JPH03101385A - 電子スチルカメラとその撮像記録素子 - Google Patents
電子スチルカメラとその撮像記録素子Info
- Publication number
- JPH03101385A JPH03101385A JP1237472A JP23747289A JPH03101385A JP H03101385 A JPH03101385 A JP H03101385A JP 1237472 A JP1237472 A JP 1237472A JP 23747289 A JP23747289 A JP 23747289A JP H03101385 A JPH03101385 A JP H03101385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic still
- image
- recording
- still camera
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009812 interlayer coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は簡易型の電子スチルカメラに用いるに適した撮
像記録素子およびこの撮像記録素子を用いて構成される
電子スチルカメラに関する。
像記録素子およびこの撮像記録素子を用いて構成される
電子スチルカメラに関する。
[従来の技術]
近時、種々の電子スチルカメラが開発されている。この
種の電子スチルカメラは被写体像を電子的に撮像してそ
の電子スチル画像信号をフロッピーディスク等の磁気記
録媒体やメモリカード等に記録し、これをテレビジョン
受像機等による画像再生に供するものである。
種の電子スチルカメラは被写体像を電子的に撮像してそ
の電子スチル画像信号をフロッピーディスク等の磁気記
録媒体やメモリカード等に記録し、これをテレビジョン
受像機等による画像再生に供するものである。
即ち、この種の電子スチルカメラは、例えば特開昭56
−43884号公報等に示されるように光学系レンズと
、この光学系レンズにて結像される被写体像を画素毎に
その光量に応じた信号電荷に光電変換するCCD等の固
体撮像素子と、この固体撮像素子にて電子的に撮像され
た電子スチル画像信号を時系列に読出してフロッピーデ
ィスクやメモリカード等の所定の記録媒体に画像単位で
順次記録し、保存する為の信号処理回路部とを備えて構
成される。尚、電子スチルカメラに、所定の記録媒体に
記録する電子スチル画像信号に色分離処理等を施す為の
画像信号プロセッサを組み込む場合もある。また上記記
録媒体は、一般的には電子スチルカメラ本体に対して着
脱可能に設けられ、電子スチルカメラ本体に装着されて
電子スチル画像信号の記録に供された後、電子スチルカ
メラ本体から取り外されて所定の画像再生機に装着され
、そこに記録された電子スチル画像信号の読出しによる
スチル画像再生に供される。
−43884号公報等に示されるように光学系レンズと
、この光学系レンズにて結像される被写体像を画素毎に
その光量に応じた信号電荷に光電変換するCCD等の固
体撮像素子と、この固体撮像素子にて電子的に撮像され
た電子スチル画像信号を時系列に読出してフロッピーデ
ィスクやメモリカード等の所定の記録媒体に画像単位で
順次記録し、保存する為の信号処理回路部とを備えて構
成される。尚、電子スチルカメラに、所定の記録媒体に
記録する電子スチル画像信号に色分離処理等を施す為の
画像信号プロセッサを組み込む場合もある。また上記記
録媒体は、一般的には電子スチルカメラ本体に対して着
脱可能に設けられ、電子スチルカメラ本体に装着されて
電子スチル画像信号の記録に供された後、電子スチルカ
メラ本体から取り外されて所定の画像再生機に装着され
、そこに記録された電子スチル画像信号の読出しによる
スチル画像再生に供される。
[発明が解決しようとする課題]
ところがこのようにシステム構成された電子スチルカメ
ラにあっては、固体撮像素子による被写体の電子的な撮
像入力から、この撮像によって得られる電子スチル画像
信号の所定の記録媒体への記録までに比較的長い時間が
掛かることが否めない。つまり固体撮像素子にて電子的
に撮像された電子スチル画像を所定の記録媒体に記録す
る場合、その都度、その画像信号を前記固体撮像素子か
ら時系列に読出し、同期信号等を付加した上で記録処理
する必要がある。これ故、電子スチル画像信号の読出し
から記録までに時系列的な多くの時間が掛かる。
ラにあっては、固体撮像素子による被写体の電子的な撮
像入力から、この撮像によって得られる電子スチル画像
信号の所定の記録媒体への記録までに比較的長い時間が
掛かることが否めない。つまり固体撮像素子にて電子的
に撮像された電子スチル画像を所定の記録媒体に記録す
る場合、その都度、その画像信号を前記固体撮像素子か
ら時系列に読出し、同期信号等を付加した上で記録処理
する必要がある。これ故、電子スチル画像信号の読出し
から記録までに時系列的な多くの時間が掛かる。
しかも上述した電子スチル画像信号の撮像記録を行うに
は、例えば固体撮像素子の走査によるの時系列な電子ス
チル画像信号の読出し制御等、複雑な動作制御を行う必
要があり、その為の制御回路が必要となることも否めな
い。これ故、電子スチルカメラの構成自体が相当複雑化
し、且つ価格的にも高価なものとなることが否めない。
は、例えば固体撮像素子の走査によるの時系列な電子ス
チル画像信号の読出し制御等、複雑な動作制御を行う必
要があり、その為の制御回路が必要となることも否めな
い。これ故、電子スチルカメラの構成自体が相当複雑化
し、且つ価格的にも高価なものとなることが否めない。
更には所定の記録媒体を着脱自在に設けたり、或いは記
録媒体を電子スチルカメラ本体内に組み込んでおく必要
があるので、そのハードウェア構成が複雑化することが
否めず、装置価格的にも相当高くなる。
録媒体を電子スチルカメラ本体内に組み込んでおく必要
があるので、そのハードウェア構成が複雑化することが
否めず、装置価格的にも相当高くなる。
本発明はこのような観点に立脚してなされたもので、そ
の目的とするところは、そのハードウェア構成の簡易化
とこれによる低価格化を図り、更には内部的な処理動作
の簡略化とその処理制御の簡易化を図ってその取扱い性
を高めることのできる実用性の高い電子スチルカメラを
提供することにある。
の目的とするところは、そのハードウェア構成の簡易化
とこれによる低価格化を図り、更には内部的な処理動作
の簡略化とその処理制御の簡易化を図ってその取扱い性
を高めることのできる実用性の高い電子スチルカメラを
提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る電子スチルカメラ用の撮像記録素子は、
■ 複数の受光素子を2次元配列して撮像面を形成し、
この撮像面に入射する光像を上記受光素子毎に光電変換
して信号電荷を発生する受光素子アレイ部と、 ■ 多層構造化された複数の記憶領域、例えば複数層の
EEFROMセルにより上記受光素子アレイ部の受光素
子にてそれぞれ生成された信号電荷をその厚み方向に並
列転送して順次蓄積するようにしたアナログメモリ部と
、 ■ このアナログメモリ部から並列に転送出力される信
号電荷を走査して時系列に読出す転送部とを備え、 これらの1つの撮像記録素子として積層一体化したこと
を特徴とするものである。
この撮像面に入射する光像を上記受光素子毎に光電変換
して信号電荷を発生する受光素子アレイ部と、 ■ 多層構造化された複数の記憶領域、例えば複数層の
EEFROMセルにより上記受光素子アレイ部の受光素
子にてそれぞれ生成された信号電荷をその厚み方向に並
列転送して順次蓄積するようにしたアナログメモリ部と
、 ■ このアナログメモリ部から並列に転送出力される信
号電荷を走査して時系列に読出す転送部とを備え、 これらの1つの撮像記録素子として積層一体化したこと
を特徴とするものである。
またこのような構造を持つ撮像記録素子を暗箱体の内部
に組み込み、この暗箱体の上記撮像記録素子の受光面に
対向する部位に被写体像を上記受光面に結像する光学レ
ンズを設けると共に、前記暗箱体に前記撮像記録素子を
駆動して被写体像の撮像記録を制御する為の手段を設け
て電子スチルカメラを実現するようにしたことを特徴と
するものである。
に組み込み、この暗箱体の上記撮像記録素子の受光面に
対向する部位に被写体像を上記受光面に結像する光学レ
ンズを設けると共に、前記暗箱体に前記撮像記録素子を
駆動して被写体像の撮像記録を制御する為の手段を設け
て電子スチルカメラを実現するようにしたことを特徴と
するものである。
更には上記暗箱体を折り曲げにより箱型に組み立て可能
なカード状の基体として、例えば組み立て時に切り離し
可能な切り込み部およびその折り曲げ箇所を規定する折
り曲げ部を予め成形加工した構造を持つ基体として実現
し、この基体に撮像記録素子、この撮像記録素子の受光
面に被写体像を結像する為の光学レンズ、前記撮像記録
素子に駆動電力を供給する為の電源部、および前記撮像
記録素子による被写体像の撮像記録を制御するスイッチ
部をそれぞれ配設しておくことを特徴とするものである
。
なカード状の基体として、例えば組み立て時に切り離し
可能な切り込み部およびその折り曲げ箇所を規定する折
り曲げ部を予め成形加工した構造を持つ基体として実現
し、この基体に撮像記録素子、この撮像記録素子の受光
面に被写体像を結像する為の光学レンズ、前記撮像記録
素子に駆動電力を供給する為の電源部、および前記撮像
記録素子による被写体像の撮像記録を制御するスイッチ
部をそれぞれ配設しておくことを特徴とするものである
。
[作 用]
このような構造を持つ撮像記録素子によれば、受光素子
アレイ部にて撮像した電子スチル画像をそのまま並列転
送してアナログメモリ部に順次高速に記憶し、しかる後
、このアナログメモリ部から上記電子スチル画像を順次
読出して所定の画像信号処理を施して画像信号記録等を
行うことが可能となる。つまり、受光素子アレイ部にて
撮像した電子スチル画像を、その都度、読出して所定の
画像信号処理を施すことなく、撮像した電子スチル画像
を、−旦、そのまま高速にアナログメモリ部に順次記憶
する。その後、時間的に余裕のある期間を利用して上記
アナログメモリ部からそこに記憶された電子スチル画像
を順次読出して所定の画像信号処理を行うことが可能と
なる。
アレイ部にて撮像した電子スチル画像をそのまま並列転
送してアナログメモリ部に順次高速に記憶し、しかる後
、このアナログメモリ部から上記電子スチル画像を順次
読出して所定の画像信号処理を施して画像信号記録等を
行うことが可能となる。つまり、受光素子アレイ部にて
撮像した電子スチル画像を、その都度、読出して所定の
画像信号処理を施すことなく、撮像した電子スチル画像
を、−旦、そのまま高速にアナログメモリ部に順次記憶
する。その後、時間的に余裕のある期間を利用して上記
アナログメモリ部からそこに記憶された電子スチル画像
を順次読出して所定の画像信号処理を行うことが可能と
なる。
この結果、例えば受光素子アレイ部による被写体の電子
的な撮像からその撮像画信号の記録までの処理を高速に
行う必要がなくなり(一連の処理動作に十分なる時間的
な余裕を持たせることが可能となる。
的な撮像からその撮像画信号の記録までの処理を高速に
行う必要がなくなり(一連の処理動作に十分なる時間的
な余裕を持たせることが可能となる。
またこのような素子構造の撮像記録素子によれば、その
内部に複数の電子スチル画像を記憶するアナログメモリ
部を持つことになるので、電子スチルカメラの基本機能
自体を非常にコンパクトにまとめることが可能となり、
その構成の大幅な簡略化を図ることが可能となる。具体
的には所定の暗箱体に撮像記録素子と、この撮像記録素
子の撮像面に被写体像を結像する為の光学系レンズを設
け、更には上記撮像記録素子を駆動する為の手段を組み
込むだけで電子スチルカメラを構築することが可能とな
る。そしてこのような電子スチルカメラにて撮像された
電子スチル画像を前記撮像記録素子から読出して所定の
画像信号処理を施し、これを画像信号記録や画像再生に
供することで、新規な電子スチルカメラシステムを構築
することが可能となる。
内部に複数の電子スチル画像を記憶するアナログメモリ
部を持つことになるので、電子スチルカメラの基本機能
自体を非常にコンパクトにまとめることが可能となり、
その構成の大幅な簡略化を図ることが可能となる。具体
的には所定の暗箱体に撮像記録素子と、この撮像記録素
子の撮像面に被写体像を結像する為の光学系レンズを設
け、更には上記撮像記録素子を駆動する為の手段を組み
込むだけで電子スチルカメラを構築することが可能とな
る。そしてこのような電子スチルカメラにて撮像された
電子スチル画像を前記撮像記録素子から読出して所定の
画像信号処理を施し、これを画像信号記録や画像再生に
供することで、新規な電子スチルカメラシステムを構築
することが可能となる。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例に係る電子スチルカメラ用の
撮像記録素子の概略構成を示す図で、■は複数の受光素
子を平面配列して構成される受光素子アレイ部、2はこ
の受光素子アレイ部1にて撮像されて並列転送される電
子スチル画像を順次記憶する多層構造のアナログメモリ
部、そして3はこのアナログメモリ部2から転送される
電子スチル画像を時系列な画像信号として読出し出力す
る転送部である。これらの受光素子アレイ部l。
撮像記録素子の概略構成を示す図で、■は複数の受光素
子を平面配列して構成される受光素子アレイ部、2はこ
の受光素子アレイ部1にて撮像されて並列転送される電
子スチル画像を順次記憶する多層構造のアナログメモリ
部、そして3はこのアナログメモリ部2から転送される
電子スチル画像を時系列な画像信号として読出し出力す
る転送部である。これらの受光素子アレイ部l。
アナログメモリ部2.および転送部3は成る半導体基板
上に積層一体化された素子構造を持つ1っの半導体素子
として実現される。
上に積層一体化された素子構造を持つ1っの半導体素子
として実現される。
即ち、この撮像記録素子は、複数の受光素子を平面配列
して構成される受光素子アレイ部1と、この受光素子ア
レイ部1にて電子的に撮像された電子スチル画像を、時
系列な画像信号として読出す為のCCDやMOSスイッ
チアレイからなる転送部3とによって構成される従来一
般的な構成の固体撮像素子の上記受光素子アレイ部lと
転送部3との間に、上記複数の受光素子にそれぞれ対応
する信号電荷蓄積部を持つ、例えばEEFROM等から
なる2次元アナログメモリを多層形成した複数段のアナ
ログメモリ部2を設けたことを特徴としている。
して構成される受光素子アレイ部1と、この受光素子ア
レイ部1にて電子的に撮像された電子スチル画像を、時
系列な画像信号として読出す為のCCDやMOSスイッ
チアレイからなる転送部3とによって構成される従来一
般的な構成の固体撮像素子の上記受光素子アレイ部lと
転送部3との間に、上記複数の受光素子にそれぞれ対応
する信号電荷蓄積部を持つ、例えばEEFROM等から
なる2次元アナログメモリを多層形成した複数段のアナ
ログメモリ部2を設けたことを特徴としている。
このような素子構造の記録撮像素子は、その1画素当り
の断面構造を第2図に模式的に示すと共に、その電気的
な等価回路を第3図に模式的に示すように、例えばp型
の半導体基板3I上にn型の不純物層からなるCCDチ
ャネル32を形成し、その上の絶縁層上に転送ゲート電
極33とCCD電極34とを埋込み形成して転送部(C
OD)3が形成される。
の断面構造を第2図に模式的に示すと共に、その電気的
な等価回路を第3図に模式的に示すように、例えばp型
の半導体基板3I上にn型の不純物層からなるCCDチ
ャネル32を形成し、その上の絶縁層上に転送ゲート電
極33とCCD電極34とを埋込み形成して転送部(C
OD)3が形成される。
このような転送部3の各CCDチャネル(画素)上にE
EPROMセル21を多層に亘って積層形成してアナロ
グメモリ部2を形成し、更にその上に受光素子アレイ部
1の1画素をなす受光素子11を積層形成して撮像記録
素子が構成される。
EPROMセル21を多層に亘って積層形成してアナロ
グメモリ部2を形成し、更にその上に受光素子アレイ部
1の1画素をなす受光素子11を積層形成して撮像記録
素子が構成される。
尚、受光素子1■は、1層12内に埋め込まれた9層1
3との間に形成されるフォトダイオード14と、この9
層13.上記n層12および9層15と、および絶縁層
に埋め込まれたゲート電極16とにより形成されるリセ
ット用トランジスタ17とにより構成される。
3との間に形成されるフォトダイオード14と、この9
層13.上記n層12および9層15と、および絶縁層
に埋め込まれたゲート電極16とにより形成されるリセ
ット用トランジスタ17とにより構成される。
このように構成された受光素子11は、所定のバイアス
電源VBを受けて駆動され、前記フォトダイオード14
に入射した光に応じた電荷を光電変換により発生する。
電源VBを受けて駆動され、前記フォトダイオード14
に入射した光に応じた電荷を光電変換により発生する。
また光電変換により発生した電荷は、前記ゲート電極1
6のリセット制御により適宜消去される。
6のリセット制御により適宜消去される。
ところで前述したアナログメモリ部2を形成するEEP
ROMセル21は、例えば第4図に示すように縦方向に
順次積層された構造を持つ。各EEPROMセル21は
、基本的にはフローティングゲート22を間に持つ制御
ゲート電極23を備え、9層24に埋込み形成されたn
層のソース領域25とドレイン領域26とを持ち、負荷
抵抗Rを備えたメモリセルとしてそれぞれ構成され、層
間配線電極27を介して縦方向に順次接続される。そし
て各EEPROMセル21のバイアス電極に与えられる
バイアス電圧の下で動作し、制御ゲート電極23に与え
られる転送制御パルスの下で、前記受光素子11にて発
生された信号電荷を転送入力し、これを内部に保持し、
この保持した信号電荷を次段に転送出力する如く構成さ
れる。
ROMセル21は、例えば第4図に示すように縦方向に
順次積層された構造を持つ。各EEPROMセル21は
、基本的にはフローティングゲート22を間に持つ制御
ゲート電極23を備え、9層24に埋込み形成されたn
層のソース領域25とドレイン領域26とを持ち、負荷
抵抗Rを備えたメモリセルとしてそれぞれ構成され、層
間配線電極27を介して縦方向に順次接続される。そし
て各EEPROMセル21のバイアス電極に与えられる
バイアス電圧の下で動作し、制御ゲート電極23に与え
られる転送制御パルスの下で、前記受光素子11にて発
生された信号電荷を転送入力し、これを内部に保持し、
この保持した信号電荷を次段に転送出力する如く構成さ
れる。
第3図に示すゲート制御回路29は、これらの多層構造
化された複数のEEPROMセル21ニ順次バイアス電
圧を印加すると共に、その制御ゲート電極23に転送パ
ルスを与えることで、受光素子11から与えられる信号
電荷を縦方向(層間方向)に順次転送する。
化された複数のEEPROMセル21ニ順次バイアス電
圧を印加すると共に、その制御ゲート電極23に転送パ
ルスを与えることで、受光素子11から与えられる信号
電荷を縦方向(層間方向)に順次転送する。
尚、このような構成のEEFROM21に代えて、例え
ば第5図に示すようなMNOS構造を持つ記憶セル28
を用いてアナログメモリ部2を構成することも勿論可能
である。
ば第5図に示すようなMNOS構造を持つ記憶セル28
を用いてアナログメモリ部2を構成することも勿論可能
である。
このような縦型構造のアナログメモリ部2の実現は、従
来より種々提唱されている半導体技術を適宜採用して実
現することが可能であり、基本的にはアナログメモリセ
ルを多層構造化し、その転送電極を縦方向に層間結合電
極として設けて、その素子構造を3次元化するようにす
れば良い。またその層数についても、電子スチルカメラ
の仕様や半導体製造技術に応じて、何枚の電子スチル画
像を記録するかと云う観点に立脚して定めれば良い。
来より種々提唱されている半導体技術を適宜採用して実
現することが可能であり、基本的にはアナログメモリセ
ルを多層構造化し、その転送電極を縦方向に層間結合電
極として設けて、その素子構造を3次元化するようにす
れば良い。またその層数についても、電子スチルカメラ
の仕様や半導体製造技術に応じて、何枚の電子スチル画
像を記録するかと云う観点に立脚して定めれば良い。
また上述した例では、フォトダイオード14にて入射光
に応じて発生した信号電荷をそのままEEPROMセル
21に転送するようにしたが、例えば第6図に示すよう
にその途中にゲート制御用のトランジスタ4と信号電荷
蓄積用のコンデンサ5とを設け、フォトダイオード14
にて発生される信号電荷のコンデンサ5による蓄積時間
を制御するようにしても良い。このようにすれば、上記
トランジスタ4のゲート制御によりフォトダイオード1
4により光電変換された信号電荷の上記コンデンサ5に
よる蓄積時間を制御することが可能となるので、前述し
た受光素子11に、所謂電子シャッタ機能を持たせるこ
とが可能となる。
に応じて発生した信号電荷をそのままEEPROMセル
21に転送するようにしたが、例えば第6図に示すよう
にその途中にゲート制御用のトランジスタ4と信号電荷
蓄積用のコンデンサ5とを設け、フォトダイオード14
にて発生される信号電荷のコンデンサ5による蓄積時間
を制御するようにしても良い。このようにすれば、上記
トランジスタ4のゲート制御によりフォトダイオード1
4により光電変換された信号電荷の上記コンデンサ5に
よる蓄積時間を制御することが可能となるので、前述し
た受光素子11に、所謂電子シャッタ機能を持たせるこ
とが可能となる。
かくして上述した如く構成される撮像記録素子によれば
、受光素子アレイ部lにて撮像された電子スチル画像を
、各画素単位に並列的にアナログメモリ部2に転送して
、その信号電荷をEEPROMセル21にそれぞれ蓄積
保存することが可能となる。そして撮像した電子スチル
画像の信号電荷をEEPROMセル21に並列に転送し
て蓄積保存した後には、再度、前記受光素子アレイ部1
にて次の被写体像を電子的に撮像することが可能となる
。そしてこの場合には、既にEEPROMセル21に格
納されている電子スチル画像の信号電荷を次段のEEP
ROMセル21に転送し、この信号電荷の転送出力によ
り空き状態となった前記EEPROMセル2■に新たに
撮像された電子スチル画像の信号電荷を転送して格納保
存する。
、受光素子アレイ部lにて撮像された電子スチル画像を
、各画素単位に並列的にアナログメモリ部2に転送して
、その信号電荷をEEPROMセル21にそれぞれ蓄積
保存することが可能となる。そして撮像した電子スチル
画像の信号電荷をEEPROMセル21に並列に転送し
て蓄積保存した後には、再度、前記受光素子アレイ部1
にて次の被写体像を電子的に撮像することが可能となる
。そしてこの場合には、既にEEPROMセル21に格
納されている電子スチル画像の信号電荷を次段のEEP
ROMセル21に転送し、この信号電荷の転送出力によ
り空き状態となった前記EEPROMセル2■に新たに
撮像された電子スチル画像の信号電荷を転送して格納保
存する。
このようなアナログメモリ部2における初段(最上段)
のEEPROMセル21への受光素子アレイ部1にて撮
像された電子スチル画像信号の書き込みと、その後段に
設けられたEEPROMセル21への電子スチル画像信
号の順次転送制御とにより、アナログメモリ部2を構成
する複数層のEEPROMセル21に複数枚の電子スチ
ル画像を順次書き込み、これらを保存することが可能と
なる。
のEEPROMセル21への受光素子アレイ部1にて撮
像された電子スチル画像信号の書き込みと、その後段に
設けられたEEPROMセル21への電子スチル画像信
号の順次転送制御とにより、アナログメモリ部2を構成
する複数層のEEPROMセル21に複数枚の電子スチ
ル画像を順次書き込み、これらを保存することが可能と
なる。
この撮像動作と、撮像された電子スチル画像の転送動作
について詳しく説明すると、受光素子アレイ部1におけ
る被写体像の電子的な撮像は、先ず前記リセット用のト
ランジスタ17をゲート制御してフォトダイオード14
をリセットし、そのリセットゲートを閉じることにより
入射光に対する信号電荷の蓄積を開始することから行わ
れる。この動作は、所謂シャッタを開けることに相当す
る。
について詳しく説明すると、受光素子アレイ部1におけ
る被写体像の電子的な撮像は、先ず前記リセット用のト
ランジスタ17をゲート制御してフォトダイオード14
をリセットし、そのリセットゲートを閉じることにより
入射光に対する信号電荷の蓄積を開始することから行わ
れる。この動作は、所謂シャッタを開けることに相当す
る。
しかる後、所定の時間を経過してフォトダイオード14
に蓄積された電荷をEEPROMセル21に転送するこ
とで、電子的な露光を終了し、シャッタを閉じることが
行われるが、前述したゲート用の制御トランジスタ4を
備えている場合には、このトランジスタ4の導通時間制
御によって前記フォトダイオード14に得られた信号電
荷をコンデンサ5にホールドすることによりその撮像動
作が終了する。このようなコンデンサ5への信号電荷の
蓄積時間の制御により、高速シャッタ動作に対応するこ
とができる。
に蓄積された電荷をEEPROMセル21に転送するこ
とで、電子的な露光を終了し、シャッタを閉じることが
行われるが、前述したゲート用の制御トランジスタ4を
備えている場合には、このトランジスタ4の導通時間制
御によって前記フォトダイオード14に得られた信号電
荷をコンデンサ5にホールドすることによりその撮像動
作が終了する。このようなコンデンサ5への信号電荷の
蓄積時間の制御により、高速シャッタ動作に対応するこ
とができる。
尚、受光素子アレイ部lからEEPROMセル21への
信号電荷の転送には、通常数ミリ秒の動作時間が必要と
なるが、その電子スチル画像信号の全てを転送部3にお
ける転送制御の下で読出す為の時間に比較すれば非常に
短いと云える。
信号電荷の転送には、通常数ミリ秒の動作時間が必要と
なるが、その電子スチル画像信号の全てを転送部3にお
ける転送制御の下で読出す為の時間に比較すれば非常に
短いと云える。
しかしてEEPROMセル21への信号電荷(電子スチ
ル画像)の書き込みは、前述した制御ゲート電極23に
負電圧を印加するすることによりなされる。この制御ゲ
ート電極23への負電圧の印加によれば、前述したフロ
ーティングゲート22からそのドレインに対してトンネ
ル電流が流れ、これによって上記フローティングゲート
22が正電圧に帯電する。しかして上記ドレインには前
述したフォトダイオード14が接続されているいること
から、このフォトダイオード14の発生電荷量に応じて
、換言すればフォトダイオード14への入射光量に応じ
てそのドレイン電圧が変化し、これによって前記フロー
ティングゲート22の帯電量が変化する。
ル画像)の書き込みは、前述した制御ゲート電極23に
負電圧を印加するすることによりなされる。この制御ゲ
ート電極23への負電圧の印加によれば、前述したフロ
ーティングゲート22からそのドレインに対してトンネ
ル電流が流れ、これによって上記フローティングゲート
22が正電圧に帯電する。しかして上記ドレインには前
述したフォトダイオード14が接続されているいること
から、このフォトダイオード14の発生電荷量に応じて
、換言すればフォトダイオード14への入射光量に応じ
てそのドレイン電圧が変化し、これによって前記フロー
ティングゲート22の帯電量が変化する。
このフローティングゲート22の帯電量の変化により、
各画素毎に定まる露光量に相当する信号電荷のE E
P ROMセル21への蓄積(書き込み)が行われる。
各画素毎に定まる露光量に相当する信号電荷のE E
P ROMセル21への蓄積(書き込み)が行われる。
このようにして初段のEEPROMセル21に書き込ま
れた信号電荷(電子スチル画像)の次段のEEPROM
セル21への転送書き込みは、基本的には信号電荷を蓄
積してなるEEPROMセル21の制御ゲート電極23
の電位をOvとし、次段のEEPROMセル21との接
続点に所定のバイアス電圧を印加する。これによりその
EEPROMセル21に上述したフローティングゲート
22の帯電量に応じた(はぼ比例した)チャネル電流が
流れ、その負荷抵抗Rにチャネル電流に比例した電圧が
発生する。この負荷抵抗Rに発生するチャネル電流に比
例した電圧は、前述したフォトダイオード14が入射光
量に応じて発生する信号電荷(電圧)に相当したもので
あるから、この状態で次段のEEPROMセル21を前
述したように駆動することにより、その信号電荷が次段
のEEPROMセル21に書き込まれ、ここにEEPR
OMセル21間での信号電画の転送が行われることにな
る。
れた信号電荷(電子スチル画像)の次段のEEPROM
セル21への転送書き込みは、基本的には信号電荷を蓄
積してなるEEPROMセル21の制御ゲート電極23
の電位をOvとし、次段のEEPROMセル21との接
続点に所定のバイアス電圧を印加する。これによりその
EEPROMセル21に上述したフローティングゲート
22の帯電量に応じた(はぼ比例した)チャネル電流が
流れ、その負荷抵抗Rにチャネル電流に比例した電圧が
発生する。この負荷抵抗Rに発生するチャネル電流に比
例した電圧は、前述したフォトダイオード14が入射光
量に応じて発生する信号電荷(電圧)に相当したもので
あるから、この状態で次段のEEPROMセル21を前
述したように駆動することにより、その信号電荷が次段
のEEPROMセル21に書き込まれ、ここにEEPR
OMセル21間での信号電画の転送が行われることにな
る。
しかる後、信号電荷の転送を終了した
EEPROMセル21の制御ゲート電極23に正電圧を
印加すれば、そのフローティングゲート22に蓄積され
ている電荷をドレインに流すことが可能となる。これに
よりその信号電荷を消去し、次の信号電荷の書き込みに
対する準備動作を完了させることが可能となる。
印加すれば、そのフローティングゲート22に蓄積され
ている電荷をドレインに流すことが可能となる。これに
よりその信号電荷を消去し、次の信号電荷の書き込みに
対する準備動作を完了させることが可能となる。
尚、順次撮像入力した電子スチル画像の中で、記録保存
しておく必要のないものがある場合には、その電子スチ
ル画像信号の上述した次段のEEPR,0Mセル21へ
の転送制御を行うことなく当該EEPROMセル21に
書き込まれている信号電荷を消去するようにすれば良い
。そしてこの信号電荷が消去されたEEPROMセル2
1までについてのみ、新たな信号電荷の転送書き込みを
上述したように行うようにし、その後段側のEEPRO
Mセル21において蓄積されている信号電荷(電子スチ
ル画像)についてはそのまま保存するようにすれば良い
。このような制御によれば、不要な電子スチル画像の信
号電荷だけを消去し、限られた容量のアナログメモリ部
2に、必要な電子スチル画像だけを順に記録保存するこ
とが可能となる。
しておく必要のないものがある場合には、その電子スチ
ル画像信号の上述した次段のEEPR,0Mセル21へ
の転送制御を行うことなく当該EEPROMセル21に
書き込まれている信号電荷を消去するようにすれば良い
。そしてこの信号電荷が消去されたEEPROMセル2
1までについてのみ、新たな信号電荷の転送書き込みを
上述したように行うようにし、その後段側のEEPRO
Mセル21において蓄積されている信号電荷(電子スチ
ル画像)についてはそのまま保存するようにすれば良い
。このような制御によれば、不要な電子スチル画像の信
号電荷だけを消去し、限られた容量のアナログメモリ部
2に、必要な電子スチル画像だけを順に記録保存するこ
とが可能となる。
かくしてこのような撮像記録素子を用いれば、受光素子
アレイ部1にて電子的に撮像された電子スチル画像を、
その転送部3から一々読出すことなしに、その内部のア
ナログメモリ部2に複数枚に亘って記憶保存することが
可能となり、その後の必要な時点で上記アナログメモリ
部2から転送部3を介して上述した電子スチル画像を適
宜続出し、これを画像再生等に供することができる。故
に、電子スチルカメラ自体を非常に簡易に、その基本的
な構成要素だけで構築することが可能となる。
アレイ部1にて電子的に撮像された電子スチル画像を、
その転送部3から一々読出すことなしに、その内部のア
ナログメモリ部2に複数枚に亘って記憶保存することが
可能となり、その後の必要な時点で上記アナログメモリ
部2から転送部3を介して上述した電子スチル画像を適
宜続出し、これを画像再生等に供することができる。故
に、電子スチルカメラ自体を非常に簡易に、その基本的
な構成要素だけで構築することが可能となる。
第7図は上述した如き素子構造を持つ撮像記録素子を用
いて構成される電子スチルカメラと、この電子スチルカ
メラに対して構築された電子スチルカメラシステムの概
略構成を示す図である。
いて構成される電子スチルカメラと、この電子スチルカ
メラに対して構築された電子スチルカメラシステムの概
略構成を示す図である。
この第7図に示すように、電子スチルカメラ自体は、基
本的には第8図に示すように所定の暗箱体60に前述し
た素子構造の撮像記録素子61と、この撮像記録素子6
1の撮像面に被写体像を結像する光学系レンズ62、そ
して上記撮像記録素子atから読み出される信号を所定
のレベルに増幅する出力アンプ63とにより構成される
。より具体的には、第9図にそのブロック構成例を示す
ように、光学系レンズ62と撮像記録素子61を主体と
し、これに上記撮像記録素子61を駆動する電源部と、
その動作を制御する為のコントロール部、および撮像動
作を制御するレリーズスイッチ等を組み込んで電子スチ
ルカメラが構成される。尚、上述した出力アンプB3に
ついては上述した撮像記録素子61に一体的に組み込ん
でおくようにしても良い。
本的には第8図に示すように所定の暗箱体60に前述し
た素子構造の撮像記録素子61と、この撮像記録素子6
1の撮像面に被写体像を結像する光学系レンズ62、そ
して上記撮像記録素子atから読み出される信号を所定
のレベルに増幅する出力アンプ63とにより構成される
。より具体的には、第9図にそのブロック構成例を示す
ように、光学系レンズ62と撮像記録素子61を主体と
し、これに上記撮像記録素子61を駆動する電源部と、
その動作を制御する為のコントロール部、および撮像動
作を制御するレリーズスイッチ等を組み込んで電子スチ
ルカメラが構成される。尚、上述した出力アンプB3に
ついては上述した撮像記録素子61に一体的に組み込ん
でおくようにしても良い。
しかしてこの電子スチルカメラでは、前記撮像記録素子
61により、被写体像の電子的な撮像と、その撮像され
た電子スチル画像の前記アナログメモリ部2による記録
保存だけが行われるようになっており、当該電子スチル
カメラからの前記転送部3の起動による電子スチル画像
の読出しは、再生機64が接続された状態で始めてなさ
れるようになっている。
61により、被写体像の電子的な撮像と、その撮像され
た電子スチル画像の前記アナログメモリ部2による記録
保存だけが行われるようになっており、当該電子スチル
カメラからの前記転送部3の起動による電子スチル画像
の読出しは、再生機64が接続された状態で始めてなさ
れるようになっている。
この再生機64は、上記電子スチルカメラの撮像記録素
子81から、その転送部3を介して順次読み出される画
像信号を入力して所定の画像信号処理を施すビデオプロ
セッサ65を備えている。そしてこのビデオプロセッサ
65にて信号処理が施された画像信号は切替部6Bから
マトリックス変換部67を経て所定のビデオ信号として
TVモニタ68に出力されて画像再生される。
子81から、その転送部3を介して順次読み出される画
像信号を入力して所定の画像信号処理を施すビデオプロ
セッサ65を備えている。そしてこのビデオプロセッサ
65にて信号処理が施された画像信号は切替部6Bから
マトリックス変換部67を経て所定のビデオ信号として
TVモニタ68に出力されて画像再生される。
一方、再生機64に設けられたA/D変換器89.70
は上述したビデオプロセッサ65にて所定の信号処理が
施された信号、例えば色分離処理された輝度信号成分と
その色差信号成分をそれぞれディジタル変換する。ミク
サ回路71はこのようにしてディジタル変換された信号
成分を合成処理し、画像信号のディジタル記録の為の信
号処理に供している。この画像信号の記録の為の処理は
、データ圧縮部72によるデータ圧縮処理、エラー訂正
符号化部73によるディジタル記録の為のエラー訂正符
号の付加とその符号か処理、およびフロッピーディスク
等の記録部74に画像信号を記録する為の記録変調部7
5による信号変調処理からなる。
は上述したビデオプロセッサ65にて所定の信号処理が
施された信号、例えば色分離処理された輝度信号成分と
その色差信号成分をそれぞれディジタル変換する。ミク
サ回路71はこのようにしてディジタル変換された信号
成分を合成処理し、画像信号のディジタル記録の為の信
号処理に供している。この画像信号の記録の為の処理は
、データ圧縮部72によるデータ圧縮処理、エラー訂正
符号化部73によるディジタル記録の為のエラー訂正符
号の付加とその符号か処理、およびフロッピーディスク
等の記録部74に画像信号を記録する為の記録変調部7
5による信号変調処理からなる。
このような画像信号処理系を経て、前述した電子スチル
カメラの撮像記録素子61から読み出された電子スチル
画像信号が、その記録部74に順次記録される。
カメラの撮像記録素子61から読み出された電子スチル
画像信号が、その記録部74に順次記録される。
またこの再生機64では上述したようにして上記記録部
74に記録された電子スチル画像信号を読′み出し、こ
れを前記TVモニタ68により画像再生し得るように構
成されている。
74に記録された電子スチル画像信号を読′み出し、こ
れを前記TVモニタ68により画像再生し得るように構
成されている。
即ち、記録部74から読み出された電子スチル画像信号
は復調部76を介して復調処理されて再生機64の内部
に取り込まれる。エラー訂正部77は復調処理されたス
チル画像信号を前述した如く付加されたエラー訂正符号
を用いて画像信号の記録再生に伴うエラーを訂正してお
り、このエラー訂正された信号がデータ復号部78に与
えられる。このデータ復号部78にてデータ復号され、
元の電子スチル画像信号の形態に復元された信号が前記
切替部66からマトリックス変換部67を経て前記TV
モニタ68に出力されて画像再生される。
は復調部76を介して復調処理されて再生機64の内部
に取り込まれる。エラー訂正部77は復調処理されたス
チル画像信号を前述した如く付加されたエラー訂正符号
を用いて画像信号の記録再生に伴うエラーを訂正してお
り、このエラー訂正された信号がデータ復号部78に与
えられる。このデータ復号部78にてデータ復号され、
元の電子スチル画像信号の形態に復元された信号が前記
切替部66からマトリックス変換部67を経て前記TV
モニタ68に出力されて画像再生される。
かくしてこのようなシステムを構築すれば、電子スチル
カメラには前述した撮像記録素子61を用いて被写体像
の撮像とその記録保存だけを行う機能を持たせ、再生機
64側にその撮像記録された電子スチル画像に対する信
号処理機能や、その記録保存・読出し再生の為の信号処
理機能等を持たせることで、その機能分担を効果的に割
振り、電子スチルカメラ自体の構成を大幅に簡略化する
ことができる。従って電子スチルカメラ自体を安価で、
取扱い性の高いものとすることが可能となる。
カメラには前述した撮像記録素子61を用いて被写体像
の撮像とその記録保存だけを行う機能を持たせ、再生機
64側にその撮像記録された電子スチル画像に対する信
号処理機能や、その記録保存・読出し再生の為の信号処
理機能等を持たせることで、その機能分担を効果的に割
振り、電子スチルカメラ自体の構成を大幅に簡略化する
ことができる。従って電子スチルカメラ自体を安価で、
取扱い性の高いものとすることが可能となる。
またこのような機能が割り当てられて構成される再生機
B4としては、所謂据置き型の機器として実現されるこ
とになるので、相当大掛かりで高性能化を図ったものと
してもさほど問題は生じない。
B4としては、所謂据置き型の機器として実現されるこ
とになるので、相当大掛かりで高性能化を図ったものと
してもさほど問題は生じない。
従ってこのようなシステム構成に立脚すれば、例えば電
子スチルカメラを所謂再使用可能な使い捨てカメラとし
、また再生機64を所謂現像所に見立てて前記電子スチ
ルカメラにて撮像記録された電子スチル画像に所定の信
号処理を施してフロッピーディスク等の記録媒体にファ
イル化する為の装置として実現することが可能となる。
子スチルカメラを所謂再使用可能な使い捨てカメラとし
、また再生機64を所謂現像所に見立てて前記電子スチ
ルカメラにて撮像記録された電子スチル画像に所定の信
号処理を施してフロッピーディスク等の記録媒体にファ
イル化する為の装置として実現することが可能となる。
即ち、電子スチルカメラを所有するユーザは、撮影記録
を行った電子スチルカメラを現像所に委託し、現像所に
おいてその電子スチルカメラからそこに記録された電子
スチル画像を再生し、所定の画像信号処理を施して高品
質化した画像信号を記録してなるフロッピーディスク等
の記録媒体をユーザに渡すようなシステムを構築するこ
とが可能となる。この際、電子スチル画像の読み出しが
完了した電子スチルカメラについては、そのアナログメ
モリ部2を消去処理し、再使用(再撮影)可能な状態で
ユーザに戻すようにすれば良い。
を行った電子スチルカメラを現像所に委託し、現像所に
おいてその電子スチルカメラからそこに記録された電子
スチル画像を再生し、所定の画像信号処理を施して高品
質化した画像信号を記録してなるフロッピーディスク等
の記録媒体をユーザに渡すようなシステムを構築するこ
とが可能となる。この際、電子スチル画像の読み出しが
完了した電子スチルカメラについては、そのアナログメ
モリ部2を消去処理し、再使用(再撮影)可能な状態で
ユーザに戻すようにすれば良い。
ちなみにこのようなシステムを構築した場合には、現像
所(再生機64)側における高度な画像信号処理技術に
よって、例えば画像歪みや色収差。
所(再生機64)側における高度な画像信号処理技術に
よって、例えば画像歪みや色収差。
ボケ、画像コントラスト等の調整を高精度に行うことが
可能となる。このことを勘案すれば、例えば前述したよ
うに暗箱体60に組み込まれた電子スチルカメラにあっ
て、その光学系レンズ62に多少の歪みがあっても、こ
れを現像所側にて効果的に補正することが可能となる。
可能となる。このことを勘案すれば、例えば前述したよ
うに暗箱体60に組み込まれた電子スチルカメラにあっ
て、その光学系レンズ62に多少の歪みがあっても、こ
れを現像所側にて効果的に補正することが可能となる。
更には暗箱体60に多少の光線漏れがあっても、これを
も現像所側にて補正することが可能となる。
も現像所側にて補正することが可能となる。
従って電子スチルカメラとしては、その光学系レンズ6
2を安価なプラスチック単玉レンズとすることが可能と
なり、また暗箱体60を簡単な紙製の筐体として構成す
ることが可能となり、非常に簡易で安価なものとするこ
とが可能となる。更にほこのようにして電子スチルカメ
ラを構成するならば、その電源部についても紙製の筐体
に張り込まれるベーパー状電池として実現すること等が
可能となり、この点でも電子スチルカメラの構成の簡素
化と、その低価格化を図ることが可能となる。
2を安価なプラスチック単玉レンズとすることが可能と
なり、また暗箱体60を簡単な紙製の筐体として構成す
ることが可能となり、非常に簡易で安価なものとするこ
とが可能となる。更にほこのようにして電子スチルカメ
ラを構成するならば、その電源部についても紙製の筐体
に張り込まれるベーパー状電池として実現すること等が
可能となり、この点でも電子スチルカメラの構成の簡素
化と、その低価格化を図ることが可能となる。
また電子スチルカメラとしての上述した利点を鑑みれば
、例えば第10図に示すように電子スチルカメラ自体を
組み立て構造体として実現することも可能となる。即ち
、例えば名刺やキャッシュカード程度の大きさを持つ所
定の厚みのカード体81に、これを暗箱体60を組み立
て形成する為の切り込み82や折り曲げ線83を予め形
成する。
、例えば第10図に示すように電子スチルカメラ自体を
組み立て構造体として実現することも可能となる。即ち
、例えば名刺やキャッシュカード程度の大きさを持つ所
定の厚みのカード体81に、これを暗箱体60を組み立
て形成する為の切り込み82や折り曲げ線83を予め形
成する。
そして上記切り込み82により切り離され、折り曲げ線
83に沿って折り曲げられて暗箱体60を構成する際、
その突き合わせ部となる辺部に、その接合をなすチャッ
ク体84を設けておき、このチャック体84を用いて第
10図(b)に示すように暗箱体60を組み立て形成し
得るようにしておく。
83に沿って折り曲げられて暗箱体60を構成する際、
その突き合わせ部となる辺部に、その接合をなすチャッ
ク体84を設けておき、このチャック体84を用いて第
10図(b)に示すように暗箱体60を組み立て形成し
得るようにしておく。
そしてこのカード体81の暗箱体BOの組み立て時に成
る内壁をなす部位に前述した撮像記録素子61を予め貼
着し、且つこれと体面をなす部位に穴部を設けてそこに
プラスチックレンズ85を嵌込み形成しておく。更には
その他の部位には、適宜ペーパー状の電池8Bや感圧形
のレリーズスイッチ87を配設形成しておく。その他、
暗箱体60の組み立て時に上記撮像記録素子6■とプラ
スチックレンズ85とを結ぶ線と平行になるように、所
定の覗き窓となるようなファインダー穴を設けておくよ
うにしても良い。
る内壁をなす部位に前述した撮像記録素子61を予め貼
着し、且つこれと体面をなす部位に穴部を設けてそこに
プラスチックレンズ85を嵌込み形成しておく。更には
その他の部位には、適宜ペーパー状の電池8Bや感圧形
のレリーズスイッチ87を配設形成しておく。その他、
暗箱体60の組み立て時に上記撮像記録素子6■とプラ
スチックレンズ85とを結ぶ線と平行になるように、所
定の覗き窓となるようなファインダー穴を設けておくよ
うにしても良い。
このようにしてカード体81に電子スチルカメラを構成
するに必要な要素をそれぞれ配設形成しておき、必要な
ときに上記カード体81を暗箱体60に組み立てて被写
体の撮像を行うことを可能とするようにしておけば、例
えばこれをキャッシュカード等と共に常時携帯すること
が可能となり、その取扱い性を飛躍的に向上させること
が可能となる。
するに必要な要素をそれぞれ配設形成しておき、必要な
ときに上記カード体81を暗箱体60に組み立てて被写
体の撮像を行うことを可能とするようにしておけば、例
えばこれをキャッシュカード等と共に常時携帯すること
が可能となり、その取扱い性を飛躍的に向上させること
が可能となる。
特に必要時にのみ組み立てて電子スチルカメラとして機
能させることが可能となるので、その実用的利点を飛躍
的に高めることが可能となる。
能させることが可能となるので、その実用的利点を飛躍
的に高めることが可能となる。
尚、このようなカード体81として電子スチルカメラを
実現するに際しては、例えば前述したチャック体84部
に電気的な接続接点を設けておき、暗箱体60として組
み立てがなされた時にのみ撮像記録素子81が作動する
ような工夫を施しておくことが望ましい。また撮像が終
了した後、その暗箱体60を再びカード状に開いて持ち
運ぶようなことを想定する場合であっても、撮像記録素
子61のアナログメモリ部2がEEFROMで構成され
ている為、そこに記録された電子スチル画像信号が消失
することはない。その他、適宜その光学系レンズを広角
系レンズや望遠系レンズに取換え可能なようにしておく
ことも可能であり、種々変形可能である。
実現するに際しては、例えば前述したチャック体84部
に電気的な接続接点を設けておき、暗箱体60として組
み立てがなされた時にのみ撮像記録素子81が作動する
ような工夫を施しておくことが望ましい。また撮像が終
了した後、その暗箱体60を再びカード状に開いて持ち
運ぶようなことを想定する場合であっても、撮像記録素
子61のアナログメモリ部2がEEFROMで構成され
ている為、そこに記録された電子スチル画像信号が消失
することはない。その他、適宜その光学系レンズを広角
系レンズや望遠系レンズに取換え可能なようにしておく
ことも可能であり、種々変形可能である。
尚、本発明は上述した実施例に限定されるものではない
。例えば撮像記録素子の構造としては前述した基本構造
を満たした上で種々変形可能であり、アナログメモリ部
を何層にするかは、その仕様に応じて定めれば良い。ま
た撮像素子としての画素数もその仕様に応じて定めれば
良いものである。また従来より種々提唱されている電子
スチルカメラの撮像素子として本発明”に係る撮像記録
素子を組み込み、電子スチル画像の高速な蓄積動作を、
所謂速写モードにおける信号記録用として用いるように
することも可能である。更には前述した使い捨てカメラ
的に電子スチルカメラを構成する場合にも、その仕様に
応じた構造を適宜採用することが可能であり、その他、
本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
。例えば撮像記録素子の構造としては前述した基本構造
を満たした上で種々変形可能であり、アナログメモリ部
を何層にするかは、その仕様に応じて定めれば良い。ま
た撮像素子としての画素数もその仕様に応じて定めれば
良いものである。また従来より種々提唱されている電子
スチルカメラの撮像素子として本発明”に係る撮像記録
素子を組み込み、電子スチル画像の高速な蓄積動作を、
所謂速写モードにおける信号記録用として用いるように
することも可能である。更には前述した使い捨てカメラ
的に電子スチルカメラを構成する場合にも、その仕様に
応じた構造を適宜採用することが可能であり、その他、
本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、受光素子アレイ部
と転送部とを備えた従来一般的な構成の撮像素子の上記
受光素子アレイ部と転送部との間に、受光素子アレイ部
にて撮像された電子スチル画像を並列転送して記憶する
複数層のアナログメモリ部を一体的に組み込んで複数の
枚の電子スチル画像をそのまま記録保存する撮像記録素
子を提供するので、電子スチルカメラの構成の大幅な簡
略化とその低価格化を実現することができる等の実用上
多大なる効果が奏せられる。
と転送部とを備えた従来一般的な構成の撮像素子の上記
受光素子アレイ部と転送部との間に、受光素子アレイ部
にて撮像された電子スチル画像を並列転送して記憶する
複数層のアナログメモリ部を一体的に組み込んで複数の
枚の電子スチル画像をそのまま記録保存する撮像記録素
子を提供するので、電子スチルカメラの構成の大幅な簡
略化とその低価格化を実現することができる等の実用上
多大なる効果が奏せられる。
第1図は本発明の一実施例に係る電子スチルカメラ用の
撮像記録素子の概略的な構成例を示す図、第2図は実施
例素子の1画素当りの素子断面構造を模式的に示す図、
第3図はその電気的な等価回路構成図、第4図は実施例
素子のアナログメモリ部を構成するEEFROMセルの
素子構造を示す図、第5図はアナログメモリ部をNMO
3構造にて実現する場合の例を示す図、第6図はシャッ
タ機能を備えた受光素子部の構成例を示す図である。 また第7図は実施例に係る撮像記録素子を用いて構成さ
れる電子スチルカメラとその全体的なシステム構成例を
示す図、第8図は電子スチルカメラの概略的な構造例を
示す図、第9図は電子スチルカメラのブロック構成図、
第10図はカード状に構成されて組み立て構造化された
電子スチルカメラの一例を示す図である。 ■・・・受光素子アレイ部、2・・・アナログメモリ部
(多層構造化されたEEFROMセル)、3・・・転送
部(CCD) 14・・・フォトダイオード、21・
・・EEPROM、60・・・暗箱体、61・・・撮像
記録素子、62・・・光学系レンズ、64・・・再生機
、65・・・ビデオプロセッサ、68・・・TVモニタ
、74・・・記録部(記録媒体)、81・・・カード体
、82・・・切り込み、83・・・折り曲げ線、84・
・・チャック体、85・・・プラスチックレンズ、86
・・・ヘーハー状電池、87・・・レリーズスイッチ。
撮像記録素子の概略的な構成例を示す図、第2図は実施
例素子の1画素当りの素子断面構造を模式的に示す図、
第3図はその電気的な等価回路構成図、第4図は実施例
素子のアナログメモリ部を構成するEEFROMセルの
素子構造を示す図、第5図はアナログメモリ部をNMO
3構造にて実現する場合の例を示す図、第6図はシャッ
タ機能を備えた受光素子部の構成例を示す図である。 また第7図は実施例に係る撮像記録素子を用いて構成さ
れる電子スチルカメラとその全体的なシステム構成例を
示す図、第8図は電子スチルカメラの概略的な構造例を
示す図、第9図は電子スチルカメラのブロック構成図、
第10図はカード状に構成されて組み立て構造化された
電子スチルカメラの一例を示す図である。 ■・・・受光素子アレイ部、2・・・アナログメモリ部
(多層構造化されたEEFROMセル)、3・・・転送
部(CCD) 14・・・フォトダイオード、21・
・・EEPROM、60・・・暗箱体、61・・・撮像
記録素子、62・・・光学系レンズ、64・・・再生機
、65・・・ビデオプロセッサ、68・・・TVモニタ
、74・・・記録部(記録媒体)、81・・・カード体
、82・・・切り込み、83・・・折り曲げ線、84・
・・チャック体、85・・・プラスチックレンズ、86
・・・ヘーハー状電池、87・・・レリーズスイッチ。
Claims (6)
- (1)複数の受光素子を2次元配列して撮像面を形成し
、この撮像面に入射する光像を上記受光素子毎に光電変
換して信号電荷を発生する受光素子アレイ部と、多層構
造化された複数の記憶領域により上記受光素子アレイ部
の受光素子にてそれぞれ生成された信号電荷をその厚み
方向に並列転送して順次蓄積するアナログメモリ部と、
このアナログメモリ部から並列に転送出力される信号電
荷を走査して時系列に読出す転送部とを積層一体化した
ことを特徴とする電子スチルカメラ用の撮像記録素子。 - (2)アナログメモリ部は、電荷転送素子からなる転送
部の上に積層一体化された複数層のEEPROMセルか
らなり、これらの各 EEPROMセルに与えられる制御ゲートパルスを受け
て当該アナログメモリ部上に積層一体化された受光素子
アレイ部からの信号電荷を厚み方向に並列転送して蓄積
するものである請求項(1)に記載の電子スチルカメラ
用の撮像記録素子。 - (3)受光素子アレイ部は、複数の受光素子が光電変換
により発生した信号電荷をそれぞれ蓄積する複数のコン
デンサを備え、これらのコンデンサへの信号電荷蓄積時
間の制御による素子シャッタ機能を備えたことを特徴と
する請求項(1)に記載の電子スチルカメラ用の撮像記
録素子。 - (4)請求項(1)に記載の撮像記録素子を内部に組み
込んだ暗箱体と、この暗箱体の上記撮像記録素子の受光
面に対向する部位に組み込まれて被写体像を上記受光面
に結像する光学レンズと、前記暗箱体に組み込まれて前
記撮像記録素子の駆動による被写体像の撮像記録を制御
する手段とを具備したことを特徴とする電子スチルカメ
ラ。 - (5)撮像記録素子、この撮像記録素子の受光面に被写
体像を結像する為の光学レンズ、前記撮像記録素子に駆
動電力を供給する為の電源部、および前記撮像記録素子
による被写体像の撮像記録を制御するスイッチ部は、折
り曲げにより箱型に組み立て可能なカード状の基体にそ
れぞれ配設されていることを特徴とする請求項(4)に
記載の電子スチルカメラ。 - (6)箱型に組み立て可能なカード状の基体は、撮像記
録素子の受光面に光学レンズを対向させて所定形状の暗
箱を組み立て形成する為の、組み立て時に切り離し可能
な切り込み部およびその折り曲げ箇所を規定する折り曲
げ部を予め成形加工した構造を有することを特徴とする
請求項(5)に記載の電子スチルカメラ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01237472A JP3117138B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 電子スチルカメラとその撮像記録素子 |
US07/579,784 US5055930A (en) | 1989-09-13 | 1990-09-07 | Image sensing and recording device having a multilayer analog memory stacked on an image sensing array |
DE4029137A DE4029137A1 (de) | 1989-09-13 | 1990-09-13 | Bilderfassungs- und -aufzeichnungsvorrichtung, sowie elektronische standbildkamera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01237472A JP3117138B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 電子スチルカメラとその撮像記録素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03101385A true JPH03101385A (ja) | 1991-04-26 |
JP3117138B2 JP3117138B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=17015837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01237472A Expired - Fee Related JP3117138B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 電子スチルカメラとその撮像記録素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5055930A (ja) |
JP (1) | JP3117138B2 (ja) |
DE (1) | DE4029137A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005317960A (ja) * | 1992-09-28 | 2005-11-10 | Olympus Corp | 半導体ウエハ |
WO2006006398A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像素子の集積回路及び撮像結果の処理方法 |
WO2006022077A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0547697B1 (en) * | 1991-12-18 | 1999-03-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Solid state imaging device and camera provided with such an imaging device |
US5412426A (en) * | 1993-04-16 | 1995-05-02 | Harris Corporation | Multiplexing of digitally encoded NTSC and HDTV signals over single microwave communication link from television studio to tower transmitter facility for simultaneous broadcast (simulcast) to customer sites by transmitter facility |
US5563655A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-08 | Eastman Kodak Company | Intelligent digital image storage for an electronic camera |
US5808676A (en) * | 1995-01-03 | 1998-09-15 | Xerox Corporation | Pixel cells having integrated analog memories and arrays thereof |
US5867215A (en) * | 1995-04-11 | 1999-02-02 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple storage wells per pixel |
DE19532119A1 (de) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Burghard Schmachtenberg | Fotoapparat oder dergleichen |
US5763943A (en) * | 1996-01-29 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Electronic modules with integral sensor arrays |
JP2000513887A (ja) * | 1996-05-03 | 2000-10-17 | シリコン マウンテン デザイン,インコーポレイテッド | 高速ccd撮像、画像処理、及びカメラ・システム |
US6594036B1 (en) | 1998-05-28 | 2003-07-15 | Sandisk Corporation | Analog/multi-level memory for digital imaging |
US7268809B2 (en) * | 1998-09-23 | 2007-09-11 | San Disk Corporation | Analog buffer memory for high-speed digital image capture |
US6760068B2 (en) | 1998-12-31 | 2004-07-06 | Sandisk Corporation | Correction of corrupted elements in sensors using analog/multi-level non-volatile memory |
GB0027931D0 (en) * | 2000-11-16 | 2001-01-03 | Sgs Thomson Microelectronics | Solid state imaging device |
US6950129B1 (en) * | 2000-11-22 | 2005-09-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One-time-use digital camera |
JP2008131169A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Shimadzu Corp | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827712B2 (ja) * | 1975-12-25 | 1983-06-10 | 株式会社東芝 | コタイサツゾウソウチ |
JPS5643884A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Nec Corp | Electronic memory system camera for shooting |
BE890517A (fr) * | 1981-09-28 | 1982-01-18 | Staar Sa | Dispositif de memorisation d'images electroniques |
DE3224026A1 (de) * | 1982-06-28 | 1983-12-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur auslese eines zweidimensionalen ladungsbildes mittels eines arrays |
JPS5919480A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-01-31 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS5970091A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 電子スチルカメラ |
JPS60130274A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-11 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS61135280A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-23 | Toshiba Corp | 三次元撮像素子 |
JPH0714042B2 (ja) * | 1986-02-26 | 1995-02-15 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
US4837628A (en) * | 1986-07-14 | 1989-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic still camera for recording still picture on memory card with mode selecting shutter release |
JPS63177460A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
US4963980A (en) * | 1987-02-06 | 1990-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device |
US5034804A (en) * | 1987-12-25 | 1991-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic still camera with various modes of data compression |
JP2750602B2 (ja) * | 1989-03-03 | 1998-05-13 | 旭光学工業株式会社 | 固体撮像素子およびその素子を用いた電子スチルカメラ |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP01237472A patent/JP3117138B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-07 US US07/579,784 patent/US5055930A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-13 DE DE4029137A patent/DE4029137A1/de active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005317960A (ja) * | 1992-09-28 | 2005-11-10 | Olympus Corp | 半導体ウエハ |
WO2006006398A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像素子の集積回路及び撮像結果の処理方法 |
US7936376B2 (en) | 2004-07-13 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Image pickup device, integrated circuit of image pickup element, and image pickup result processing method |
WO2006022077A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
JPWO2006022077A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2008-05-08 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
JP4640338B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2011-03-02 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4029137A1 (de) | 1991-03-21 |
DE4029137C2 (ja) | 1993-06-09 |
JP3117138B2 (ja) | 2000-12-11 |
US5055930A (en) | 1991-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3117138B2 (ja) | 電子スチルカメラとその撮像記録素子 | |
JP5026951B2 (ja) | 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子 | |
US6750437B2 (en) | Image pickup apparatus that suitably adjusts a focus | |
US7656455B2 (en) | Image pickup device having improved precision | |
JP4448888B2 (ja) | 撮像装置及び撮像装置の信号処理方法 | |
JP5995416B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JPS5848455A (ja) | 電荷転送素子 | |
JPH0315391B2 (ja) | ||
JP2001008104A (ja) | 広ダイナミックレンジ撮像装置 | |
JP4414901B2 (ja) | カラー画像生成方法 | |
US6903764B2 (en) | Image capturing apparatus, method for capturing image and camera | |
JP2008042825A (ja) | 固体撮像素子 | |
US20210235037A1 (en) | Electronic apparatus, reproduction device, reproduction method, recording medium, and recording method | |
JP2002218305A (ja) | 一回使用デジタルカメラ | |
JP4621484B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4724414B2 (ja) | 撮像装置、デジタルカメラ、及びカラー画像データ生成方法 | |
JP2006094263A (ja) | 撮像装置 | |
JPS60249480A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4538337B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US10686987B2 (en) | Electronic apparatus with image capturing unit having first and second imaging regions that capture an image of a subject under differing imaging conditions | |
US20170318256A1 (en) | Electronic apparatus, reproduction device, reproduction method, recording medium, and recording method | |
JP3703385B2 (ja) | 撮像装置 | |
US7676151B2 (en) | Film cartridge type digital camera | |
JP4714540B2 (ja) | 撮像素子 | |
JP2005175893A (ja) | 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071006 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081006 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |