JPS63223034A - ポリカ−ボネ−ト共重合体 - Google Patents
ポリカ−ボネ−ト共重合体Info
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- JPS63223034A JPS63223034A JP62058602A JP5860287A JPS63223034A JP S63223034 A JPS63223034 A JP S63223034A JP 62058602 A JP62058602 A JP 62058602A JP 5860287 A JP5860287 A JP 5860287A JP S63223034 A JPS63223034 A JP S63223034A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレーザー光線により信号を記録し、或いはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行う光学式情報記録用ディスクに、さらに広く光
学用素材として用いられるポリカーボネート共重合体に
関する。
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行う光学式情報記録用ディスクに、さらに広く光
学用素材として用いられるポリカーボネート共重合体に
関する。
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録し、或いはこのような
ピットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出す[1RAl
lI、εrasab Ie−ORjV型光学式情報記録
・再生方式は著しく記録密度を上げることができ、特に
Brasable−DRAW型では記録の消去・書き込
みも可能であり、且つそれらから再生される画像や音質
が優れた特性を有することから、画像や音声の記録又は
記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用されること
が期待されている。この記録再生方式に利用されるディ
スクにはディスク本体をレーザー光線が透過するために
透明であることは勿論のこと、読み取り誤差を少なくす
るために光学的均質性が強く求められる。ディスク本体
成形時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力
、分子配向、ガラス転移点付近の容積変化等による残留
応力が主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を
通過する際に複屈折が生ずる。
スクに微細なピットで信号を記録し、或いはこのような
ピットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出す[1RAl
lI、εrasab Ie−ORjV型光学式情報記録
・再生方式は著しく記録密度を上げることができ、特に
Brasable−DRAW型では記録の消去・書き込
みも可能であり、且つそれらから再生される画像や音質
が優れた特性を有することから、画像や音声の記録又は
記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用されること
が期待されている。この記録再生方式に利用されるディ
スクにはディスク本体をレーザー光線が透過するために
透明であることは勿論のこと、読み取り誤差を少なくす
るために光学的均質性が強く求められる。ディスク本体
成形時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力
、分子配向、ガラス転移点付近の容積変化等による残留
応力が主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を
通過する際に複屈折が生ずる。
この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは光
学式ディスクとしては致命的欠陥である。
学式ディスクとしては致命的欠陥である。
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で生
ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。
おいて生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で生
ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記式(1)
で表すことができる。
で表すことができる。
n、−n2=C(σ+ (72) (1)式(1
)の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じでも得ら
れるディスクの複屈折が小さくなることは明らかである
。そこで発明者らは1.1′−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−ノ寸ラージイソプロピルベンゼンと1,1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼンをカーボネート結合によって共重合さ
せることによって、芳香族ポリカーボネートの機械的特
性を損ねることなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる
事実を見出し、本発明に至ったものである。
)の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じでも得ら
れるディスクの複屈折が小さくなることは明らかである
。そこで発明者らは1.1′−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−ノ寸ラージイソプロピルベンゼンと1,1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼンをカーボネート結合によって共重合さ
せることによって、芳香族ポリカーボネートの機械的特
性を損ねることなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる
事実を見出し、本発明に至ったものである。
即ち本発明は、1,1°−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−パラ−ジイソプロピルベンゼン99〜1モル%
、好ましくは90〜10モル%と、1,1′−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベン
ゼン1〜99モル%、好ましくは10〜90モル%とを
カーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体に関する。
ニル)−パラ−ジイソプロピルベンゼン99〜1モル%
、好ましくは90〜10モル%と、1,1′−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベン
ゼン1〜99モル%、好ましくは10〜90モル%とを
カーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体に関する。
かくして本発明によれば、下記の式(I)、(I()で
示されるビスフェノールがカーボネート結合により共重
合してなる芳香族ポリカーボネート重合体が得られる。
示されるビスフェノールがカーボネート結合により共重
合してなる芳香族ポリカーボネート重合体が得られる。
[’)1. CH。
式(II)の構成単位は1〜99モル%である。
式(II)の構成単位が1モル%未満であると得られる
芳香族ポリカーボネートの光弾性定数は式(I)よりな
るホモポリカーボネートとあまり変わらない。また式(
II)の構成単位が99モル%を超えると得られる芳香
族ポリカーボネートのガラス転移点が式(1)よりなる
ホモポリカーボネートに較べて著しく低下する。
芳香族ポリカーボネートの光弾性定数は式(I)よりな
るホモポリカーボネートとあまり変わらない。また式(
II)の構成単位が99モル%を超えると得られる芳香
族ポリカーボネートのガラス転移点が式(1)よりなる
ホモポリカーボネートに較べて著しく低下する。
本発明の共重合体の粘度平均分子量は1.000〜10
0.000が好ましく 、13.000〜50.000
が更に好ましい。1.000未満では成形品が脆くなり
、また100.000を越えると流動性が低下し成形性
に劣り、何れも光デイスク用樹脂として不向きである。
0.000が好ましく 、13.000〜50.000
が更に好ましい。1.000未満では成形品が脆くなり
、また100.000を越えると流動性が低下し成形性
に劣り、何れも光デイスク用樹脂として不向きである。
また、本発明のポリカーボネート共重合体は1.1’−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソプロ
ピルベンゼン、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−メタージイソプロピルベンゼンの他に第3成分
を共重合したものでもよい。かかる第3成分としては、
カーボネート結合をするものであれば何れでもよい。
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソプロ
ピルベンゼン、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−メタージイソプロピルベンゼンの他に第3成分
を共重合したものでもよい。かかる第3成分としては、
カーボネート結合をするものであれば何れでもよい。
その重合割合は物性を損なわない範囲で配合すればよい
。
。
本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては次
の二つの方法がある。
の二つの方法がある。
■ エステル交換法
l、1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−
ジイソプロピルベンゼン、1.1”−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの混
合物、これに対し化学量論的に当量よりやや過剰のジフ
ェニルカーボネートに、通常のカーボネート化触媒の存
在下、約160〜180℃の温度で常圧下、不活性ガス
を導入した条件で約30分反応させ、2時間かけて徐々
に減圧しながら約180〜220℃の温度下で最終的に
1QTorr、 220℃で前縮合を終了する。その後
、10Torr、 270℃で30分、5Torr、
270℃で20分反応し、次いで0.5Torr以下
、好ましくは0.3 Torr 〜Q、 1Torrの
減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時間後縮合を進
める。
ジイソプロピルベンゼン、1.1”−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの混
合物、これに対し化学量論的に当量よりやや過剰のジフ
ェニルカーボネートに、通常のカーボネート化触媒の存
在下、約160〜180℃の温度で常圧下、不活性ガス
を導入した条件で約30分反応させ、2時間かけて徐々
に減圧しながら約180〜220℃の温度下で最終的に
1QTorr、 220℃で前縮合を終了する。その後
、10Torr、 270℃で30分、5Torr、
270℃で20分反応し、次いで0.5Torr以下
、好ましくは0.3 Torr 〜Q、 1Torrの
減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時間後縮合を進
める。
尚、カーボネート結合のためのカーボネート化触媒とし
ては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸化リ
チウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リン酸
水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸化第
1錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用
いることが好ましい。
ては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸化リ
チウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リン酸
水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸化第
1錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用
いることが好ましい。
■ ホスゲン法
三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。1,1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−バラ−ジイソプロピルベンゼン、1.1’−ビス−
(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベ
ンゼンの混合物を水酸化ナトリウム水溶液に溶かし、ジ
クロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲ
ンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるか
ら強力なドラフト中で操作する。また排気末端には水酸
化す) IJウム10%水溶液で余剰ホスゲンを分解無
毒化するユニットを付ける。ホスゲンはボンベから空の
洗気びん、パラフィンを入れた洗気びん(池数を数える
)、空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガス導
入管は撹拌機の上に差し込むようにし、析出するピリジ
ン塩によって詰まらないようにするため先端を漏斗状に
広げておく。
を付ける。1,1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−バラ−ジイソプロピルベンゼン、1.1’−ビス−
(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベ
ンゼンの混合物を水酸化ナトリウム水溶液に溶かし、ジ
クロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲ
ンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるか
ら強力なドラフト中で操作する。また排気末端には水酸
化す) IJウム10%水溶液で余剰ホスゲンを分解無
毒化するユニットを付ける。ホスゲンはボンベから空の
洗気びん、パラフィンを入れた洗気びん(池数を数える
)、空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガス導
入管は撹拌機の上に差し込むようにし、析出するピリジ
ン塩によって詰まらないようにするため先端を漏斗状に
広げておく。
ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁っ
てくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
てくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
縮合の進行と共に粘稠になってくる。ホスゲン−塩化水
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレン
、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに
溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿して
精製する。
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレン
、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに
溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿して
精製する。
このようにして得られるポリカーボネート共重合体は、
レーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー光線
の反射又は透過により記録された信号の読み出しを行う
DRAW、 トDRAW型光学式情報記録用ディスクに
有用である。また広く光学用素材にも有用である。更に
工業用材料にも適用可能である。
レーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー光線
の反射又は透過により記録された信号の読み出しを行う
DRAW、 トDRAW型光学式情報記録用ディスクに
有用である。また広く光学用素材にも有用である。更に
工業用材料にも適用可能である。
以下に本発明を実施例について説明するが、本発明はこ
れらの実施例によって限定されるものではない。
れらの実施例によって限定されるものではない。
尚、部、%は重量基準を示す。
実施例1
1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−
ジイソプロピルベンゼン374 部(90mo 1%)
ト、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メ
タージイソプロピルベンゼン42部(10mo 1%)
とジフェニルカーボネート264部を31三つロフラス
コに入れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シリ
コンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶
融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリ
ウムを予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビスフ
ェノール全量に対してIQ−3mo1%量)を加え、1
60℃、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下10
0Torrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下で
さらに50Torrに減圧し、30分反応させた。次に
徐々に温度を220℃まで上げ60分反応させ、フェノ
ール留出理論量の80%を留出させた。しかる後、同温
度下で10Torrに減圧し30分反応させ、温度を徐
々に270℃に上げ30分反応させた。さらに同温度下
で5Torrに減圧し30分反応させ、ここまでの反応
でフェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで2時
間後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に用いて20℃に
て溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均分
子量Vvは32.000であった。IRスペクトルを測
定すると1760〜1810Cm−’ にカーボネート
結合の特性吸収が見られた(図1)。また’ H−NM
Rを測定すると1.6tppmに1,1゛−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼ
ンに由来するメチル基水素の吸収、1.65ppmに1
,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)〜パラ−ジ
イソプロピルベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、
7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸収を観
測した(図2)。またDSC(ディファレンシャル・ス
キャニング・カロリメーター ; Perkin−Bl
mer 2C型)からガラス転移点はTg=145℃で
あることがわかった。更に光弾性定数を測定するとC=
64 Brewsters (IQ−12m2ハ)であ
ることがわかった。またNMRの積分値から生成したポ
リマーは1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−パラ−ジイソプロピルベンゼンと1.1°−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベン
ゼンが9=1のポリカーボネート共重合体であることが
確認できる。
ジイソプロピルベンゼン374 部(90mo 1%)
ト、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メ
タージイソプロピルベンゼン42部(10mo 1%)
とジフェニルカーボネート264部を31三つロフラス
コに入れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シリ
コンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶
融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリ
ウムを予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビスフ
ェノール全量に対してIQ−3mo1%量)を加え、1
60℃、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下10
0Torrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下で
さらに50Torrに減圧し、30分反応させた。次に
徐々に温度を220℃まで上げ60分反応させ、フェノ
ール留出理論量の80%を留出させた。しかる後、同温
度下で10Torrに減圧し30分反応させ、温度を徐
々に270℃に上げ30分反応させた。さらに同温度下
で5Torrに減圧し30分反応させ、ここまでの反応
でフェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで2時
間後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に用いて20℃に
て溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均分
子量Vvは32.000であった。IRスペクトルを測
定すると1760〜1810Cm−’ にカーボネート
結合の特性吸収が見られた(図1)。また’ H−NM
Rを測定すると1.6tppmに1,1゛−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼ
ンに由来するメチル基水素の吸収、1.65ppmに1
,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)〜パラ−ジ
イソプロピルベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、
7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸収を観
測した(図2)。またDSC(ディファレンシャル・ス
キャニング・カロリメーター ; Perkin−Bl
mer 2C型)からガラス転移点はTg=145℃で
あることがわかった。更に光弾性定数を測定するとC=
64 Brewsters (IQ−12m2ハ)であ
ることがわかった。またNMRの積分値から生成したポ
リマーは1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−パラ−ジイソプロピルベンゼンと1.1°−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベン
ゼンが9=1のポリカーボネート共重合体であることが
確認できる。
測定に使用した機器はIRスペクトルメーター:日本分
光製IR−810、’l(−NMR;日本電子製JNM
−GX−270、DSC:ディファレンシャル・スキャ
ニング・カロリメーターPerkin−B1mer 2
C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定したが、光
弾性定数の算出方法は試験片(50mmx10mm x
1mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加
し、発生する複屈折を測定し、前記式(1)に各々の値
を代入してその傾きから光弾性定数を求めた。因に2.
2−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)プロパンのポリ
カーボネートの光弾性定数はC=82 Brewste
rs (IQ−”m2/N)であった。
光製IR−810、’l(−NMR;日本電子製JNM
−GX−270、DSC:ディファレンシャル・スキャ
ニング・カロリメーターPerkin−B1mer 2
C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定したが、光
弾性定数の算出方法は試験片(50mmx10mm x
1mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加
し、発生する複屈折を測定し、前記式(1)に各々の値
を代入してその傾きから光弾性定数を求めた。因に2.
2−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)プロパンのポリ
カーボネートの光弾性定数はC=82 Brewste
rs (IQ−”m2/N)であった。
実施例2
三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1,1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラージイソ
プロピルベンゼン37413(90mo1%)と1,1
°−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼン42部(10mo1%)を溶かし、ジ
クロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲ
ンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん
、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコ
に導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25℃
以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は粘
稠になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色
が消えなくなる迄ホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返し
た。さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1,1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラージイソ
プロピルベンゼン37413(90mo1%)と1,1
°−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼン42部(10mo1%)を溶かし、ジ
クロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲ
ンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん
、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコ
に導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25℃
以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は粘
稠になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色
が消えなくなる迄ホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返し
た。さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥したのち、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量「Vは35.000であった。また、実
施例1と同様に機器分析を行ったところ、実施例1と同
じ結果が得られたことから、生成したポリマーは1,1
°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼンと1.1°−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの9=1の
ポリカーボネートの共重合体であると確言忍することが
できる。
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量「Vは35.000であった。また、実
施例1と同様に機器分析を行ったところ、実施例1と同
じ結果が得られたことから、生成したポリマーは1,1
°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼンと1.1°−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの9=1の
ポリカーボネートの共重合体であると確言忍することが
できる。
実施例3
1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−
ジイソプロピルベンゼン208 m (50mo 1%
)ト、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−
メタージイソプロピルベンゼン208部(50mo1%
)とジフェニルカーボネート264部を31三つロフラ
スコに入れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シ
リコンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。
ジイソプロピルベンゼン208 m (50mo 1%
)ト、1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−
メタージイソプロピルベンゼン208部(50mo1%
)とジフェニルカーボネート264部を31三つロフラ
スコに入れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シ
リコンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。
溶融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カ
リウムを予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビス
フェノール全量に対して10−3mo1%りを加え、1
60℃、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下10
0Torrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下で
さらに50Torrに減圧し、30分反応させた。次に
徐々に温度を220℃まで上げ60分反応させ、ここま
での反応でフェノール留出理論量の80%を留出させた
。しかる後、同温度下で10Torrに減圧し30分反
応させ、温度を徐々に270℃に上げ30分反応させた
。さらに同温度下で5 Torrまで減圧し30分反応
させ、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮
合を終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで
2時間後槽合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取
り出し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒として用いて
20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘
度平均分子量[vは29.000であった。IRスペク
トルを測定すると1760〜1810cm−’にカーボ
ネート結合の特性吸収が見られた(図3)。また’ H
−NMRを測定すると1.61ppmに1.1′−ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピル
ベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、1.65pp
mに1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バ
ラ−ジイソプロピルベンゼンに由来するメチル基水素の
吸収、7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸
収を観測したく図4)。またDS、Cからガラス転移点
はTg=122℃であることがわかった。更に光弾性定
数を測定するとC=558rewsters(10”−
’ 2m”/N)であることがわかった。またNMRの
積分値から生成したポリマーは1,1°−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソプロピルベンゼン
と1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタ
ージイソプロピルベンゼンの5:5のポリカーボネート
共重合体であることが確認できる。
リウムを予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビス
フェノール全量に対して10−3mo1%りを加え、1
60℃、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下10
0Torrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下で
さらに50Torrに減圧し、30分反応させた。次に
徐々に温度を220℃まで上げ60分反応させ、ここま
での反応でフェノール留出理論量の80%を留出させた
。しかる後、同温度下で10Torrに減圧し30分反
応させ、温度を徐々に270℃に上げ30分反応させた
。さらに同温度下で5 Torrまで減圧し30分反応
させ、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮
合を終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで
2時間後槽合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取
り出し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒として用いて
20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘
度平均分子量[vは29.000であった。IRスペク
トルを測定すると1760〜1810cm−’にカーボ
ネート結合の特性吸収が見られた(図3)。また’ H
−NMRを測定すると1.61ppmに1.1′−ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピル
ベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、1.65pp
mに1.1’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バ
ラ−ジイソプロピルベンゼンに由来するメチル基水素の
吸収、7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸
収を観測したく図4)。またDS、Cからガラス転移点
はTg=122℃であることがわかった。更に光弾性定
数を測定するとC=558rewsters(10”−
’ 2m”/N)であることがわかった。またNMRの
積分値から生成したポリマーは1,1°−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソプロピルベンゼン
と1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタ
ージイソプロピルベンゼンの5:5のポリカーボネート
共重合体であることが確認できる。
実施例4
三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1.1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼン208 B (50mo 1%)と1
,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージ
イソプロピルベンゼン208部(50mo1%〉を溶か
し、ジクロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながら
ホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗
気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフ
ラスコに導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は
25℃以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶
液は粘稠になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体
の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了
後、メタノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を
繰り返した。さらに生成したポリカーボネートはジクロ
ルメタンの溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1.1
′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼン208 B (50mo 1%)と1
,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージ
イソプロピルベンゼン208部(50mo1%〉を溶か
し、ジクロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながら
ホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗
気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフ
ラスコに導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は
25℃以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶
液は粘稠になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体
の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了
後、メタノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を
繰り返した。さらに生成したポリカーボネートはジクロ
ルメタンの溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥したのち、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量暇は33.000であった。また、実施
例3と同様に機器分析を行ったところ、実施例3と同じ
結果が得られたことから、生成したポリマーは1.1′
−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソプ
ロピルベンゼンと1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの5=5のポ
リカーボネートの共重合体であると確δ忍することがで
きる。
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量暇は33.000であった。また、実施
例3と同様に機器分析を行ったところ、実施例3と同じ
結果が得られたことから、生成したポリマーは1.1′
−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソプ
ロピルベンゼンと1.1°−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの5=5のポ
リカーボネートの共重合体であると確δ忍することがで
きる。
実施例5
■、1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−
ジイソプロピルベンゼン42部(10mo1%)と、1
.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージ
イソプロピルベンゼン374部(90mo1%)とジフ
ェニルカーボネート264部を3β三つロフラスコに入
れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シリコンバ
ス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶融した
ら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを
予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビスフェノー
ル全量に対して10−’mo1%量)を加え、160℃
、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下100To
rrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下でさらに
50Torrに減圧し、30分反応させた。次に徐々に
温度を220℃まで上げ60分反応させ、ここまでの反
応でフェノール留出理論量の80%を留出させた。しか
る後、同温度下で10Torrに減圧し30分反応させ
、温度を徐々に270℃に上げ30分反応させた。さら
に同温度下で5 Torrまで減圧し30分反応させ、
フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終
えた。次に同温度下で0.1〜0.3TOrrで2時間
後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し
冷却した後、ジクロロメタンを溶媒として用いて20℃
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子1uvは30.000であった。IRスペクトルを
測定すると1760〜1810cm−’にカーボネート
結合の特性吸収が見られた(図5)。また’ H−NM
Rを測定すると1.61ppmに1,1′−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼ
ンに由来するメチル基水素の吸収、1.65ppmに1
.1”−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラージ
イソプロビルベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、
7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸収を観
測したく図6)。またDSCからガラス転移点はTg=
107℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとC=47 Brewsters(10−’ ”m
2/N)であることがわかった。またNMRの積分値か
ら生成したポリマーは1,1°−ビス−(4−ヒドロキ
シフェニル)−パラ−ジイソプロピルベンゼンと1.1
’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼンの1:9のポリカーボネート共重合体
であることが確認できる。
ジイソプロピルベンゼン42部(10mo1%)と、1
.1°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージ
イソプロピルベンゼン374部(90mo1%)とジフ
ェニルカーボネート264部を3β三つロフラスコに入
れ、脱気、窒素パージを5回繰り返した後、シリコンバ
ス160℃で窒素を導入しながら溶融させた。溶融した
ら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを
予めフェノールに溶かした溶液(仕込んだビスフェノー
ル全量に対して10−’mo1%量)を加え、160℃
、N2下30分撹拌醸成した。次に同温度下100To
rrに減圧し、30分撹拌したのち、同温度下でさらに
50Torrに減圧し、30分反応させた。次に徐々に
温度を220℃まで上げ60分反応させ、ここまでの反
応でフェノール留出理論量の80%を留出させた。しか
る後、同温度下で10Torrに減圧し30分反応させ
、温度を徐々に270℃に上げ30分反応させた。さら
に同温度下で5 Torrまで減圧し30分反応させ、
フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終
えた。次に同温度下で0.1〜0.3TOrrで2時間
後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し
冷却した後、ジクロロメタンを溶媒として用いて20℃
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子1uvは30.000であった。IRスペクトルを
測定すると1760〜1810cm−’にカーボネート
結合の特性吸収が見られた(図5)。また’ H−NM
Rを測定すると1.61ppmに1,1′−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロピルベンゼ
ンに由来するメチル基水素の吸収、1.65ppmに1
.1”−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラージ
イソプロビルベンゼンに由来するメチル基水素の吸収、
7.2〜7.5ppmにフェニル基に由来する吸収を観
測したく図6)。またDSCからガラス転移点はTg=
107℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとC=47 Brewsters(10−’ ”m
2/N)であることがわかった。またNMRの積分値か
ら生成したポリマーは1,1°−ビス−(4−ヒドロキ
シフェニル)−パラ−ジイソプロピルベンゼンと1.1
’−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソ
プロピルベンゼンの1:9のポリカーボネート共重合体
であることが確認できる。
実施例6
三つロフラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1.1
゛−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼン42部(10mo1%)と1,1°−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロ
ピルベンゼン374N(90mo1%)を溶かし、ジク
ロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲン
ガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、
水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコに
導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25℃以
下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は粘稠
になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が
消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返し
た。さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
を付ける。水酸化す) IJウム10%水溶液に1.1
゛−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ−ジイソ
プロピルベンゼン42部(10mo1%)と1,1°−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロ
ピルベンゼン374N(90mo1%)を溶かし、ジク
ロロメタンを加え、これを激しく撹拌しながらホスゲン
ガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、
水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコに
導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25℃以
下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は粘稠
になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が
消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返し
た。さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥したのち、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量Mvは35.000であった。また、実
施例5と同様に機器分析を行ったところ、実施例5と同
じ結果が得られたことから、生成したポリマーは1,1
°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソ
プロピルベンゼンと1.1″−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの1:9の
ポリカーボネートの共重合体であるとm認することがで
きる。
て20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出した
粘度平均分子量Mvは35.000であった。また、実
施例5と同様に機器分析を行ったところ、実施例5と同
じ結果が得られたことから、生成したポリマーは1,1
°−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バラ−ジイソ
プロピルベンゼンと1.1″−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−メタージイソプロピルベンゼンの1:9の
ポリカーボネートの共重合体であるとm認することがで
きる。
図1、図3、図5はそれぞれ実施例1.3.5で得られ
た本発明の共重合体のIRスペクトル、図2、図4、図
6、はそれぞれ実施例1.3.5で得られた本発明の共
重合体のNMRスペクトルである。
た本発明の共重合体のIRスペクトル、図2、図4、図
6、はそれぞれ実施例1.3.5で得られた本発明の共
重合体のNMRスペクトルである。
Claims (1)
- 11、1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−パラ
−ジイソプロピルベンゼン99〜1モル%と1、1′−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−メタージイソプロ
ピルベンゼン1〜99モル%とをカーボネート結合して
得られる芳香族ポリカーボネート共重合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62058602A JP2575691B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ポリカ−ボネ−ト共重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62058602A JP2575691B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ポリカ−ボネ−ト共重合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63223034A true JPS63223034A (ja) | 1988-09-16 |
JP2575691B2 JP2575691B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=13089062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62058602A Expired - Lifetime JP2575691B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ポリカ−ボネ−ト共重合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2575691B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0299521A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリカーボネート共重合体 |
JPH02128336A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 |
WO2000031168A1 (fr) * | 1998-11-26 | 2000-06-02 | Mitsui Chemicals, Incorporated | Article moule teint |
JP2002241599A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332398A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332400A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカ光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332399A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002338798A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62058602A patent/JP2575691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH02128336A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式ディクス基板用芳香族ポリカーボネート共重合体 |
WO2000031168A1 (fr) * | 1998-11-26 | 2000-06-02 | Mitsui Chemicals, Incorporated | Article moule teint |
US6482916B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-11-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Dyed molded article |
JP2002241599A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332398A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332399A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP4673997B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-04-20 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332400A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカ光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002338798A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2575691B2 (ja) | 1997-01-29 |
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