以下であることが必要である
。この上限は上記Ｘの上限から必然的に決定される。ま
た、製造の経済性、実用性等を考慮すると１気圧以上で
あることが好ましい。
性ガス雰囲気圧力は５気圧以下であることが必要である
。この上限は上記Ｘの上限から必然的に決定される。ま
た、製造の経済性、実用性等を考慮すると１気圧以上で
あることが好ましい。
実施例
以下、本発明の方法を実施例により更に具体的に説明す
る。
る。
まず、融液の原子組成がｘ＝０．３０となるようにＩｎ
Ｐ多結晶とＩｎとを夫々秤量し、これらＩｎＰ多結晶、
ｉｎおよびＢ２Ｏ３を石英るつぼに装填してヒー゛ タ
で加熱した。１０６０℃で約１時間保持した後、徐冷゛
した。
Ｐ多結晶とＩｎとを夫々秤量し、これらＩｎＰ多結晶、
ｉｎおよびＢ２Ｏ３を石英るつぼに装填してヒー゛ タ
で加熱した。１０６０℃で約１時間保持した後、徐冷゛
した。
ＩｎＰの析出温度の直上で、冷却を止め、種結晶を引下
げ、Ｂ２Ｏ３層を通して溶融１ｎＰ表面と接触させ、回
転させつつよく馴染ませた。次いで溶融物を徐冷すると
共に種結晶を約１ｍｍ／ｈｒの速度で引上げた。上記組
成のＩｎＰの析出温度は約１０００℃であった。また、
この温度におけるＩｎＰの解離圧は１気圧以下であるの
で、成長中１〜２気圧のガス圧を印加した。約５０ｍｍ
成長させた後、結晶を育成炉から取出したところ、種晶
は径１センチのＩｎＰ単結晶に成長していた。かくして
得た結晶から厚さ０．５ｍｍのウェハを切出し、表面を
鏡面とした後、リン酸：臭素酸＝２：１の混合液で、室
温で約２分間化学エツチングしたところ、転位に対応す
る三角形状のビットはウェハ全域で観察されなかった。
げ、Ｂ２Ｏ３層を通して溶融１ｎＰ表面と接触させ、回
転させつつよく馴染ませた。次いで溶融物を徐冷すると
共に種結晶を約１ｍｍ／ｈｒの速度で引上げた。上記組
成のＩｎＰの析出温度は約１０００℃であった。また、
この温度におけるＩｎＰの解離圧は１気圧以下であるの
で、成長中１〜２気圧のガス圧を印加した。約５０ｍｍ
成長させた後、結晶を育成炉から取出したところ、種晶
は径１センチのＩｎＰ単結晶に成長していた。かくして
得た結晶から厚さ０．５ｍｍのウェハを切出し、表面を
鏡面とした後、リン酸：臭素酸＝２：１の混合液で、室
温で約２分間化学エツチングしたところ、転位に対応す
る三角形状のビットはウェハ全域で観察されなかった。
かくして、上記のような融液から無転位のＩｎＰ単結晶
を育成することができ、また残留不純物濃度を測定した
ところ、原料とし゛て用いた多結晶中の残留不純物濃度
の各以下であることがわかった。
を育成することができ、また残留不純物濃度を測定した
ところ、原料とし゛て用いた多結晶中の残留不純物濃度
の各以下であることがわかった。
発明の効果
以上のように、本発明はこれまで成功を収めていなかっ
たＩｎＰの無転位単結晶成長を可能とする新規な溶融物
を提供するもので、次の利点がある。
たＩｎＰの無転位単結晶成長を可能とする新規な溶融物
を提供するもので、次の利点がある。
（１）過剰なｉｎによる不純物ゲッタリング効果および
低温成長のため、成長結晶への不純物の混入が少なく、
高純度の単結晶が得られる。
低温成長のため、成長結晶への不純物の混入が少なく、
高純度の単結晶が得られる。
（２）溶融物へ添加する不純物種（ドナー型、アクセプ
タ型、および中性不純物）及びその添加量の制御により
、望みの電気特性を有する無転位単結晶を得ることがで
きる。またｌｎＰだけでなく、本発明を他の化合物半導
体の無転位単結晶の成長に適用しても極めて有効である
と言う種々の利点がある。
タ型、および中性不純物）及びその添加量の制御により
、望みの電気特性を有する無転位単結晶を得ることがで
きる。またｌｎＰだけでなく、本発明を他の化合物半導
体の無転位単結晶の成長に適用しても極めて有効である
と言う種々の利点がある。
第１図は、高圧液体カプセル引上げ法の概略図であり、
第２図は、育成炉内温度分布の雰囲気圧依存性を示すグ
ラフである。 （主な参照番号） ■・・・・ヒーター、 ２・・・・るつぼ、３・・・
・ＩｎＰ融液、 ４・・・・Ｂ２Ｏ３融液、５・・・・
種結晶、 ６・・・・単結晶、７・・・・高圧容器 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 第１図 １・・・ヒータ ２・・・るつぼ゛ ３・・・ｌｎＰ融成 ６・・・単糸き晶 ７・・・高圧８ａ 温崖じＣ）
ラフである。 （主な参照番号） ■・・・・ヒーター、 ２・・・・るつぼ、３・・・
・ＩｎＰ融液、 ４・・・・Ｂ２Ｏ３融液、５・・・・
種結晶、 ６・・・・単結晶、７・・・・高圧容器 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 第１図 １・・・ヒータ ２・・・るつぼ゛ ３・・・ｌｎＰ融成 ６・・・単糸き晶 ７・・・高圧８ａ 温崖じＣ）
Claims (2)
- （１）化学式： Ｉｎ＿１＿−＿ｘＰ＿ｘ において、ｘが０．２０≦ｘ≦０．４３となるような原
子組成を有することを特徴とするＩｎＰ単結晶の成長用
溶融物。 - （２）加熱されたるつぼ内にＩｎＰ融液を収納し、その
表面をＢ＿２Ｏ＿３融液で覆い、不活性ガス雰囲気下で
、ＩｎＰ種晶を前記ＩｎＰ融液に浸漬し、これを回転さ
せつつ引上げることによりＩｎＰ単結晶を製造するにあ
たり、 前記１ｎＰ融液として、一般式： Ｉｎ＿１＿−＿ｘＰ＿ｘ において、ｘが０．２０≦ｘ≦０．４３となるような原
子組成の融液を使用し、不活性ガス雰囲気圧力が１〜５
気圧の範囲内にあることを特徴とする上記ＩｎＰ融液の
使用法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238824A JPS61117198A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238824A JPS61117198A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117198A true JPS61117198A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17035814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59238824A Pending JPS61117198A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117198A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103394A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Nippon Mining Co Ltd | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
| CN100387761C (zh) * | 2005-09-22 | 2008-05-14 | 中国科学院半导体研究所 | InP单晶锭退火处理方法 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59238824A patent/JPS61117198A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103394A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Nippon Mining Co Ltd | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
| CN100387761C (zh) * | 2005-09-22 | 2008-05-14 | 中国科学院半导体研究所 | InP单晶锭退火处理方法 |
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