JPH0299521A - 芳香族ポリカーボネート共重合体 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート共重合体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はレーザー光線により信号を記録し、あるいは
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
芳香族ポリカーボネート共重合体に関する。
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
芳香族ポリカーボネート共重合体に関する。
（従来の技術）
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なビットで信号を記録あるいはこのようなビ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ −ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト、リード
・アフター・ライト）型光学式情報記録・再生方式は著
しく記録密度を上げることができ、特にＥｒａｓａｂｌ
ｅ −ＤＲＡＷ型では記録の消去・書き込みも可能であ
り、且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性
を有することから画像や音質の記録又は記録再生、多量
の情報記録再生等に広く実用されることが期待されてい
る。この記録再生方式に利用されるディスクにはディス
ク本体をレーザー光線が透過するために透明であること
は勿論のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均
質性が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷
却及び流動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラ
ス転移点付近の容積変化による残留応力が主な原因とな
り、レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大き
いことは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。ま
た、ディスク成形に用いられる樹脂の吸水率が大きいと
成形ディスクの寸法安定性を損ねるだけでなく、記録膜
の耐久性を低くする一因である。
スクに微細なビットで信号を記録あるいはこのようなビ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ −ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト、リード
・アフター・ライト）型光学式情報記録・再生方式は著
しく記録密度を上げることができ、特にＥｒａｓａｂｌ
ｅ −ＤＲＡＷ型では記録の消去・書き込みも可能であ
り、且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性
を有することから画像や音質の記録又は記録再生、多量
の情報記録再生等に広く実用されることが期待されてい
る。この記録再生方式に利用されるディスクにはディス
ク本体をレーザー光線が透過するために透明であること
は勿論のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均
質性が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷
却及び流動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラ
ス転移点付近の容積変化による残留応力が主な原因とな
り、レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大き
いことは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。ま
た、ディスク成形に用いられる樹脂の吸水率が大きいと
成形ディスクの寸法安定性を損ねるだけでなく、記録膜
の耐久性を低くする一因である。
（発明が解決しようとする課題）
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力９分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。また、ディスク成形に用いられる樹脂
に含まれるオリゴマーの残存量が多いと成形時のスタン
バ−を汚したり、成形ディスクにフラッシュが入る原因
となり好ましくない。さらに、これらの樹脂の吸水率が
太きいと成形ディスクの寸法安定性を損ねるだけでなく
、記録膜の耐久性を低くする一因となり好ましくない。
おいて生じた熱応力９分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。また、ディスク成形に用いられる樹脂
に含まれるオリゴマーの残存量が多いと成形時のスタン
バ−を汚したり、成形ディスクにフラッシュが入る原因
となり好ましくない。さらに、これらの樹脂の吸水率が
太きいと成形ディスクの寸法安定性を損ねるだけでなく
、記録膜の耐久性を低くする一因となり好ましくない。
これまで前記に関して記載された先行技術文献、特許は
見当たらない。
見当たらない。
（課題を解決するための手段）
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。
で表すことができる。
ｎ、−ｎ２＝ ＣＣａ、−ａ２）（１）ｎｘ−ｎ２：複
屈折 σ１−σ２：残留応力 Ｃ：光弾性定数 式（１）の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じで
も得られるディスクの複屈折が小さくなることは明らか
である。そこで発明者は鋭意研究の結果一般式（Ｉ ）
、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）Ｍｅ （Ｒ１ｔ Ｒ２＞ Ｒａ ｓ Ｒ４は水素又は炭素数１
〜８の直鎖又は枝分れを含むアルキル基、又はフェニル
基である。） から選ばれる２種類以上ののビスフェノールを用いてカ
ーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共
重合体が光弾性定数が小さく、且つ吸収率の小さくガラ
ス転移点が高い樹脂であることを見い出すとともに、こ
れらを用いた成形ディスクは斜め入射光の複屈折が小さ
い事実を見いだし本発明に至ったものである。
屈折 σ１−σ２：残留応力 Ｃ：光弾性定数 式（１）の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じで
も得られるディスクの複屈折が小さくなることは明らか
である。そこで発明者は鋭意研究の結果一般式（Ｉ ）
、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）Ｍｅ （Ｒ１ｔ Ｒ２＞ Ｒａ ｓ Ｒ４は水素又は炭素数１
〜８の直鎖又は枝分れを含むアルキル基、又はフェニル
基である。） から選ばれる２種類以上ののビスフェノールを用いてカ
ーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共
重合体が光弾性定数が小さく、且つ吸収率の小さくガラ
ス転移点が高い樹脂であることを見い出すとともに、こ
れらを用いた成形ディスクは斜め入射光の複屈折が小さ
い事実を見いだし本発明に至ったものである。
即ち、本発明は
（１）一般式（Ｉ ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）（Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は水素又は炭素数１〜８の直鎖又は枝
分れを含むアルキル基、又はフェニル基である。） から選ばれる２種類以上のビスフェノールを用いてカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重
合体。
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は水素又は炭素数１〜８の直鎖又は枝
分れを含むアルキル基、又はフェニル基である。） から選ばれる２種類以上のビスフェノールを用いてカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重
合体。
（２）ジクロロメタンを用いて２０’Ｃで測定した固有
粘度ｆ［η］から下記の式（ＩＶ）によって算出される
粘度平均分子ｉｔ（Ｍｖ）カ１５，０００〜２５，００
０ テアル前記（１）記載の芳香族ポリカーボネート共
重合体。
粘度ｆ［η］から下記の式（ＩＶ）によって算出される
粘度平均分子ｉｔ（Ｍｖ）カ１５，０００〜２５，００
０ テアル前記（１）記載の芳香族ポリカーボネート共
重合体。
［ｒｌｌ＝１．１１刈０−４（Ｍｖ）０．８２
（Ｎ ）（３）該芳香族ポリカーボネート共重合体中に
含有される標準ポリスチレン換算の分子量（Ｍｗ）が５
．０００以下のオリゴマーの残存量が３％以下である前
記（１）又は（２）記載の芳香族ポリカーボネート共重
合体。
（Ｎ ）（３）該芳香族ポリカーボネート共重合体中に
含有される標準ポリスチレン換算の分子量（Ｍｗ）が５
．０００以下のオリゴマーの残存量が３％以下である前
記（１）又は（２）記載の芳香族ポリカーボネート共重
合体。
（４）吸水率が０．３５％以下である前記（１）又は（
２）又は（３）記載の芳香族ポリカーボネート共重合体
。
２）又は（３）記載の芳香族ポリカーボネート共重合体
。
（５）ガラス転移点（Ｔｇ）が１３０℃以上である前記
（１）又は（２）又は（３）又は（４）記載の芳香族ポ
リカーボネート共重合体。
（１）又は（２）又は（３）又は（４）記載の芳香族ポ
リカーボネート共重合体。
（６）光弾性定数が６０ブリュースターズ（Ｂｒｅｗｓ
ｔｅｒｓ、１０”ｍ２／Ｎ）以下である前記（１）又は
（２）又は（３）又は（４）又は（５）記載の芳香族ポ
リカーボネート共重合体。
ｔｅｒｓ、１０”ｍ２／Ｎ）以下である前記（１）又は
（２）又は（３）又は（４）又は（５）記載の芳香族ポ
リカーボネート共重合体。
（７）成形された光学式ディスク基板について斜め入射
光によって測定される光学式ディスク基板の複屈折が４
Ｘ１０−４以下となる前記（１）又は（２）又は（３）
又は（４）又は（５）又は（６）記載の芳香族ポリカー
ボネート共重合体。代表例としては以下の化合物が挙げ
られる。一般式（Ｉ）に分類されるビスフェノールとし
て、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン
、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メ
チルペンタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、１．ｌ−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、 ４．４’−ジヒドロキシ−２，
２，２−トリフェニルエタンなどが挙げられる。一般式
（ＩＩ）に分類されるビスフェノールとして、２，２−
ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピ
ルフェニル）プロパン、２，２−ビス−（４−ヒドロキ
シ−３−ｓｅｅ、ブチルフェニル）プロパン、２，２−
ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ター
シャリ−ブチルフェニル）プロパンなどが挙げられる。
光によって測定される光学式ディスク基板の複屈折が４
Ｘ１０−４以下となる前記（１）又は（２）又は（３）
又は（４）又は（５）又は（６）記載の芳香族ポリカー
ボネート共重合体。代表例としては以下の化合物が挙げ
られる。一般式（Ｉ）に分類されるビスフェノールとし
て、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン
、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メ
チルペンタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、１．ｌ−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、 ４．４’−ジヒドロキシ−２，
２，２−トリフェニルエタンなどが挙げられる。一般式
（ＩＩ）に分類されるビスフェノールとして、２，２−
ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピ
ルフェニル）プロパン、２，２−ビス−（４−ヒドロキ
シ−３−ｓｅｅ、ブチルフェニル）プロパン、２，２−
ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ター
シャリ−ブチルフェニル）プロパンなどが挙げられる。
一般式（ＩＩＩ ）に分類されるビスフェノールとして
、１，１′〜ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−
ジイソプロピルベンゼン、 １．１’−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンなど
が挙げられる。さらに、般式（Ｉ ）、（ＩＩ）、（Ｉ
ＩＩ）から選ばれる一種のビスフェノールを第３成分と
して用いて三元共重合体とさせることも可能である。本
発明の芳香族ポリカーボネート共重合体の製造法として
は次の方法がある。但し、ここでは、一般式（Ｉ）で表
される１、１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−
ｐ−ジイソプロピルベンゼンをもって代表する。
、１，１′〜ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−
ジイソプロピルベンゼン、 １．１’−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンなど
が挙げられる。さらに、般式（Ｉ ）、（ＩＩ）、（Ｉ
ＩＩ）から選ばれる一種のビスフェノールを第３成分と
して用いて三元共重合体とさせることも可能である。本
発明の芳香族ポリカーボネート共重合体の製造法として
は次の方法がある。但し、ここでは、一般式（Ｉ）で表
される１、１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−
ｐ−ジイソプロピルベンゼンをもって代表する。
■エステル交換法
１．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼンと４，４′−ジヒドロキシ−２，
２，２−）リフェニルエタンの混合物に対し化学量論的
に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに、通常
のカーボネート化触媒の存在下、約１６０〜１８０℃の
温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件で約３０分
反応させ、２時間〜３時間かけて徐々に減圧しながら約
１８０〜２２０℃の温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、２
２０℃で前縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ、２
７０℃下で３０分、５Ｔｏｒｒ、２７０下０Ｃで２０分
反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以下、好ましくは０．３
Ｔｏｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０℃で１．５
時間〜２．０時間後縮合を進める。尚、カーボネート結
合のためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、
カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒
、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が
適しており、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム、
水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナ
トリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム
、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫が挙げられ芯。これ
らのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
イソプロピルベンゼンと４，４′−ジヒドロキシ−２，
２，２−）リフェニルエタンの混合物に対し化学量論的
に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに、通常
のカーボネート化触媒の存在下、約１６０〜１８０℃の
温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件で約３０分
反応させ、２時間〜３時間かけて徐々に減圧しながら約
１８０〜２２０℃の温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、２
２０℃で前縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ、２
７０℃下で３０分、５Ｔｏｒｒ、２７０下０Ｃで２０分
反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以下、好ましくは０．３
Ｔｏｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０℃で１．５
時間〜２．０時間後縮合を進める。尚、カーボネート結
合のためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、
カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒
、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が
適しており、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム、
水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナ
トリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム
、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫が挙げられ芯。これ
らのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
■ホスゲン法
三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管を付ける。１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンと４，４′−ジヒ
ドロキシ−２，２，２−）リフェニルエタンの混合物の
混合物のピリジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながら
ホスゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒で
あるから強力なドラフト中で操作する。また排気末端に
は水酸化ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解
無毒化するユニットをつける。
気管を付ける。１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンと４，４′−ジヒ
ドロキシ−２，２，２−）リフェニルエタンの混合物の
混合物のピリジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながら
ホスゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒で
あるから強力なドラフト中で操作する。また排気末端に
は水酸化ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解
無毒化するユニットをつける。
ホスゲンはボンベからの洗気びん、パラフィンを入れた
洗気びん（泡散を数える）、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し
込むようにし、析出するピリジン塩によって詰まらない
ようにするため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に
伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反
応温度は３０８Ｃ以下になるように水冷する。縮合の進
行と共に粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素錯
体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。
洗気びん（泡散を数える）、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し
込むようにし、析出するピリジン塩によって詰まらない
ようにするため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に
伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反
応温度は３０８Ｃ以下になるように水冷する。縮合の進
行と共に粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素錯
体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。
反応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、
ろ別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレ
ン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなど
に溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿し
て精製する。このようにして得られるポリカーボネート
共重合体は、レーザー光線により信号を記録し、或いは
、レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の
読み出しをおこなうＤＲＡＷ 、 Ｅｒａｓａｂｉｅ
−ＤＲＡＷ型光学型光乾式情報記録用ディスクである。
ろ別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレ
ン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなど
に溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿し
て精製する。このようにして得られるポリカーボネート
共重合体は、レーザー光線により信号を記録し、或いは
、レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の
読み出しをおこなうＤＲＡＷ 、 Ｅｒａｓａｂｉｅ
−ＤＲＡＷ型光学型光乾式情報記録用ディスクである。
以下に本発明を実施例について説明するが、本発明は、
これらの実施例によって限定されるものではない。
これらの実施例によって限定されるものではない。
（実施例）
実施例１
１．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５０ｍｏ１％）と
４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボ
ネート２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ、脱気
、Ｎ２バージを５回繰り返した後、シリコンバス１８０
℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カー
ボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェ
ノールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に
対して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１８０６Ｃ，Ｎ２
下。
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５０ｍｏ１％）と
４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボ
ネート２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ、脱気
、Ｎ２バージを５回繰り返した後、シリコンバス１８０
℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カー
ボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェ
ノールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に
対して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１８０６Ｃ，Ｎ２
下。
３０分撹はん醸成した。次に、同温度下ＩＱＱＴｏｒｒ
にし３０分撹はんした後、同温度下でさらに５ＱＴｏｒ
ｒに減圧し、３０分反応させた。次に徐々に温度を２２
０℃まで上げ６０分反応させ、ここまでの反応でフェノ
ール留出理論量の８０％を留出させた。しかる後、同温
度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を徐々
に２７０℃に上げ、３０分反応させた。さらに同温度下
で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノール留出
理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に同温
度下で０．１〜０．３Ｔｏｒｒで１．５時間後締合させ
た。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した後
、ジクロルメタンを溶媒に用いて２０℃にて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量Ｍｖ＝１
９，６００であった。また、ＤＳＣ（ディファレンシャ
ル、スキャニング・カロリメーター；Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅ
ｌｍｅｒ ２ＣＷ）からガラス転移点はＴｇ＝１６４℃
であることがわかった。更に光弾性定数を測定するとＣ
＝５９ブリュースターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ、１０”
ｍ２／Ｎ）であることがわかった。次に吸収率を測定す
ると０．３０％であった。測定に使用シた機器は、ＤＳ
Ｃ；ディファレンシャル・スキャンニング・カロリメー
ターＰｅｒｋｉｎ−Ｅ１ｍｅｒ ２Ｃ型、光弾性定数は
自作のものを用いて測定したが、光弾性定数の算出方法
は試験片 （５ｍｍＸ １０ｍｍＸ １ｍｍ）に異なる大きさの引
張応力を長さ方向に追加し、発生する複屈折を測定し前
記式（１）に各々の値を代入してその傾きから光弾性定
数を求めた。因に２，２−ビス−（本ヒドロキシフェニ
ル）プロパンのポリカーボネートの光弾性定数はＣ：８
２ブリ１−スターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ 、 １０−
１２ｍ２／Ｎ） 。
にし３０分撹はんした後、同温度下でさらに５ＱＴｏｒ
ｒに減圧し、３０分反応させた。次に徐々に温度を２２
０℃まで上げ６０分反応させ、ここまでの反応でフェノ
ール留出理論量の８０％を留出させた。しかる後、同温
度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を徐々
に２７０℃に上げ、３０分反応させた。さらに同温度下
で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノール留出
理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に同温
度下で０．１〜０．３Ｔｏｒｒで１．５時間後締合させ
た。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した後
、ジクロルメタンを溶媒に用いて２０℃にて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量Ｍｖ＝１
９，６００であった。また、ＤＳＣ（ディファレンシャ
ル、スキャニング・カロリメーター；Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅ
ｌｍｅｒ ２ＣＷ）からガラス転移点はＴｇ＝１６４℃
であることがわかった。更に光弾性定数を測定するとＣ
＝５９ブリュースターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ、１０”
ｍ２／Ｎ）であることがわかった。次に吸収率を測定す
ると０．３０％であった。測定に使用シた機器は、ＤＳ
Ｃ；ディファレンシャル・スキャンニング・カロリメー
ターＰｅｒｋｉｎ−Ｅ１ｍｅｒ ２Ｃ型、光弾性定数は
自作のものを用いて測定したが、光弾性定数の算出方法
は試験片 （５ｍｍＸ １０ｍｍＸ １ｍｍ）に異なる大きさの引
張応力を長さ方向に追加し、発生する複屈折を測定し前
記式（１）に各々の値を代入してその傾きから光弾性定
数を求めた。因に２，２−ビス−（本ヒドロキシフェニ
ル）プロパンのポリカーボネートの光弾性定数はＣ：８
２ブリ１−スターズ（Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ 、 １０−
１２ｍ２／Ｎ） 。
ガラス転移温度はＴｇ＝１４５℃２吸収率０．３１％で
あった。また、分子量５，０００以下の残存オリゴマー
量は１．５％であった。
あった。また、分子量５，０００以下の残存オリゴマー
量は１．５％であった。
粘度平均分子量の評価方法は、２０℃における塩化メチ
レン溶液の固有粘度［η］をウベローデ粘度計を用いて
測定し、次式を用いて粘度平均分子量Ｍｖを計算した。
レン溶液の固有粘度［η］をウベローデ粘度計を用いて
測定し、次式を用いて粘度平均分子量Ｍｖを計算した。
［ｒｌｌ＝１−１１ｘｌＯ−４（Ｍｖ）０−８２吸収率
の評価方法は、ＡＳＴＭ Ｄ５７０−６３に準じて行っ
た。
の評価方法は、ＡＳＴＭ Ｄ５７０−６３に準じて行っ
た。
残存オリゴマー量の測定方法は、ＧＰＣ（ゲル・パーミ
ェーション・クロマトグラフィー、島津ＬＣ−５Ａ）を
用いて標準ポリスチレン換算の分子量を測定した（溶媒
テトラヒドロフラン、カラム温度５０℃） 実施例２ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と４，４′−ジヒド
ロキシ−２，２，２−トリフェニルエタン１７４重量部
（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２６４重量
部を実施例１と同様の方法で重合した。
ェーション・クロマトグラフィー、島津ＬＣ−５Ａ）を
用いて標準ポリスチレン換算の分子量を測定した（溶媒
テトラヒドロフラン、カラム温度５０℃） 実施例２ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と４，４′−ジヒド
ロキシ−２，２，２−トリフェニルエタン１７４重量部
（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２６４重量
部を実施例１と同様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２１，０００
ガラス゛転移温度 Ｔｇ−１７０℃
光弾性定数 Ｃ＝５９ブリュースターズ吸収率
０．３５％ 残存オリゴマー量２％ 実施例３ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン１５４
重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２６
４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
０．３５％ 残存オリゴマー量２％ 実施例３ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン１５４
重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネート２６
４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
粘度平均分子量 ￥７Ｌｖ＝１９，８００ガラス転移温
度 Ｔｇ−１４転移 光弾性定数 Ｃ＝５９ブリュースターズ吸収率
０．２３％ 残存オリゴマー量１．８％ 実施例４ ４．４１−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５０ｍｏ１％）と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン
１８７重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネー
ト２６４重量部を実施例１ど同様の方法で重合した。
度 Ｔｇ−１４転移 光弾性定数 Ｃ＝５９ブリュースターズ吸収率
０．２３％ 残存オリゴマー量１．８％ 実施例４ ４．４１−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５０ｍｏ１％）と２，２−ビス−（
４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン
１８７重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネー
ト２６４重量部を実施例１ど同様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２１．ＯＯＯ
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３４℃
光弾性定数 Ｃ＝４６ブリュースターズ吸収率
０．２７％ 残存オリゴマー量１．３％ 実札例５ ２．２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１７５重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２
−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル
）プロパン１９２重ｆ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。
０．２７％ 残存オリゴマー量１．３％ 実札例５ ２．２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１７５重量部（５Ｑｍｏ１％）と２，２
−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル
）プロパン１９２重ｆ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１７，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３８℃
光弾性定数 Ｃ＝４４ブリュースターズ吸収率
０．２８％ 残存オリゴマー量１．８％ 実施例６ １．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチ・ルフェニ
ル）プロパン１５４重ｉＮ（５Ｑｍｏ１％）とジフェニ
ルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で
重合した。
０．２８％ 残存オリゴマー量１．８％ 実施例６ １．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチ・ルフェニ
ル）プロパン１５４重ｉＮ（５Ｑｍｏ１％）とジフェニ
ルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で
重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２０，６００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３８℃
光弾性定数 Ｃ＝５９ブリュースターズ吸収率
０．１９％ 残存オリゴマー量２．３％ 実施例７ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と１．１−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベン９
２２０８重ｉ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネ
ート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
０．１９％ 残存オリゴマー量２．３％ 実施例７ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５Ｑｍｏ１％）と１．１−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベン９
２２０８重ｉ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボネ
ート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１８，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３４℃
光弾性定数 Ｃ＝５６ブリュースターズ吸収率
０．２０％ 残存オリゴマー量１．３％ 実施例８ ４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５Ｑｍｏ１％）と１，１−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）佃−ジイソプロピルベンゼン
２０８重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネー
ト２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
０．２０％ 残存オリゴマー量１．３％ 実施例８ ４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン１７４重量部（５Ｑｍｏ１％）と１，１−ビス−（
４−ヒドロキシフェニル）佃−ジイソプロピルベンゼン
２０８重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネー
ト２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１９，５００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３１℃
光弾性定数 Ｃ＝５１ブリュースターズ吸収率
０．２８％ 残存オリゴマー量１．７％ 実施例９ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２
４９重量部（５Ｑｍｏ１％）と１，１ｔビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン１３
７ｔＪｔ部（４０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート
２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
０．２８％ 残存オリゴマー量１．７％ 実施例９ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２
４９重量部（５Ｑｍｏ１％）と１，１ｔビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン１３
７ｔＪｔ部（４０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート
２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１９，７００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１４５℃
光弾性定数 Ｃ＝４８ブリュースターズ吸収率
０．２８％ 残存オリゴマー量２．１％ 実施例１０ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と１
，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソ
プロピルベンゼン２０８重量部（５０ｍｏ１％）とジフ
ェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方
法で重合した。
０．２８％ 残存オリゴマー量２．１％ 実施例１０ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と１
，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソ
プロピルベンゼン２０８重量部（５０ｍｏ１％）とジフ
ェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方
法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２３，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３０℃
光弾性定数 Ｃ＝５６ブリュースターズ吸収率
０．１７％ 残存オリゴマー量０．５％ 実施例１１ １．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
２，２−ビス−（３，５ジメチル、４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１７１ 重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフ
ェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方
法で重合した。
０．１７％ 残存オリゴマー量０．５％ 実施例１１ １．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼン２０８重量部（５Ｑｍｏ１％）と
２，２−ビス−（３，５ジメチル、４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１７１ 重量部（５Ｑｍｏ１％）とジフ
ェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方
法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２０，５００
ガラズ転移温度 Ｔｇ＝１６９℃
光弾性定数 Ｃ＝５８ブリュースターズ吸収率
０．３０％ 残存オリゴマー量０．８％ 実施例１２ ２．２．ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５Ｑｍｏ１％）
と２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
１４０ ｔ 置部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボ
ネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した
。
０．３０％ 残存オリゴマー量０．８％ 実施例１２ ２．２．ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５Ｑｍｏ１％）
と２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
１４０ ｔ 置部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカーボ
ネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重合した
。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１９，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ−１３３℃
光弾性定数 Ｃ＝５６ブリュースターズ吸収率
０．２２％ 残存オリゴマー量１．０％ 実施例１３ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５Ｑｍｏ１％）
と１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン１６５重ｆｅ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカ
ーボネート２６４重量部を実施例１ど同様の方法で重合
した。
０．２２％ 残存オリゴマー量１．０％ 実施例１３ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５Ｑｍｏ１％）
と１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン１６５重ｆｅ部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニルカ
ーボネート２６４重量部を実施例１ど同様の方法で重合
した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１８，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１４３℃
光弾性定数 Ｃ＝４８ブリュースターズ吸収率
０．２１％ 残存オリゴマー量１．３％ 実施例１４ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニル
エタン１７８ 重ｉ 部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。
０．２１％ 残存オリゴマー量１．３％ 実施例１４ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニル
エタン１７８ 重ｉ 部（５Ｑｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２１，５００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１５０℃
光弾性定数 Ｃ＝４３ブリュースターズ吸収率
０．２７％ 残存オリゴマー量０．７％ 実施例１５ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と２，２−ビスー−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン１７５重量部（５０ｒｎｏ１％）
とジフェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同
様の方法で重合した。
０．２７％ 残存オリゴマー量０．７％ 実施例１５ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５０ｍｏ１％）
と２，２−ビスー−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン１７５重量部（５０ｒｎｏ１％）
とジフェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同
様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝１８，７００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１５４℃
光弾性定数 Ｃ＝４１ブリュースターズ吸収率
０．３％ 残存オリゴマー量１．３％ 実施例１６ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５Ｑｍｏ１％）
と１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−
ジイソプロピルベンゼン２１３ｔｉ部（５０ｍｏ１％）
とジフェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同
様の方法で重合した。
０．３％ 残存オリゴマー量１．３％ 実施例１６ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−ブ
チルフェニル）プロパン２０９重量部（５Ｑｍｏ１％）
と１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−
ジイソプロピルベンゼン２１３ｔｉ部（５０ｍｏ１％）
とジフェニルカーボネート２６４重量部を実施例１と同
様の方法で重合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２２，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１３６℃
光弾性定数 Ｃ＝４９ブリュースターズ吸収率
０．１７％ 残存オリゴマー量０．７％ 実施例１７ ２．２−ビス°−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−
ブチルフェニル）プロパン１６７重量部（４Ｑｍｏ１％
）と１，１′−ビス−（４，ヒドロキシフェニル）−ｐ
−ジイソプロピルベンゼン８５重量部（７Ｑｍｏ１％）
と４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニル
エタン１４３ 重ｉ 部（４０ｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。
０．１７％ 残存オリゴマー量０．７％ 実施例１７ ２．２−ビス°−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリ−
ブチルフェニル）プロパン１６７重量部（４Ｑｍｏ１％
）と１，１′−ビス−（４，ヒドロキシフェニル）−ｐ
−ジイソプロピルベンゼン８５重量部（７Ｑｍｏ１％）
と４，４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニル
エタン１４３ 重ｉ 部（４０ｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を実施例１と同様の方法で重
合した。
粘度平均分子量 Ｍｖ＝２１，０００
ガラス転移温度 Ｔｇ＝１４７℃
光弾性定数 Ｃ＝４４ブリュースターズ吸収率
０．２２％ 残存オリゴマー量０．７％ （記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。
０．２２％ 残存オリゴマー量０．７％ （記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。
即ち、実施例１，２に記載のポリカーボネート共重合体
を射出成形機（名板製作所製、ダイナメルター）？：用
いて直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成
形し、この基板上にＴｂ２３．５ Ｆｅ６４．２ＣＯ１
２，３（原子％）の合金ターゲットを用いてスパッタリ
ング装置（ＲＦスパッタリング装置、日本真空（株）製
）中で光磁気記録膜を１，０００人形成した。この記録
膜上に本出願人による特開昭６０−１７７４４９号に記
載の無機ガラスの保護膜１，０００人を上記と同じスパ
ッタリング装置を用いて形成した。得られた光磁気ディ
スクの性能をＣＮ比、ＢＥＲおよび６０℃９０ＲＨ％の
条件下でのＣＮ比変化率で評価した。結果は表１の通り
であった。
を射出成形機（名板製作所製、ダイナメルター）？：用
いて直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成
形し、この基板上にＴｂ２３．５ Ｆｅ６４．２ＣＯ１
２，３（原子％）の合金ターゲットを用いてスパッタリ
ング装置（ＲＦスパッタリング装置、日本真空（株）製
）中で光磁気記録膜を１，０００人形成した。この記録
膜上に本出願人による特開昭６０−１７７４４９号に記
載の無機ガラスの保護膜１，０００人を上記と同じスパ
ッタリング装置を用いて形成した。得られた光磁気ディ
スクの性能をＣＮ比、ＢＥＲおよび６０℃９０ＲＨ％の
条件下でのＣＮ比変化率で評価した。結果は表１の通り
であった。
表１
（注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
、読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分
解能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２） ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
℃，９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下度
（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大化
成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。
、読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分
解能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２） ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
℃，９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下度
（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大化
成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。
（発明の効果）
表１の結果かられかるように光弾性定数を小さくする芳
香族ポリカーボネート共重合体を用いることにより垂直
入射光のみならず斜め入射光による複屈折が小さいこと
が大きな要因となって光学式ディスクの記録再生特性及
び耐久性が向上する。
香族ポリカーボネート共重合体を用いることにより垂直
入射光のみならず斜め入射光による複屈折が小さいこと
が大きな要因となって光学式ディスクの記録再生特性及
び耐久性が向上する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一般式（ I ）、（II）、（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素又は炭素数１
〜８の直鎖又は枝分れを含むアルキル基、又はフェニル
基である。） から選ばれる２種類以上のビスフエノールを用いてカー
ボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重
合体。 （２）ジクロロメタンを用いて２０℃で測定した固有粘
度［η］から下記の式（IV）によって算出される粘度平
均分子量（＠Ｍ＠ｖ）が１５，０００〜２５，０００で
ある特許請求の範囲第１項記載の芳香族ポリカーボネー
ト共重合体。 ［η］＝１．１１×１０＾−＾４（＠Ｍ＠ｖ）０．８２
（IV）（３）該芳香族ポリカーボネート共重合体中に含
有される標準ポリスチレン換算の分子量（Ｍｗ）が５，
０００以下のオリゴマーの残存量が３％以下である特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の芳香族ポリカーボネ
ート共重合体。 （４）吸水率が０．３５％以下である特許請求の範囲第
１項又は第２項又は第３項記載の芳香族ポリカーボネー
ト共重合体。 （５）ガラス転移点（Ｔｇ）が１３０℃以上である特許
請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は第４項記載
の芳香族ポリカーボネート共重合体。 （６）光弾性定数が６０ブリュースターズ （Ｂｒｅｗｓｔｅｒｓ、１０＾−＾１＾２ｍ＾２／Ｎ）
以下である特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項
又は第４項又は第５項記載の芳香族ポリカーボネート共
重合体。 （７）成形された光学式ディスク基板について斜め入射
光によって測定される光学式ディスク基板の複屈折が４
×１０＾−＾４以下となる特許請求の範囲第１項又は第
２項又は第３項又は第４項又は第５項又は第６項記載の
芳香族ポリカーボネート共重合体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63251431A JPH0299521A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 芳香族ポリカーボネート共重合体 |
| EP19890118326 EP0362792A3 (en) | 1988-10-05 | 1989-10-03 | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63251431A JPH0299521A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 芳香族ポリカーボネート共重合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0299521A true JPH0299521A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17222740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63251431A Pending JPH0299521A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 芳香族ポリカーボネート共重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0299521A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02128336A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 |
| JPH02208840A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式ディスク基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 |
| WO2020250732A1 (ja) | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリカーボネート樹脂 |
Citations (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6155116A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカーボネートより成る射出成形材料 |
| JPS63199731A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63199729A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63199734A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63207820A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-29 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63207821A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-29 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63207822A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-29 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63223034A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Daicel Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト共重合体 |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP63251431A patent/JPH0299521A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6155116A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカーボネートより成る射出成形材料 |
| JPS63199731A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63199729A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63199734A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63207820A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-29 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63207821A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-29 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63207822A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-29 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
| JPS63223034A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Daicel Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト共重合体 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH02128336A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 |
| JPH02208840A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式ディスク基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 |
| WO2020250732A1 (ja) | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ポリカーボネート樹脂 |
| KR20220019094A (ko) | 2019-06-10 | 2022-02-15 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 폴리카보네이트 수지 |
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