JP3291778B2 - メモリ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル画像情報や
音声情報などの一塊のディジタルデータを書き込み，消
去するためのメモリ装置であって、特にディジタルスチ
ルカメラ等に好適なメモリ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近のカメラ一体形ビデオテープレコー
ダ（以下、カメラ一体形ＶＴＲと記す）は、小形化，軽
量化と共に高画質化や操作性の簡便化が図られ、手軽に
誰でも楽しめるようになってきている。そのため、子供
の成長記録，旅行，運動会，スキーなど様々な用途の記
録に大いに利用されている。

【０００３】しかしながら、ＶＴＲの高画質化が図られ
たと言っても動画を見る用途に対しては十分な性能を有
している程度であり、家庭用ＶＴＲの静止画は輝度信
号，色信号各々の解像度，再現性など種々の点でスチル
写真に対応できる画質にまだ到達していないのが現状で
ある。その結果、動画記録はカメラ一体形ＶＴＲに任
せ、静止画として残したい場面はスチルカメラを使用し
てスチル写真の形で記録する状況である。

【０００４】一方、スチル写真では、現像や焼き付けな
どの処理を行なわなければならないため、ＶＴＲの有す
る即時性−その場ですぐに記録内容を再生できる−やタ
イトル挿入などの画像加工性などの点でＶＴＲに比べ大
きく劣っている。

【０００５】これらの点を改善したものとして、静止画
像をディジタルデータに変換してメモリに記憶するシス
テムがある。（以下、ディジタルスチルカメラと呼
ぶ。）西ほか；「ディジタル スチルカメラ システ
ム」；テレビジョン学会技術報告ITEJ Technical Repor
t Vol.14,No.5,pp.13 〜 18,CE'90-3(Jan. 1990)(以
下、公知文献１という。）は、その一例である。

【０００６】ディジタルスチルカメラの製品例として
は、１９９１年９月に発表された富士写真フイルム株式
会社製ＦＵＪＩＸメモリカードカメラＤＳ−１００（以
下、公知文献２という。）がある。

【０００７】ディジタルスチルカメラでは、システム上
メモリが大きな役割を担っている。公知文献２のディジ
タルスチルカメラでは、メモリとして８メガビット(８
Ｍｂ)のＳＲＡＭ（スタティック型ランダムアクセスメ
モリ）を使用している。また、１つの静止画像は、選択
した圧縮モードに応じて ４８キロバイト(４８ｋＢ＝
４８ｋ × ８ｂｉｔｓ)， ９６ｋＢ ， １９２ｋＢ
の３つのデータ量にてメモリ上に記憶される。従っ
て、最大で２４枚の静止画像が記憶できる。メモリとし
てＳＲＡＭを使用しているので、記憶データを保持する
ために保持動作用の電池が必要となり、長期保存には定
期的な電池交換を行なわなければならない。

【０００８】なお、最近、大容量であり、電気的に書き
込み，消去が出来、かつ保持動作用の電源が必要ないメ
モリとして、フラッシュ形のＥＥＰＲＯＭが製品化され
始めている。この製品例としては、株式会社東芝製フラ
ッシュ形ＥＥＰＲＯＭ「ＴＣ５８４０００」(以下、公知
文献３という。)があり、メモリ容量：４Ｍｂである。

【０００９】また、このフラッシュメモリは、単位面積
当りのメモリ容量を大きくできることから、低コスト化
にも適している。公知文献３によれば、上記４Ｍｂのフ
ラッシュメモリは、同じメモリ容量のＤＲＡＭ（ダイナ
ミック ランダム アクセスメモリ）に対して約７割の
チップ面積で実現していることが記載されている。しか
し、フラッシュメモリは、一般的に書き込み及び消去速
度が遅いと言われている。加えて、データの重ね書きが
行なえず、必ずデータを消去した後でないとデータ書き
込みが行なえないという特徴がある。

【００１０】公知文献３のフラッシュメモリでは、書き
込み速度を向上させるために、５１２バイトを一度の書
き込みブロック単位として書き込みを行なっている。こ
れにより、４Ｍｂのメモリ容量全体を約０．２秒で書き
込みが出来ると記載されている。また、消去に関しては
全メモリビットを消去しても、データ１ビットを消去し
ても同じ消去時間がかかることから、公知文献３のフラ
ッシュメモリでは２つの消去モードを有しており、一度
の消去動作で全ビット同時消去または４キロバイト単位
での消去が出来るように構成されている。公知文献３の
フラッシュメモリでは、一度の消去動作に必要な時間は
約１０ｍｓであり、これが最少の消去時間となる。

【００１１】また、消去時間を短縮する他の方法とし
て、上記のごとく固定されたブロック単位でなく、任意
の複数ブロックを一度に消去するものが特開平２−２９
２７９８号公報に記載されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】そこで、このフラッシ
ュメモリをディジタルスチルカメラに使用することを考
えてみる。

【００１３】ディジタルスチルカメラにおいてもスチル
カメラと同様に高速連続撮影−いわゆる、連写に対応す
る事が必要であるため、高速度な書き込みが必要とな
り、上記のようにブロック単位の書き込みを行なうこと
になる。例えば、上記公知文献２のディジタルスチルカ
メラのごとく、一枚の静止画像データ量が４８キロバイ
トであり、上記公知文献３のフラッシュメモリと同じ５
１２バイト単位での書き込みとすると、静止画像データ
は５１２バイトずつ９４回の書き込み動作で９４のブロ
ックに記憶されることになる。よって、公知文献３のフ
ラッシュメモリでは約０．０２秒の書き込み時間が必要
となる。

【００１４】また、４８キロバイトの静止画像データを
消去するには、上記公知文献３のフラッシュメモリと同
じく一度に４キロバイト単位の消去が出来るとすると、
４キロバイトずつ１２回の消去動作が必要となり、公知
文献３のフラッシュメモリでは約０．１２秒の時間が必
要になる。なお、記憶してある静止画データを新しい静
止画データに書換る場合にもフラッシュメモリでは必ず
消去した後でなければ書換が出来ないので、少なくとも
上記のごとく約０．１２秒の消去時間が必要となる。

【００１５】但し、上記特開平２−２９２７９８号公報
に記載されている方法を用いれば、一度の消去動作で４
キロバイトずつ１２ブロックを指定することで４８キロ
バイトの静止画像データを消去できるように構成するこ
とも可能となる。

【００１６】しかしながら、消去として上記どちらの方
法を行なうにしてもフラッシュメモリでは、データ書き
込み前に古いデータの消去が常に必要であり、従来のＳ
ＲＡＭやＤＲＡＭなどのメモリに比べてデータ書換に大
幅な時間がかかるため、ディジタルスチルカメラ使用時
にシャッタチャンスを逃す恐れが発生する。そこで、フ
ラッシュメモリを使用する際には、常にデータ書き込み
可能となるように前もって古いデータを消去しておき、
できるだけ書き込み時間を小さくすることが必要となっ
てくる。

【００１７】ところで、ディジタルスチルカメラには、
上述したようにメモリ内に複数の静止画像を記憶する。
また、画像データであるため、データ消去に当たってデ
ータ名や記録日時の情報だけでは消去して良いデータか
どうかの判断がしにくい。そこで、ディジタルスチルカ
メラで記憶した画像データを消去する場合には、一旦画
像データを読み出し、元の画像に戻して目で確認したの
ち、消去するかどうかの判断を行なうのが一般的であ
る。そのため、消去画像データ確認のための読み出し動
作の後、再度同じアドレスを入力して消去ブロックを指
定してから消去動作を行なう事になり、使い勝手が悪い
という問題があった。

【００１８】本発明の目的は、かかる問題点を改善し、
常に最少の時間で任意の記憶データ量の消去が可能で、
画像データや音声データの記憶に適したメモリ装置を提
供するにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、上記したように画像データの消去を行な
うために一旦メモリより読み出すことに着目し、第１の
方法として、１組のデータ−例えば１枚の静止画データ
−を読み出す際に読み出したブロック範囲をマークする
手段と、このマーク手段の出力信号に基づいて消去ブロ
ックを指定する手段と、一度の消去動作で指定した消去
ブロックを消去する手段とを設けている。

【００２０】第２の方法として、１組のデータ−例えば
１枚の静止画データ−が記憶されているブロック範囲を
自動的に読み出す手段と、上記読み出しブロック範囲を
読み出し動作時にマーキングする手段と、上記マーキン
グ手段の出力信号に基づいて消去ブロックを指定する手
段と、上記指定手段にて指定されたブロックを消去する
手段その検出結果に基づいてそのブロック範囲を一度の
消去動作で消去する手段とを設けている。

【００２１】

【作用】このように構成することで、記憶した画像デー
タを消去する場合には、一旦画像データを読み出し、元
の画像に戻して目で確認したのち、消去するかどうかの
判断を行なう場合には、再度同じアドレスを入力して消
去ブロックを指定しなくてもよいことになり、使い勝手
が向上する。また、常にデータ書き込み可能となるよう
に前もって古いデータを消去して、できるだけ書き込み
時間を小さくすることが簡単にかつ簡便にできるため、
フラッシュメモリを使用する際にシャッタチャンスを逃
す恐れが無くなる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。

【００２３】図１は、本発明を適用した画像データの記
憶用４Ｍｂ（５１２キロワード×８ビット）のフラッシ
ュメモリ装置のブロック図の一実施例である。

【００２４】同図において、１はデータを記憶するメモ
リアレイでコラム５１２、ロウ１０００のメモリ構成、
２はデータ入出力のためのＩ／Ｏバッファ、３は入力デ
ータを指定されたコラムアドレスのブロックメモリに格
納するためのコラムゲート、４は書き込み速度向上のた
めの５１２バイトのブロックメモリ、５はアドレスバッ
ファ、６は入力されたアドレスよりコラムアドレスをデ
コードするコラムデコーダ、７は入力されたアドレスよ
りロウアドレスをデコードするロウデコーダ、８はロウ
デコーダ７の出力を使用して任意のブロックを指定する
ためのマルチブロックデコーダ、９は書き込み，読み出
し，消去などのコントロールを行なうコントローラ、１
０はチップセレクトバー（ＣＳ）入力端子、１１はライ
トイネーブルバー（ＷＥ）、１２はアウトプットイネー
ブルバー（ＯＥ）、１３と１４と１５と１６はアドレス
（Ａ０，…，Ａ１６，Ａ１７，Ａ１８）入力端子、１７
と１８と１９と２０はデータ（Ｄ０，Ｄ１，…，Ｄ６，
Ｄ７）入出力端子、２１はこれら機能ブロックで構成す
るメモリＬＳＩである。図１のメモリ装置では、書き込
み速度を向上させるために１回の書き込み動作が５１２
バイト（８ビット×５１２ワード）のブロック単位で行
なわれる。従って、上記公知文献２のディジタルスチル
カメラのごとく、一枚の静止画像データが４８キロバイ
トとすると、静止画像データは９４ブロックに渡って記
憶されることになる。このように、数ブロックに渡って
記憶する画像データは、一組のデータとして扱う方が便
利である。

【００２５】そこで、１組の静止画像データを読み出す
場合には、読み出し範囲をブロック単位で指定すること
で処理できるように構成している。

【００２６】図１のメモリ装置の動作について図２のタ
イムチャートを用いて説明する。

【００２７】データを読み出すメモリは、ＣＥをＬｏｗ
レベルとして指定する。まず、ＯＥをＨｉｇｈレベルと
してデータ入出力端子を入力端子となるように設定す
る。次に、ブロック単位の読み出し命令（ブロックリー
ド命令）をデータ入出力端子から入力すると、ＷＥの立
上り点でコントローラ９に読み込まれる。読み込まれた
命令にしたがって、コントローラ９はブロック単位の読
み出し動作状態に設定され、メモリアレイ１からデータ
読み出し可能となるように各種制御信号やタイミング信
号などの指令を発する。ここで、コントローラ９により
マルチブロックデコーダ８はマーキングしていたブロッ
ク情報をリセットされる。ブロックリード命令に続い
て、読み出しブロックアドレス（ロウアドレスに等し
い）を読みだすデータブロック数だけ順次アドレス入力
端子に入力する。

【００２８】なお、読みだすブロック数だけのアドレス
を入力し終わるとともに、ＯＥをＬｏｗレベルとしてデ
ータ入出力端子を出力端子に設定する。入力されたブロ
ックアドレスは、ＷＥの立ち下がり点でアドレスバッフ
ァ５に順次読み込まれ、アドレスバッファ５内に格納さ
れる。ＯＥがＬｏｗレベルになると、アドレスバッファ
５内に格納されたブロックアドレスがロウデコーダ７に
出力されてデコードされる。このロウデコーダ７の出力
信号に基づき、マルチブロックデコーダ８がデータを読
み出すブロックをマーキングすると共にメモリアレイ１
に読み出すブロックの指定を行なう。

【００２９】読み出すブロックの指定が行なわれると、
ブロック内のデータ５１２個が順次読み出される。ブロ
ック内のデータ５１２個が全て読み出されると、次のブ
ロックアドレスがロウデコーダ７に出力されて、上記デ
ータ読み出し動作が繰り返される。このようにして、全
ての入力ブロックアドレスに対してデータ読み出し動作
が繰り返されて、１組の静止画像データ読み出される。

【００３０】ここで、全ての入力ブロックアドレスに対
してデータ読み出し動作が終了すると、マルチブロック
デコーダ８も全てのデータ読み出しブロックのマーキン
グが終了している。

【００３１】なお、読み出されたディジタルデータに基
づいて一般的な画像処理回路（図示せず）により元の静
止画像を復元した後、その画像データが必要かどうかを
人の目で確認して判断する。

【００３２】読み出されたデータが不要の場合の消去に
ついて次に説明する。

【００３３】ブロックリード命令によりデータを読み出
したブロック全体を消去する読み出しブロック消去命令
（オートイレーズ命令）について説明する。

【００３４】ブロックリード命令によるデータ読み出し
が終了したのち、ＯＥをＨｉｇｈレベルにしてデータ入
出力端子を入力端子に設定する。オートイレーズ命令を
データ入力端子より入力すると、ＷＥの立上り点でコン
トローラ９に読み込まれる。読み込まれた命令にしたが
って、コントローラ９はブロックリード命令によりデー
タを読み出したブロック全体を消去するオートイレーズ
動作状態に設定され、メモリアレイ１が消去可能となる
ように高電圧発生や各種制御信号，タイミング信号など
の指令を発する。

【００３５】ブロックリード命令に基づいてマルチブロ
ックデコーダ８にて自動的にマーキングされた全ての読
み出しブロックが、オートイレーズ命令によりマルチブ
ロックデコーダ８の出力信号で消去ブロックに指定され
る。これら消去指定されたブロックが、一度の消去動作
にて消去される。

【００３６】このように本発明では、一旦画像データを
読み出し、元の画像に戻して目で確認したのち、消去す
るかどうかの判断を行ない、その結果読み出したデータ
を消去する場合に再度同じアドレスを入力しないでよ
い。

【００３７】マルチブロックデコーダ８の具体的一構成
例を図４に示す。２２，２３，２４のロウデコーダ７の
入力端子と２５，２６，２７のアンド回路と２８，２
９，３０のＤ形フリップフロップ回路と３２，３３，３
４の出力切り換えスイッチと３８のＷＥ入力端子と３１
の出力切り換えスイッチ制御信号の入力端子と３５，３
６，３７のマルチブロックデコーダ８の出力端子で構成
されている。ロウデコーダ７は１０００のブロックに対
応する出力端子を有しており、デコードされると対応す
る出力端子がＨｉｇｈレベルとなる。ＷＥをアンド回路
２５や２６や２７を通してクロックとなして、Ｄ形フリ
ップフロップ回路２８や２９や３０を動作することで、
このＨｉｇｈレベルを順次保持していく。そして、ブロ
ックリード命令に引き続きオートイレーズ命令がデータ
入力端子よりＷＥの立上りで読み込まれると、出力切り
換えスイッチ３２や３３や３４がこれらＤ形フリップフ
ロップ回路２８や２９や３０の出力側（白丸側）に切り
換わり、消去ブロックが指定される。さらに、このブロ
ック指定と共に消去のための高電圧が指定されたブロッ
クに印加されて消去が行なわれる。

【００３８】ここで、消去動作に要する時間は、この高
電圧を印加している時間がほとんどの部分を占めてい
る。

【００３９】これにより、一旦画像データを読み出し、
元の画像に戻して目で確認したのち、消去するかどうか
の判断を行ない、その結果読み出したデータを消去する
場合に再度同じアドレスを入力しないで消去が行え、か
つ一度の消去動作にて消去したい複数のブロックを消去
できることになる。また、この消去に必要な時間は、メ
モリ装置として消去に必要な最少時間で行なえることに
なる。

【００４０】次に、書き込み動作について図４のタイミ
ングチャートを用いて説明する。

【００４１】上記した消去動作により予めデータが消去
されたメモリ装置において、ＣＥをＬｏｗレベルとして
書き込みメモリを指定し、かつ、ＯＥをＨｉｇｈレベル
としてデータ入出力端子を入力端子に設定する。

【００４２】書き込み命令（リード命令）をデータ入出
力端子から入力すると、ＷＥの立上り点でコントローラ
９に読み込まれる。読み込まれた書き込み命令に従っ
て、コントローラ９は書き込み動作状態に設定され、メ
モリアレイ１が書き込み可能となるように高電圧発生や
各種制御信号，タイミング信号などの指令を発する。書
き込み命令に続いて、書き込みアドレス及び書き込みデ
ータをアドレス入力端子及びデータ入力端子に入力す
る。ここで、書き込みデータは、取り込まれた静止画像
を一般的な画像処理回路（図示せず）によりディジタル
画像データに変換して得られる。例えば、光学レンズを
通してＣＣＤイメージセンサ上に結像した画像をＣＣＤ
イメージセンサにて電気信号に変換し、その信号をディ
ジタル信号に変換処理することにより得られる。

【００４３】１回の書き込み動作が５１２バイトのブロ
ック単位で行なわれることから、メモリアレイはコラム
アドレスとして５１２、ロウアドレスとして１０００で
構成している。よって、１回の書き込み動作中ロウアド
レス（Ａ９，…，Ａ１８）は固定となり、コラムアドレ
ス（Ａ０，…，Ａ８）のみが順次０から５１１まで入力
データと共に更新されていく。ロウアドレス及びコラム
アドレスは、ＷＥの立ち下がり点で読み込まれ、コラム
デコーダ６およびロウデコーダ７にて書き込みコラムア
ダレスと書き込みロウアドレス（書き込みブロック）が
デコードされる。ここで、コントローラ９は、読み込ま
れたロウアドレスのブロックにデータが書き込み済か否
かを判定する。書き込み済であれば、まず消去を行なっ
た後、書き込みを行なうようにコントロールし、未書き
込みならばそのまま書き込み動作を行なうようにコント
ロールする。消去動作については上述の説明通りであ
る。

【００４４】入力データは、ＷＥの立上り点で読み込ま
れ、コラムデコーダ６の出力で制御されるコラムゲート
３を通ってブロックメモリ４に一旦書き込まれる。

【００４５】ブロックメモリ４が５１２個のデータで満
たされると、ロウアドレスで指定されたメモリアレイ１
上のブロックにブロックメモリ４から５１２個データが
一斉に書き込まれる。このブロック単位の書き込みが順
次行なわれて、１組の静止画像データ全体が記憶されて
いくことになる。

【００４６】つぎに、本発明の他の一実施例について図
１及び図５のタイムチャートを用いて説明する。

【００４７】データを読み出すメモリは、ＣＥをＬｏｗ
レベルとして指定する。まず、ＯＥをＨｉｇｈレベルと
してデータ入出力端子を入力端子となるように設定す
る。次に、読み出し命令（リード命令）をデータ入出力
端子から入力すると、ＷＥの立上り点でコントローラ９
に読み込まれる。読み込まれた命令にしたがって、コン
トローラ９は読み出し動作状態に設定され、メモリアレ
イ１からデータ読み出し可能となるように各種制御信号
やタイミング信号などの指令を発する。ここで、コント
ローラ９によりマルチブロックデコーダ８はマーキング
していたブロック情報をリセットされる。

【００４８】リード命令がコントローラ９に読み込まれ
たのち、ＯＥをＬｏｗレベルとしてデータ入出力端子を
出力端子となるように設定する。

【００４９】リード命令に続いて、読み出しアドレス
（ロウアドレス及びコラムアドレス）をアドレス入力端
子に入力する。

【００５０】入力されたアドレスは、ＷＥの立ち下がり
点でアドレスバッファ５に読み込まれ、アドレスバッフ
ァ５内に格納される。アドレスバッファ５内に格納され
たアドレスがロウデコーダ７およびコラムデコーダ６に
出力されてデコードされる。このうちロウデコーダ７の
出力信号に基づき、マルチブロックデコーダ８がデータ
を読み出すブロックをマーキングすると共にメモリアレ
イ１に読み出すブロックの指定を行なう。

【００５１】読み出すブロックの指定が行なわれると、
ブロック内のデータ５１２個が順次読み出されブロック
メモリ４に格納される。コラムデコーダ６の出力信号に
基づき、コラムゲート３を通してブロックメモリ４に格
納されたデータから読み出し指定されたアドレスのデー
タがＩ／Ｏバッファ２を通ってデータ出力端子より出力
される。

【００５２】指定されたアドレスのデータが読み出され
ると、次のアドレスがアドレス入力端子に入力され、Ｗ
Ｅの立ち下がり点でアドレスバッファ５に読み込まれて
アドレスバッファ５内に格納される。アドレスバッファ
５内に格納されたアドレスがロウデコーダ７およびコラ
ムデコーダ６に出力されてデコードされる。このうちロ
ウデコーダ７の出力信号に基づき、マルチブロックデコ
ーダ８がデータを読み出す次のブロックをマーキングす
ると共にメモリアレイ１に読み出す次のブロックの指定
を行なう。

【００５３】読み出すブロックの指定が行なわれると、
ブロック内のデータ５１２個が順次読み出されブロック
メモリ４に格納される。コラムデコーダ６の出力信号に
基づき、コラムゲート３を通してブロックメモリ４に格
納されたデータから読み出し指定されたアドレスのデー
タがＩ／Ｏバッファ２を通ってデータ出力端子より出力
される。このようにして、入力されるアドレスに基づい
て順次データが読みだされると共に読みだしたブロック
がマルチブロックデコーダ８にてマーキングされてい
く。

【００５４】ここで、全ての入力アドレスに対してデー
タ読み出し動作が終了すると、マルチブロックデコーダ
８も全てのデータ読み出しブロックのマーキングが終了
している。

【００５５】なお、読み出されたデータより元の画像に
復元した後、そのデータが必要かどうかを人の目で確認
して判断する。

【００５６】読み出されたデータが不要の場合の消去に
ついて次に説明する。

【００５７】リード命令によりデータを読み出したブロ
ック全体を消去する読み出しブロック消去命令（オート
イレーズ命令）について説明する。

【００５８】リード命令によるデータ読み出しが終了し
たのち、ＯＥをＨｉｇｈレベルにしてデータ入出力端子
を入力端子に設定する。オートイレーズ命令をデータ入
力端子より入力すると、ＷＥの立上り点でコントローラ
９に読み込まれる。読み込まれた命令にしたがって、コ
ントローラ９はリード命令によりデータを読み出したブ
ロック全体を消去するオートイレーズ動作状態に設定さ
れ、メモリアレイ１が消去可能となるように高電圧発生
や各種制御信号，タイミング信号などの指令を発する。

【００５９】リード命令に基づいてマルチブロックデコ
ーダ８にて自動的にマーキングされた全ての読み出しブ
ロックが、オートイレーズ命令によりマルチブロックデ
コーダ８の出力信号で消去ブロックに指定される。その
後、これら消去指定されたブロックが、一度の消去動作
にて消去される。

【００６０】このように本発明では、一旦画像データを
読み出し、元の画像に戻して目で確認したのち、消去す
るかどうかの判断を行ない、その結果読み出したデータ
を消去する場合に再度同じアドレスを入力しないでよ
い。

【００６１】つぎに、本発明の他の一実施例について図
６のメモリ装置ブロック図を用いて説明する。ここで、
図１と同じ機能を有するブロックには同一の番号を付
し、説明を省略する。

【００６２】図８のメモリ装置では、記憶したデータに
関する情報−例えば、一組のデータ（一枚の静止画像デ
ータなど一組のデータとして取り扱うべきデータ）とし
て扱うべきデータの記憶しているブロック数やそのデー
タの記憶開始アドレスなど−いわゆるディレクトリ情報
を使って一組のデータを全て自動的に読みだす（オート
ブロックリードと呼ぶ）と共に、読みだしたブロックに
対してマーキングを行ない、オートブロックリード命令
に続いてオートイレーズ命令を発した場合にマーキング
されたブロックの消去動作を最少時間にて行なうもので
ある。

【００６３】５０は記憶したデータに関する記憶エリア
やデータ量などのディレクトリ情報記憶エリア、５２は
読みだしたブロックをマーキングするためのイレーズブ
ロックポインタ、５３はディレクトリ情報を使って一組
のデータを全て自動的に読みだすと共に、読みだしたブ
ロックに対してマーキングを行ない、読み出し命令に続
いて消去命令を発した場合に消去動作を最少時間にて行
なうためのコントローラ、３９はこれら機能ブロックで
構成するメモリＬＳＩである。まず、図６のメモリ装置
のオートブロック読み出し動作について図７のタイミン
グチャートを用いて説明する。

【００６４】読み出し動作中は、ＣＥをＬｏｗレベルと
して読み出しメモリを指定する。

【００６５】ＯＥをＨｉｇｈレベルとしてデータ入出力
端子を入力端子に設定し、オートブロック読み出し命令
をデータ入出力端子から入力する。ＷＥの立上り点でコ
ントローラ５３にオートブロック読み出し命令が読み込
まれる。読み込まれたオートブロックリード命令に従っ
て、コントローラ５３はオートブロックリード動作状態
に設定され、メモリアレイ１からデータ読み出しが可能
となるように各種制御信号やタイミング信号などの指令
を発する。オートブロックリード命令が読み込まれる
と、コントローラ５３は読み出すデータのアドレス情報
を読み込む状態となる。そこで、オートブロックリード
命令に続いて、読み出すデータを示すアドレスをアドレ
ス入力端子から入力する。また、ＯＥをＬｏｗレベルと
する。そうすると、ＷＥの立ち下がり点で読み出すデー
タを示すアドレスがコントローラ５３に読み込まれると
共に、この入力アドレスに相当するディレクトリ情報５
０を読みだし、このアドレスに記憶されているデータが
一組のデータの最初（先頭）のデータであるかどうかを
識別する。一組のデータの最初（先頭）のデータである
場合には、コントローラ５３はこの一組のデータ全てを
順次読み出し出力すると共に記憶されているロウアドレ
ス−つまり記憶されているブロック範囲−を示す情報を
ディレクトリ情報５０から解読し、その解読結果をシリ
アルデータにてイレーズブロックポインタ５２に出力す
る。

【００６６】ここで、コントローラ５３がシリアルデー
タをイレーズブロックポインタ５２に出力すると共にロ
ウデコーダ７にロウデコーダリセット信号を出力し、ロ
ウデコーダ７をリセットする。

【００６７】なお、ＯＥをＨｉｇｈレベルにすることで
読み出しを停止することができる。

【００６８】このシリアル出力信号に基づき、イレーズ
ブロックポインタ５２では、読み出したブロックをマー
キングしていく。ここで、上記識別結果で先頭データで
ない場合には、その入力アドレスのデータのみ読み出す
ように動作する。

【００６９】ここで、読み出したデータが不要であり、
全データを消去したい場合は、ＯＥをＨｉｇｈレベルと
し、かつＷＥの立上りでオートイレーズ命令をデータ入
力端子からコントローラ５３に入力することによって、
上記マーキングしたブロック全てを一度に消去するよう
に動作する。これは、特に静止画像データにおいて有効
であり、記憶された静止画像を確認すると共になんら動
作をともなわずに不要データは即座に消去可能となる。

【００７０】読み込まれたオートイレーズ命令に従っ
て、コントローラ５３はブロック消去動作状態に設定さ
れ、イレーズブロックポインタ５２でマーキングされた
メモリブロックが消去可能となるように高電圧発生や各
種制御信号，タイミング信号などの指令を発する。

【００７１】イレーズブロックポインタ５２の具体的一
構成例を図８に示す。ここで、このイレーズブロックポ
インタ５２は図３のマルチブロックデコーダ８の機能も
有しており、同一の機能には同一の番号を付し、説明を
省略する。４１のシリアルデータパラレルデータに変換
するシリアル−パラレル変換回路と４２，４３，４４の
オア回路と４８のコントローラ４９からのシリアルデー
タ信号の入力端子と５４，５５，５６のイレーズブロッ
クポインタ５２の出力端子で構成されている。コントロ
ーラ５３で解読された消去ブロック範囲を示すシリアル
データをシリアル−パラレル変換回路４１にてパラレル
データに変換し、その信号をオア回路４２や４３や４４
を通して出力切り換えスイッチに入力する。ここで、パ
ラレルデータは消去ブロックがＨｉｇｈレベルにて出力
される。そして、消去命令がデータ入力端子よりＷＥの
立上りで読み込まれると、出力切り換えスイッチ３２や
３３や３４がこれらオア回路４２や４３や４４の出力側
（白丸側）に切り換わり、消去ブロックが指定される。
さらに、このブロック指定と共に消去のための高電圧が
指定されたブロックに印加されて消去が行なわれる。こ
こで、消去動作に要する時間は、この高電圧を印加して
いる時間がほとんどの部分を占めている。

【００７２】これにより、一組のデータ（例えば、一枚
の静止画像データなど）が記憶のために占有しているブ
ロックを一つずつ指定すること無く、一度の消去動作に
て消去したい複数のブロックを消去できることになる。
また、この消去に必要な時間は、メモリ装置として消去
に必要な最少時間で行なえることになる。

【００７３】では、次に本発明のメモリ装置を応用した
一実施例としてディジタルスチルカメラについて図９を
用いて説明する。

【００７４】同図において、７５はカメラブロックを示
しており、レンズ５８、ＣＣＤ撮像素子５９、ＣＤＳ
（相関二重サンプリング）／ＡＧＣ（自動利得調整）回
路６０、アナログ−ディジタル変換回路(ＡＤＣ)６１、
カメラ信号処理回路６２で構成されている。６３はディ
ジタル静止画データをデータ圧縮や伸長処理する間だけ
一時的に記憶するビデオフレームメモリ、３９は撮影し
た静止画データを圧縮処理した後記憶するための実施例
の図６にて説明した４Ｍｂのメモリ装置、６５はディジ
タル画像データの圧縮／伸長回路、６４はディジタル画
像データをメモリに記憶したり読み出したりするための
メモリコントローラ、６６はディジタル画像データをＮ
ＴＳＣ方式のテレビ信号やビデオプリンタ用に広帯域の
映像信号に変換するエンコーダ回路、６７は撮影しよう
とする映像や記憶した静止画を確認するための電子ビュ
ーファ、６８はテレビ信号出力端子、６９はビデオプリ
ンタ用広帯域映像信号出力端子、７０は静止画シャッタ
入力端子、７１は再生モード入力端子、７２は記憶した
静止画を検索する為の検索モード入力端子、７３は記憶
した静止画データを消去するための消去モード入力端
子、７４はディジタルスチルカメラの撮影モードや記憶
した静止画の検索，消去などを制御するためのシステム
コントローラ、７６は連写モード（圧縮モード）入力端
子である。

【００７５】レンズ５８から入力された画像は、ＣＣＤ
撮像素子５９にて電気信号に変換され、ＣＤＳ／ＡＧＣ
回路６０で低域ノイズ処理、信号振幅の調整などが行な
われた後、ＡＤＣ６１でディジタル信号に変換される。
ディジタル信号に変換された画像信号は、カメラ信号処
理回路６２でマトリクス処理、ガンマ処理などが行なわ
れた後、輝度信号（Ｙ信号）と色差信号（Ｒ−Ｙ信号と
Ｂ−Ｙ信号）とがディジタル画像データ（例えば、４ｆ
scサンプリング(ｆscはカラーサブキャリアの周波数で
あり、ＮＴＳＣ方式で約3.58MHzである。)，８ｂｉｔ
ｓ,４：２：２フォーマットのデータ）としてメモリコ
ントローラ６４を通してビデオメモリ６３に出力され
る。ビデオメモリ６３にはディジタル輝度信号とディジ
タル色差信号は、入力端７０からの静止画シャッタ信号
に応じて１フィールドまたは１フレーム単位（例えば、
１フレームの情報量は768画素×484ライン）で一旦格納
される。そののち、ビデオメモリ６３に記憶されている
画像データに対して、入力端７６で設定されているモー
ド（連写モードまたは高画質モード）に応じたデータ圧
縮処理が、圧縮／伸長回路６５で行なわれる。つまり、
連写モードでは、デイジタル画像データのデータ圧縮が
行なわれ、高画質モードでは、デイジタル画像の圧縮処
理が行なわれない。

【００７６】ここで、圧縮／伸長回路６５では、ビデオ
メモリ６３に格納された７６８画素×４８４ラインのデ
ィジタル画像データがサブサンプリング処理され、４画
素×４ラインの１６画素ずつ１１，６１６ブロックに分
割されて、さらに、輝度信号は８ビットから３ビットに
データ圧縮され、クロマ信号は８ビットから２ビットに
データ圧縮される。

【００７７】圧縮された画像データは、メモリコントロ
ーラ６４を通して記憶用のメモリ３９に記憶される。

【００７８】一方、メモリコントローラ６４は画像デー
タを記憶処理すると共にカメラ信号処理回路６２からの
輝度信号（Ｙ信号）と色差信号（Ｒ−Ｙ信号とＢ−Ｙ信
号）のディジタル画像データをエンコーダ６６に出力し
て、電子ビュファインダ６７にて撮影画像を確認できる
ように動作する。

【００７９】なお、静止画像を撮影する前に、ディジタ
ルスチルカメラを入力端子７１からの再生モード信号に
より再生モードとなして記憶用メモリ３９が書き込み可
能となるように記憶用メモリ３９の不要データを消去す
る。ここで、ディジタルスチルカメラを再生モードとす
るのは、記憶用メモリ３９内の不要データを消去するに
当たって、まず、データ内容つまり記憶されている静止
画像を実際に目で確認する必要があるからである。

【００８０】記憶用メモリ内のデータ検索は、入力端子
７２からの検索モード信号にて記憶画像データの先頭ア
ドレスのみ指定すれば前図６で説明したように記憶メモ
リ３９から１組の静止画像データが出力される。出力さ
れた１組の静止画像データは、圧縮／伸長回路６５で元
のデータに伸長された後、エンコーダ６６でアナログ画
像信号に変換される。データ検索により電子ビューファ
６７上に出画された静止画像が不要である場合には、入
力端子７３からの消去モード信号の入力のみにより前図
６で説明したように読み出された画像データが再度消去
すべきデータのアドレスを設定することなく、直ちに消
去される。

【００８１】以上実施例を用いて説明してきたが、その
ほかの方法でも一度の消去動作で複数のブロックを消去
することができるものであれば良いことは明らかであ
る。さらにフラッシュメモリに限らず、消去動作の遅い
ものに対して本発明は有効となる。

【００８２】また、本実施例は画像データについて説明
したが、１組のデータとして音声データであっても良い
ことは明らかである。その応用例としては、留守番電話
の音声データメモリ用としての使用やコンパクトディス
クやカセットテープレコーダに代わる音声信号記録用の
メモリとして使用しても良い。

【００８３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、記
憶した画像データを消去する場合に、一旦画像データを
読み出し、元の画像に戻して目で確認したのち、消去す
るかどうかの判断を行なう時には、再度同じアドレスを
入力して消去ブロックを指定しなくてもよいことにな
り、使い勝手が向上する。また、常にデータ書き込み可
能となるように前もって古いデータを消去して、できる
だけ書き込み時間を小さくすることが簡単にかつ簡便に
できるため、フラッシュメモリを使用する際にシャッタ
チャンスを逃す恐れが無くなる。

【００８４】１組のデータを読み出す場合に、先頭のア
ドレスさえ入力してやれば後は自動的に読み出し動作が
行えるという利点もある。

【００８５】このように本発明では、消去データを確認
しながら最小の手間と時間でデータ消去が可能となり、
かつ１組のデータであれば自動的に読み出しが行えるな
ど、その効果は大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したメモリ装置の一例を示すブロ
ック図。

【図２】図１のメモリ装置の読み出し及び消去動作の一
例を説明するためのタイミングチャート図。

【図３】図１のメモリ装置の消去動作を行なうためのブ
ロックの具体的な一構成例を示す回路図。

【図４】図１のメモリ装置の書き込み動作の一例を説明
するためのタイミングチャート図。

【図５】本発明を適用したメモリ装置の他の動作の一例
を説明するためのタイミングチャート図。

【図６】本発明を適用したメモリ装置の他の一例を示す
ブロック図。

【図７】図５のメモリ装置の読み出し及び消去動作の一
例を説明するためのタイミングチャート図。

【図８】図５のメモリ装置の消去動作を行なうためのブ
ロックの具体的な一構成を示す回路図。

【図９】本発明をディジタルスチカメラに応用した１例
を説明するためのブロック図。

【符号の説明】

８…マルチブロックデコーダ、９，５３…コントロー
ラ、５０…ディレクトリ情報、５２…イレーズブロック
ポインタ、２１，３９…メモリＬＳＩ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11C 16/06 G06F 12/06 530 H04N 5/907

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電気的に書き込み，消去が出来、かつ保持
   動作用の電源が必要ないメモリ装置において、 Ｍ個のデータを一つのブロック単位とし、Ｎ個のブロッ
   クにて構成されるメモリアレイと、読み出し命令及び消去命令が入力され、データの入出力
   を行うデータ入出力手段と、 上記データ入出力手段から入力した読み出し命令に従っ
   て、上記メモリアレイからデータを ブロック単位で読み
   出しを行ない、上記データ入出力手段から読み出したデ
   ータを出力させる手段と、上記読み出し命令に従って上記メモリアレイからデータ
   を読み出した際に 、読み出しブロックをマーキングする
   マーキング手段と、上記データ入出力手段から消去命令が入力された際に、
   上記マーキング手段により予めマーキングされた読み出
   しブロックを消去ブロックとして指定する指定手段と、 上記指定手段にて指定されたブロックを消去する手段と
   を有することを特徴とするメモリ装置。
2. 【請求項２】電気的に書き込み，消去が出来、かつ保持
   動作用の電源が必要ないメモリ装置において、 Ｍ個のデータを一つのブロック単位とし、Ｎ個のブロッ
   クにて構成されるメモリアレイと、読み出し命令及び消去命令が入力され、データの入出力
   を行うデータ入出力手段と、 ブロック単位で書き込みを行なう手段と、上記データ入出力手段から入力した読み出し命令に従っ
   て、上記メモリアレイから 一纏めのデータが記憶されて
   いるブロック範囲を自動的に読み出しを行ない、上記デ
   ータ入出力手段から読み出したデータを出力させる手段
   と、上記読み出し命令に従って上記メモリアレイからデータ
   を読み出した際に 、上記読み出しブロック範囲をマーキ
   ングするマーキング手段と、上記データ入出力手段から消去命令が入力された際に、
   予め読み出しブロック範囲をマーキングしている 上記マ
   ーキング手段の出力信号に基づいて消去ブロックを指定
   する指定手段と、 上記指定手段にて指定されたブロックを消去する手段と
   を有することを特徴とするメモリ装置。
3. 【請求項３】電気的に書き込み，消去が出来、かつ保持
   動作用の電源が必要ないメモリ装置において、 Ｍ個のデータを一つのブロック単位とし、Ｎ個のブロッ
   クにて構成されるメモリアレイと、読み出し命令及び消去命令が入力され、データの入出力
   を行うデータ入出力手段と、 上記データ入出力手段から入力した読み出し命令に従っ
   て、上記メモリアレイからデータを 読み出し、上記デー
   タ入出力手段から読み出したデータの出力を行なわせる
   手段と、上記読み出し命令に従って上記メモリアレイからデータ
   を読み出した際に 、上記読み出したデータが記憶されて
   いるブロックをマーキングするマーキング手段と、上記データ入出力手段から消去命令が入力された際に、
   予め読み出したブロックをマーキングしている 上記マー
   キング手段の出力信号に基づいて消去ブロックを指定す
   る指定手段と、 上記指定手段にて指定されたブロックを消去する手段と
   を有することを特徴とするメモリ装置。
4. 【請求項４】静止画像をディジタルデータに変換する手
   段と、 Ｍ個のデータを一つのブロック単位とし、Ｎ個のブロッ
   クにて構成されるメモリアレイと、読み出し命令、書き込み命令及び消去命令が入力され、
   データの入出力を行うデータ入出力手段と、 上記データ入出力手段から入力された書き込み命令に従
   って、 上記静止画像データを上記ブロック単位で書き込
   みを行なう手段と、上記データ入出力手段から入力された読み出し命令に従
   って、 上記静止画像データをブロック単位で読み出し、
   上記データ入出力手段から読み出したデータの出力を行
   なわせる手段と、上記読み出し命令に従って上記メモリアレイからデータ
   を読み出した際に 、上記読み出しブロックをマーキング
   するマーキング手段と、上記データ入出力手段から消去命令が入力された際に、
   予め読み出したブロックをマーキングしている 上記マー
   キング手段の出力信号に基づいて消去ブロックを指定す
   る指定手段と、 上記指定手段にて指定されたブロックを消去する手段と
   を有することを特徴とするメモリ装置。