JPS63223034A - ポリカ−ボネ−ト共重合体 - Google Patents

ポリカ−ボネ−ト共重合体

Info

Publication number
JPS63223034A
JPS63223034A JP62058602A JP5860287A JPS63223034A JP S63223034 A JPS63223034 A JP S63223034A JP 62058602 A JP62058602 A JP 62058602A JP 5860287 A JP5860287 A JP 5860287A JP S63223034 A JPS63223034 A JP S63223034A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hydroxyphenyl
bis
diisopropylbenzene
reaction
phosgene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62058602A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2575691B2 (ja
Inventor
Tatsuya Sugano
菅野 龍也
Ikuo Takahashi
郁夫 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daicel Chemical Industries Ltd filed Critical Daicel Chemical Industries Ltd
Priority to JP62058602A priority Critical patent/JP2575691B2/ja
Publication of JPS63223034A publication Critical patent/JPS63223034A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2575691B2 publication Critical patent/JP2575691B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はレーザー光線により信号を記録し、或いはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行う光学式情報記録用ディスクに、さらに広く光
学用素材として用いられるポリカーボネート共重合体に
関する。
〔従来の技術〕
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録し、或いはこのような
ピットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出す[1RAl
lI、εrasab Ie−ORjV型光学式情報記録
・再生方式は著しく記録密度を上げることができ、特に
Brasable−DRAW型では記録の消去・書き込
みも可能であり、且つそれらから再生される画像や音質
が優れた特性を有することから、画像や音声の記録又は
記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用されること
が期待されている。この記録再生方式に利用されるディ
スクにはディスク本体をレーザー光線が透過するために
透明であることは勿論のこと、読み取り誤差を少なくす
るために光学的均質性が強く求められる。ディスク本体
成形時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力
、分子配向、ガラス転移点付近の容積変化等による残留
応力が主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を
通過する際に複屈折が生ずる。
この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは光
学式ディスクとしては致命的欠陥である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で生
ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。
〔問題点を解決するための手段〕
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記式(1)
で表すことができる。
n、−n2=C(σ+  (72)   (1)式(1
)の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じでも得ら
れるディスクの複屈折が小さくなることは明らかである
。そこで発明者らは1.1′−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−ノ寸ラージイソプロピルベンゼンと1,1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼンをカーボネート結合によって共重合さ
せることによって、芳香族ポリカーボネートの機械的特
性を損ねることなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる
事実を見出し、本発明に至ったものである。
即ち本発明は、1,1°−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−パラ−ジイソプロピルベンゼン99〜1モル%
、好ましくは90〜10モル%と、1,1′−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベン
ゼン1〜99モル%、好ましくは10〜90モル%とを
カーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体に関する。
かくして本発明によれば、下記の式(I)、(I()で
示されるビスフェノールがカーボネート結合により共重
合してなる芳香族ポリカーボネート重合体が得られる。
[’)1.    CH。
式(II)の構成単位は1〜99モル%である。
式(II)の構成単位が1モル%未満であると得られる
芳香族ポリカーボネートの光弾性定数は式(I)よりな
るホモポリカーボネートとあまり変わらない。また式(
II)の構成単位が99モル%を超えると得られる芳香
族ポリカーボネートのガラス転移点が式(1)よりなる
ホモポリカーボネートに較べて著しく低下する。
本発明の共重合体の粘度平均分子量は1.000〜10
0.000が好ましく 、13.000〜50.000
が更に好ましい。1.000未満では成形品が脆くなり
、また100.000を越えると流動性が低下し成形性
に劣り、何れも光デイスク用樹脂として不向きである。
また、本発明のポリカーボネート共重合体は1.1’−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソプロ
ピルベンゼン、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−メタージイソプロピルベンゼンの他に第3成分
を共重合したものでもよい。かかる第3成分としては、
カーボネート結合をするものであれば何れでもよい。
その重合割合は物性を損なわない範囲で配合すればよい
本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては次
の二つの方法がある。
■ エステル交換法 l、1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−
ジイソプロピルベンゼン、1.1”−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの混
合物、これに対し化学量論的に当量よりやや過剰のジフ
ェニルカーボネートに、通常のカーボネート化触媒の存
在下、約160〜180℃の温度で常圧下、不活性ガス
を導入した条件で約30分反応させ、2時間かけて徐々
に減圧しながら約180〜220℃の温度下で最終的に
1QTorr、 220℃で前縮合を終了する。その後
、10Torr、  270℃で30分、5Torr、
 270℃で20分反応し、次いで0.5Torr以下
、好ましくは0.3 Torr 〜Q、 1Torrの
減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時間後縮合を進
める。
尚、カーボネート結合のためのカーボネート化触媒とし
ては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸化リ
チウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リン酸
水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸化第
1錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用
いることが好ましい。
■ ホスゲン法 三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。1,1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−バラ−ジイソプロピルベンゼン、1.1’−ビス−
(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベ
ンゼンの混合物を水酸化ナトリウム水溶液に溶かし、ジ
クロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲ
ンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるか
ら強力なドラフト中で操作する。また排気末端には水酸
化す) IJウム10%水溶液で余剰ホスゲンを分解無
毒化するユニットを付ける。ホスゲンはボンベから空の
洗気びん、パラフィンを入れた洗気びん(池数を数える
)、空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガス導
入管は撹拌機の上に差し込むようにし、析出するピリジ
ン塩によって詰まらないようにするため先端を漏斗状に
広げておく。
ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁っ
てくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
縮合の進行と共に粘稠になってくる。ホスゲン−塩化水
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレン
、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに
溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿して
精製する。
このようにして得られるポリカーボネート共重合体は、
レーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー光線
の反射又は透過により記録された信号の読み出しを行う
DRAW、 トDRAW型光学式情報記録用ディスクに
有用である。また広く光学用素材にも有用である。更に
工業用材料にも適用可能である。
〔実 施 例〕
以下に本発明を実施例について説明するが、本発明はこ
れらの実施例によって限定されるものではない。
尚、部、%は重量基準を示す。
実施例1 1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−
ジイソプロピルベンゼン374 部(90mo 1%)
ト、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メ
タージイソプロピルベンゼン42部(10mo 1%)
とジフェニルカーボネート264部を31三つロフラス
コに入れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シリ
コンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶
融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリ
ウムを予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビスフ
ェノール全量に対してIQ−3mo1%量)を加え、1
60℃、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下10
0Torrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下で
さらに50Torrに減圧し、30分反応させた。次に
徐々に温度を220℃まで上げ60分反応させ、フェノ
ール留出理論量の80%を留出させた。しかる後、同温
度下で10Torrに減圧し30分反応させ、温度を徐
々に270℃に上げ30分反応させた。さらに同温度下
で5Torrに減圧し30分反応させ、ここまでの反応
でフェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで2時
間後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に用いて20℃に
て溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均分
子量Vvは32.000であった。IRスペクトルを測
定すると1760〜1810Cm−’ にカーボネート
結合の特性吸収が見られた(図1)。また’ H−NM
Rを測定すると1.6tppmに1,1゛−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼ
ンに由来するメチル基水素の吸収、1.65ppmに1
,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)〜パラ−ジ
イソプロピルベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、
7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸収を観
測した(図2)。またDSC(ディファレンシャル・ス
キャニング・カロリメーター ; Perkin−Bl
mer 2C型)からガラス転移点はTg=145℃で
あることがわかった。更に光弾性定数を測定するとC=
64 Brewsters (IQ−12m2ハ)であ
ることがわかった。またNMRの積分値から生成したポ
リマーは1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−パラ−ジイソプロピルベンゼンと1.1°−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベン
ゼンが9=1のポリカーボネート共重合体であることが
確認できる。
測定に使用した機器はIRスペクトルメーター:日本分
光製IR−810、’l(−NMR;日本電子製JNM
−GX−270、DSC:ディファレンシャル・スキャ
ニング・カロリメーターPerkin−B1mer 2
C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定したが、光
弾性定数の算出方法は試験片(50mmx10mm x
 1mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加
し、発生する複屈折を測定し、前記式(1)に各々の値
を代入してその傾きから光弾性定数を求めた。因に2.
2−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)プロパンのポリ
カーボネートの光弾性定数はC=82 Brewste
rs (IQ−”m2/N)であった。
実施例2 三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1,1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラージイソ
プロピルベンゼン37413(90mo1%)と1,1
°−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼン42部(10mo1%)を溶かし、ジ
クロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲ
ンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん
、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコ
に導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25℃
以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は粘
稠になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色
が消えなくなる迄ホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返し
た。さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥したのち、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量「Vは35.000であった。また、実
施例1と同様に機器分析を行ったところ、実施例1と同
じ結果が得られたことから、生成したポリマーは1,1
°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼンと1.1°−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの9=1の
ポリカーボネートの共重合体であると確言忍することが
できる。
実施例3 1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−
ジイソプロピルベンゼン208 m (50mo 1%
)ト、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−
メタージイソプロピルベンゼン208部(50mo1%
)とジフェニルカーボネート264部を31三つロフラ
スコに入れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シ
リコンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。
溶融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カ
リウムを予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビス
フェノール全量に対して10−3mo1%りを加え、1
60℃、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下10
0Torrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下で
さらに50Torrに減圧し、30分反応させた。次に
徐々に温度を220℃まで上げ60分反応させ、ここま
での反応でフェノール留出理論量の80%を留出させた
。しかる後、同温度下で10Torrに減圧し30分反
応させ、温度を徐々に270℃に上げ30分反応させた
。さらに同温度下で5 Torrまで減圧し30分反応
させ、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮
合を終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで
2時間後槽合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取
り出し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒として用いて
20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘
度平均分子量[vは29.000であった。IRスペク
トルを測定すると1760〜1810cm−’にカーボ
ネート結合の特性吸収が見られた(図3)。また’ H
−NMRを測定すると1.61ppmに1.1′−ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピル
ベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、1.65pp
mに1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バ
ラ−ジイソプロピルベンゼンに由来するメチル基水素の
吸収、7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸
収を観測したく図4)。またDS、Cからガラス転移点
はTg=122℃であることがわかった。更に光弾性定
数を測定するとC=558rewsters(10”−
’ 2m”/N)であることがわかった。またNMRの
積分値から生成したポリマーは1,1°−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソプロピルベンゼン
と1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタ
ージイソプロピルベンゼンの5:5のポリカーボネート
共重合体であることが確認できる。
実施例4 三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1.1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼン208 B (50mo 1%)と1
,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージ
イソプロピルベンゼン208部(50mo1%〉を溶か
し、ジクロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながら
ホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗
気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフ
ラスコに導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は
25℃以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶
液は粘稠になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体
の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了
後、メタノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を
繰り返した。さらに生成したポリカーボネートはジクロ
ルメタンの溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥したのち、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量暇は33.000であった。また、実施
例3と同様に機器分析を行ったところ、実施例3と同じ
結果が得られたことから、生成したポリマーは1.1′
−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソプ
ロピルベンゼンと1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの5=5のポ
リカーボネートの共重合体であると確δ忍することがで
きる。
実施例5 ■、1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−
ジイソプロピルベンゼン42部(10mo1%)と、1
.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージ
イソプロピルベンゼン374部(90mo1%)とジフ
ェニルカーボネート264部を3β三つロフラスコに入
れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シリコンバ
ス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶融した
ら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを
予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビスフェノー
ル全量に対して10−’mo1%量)を加え、160℃
、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下100To
rrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下でさらに
50Torrに減圧し、30分反応させた。次に徐々に
温度を220℃まで上げ60分反応させ、ここまでの反
応でフェノール留出理論量の80%を留出させた。しか
る後、同温度下で10Torrに減圧し30分反応させ
、温度を徐々に270℃に上げ30分反応させた。さら
に同温度下で5 Torrまで減圧し30分反応させ、
フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終
えた。次に同温度下で0.1〜0.3TOrrで2時間
後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し
冷却した後、ジクロロメタンを溶媒として用いて20℃
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子1uvは30.000であった。IRスペクトルを
測定すると1760〜1810cm−’にカーボネート
結合の特性吸収が見られた(図5)。また’ H−NM
Rを測定すると1.61ppmに1,1′−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼ
ンに由来するメチル基水素の吸収、1.65ppmに1
.1”−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラージ
イソプロビルベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、
7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸収を観
測したく図6)。またDSCからガラス転移点はTg=
107℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとC=47 Brewsters(10−’ ”m
2/N)であることがわかった。またNMRの積分値か
ら生成したポリマーは1,1°−ビス−(4−ヒドロキ
シフェニル)−パラ−ジイソプロピルベンゼンと1.1
’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼンの1:9のポリカーボネート共重合体
であることが確認できる。
実施例6 三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1.1
゛−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼン42部(10mo1%)と1,1°−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロ
ピルベンゼン374N(90mo1%)を溶かし、ジク
ロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲン
ガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、
水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコに
導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25℃以
下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は粘稠
になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が
消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返し
た。さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥したのち、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量Mvは35.000であった。また、実
施例5と同様に機器分析を行ったところ、実施例5と同
じ結果が得られたことから、生成したポリマーは1,1
°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソ
プロピルベンゼンと1.1″−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの1:9の
ポリカーボネートの共重合体であるとm認することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
図1、図3、図5はそれぞれ実施例1.3.5で得られ
た本発明の共重合体のIRスペクトル、図2、図4、図
6、はそれぞれ実施例1.3.5で得られた本発明の共
重合体のNMRスペクトルである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 11、1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ
    −ジイソプロピルベンゼン99〜1モル%と1、1′−
    ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロ
    ピルベンゼン1〜99モル%とをカーボネート結合して
    得られる芳香族ポリカーボネート共重合体。
JP62058602A 1987-03-13 1987-03-13 ポリカ−ボネ−ト共重合体 Expired - Lifetime JP2575691B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62058602A JP2575691B2 (ja) 1987-03-13 1987-03-13 ポリカ−ボネ−ト共重合体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62058602A JP2575691B2 (ja) 1987-03-13 1987-03-13 ポリカ−ボネ−ト共重合体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63223034A true JPS63223034A (ja) 1988-09-16
JP2575691B2 JP2575691B2 (ja) 1997-01-29

Family

ID=13089062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62058602A Expired - Lifetime JP2575691B2 (ja) 1987-03-13 1987-03-13 ポリカ−ボネ−ト共重合体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2575691B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0299521A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Daicel Chem Ind Ltd 芳香族ポリカーボネート共重合体
JPH02128336A (ja) * 1988-11-07 1990-05-16 Daicel Chem Ind Ltd 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体
WO2000031168A1 (fr) * 1998-11-26 2000-06-02 Mitsui Chemicals, Incorporated Article moule teint
JP2002241599A (ja) * 2001-02-16 2002-08-28 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002332398A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002332400A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカ光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002332399A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002338798A (ja) * 2001-05-16 2002-11-27 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0299521A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Daicel Chem Ind Ltd 芳香族ポリカーボネート共重合体
JPH02128336A (ja) * 1988-11-07 1990-05-16 Daicel Chem Ind Ltd 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体
WO2000031168A1 (fr) * 1998-11-26 2000-06-02 Mitsui Chemicals, Incorporated Article moule teint
US6482916B1 (en) 1998-11-26 2002-11-19 Mitsui Chemicals, Inc. Dyed molded article
JP2002241599A (ja) * 2001-02-16 2002-08-28 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002332398A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002332399A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP4673997B2 (ja) * 2001-05-08 2011-04-20 帝人化成株式会社 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002332400A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカ光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板
JP2002338798A (ja) * 2001-05-16 2002-11-27 Teijin Chem Ltd 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP2575691B2 (ja) 1997-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0274092A2 (en) Polycarbonate copolymer and optical disk
JPS63223034A (ja) ポリカ−ボネ−ト共重合体
JP2562619B2 (ja) ポリカーボネート共重合体
JP2513717B2 (ja) ポリカ−ボネ−ト重合体
JP2565718B2 (ja) ポリカーボネート共重合体
JPS63207821A (ja) 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体
JP2565719B2 (ja) ポリカーボネート共重合体
JP2613038B2 (ja) ポリカーボネート共重合体
JP2513725B2 (ja) ポリカ―ボネ―ト共重合体
JP2559391B2 (ja) ポリカ−ボネ−ト共重合体
JPH01101327A (ja) 芳香族ポリカーボネート三元共重合体
JPS63207822A (ja) 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体
JPS63189433A (ja) ポリカ−ボネ−ト共重合体
JP2568413B2 (ja) ポリカーボネート共重合体
JPS63199734A (ja) 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体
JP2575683B2 (ja) ポリカ−ボネ−ト共重合体
JPS63207820A (ja) 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体
JPS63199731A (ja) 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体
JP2588727B2 (ja) ポリカーボネート共重合体
JPS6383128A (ja) ポリカ−ボネ−ト重合体
JPS63189431A (ja) ポリカ−ボネ−ト共重合体
JPS6383129A (ja) ポリカ−ボネ−ト共重合体
JPS63199729A (ja) 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体
JPS6389540A (ja) 光学式デイスク
JPS6389530A (ja) 光学式ディスク