JPH02249371A

JPH02249371A - 電子カメラ

Info

Publication number: JPH02249371A
Application number: JP1069808A
Authority: JP
Inventors: Minoru Sasaki; 実佐々木
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-03-22
Filing date: 1989-03-22
Publication date: 1990-10-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、記録媒体として半導体メモ１ノカードを用い
て静止画を記録する電子カメラ（二関する。

（従来の技術）近年、写真フィルムの感光を利用して静止画の撮影およ
び記録を行なう従来のステイルカメラに代るものとして
、ＣＣＤ　（電荷結合素子）のような固体撮像素子と回
転磁気記“°媒イ本とを利用して静止画の撮影および記
録を行なう電子カメラが商品化されている。しかし、こ
のタイプの電子カメラは回転磁気記録媒体を用いている
ため、回転磁気記録媒体を記録ヘッドに対して相対的に
駆動するための駆動装置をカメラ内部に必要とし、カメ
ラの小型化にはあまり適していない。そこで、このよう
な駆動装置を必要と什ず小型化に有利なシステムとして
、半導体メモリを用いた半導体メモリカードに画像信号
を記録する全固体電子カメラシステムが本出願人により
既に提案されている（例えば、特願昭６１−１．６３７
１１号）。このような電子カメラシステムの典型的な構
成の一例を第１３図に示す。

被写体の像は、レンズ１２１、絞り１２２および色フィ
ルタ１２０を介して撮像素子であるＣＣＤ１２６上に結
像され、ＣＣＤ１２６にて光電変換される。ＣＣＤ１２
６の出力信号は、前処理回路１２７で所定の処理が施さ
れた後、Ａ／Ｄ　（アナログ−ディジタル）変換器１２
８でデジタル信号に変換されて、半導体メモリカード１
１５に記録される。半導体メモリカード】１５には、撮
像索子の各画素の信号がデジタル化されて記憶されるこ
とになる。撮像索子からの各画素の信号には、前処理回
路１２７において前処理として、例えば増幅、ホワイト
バランス補正、およびγ補正のような所定の処理が施さ
れる。半導体メモリカード１１５には、画素配列に従っ
た順序で前記処理が施された画素データが記録される。

再生に際しては、半導体メモリカード１１５に記録され
たデータは、再生機にセットされ、必要な信号処理が施
された後、Ｄ／Ａ　（ディジタル−アナログ）変換され
てＴＶ（テ１ノビジョン）モニタに入力され、画像とし
て表示される。なお、第１３図には、ケース１１０、撮
像動作をトリガするためのレリーズスイッチ１１１、Ｋ
Ｍとしてのバッテリ１２３、絞り１２２および電子シャ
ッタ動作を制御するためのシャッタ制御回路１２４、Ｃ
ＣＤ駆動回路１２５、およびモニタ部１３０も示されて
いる。ＣＣＤ駆動回路１２５は、シャッタ制御回路１２
４、ＣＣＤ１２６、前処理回路１２７、Ａ／Ｄ変換器１
２８および半導体メモリカード１１５を制御し且つ駆動
するための回路である。モニタ部１３０は、撮影時に前
処理回路１２７を経た信号により撮影画像を表示してフ
ァインダとして用いられる。

この様なシステムでは例えば不揮発性半導体メモリを用
いたメモリカードのように、メモリカードのアクセスタ
イムが遅いと、１画面の記録に要する時間が長くなり、
連続撮影（以下、連写という）が難しくなるという不都
合が生ずる。アクセスタイムの遅い半導体メモリカード
を用いた場合でも連写可能とするためには、カメラ本体
に補助メモリを内蔵させ、撮像した画像データを一旦フ
レームメモリに貯えておき、それを後でメモリカードに
転送すればよいと考えられる。

しかし、連写速度が速い場合には、カメラ本体内に設け
る補助メモリとしては、半導体メモリカードのメモリ容
量と同程度の大官ユメモリが必要であり、電子カメラの
小型化に不利となるばかりでなく、この補助メモリはア
クセスタイムの速い半導体メモリカードのみを使用する
場合は全く不要なものであり、コスト面で無駄がある。

（発明が解決しようとする課題）上述した様に従来の電子カメラでは、アクセスタイムの
遅い半導体メモリカードを使用した場合には、連写が困
難であり、またカメラ本体内に補助メモリを設けるとカ
メラの小型化に不利となり、しかもアクセスタイムの速
い半導体メモリカードのみを使用する場合は内蔵の補助
メモリが無駄になるという問題があった。

本発明はアクセスタイムの遅い半導体メモリカードを用
いた場合にも、カメラ本体内に大容量のメモリを内蔵さ
せずに連写が可能となる電子カメラを提供することを目
的とする。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明の電子カメラは、撮像手段により得られた画像デ
ータを記録するための記録媒体として、複数の半導体メ
モリカードが装着可能に構成されていることを特徴とす
る。この場合、複数の半導体メモリカードは例えば電気
的に書替え可能な不揮発性半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ
）を実装したものと、ＳＲＡＭ（スタティックＲＡＭ）
を実装したもののように、アクセスタイムの異なるもの
でもよい。

（作　用）このように本発明では、複数の半導体メモリカードが装
着可能であるため、アクセスタイムの遅い例えばＥＥＦ
ＲＯＭを実装した半導体メモリカード使用時に連写を行
なう場合は、アクセスタイムの速い例えばＳＲＡＭを実
装した半導体メモリカードを同時に装着し、後者の半導
体メモリカードに一時画像データを貯え、連写終了後ア
クセスタイムの遅い半導体メモリカードに画像データを
転送すればよい。このようにアクセスタイムの遅い半導
体メモリカード使用時は、アクセスタイムの速い半導体
メモリカードを併用することにより、カメラ本体内に大
容量の補助メモリを設けることなく、連写が可能となる
。

（実施例）以下、本発明による電子カメラの一実施例を図面を参照
して説明する。

本発明が対象とする電子カメラシステムは、電子カメラ
と再生機で構成される。電子カメラは記録媒体として半
導体メモリカードを使用して被写体の撮像および記録を
行なう装置であり、再生機は半導体メモリカードに記録
された画像情報を半導体メモリカードから読み出し、Ｔ
Ｖ（テレビジョン）受像機等に画像を表示させるための
装置である。

第１図は電子カメラを斜め後方から見た斜視図であり、
通常のカメラと同じ機能を有する部分については説明を
省略する。電子カメラ１０には、レリーズ１１、撮像モ
ード切換えスイッチ１２、撮像枚数表示部１３及びリセ
ットボタン９が設けられている。また、電子カメラ１０
には、複数（この場合は２個）の半導体メモリカード１
５．．１５２を右側方から挿脱するための挿入口１４１
，１４２が設けられている。

さらに、電子カメラ１０には、シャッタ速度選択ダイア
ル１８が設けられている。これら各部については、後に
詳述される。

第２図に電子カメラ１０の概略的な基本構成を示す。撮
像に際しては、通常のカメラと同様に、レンズ系２１の
操作によりフォーカシングが行なわれ、そしてシャッタ
速度選択ダイヤル］８の操作によりシャッタ速度が選択
設定される。絞りの調整は制御回路２４により絞り２２
が制御されることにより行なわれる。この電子カメラ１
０では、いわゆる電子シャッタによるシャッタスピード
の調整が利用される。電子シャッタでは、撮像素子であ
るＣＣＤアレイ２６の電荷蓄積時間の制御によりシャッ
タスピードがＨｍされる。ＣＣＤアレイ２６には、レン
ズ系２１を介して被写体の像が結像される。

撮像操作が開始され、先ずオペレータすなわちユーザの
操作によりレリーズ１１が半押（７状態（レリーズボタ
ンを半分だけ押し込まれた状態）にされると、バッテリ
を用いた電源２３から電源電圧が各電子回路部に供給さ
れる。露出センサ１９により入射光量が計測され、制御
回路２４は入射光量に応じて絞り２２を制御する。

ホワイトバランスセンサ１７により外部色温度が計測さ
れ、制御回路２４は計測された色温度に応じてホワイト
バランス制御用信号を発生する。

レリーズ１１がさらに押し込まれ、半押し状態から全押
し状態（レリーズボタンが充分に押し込まれた状態）に
なると、制御回路２４がシャッタパルスを発生する。駆
動回路２５はシャッタパルスに応答してＣＣＤアレイ２
６、前処理回路２７、Ａ／Ｄ変換回路２８および信号処
理回路３１に制御信号を与える。この制御信号に応答し
てＣＣＤアレイ２６、前処理回路２７、Ａ／Ｄ変換回路
２８および信号処理回路３１が動作する。ＣＣＤアレイ
２６から出力されるアナログ信号からなる画像情報信号
は、前処理回路２７において例えば増幅、ホワイトバラ
ンス補正、およびγ補正のような所定の前処理が施され
た後、Ａ／Ｄ変換回路２８でディジタル信号に変換され
る。ディジタル化された画像情報信号は、さらに信号処
理回路３１により所定の信号処理が施される。信号処理
回路３１から出力されるディジタル画像情報信号（画像
データ）は、半導体メモリカード１５□または１５２に
アドレス信号を含む制御信号と共に供給される。

このようにして、撮像された静止画像の面像情報信号が
、ディジタル信号として半導体メモリカード１５．また
は１５２に格納される。

第３図に、半導体メモリカードの一例の構成を示す。こ
の半導体メモリカードは、プリント基板の上に複数のＳ
ＲＡＭ（スタティック型ランダムアクセスメモリ）また
はＥＥＰＲＯＭ（電気的に書替え可能な不揮発性半導体
メモリ）からなるメモリチップ３６が実装されて構成さ
れている。この半導体メモリカード１５の一端部には、
データ端子、アドレス端子および制御端子を含む外部端
子３２と、？１ｉ源端子３３とが設けられている。半導
体メモリカードが電子カメラ１０または再生機に装填さ
れて使用される。

半導体メモリカードに対する電源電圧の供給は、電源端
子３３を介して行なわれ、且つ半導体メモリカード１５
に対する信号の入出力は、外部端子３２を介して行なわ
れる。この半導体メモリカードは、記憶データを保持す
るために専用の電池３４を内蔵している。半導体メモリ
カードには、電源切換え回路３５が設けられており、半
導体メモリカードが電子カメラ１０または再生機に装填
されると、ＳＲＡＭチップ３６の電源が内蔵の電池３４
から電子カメラ１０の電源２３に切換えられる。

第４図には、さらに具体的な半導体メモリカードの例と
して、２０個の１ＭビットのＳＲＡＭチップ３６．〜３
６□。を使用した半導体メモリカードが示されている。

半導体メモリカードの一端部には、外部端子３２１〜３
２３および電源端子３３が設けられている。外部端子３
２１〜３２．は、８ビツトのデータ端子３２８、アドレ
ス情報Ａ。−Ａ２０を受けるアドレス端子３２□、およ
び制御端子３２．により構成される。この第４図の半導
体メモリカード１５は、２０Ｍビット（２，５６Ｍバイ
ト）の容量を有する。制御端子３２３は、ＲＡＭチップ
３６の選択用の端子Ｃ８５ライトパルス用の端子ＷＰ１
および再生カードが数枚あった場合のカード選択用の端
子ＣＥからなる。端子Ｃ８からの入力によりデコーダ１
２１１および１２１□のうちの一方が選択される。デコ
ーダ１２１１は、ＲＡＭチップ３６＋〜３６＋ｏに対応
し、デコーダ１２１□は、ＲＡＭチップ３６１１〜３６
２ｏに対応している。

ところで、第４図ではＳＲＡＭチップと電池を用いてデ
ータを保存する半導体メモリカードを構成したが、ＥＥ
ＦＲＯＭを用いればバックアップのための電池が不要と
なる。

第５図は、このような半導体メモリカードとして適する
ＮＡＮＤセル型ＥＥＰＲＯＭの構成を示すブロック図で
ある。外部制御信号端子として、チップ・イネーブル端
子ＣＥ、アウトプット・イネーブル端子ＯＥおよびライ
ト・イネーブル端子ＷＥを有し、１８本のアドレス信号
端子Ａ。−ＡＨＢ、８本のデータ入出力端子Ｉ１０　ｏ
　＝　Ｉ　／　０７を有し、電源端子ＶｃｃおよびＶｓ
ｓを有する。メモリセルアレイ１はこの実施例では、後
述するように４個のメモリセルをまとめてＮＡＮＤ型に
構成した４Ｍビットの容量を有する。メモリセルアレイ
１のビット線ＢＬＩ　〜ＢＬｍ　　（ｍ−２０４８）は
、センスアンプ／デークラッチ回路５に接続されて上す
る。選択ゲート線Ｓ　Ｇ　ｌｎ、　　Ｓ　Ｇ　２ｎおよ
びワード線ＷＬ１ｎ〜ＷＬ４ｎ（ｎ−５１２）は、ロウ
・デコーダ３に接続されている。アドレス信号は、アド
レス等バッファ２を介してロウφデコーダ３およびカラ
ム・デコーダ４に入力され、これにより番地選択がなさ
れる。読出し時、ビット線ＢＬＩ〜ＢＬｗに出力された
データは、センスアンプ／デークラッチ回路５で増幅、
ラッチされ、出力バッファ６を介して入出力端子！１０
゜〜ｌ１０７から外部に出力される。データ書込み時は
、入出力端子Ｉ１０゜〜Ｉ　／　Ｏｔから入力されたデ
ータが入カバッファフを介し、センスアンプ／データラ
ッチ回路５に取り込まれた後、選択番地のメモリセルに
書込まれる。８は外部制御信号から内部制御信号を生成
する制御論理回路である。

第６図は、メモリセルアレイ１の構成を示す等価回路で
ある。メモリセルＭ　ｔｊは、チャネル領域全面に薄い
ゲート絶縁膜を介して浮遊ゲートと制御ゲートが積層形
成されたＦ　Ｅ　ＴＭＯＳタイプである。例えばｎチャ
ネルの場合、制御ゲートに正の高電圧を印加して浮遊ゲ
ートの電子をＦ−Ｎ）ンネリングにより基板に放出させ
ることによりしきい値を負方向に移動させる動作をデー
タ消去に対応させ、制御ゲートを“Ｌ。

レベルに保ってドレインに正の高電圧を印加してやはり
Ｆ−Ｎ　トンネリングにより浮遊ゲートに電子を注入し
てしきい値を正方向に移動させる動作をデータ書込みに
対応させる。データ書込みおよび消去に用ｔする高電圧
は、第５図のロウＱデコーダ３．カラム参デコータ４内
にある昇圧回路により生成される。これらのメモリセル
は、そのソース、ドレインを隣接するもの同士で共用す
る形で４個直列接続されて一つのブロックをなす、いわ
ゆるＮＡＮＤセルを構成している。ＮＡＮＤセルの一端
は選択ゲートＱｓｌを介してビット線ＢＬに接続され、
他端は選択ゲートＱｓ２を介してソース線Ｖｓに接続さ
れている。メモリセルは図示のようにマトリクス配列さ
れ、ロウ方向のメモリセルの制御ゲートはワード線ＷＬ
に共通接続されている。

第７図は、読出し時のタイミングチャートである。チッ
プ・イネーブル端子ＣＥ、アウトプット−イネーブル端
子ＯＥを“Ｌ＃レベルにし、ライト・イネーブル端子Ｗ
Ｅを“Ｈ“レベルとしてアドレスを変化させることによ
り、８個のメモリセル−データがセンスアンプ／データ
ラッチ回路５を介して入出力ｍ　ｘ　／　Ｏｏ〜■１０
７に得られる。

第８図は、書込み時のタイミングチャートである。チッ
プＯイネーブル端子ＣＥを“Ｌ＃レベル、アウトプット
・イネーブル端子ＯＥを“Ｈ２レベルとし、アドレス信
号に同期してライト・イネーブル端子ＷＥをトグルさせ
ることにより、入出力線Ｉ１０゜〜Ｉ　／　０７から入
力されたデータが人力バッファ７を介してセンスアンプ
／データラッチ回路５にラッチされ、順次選択番地に書
込みがなされる。

この様なＮＡＮＤセル型ＥＥＰＲＯＭは、複数のメモリ
セルをまとめてビット線に接続するため、ビット線との
コンタクト数が各メモリセル毎にビット線に接続する場
合に比べて大幅に少なくなり、従って極めて高密度に集
積化できるという利点を有する。

このＮＡＮＤセル型ＥＥＦＲＯＭチップを複数個用いて
半導体メモリカードを構成する場合の実装構造は、基本
的には第４図と同様でよい。

ただし、が、アドレス端子や制御端子の数などを適宜増
減することは言うまでもない。また、ＥＥＦＲＯＭチッ
プを用いた半導体メモリカードにおいては、第４図にお
ける記憶データ保持用の電池３４は勿論不要となる。

半導体メモリカードは第９図に示すように、全メモリ空
間がカード全体の情報を記録するヘッダ領域、各画像毎
の情報を記録するディレクトリ領域、ファイルの接続状
態を示すＦＡＴ領域、画像データを格納するデータ領域
に分けられる。ヘッダ領域にはその半導体メモリカード
のメモリ容量、使用メモリチップの種類（ＳＲＡＭ、Ｄ
ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ。

ＥＥＰＲＯＭ等）、アクセススピード（ライトサイクル
タイム、リードサイクルタイム）、既に使用したメモリ
容量等を記録する。ディクトリ領域には各画像毎にメモ
リのどの場所に書き込んだかの情報、撮影した日時、画
像データがＮＴＳＣであるかＰ　Ａ、　Ｌであるかなど
のＴＶ方式の区別を表わす情報等が書き込まれる。

まず、半導体メモリカードを１枚のみ本体１０に装着し
た場合の動作について説明する。

カメラ内のカードＩ／ＦＣインタフェース）回路３２に
より半導体メモリカードの種類、アクセスタイムなどの
情報が読み出される。一方、ユーザはレリーズ１１を押
す前に、半導体メモリカードに記録すべき画質および半
導体メモリカードに記録されるフレーム数を考慮して、
モードスイッチ１２を操作して所望のモードを選択する
。これにより例えばサンプリング画素数、圧縮方式等を
設定して、１画面当りの所要データ数を変更できるよう
になっている。

このモード設定により１画面当りの所要ビット数が決定
されると、半導体メモリカードに実装されたメモリチッ
プのアクセスタイムから、１画面分の記録に要する時間
が算出できる。この算出時間（１画面分の記録に要する
時間）が例えば７００　ｍ５ｅｃなら、５コマ／秒迄の
連写が可能であり、またこの算出時間が５秒なら、５秒
間は次の撮影が不可ということになる。従って半導体メ
モリカードが１枚のときは、上記算出時間により連写が
１秒間で何コマ可能かをファインダーに表示する。また
、半導体メモリカードにデータを書き込んでいる間は、
ファインダに書き込み中の表示を行ない、更にこの間は
シャッタを押しても無視する。

前述の様に、ＳＲＡＭでは書き込み速度が１００　ｎ５
ｅｃ程度と高速であるため１０コマ／秒程度の連写は可
能である。一方、ＥＥＰＲＯＭの様な不揮発性メモリの
書き込み速度は通常数ｗｓｅｃであるため、複数ビット
並列に書き込んだとしても、１画面分の画像データの記
録には数秒必要となることもある。従ってＥＥＰＲＯＭ
を実装した半導体メモリカードのみが挿入された場合は
、連写が不可となる。

将来的にはＳＲＡＭを用いた半導体メモリカードと、Ｅ
ＥＰＲＯＭを用いた半導体メモリカードが共存すると考
えられるので、ＥＥＦＲＯＭを実装した半導体メモリカードを使用した
場合でも連写が可能になるように対策することが望まし
い。この点に関しては、ＥＥＦＲＯＭを実装した半導体
メモリカードを用いる場合、同時にＳＲＡＭを実装した
半導体メモリカードを用いることで、カメラ本体内に補
助メモリを設けることなく容品に対応することができる
。

そこで、半導体メモリカード１５１，１５２として、Ｅ
　Ｅ　Ｆ　ＲＯＭを実装した半導体メモリカード（アク
セスタイムの遅い半導体メモリカード）＃１と、ＳＲＡ
Ｍを実装した用いた半導体メモリカード（アクセスタイ
ムの速い半導体メモリカード）＃２が装むされた場合を
説明する。この場合、まず各々の半導体メモリカードの
メモリの種類、アクセスタイム、メモリ容量の情報がカ
メラにより読み出される。撮影した画像データはアクセ
スタイムの遅い方の半導体メモリカードから書き込まれ
てゆく。このときファインダにはカード＃１．＃２のど
ちらが使われているかが表示される。カード＃］に連写
したデータを記録する場合、カード＃２のアクセスタイ
ムから計算された連写速度の最高以下であったら、画像
データはカード＃２に書き込まれ、勿論ブイレフ［・り
領域も書き込まれる。

連写終了後、カード非２内の画像データはディレクトリ
情報と一緒にカード＃１にゆっくり転送される。転送終
了後、カード非２内のデータは消去される（実際には、
ディレクトリとＦＡＴのみが消去される）。そして、カ
ード＃１内のメモリが全て使用された後は、カード＃２
が使用される。

なお、上記実施例では半導体メモリカードに画像データ
を記録する際、画像データを一時アクセスタイムの速い
半導体メモリカードに記録し、その後アクセスタイムの
遅い半導体メモリカードに転送したが、第１０図に示す
ように構成してもよい。これは信号処理回路を３１１゜
３１２の二段に分け、第１段の信号処理回路３１、から
の信号処理途中の画像データをカードＩ／Ｆ回路３２を
介して一時アクセスタイムの速い半導体メモリカード（
例えば１５１とする）に記録し、それをカードＩ／Ｆ回
路３２を介して第２段の信号処理回路３１゜に転送して
残りの信号処理を行ないながら、アクセスタイムの遅い
半導体メモリカード（例えば１５２とする）に転送する
ようにしたものである。

また、１記実施例ではアクセスタイムの速いメモリチッ
プ（ＳＲＡＭチップ）とアクセスタイムの遅いメモリチ
ップ（ＥＥＦＲＯＭチップ）とを別々の半導体メモリカ
ードとして構成したが、一つの半導体メモリカード上に
両方のメモリチップを実装してもよい。このようにする
と、−枚の半導体メモリカードを用いて、連写が可能と
なり、しかもＲＡＭチップのみにより構成されるものよ
り大容量化することができる。

この場合、例えば第４図において３６１〜３６　Ｉｏを
ＲＡＭチップとし、３６＋ｔ　〜３６．。をＥＥＦＲＯ
Ｍチップとするように構成すればよい。そして、ＲＡＭ
チップを介してＥＥＦＲＯＭチップに順次撮像した画像データを転送す
るようにする。そうするとユーザは通常モード、連写モ
ードを意識することなく撮像することができる。また、
ＥＥＦＲＯＭチップに画像データが一杯になった時には
、ＲＡＭチップに画像データが記憶されることになる。

その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。

［発明の効果］本発明による電子カメラは、カメラ本体内に余分な大容
量の補助メモリを内蔵させることなく、アクセスタイム
の遅い半導体メモリカードを用いた場合でも、アクセス
タイムの速い半導体メモリカードを併用することで連写
を行なうことができ、使い勝手が良く、また小型化およ
び低コスト化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による電子カメラの外観を示
す斜視図、第２図は同実施例の電子カメラの概略的な構
成を示す図、第３図は同実施例のカメラに使用される半
導体メモリカードの基本構成を説明するための斜視図、
第４図は同半導体メモリカードのより詳しい構成を説明
するだめの構成図、第５図は同半導体メモリに使用され
るＥＥＦＲＯＭの構成を示すブロック図、第６図は第５
図におけるメモリセルの構成を示す等価回路図、第７図
及び第８図はＥＥＰＲＯＭの動作を説明するためのタイ
ミング図、第９図は半導体メモリカード内の記録フォー
マットを説明するための図、第１０図は本発明の他の実
施例を示す図、第１１図は従来の電子カメラを説明する
ための図である。１５１．１５２・・・半導体メモリカ゛−ド、２１・・
・レンズ、２６・・・ＣＣＤアレイ、２７・・・前処理
回路、２８・・・Ａ／Ｄ変換回路、３１，３１１゜３１
２・・・信号処理回路。第１図出願人代理人　　弁理士　鈴江武彦第２図第図第図第図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）撮像手段により得られた画像データを記録媒体に
記録する電子カメラにおいて、前記記録媒体として複数
の半導体メモリカードが装着可能に構成されていること
を特徴とする電子カメラ。
（２）撮像手段により得られた画像データを記録媒体に
記録する電子カメラにおいて、連写に際し前記記録媒体
としてアクセスタイムの異なる第１及び第２の半導体メ
モリカードを装着し、アクセスタイムの速い第１の半導
体メモリカードに一時撮像された画像データを貯え、こ
の第１の半導体メモリカードに貯えられた画像データを
逐次アクセスタイムの遅い第２の半導体メモリカードに
転送してなることを特徴とする電子カメラ。
（３）撮像手段により得られた画像データを記録媒体に
記録する電子カメラにおいて、前記記録媒体としてアク
セスタイムの異なる第１及び第２の半導体メモリを実装
した半導体メモリカードを用い、アクセスタイムの速い
第１の半導体メモリに一時撮像された画像データを貯え
、この第１の半導体メモリに貯えられた画像データを逐
次アクセスタイムの遅い第２の半導体メモリに転送して
なることを特徴とする電子カメラ。