JPH0294145A - 光カードの製造方法 - Google Patents
光カードの製造方法Info
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- JPH0294145A JPH0294145A JP24762588A JP24762588A JPH0294145A JP H0294145 A JPH0294145 A JP H0294145A JP 24762588 A JP24762588 A JP 24762588A JP 24762588 A JP24762588 A JP 24762588A JP H0294145 A JPH0294145 A JP H0294145A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光学的に書込み可能な光カードの製造方法に関
する。
する。
〈従来の技術〉
従来より、キャッシュカード、クレジットカード等に用
いられている磁気カードに代わり、膨大な記憶容量を有
する光カードが現在提案されている。
いられている磁気カードに代わり、膨大な記憶容量を有
する光カードが現在提案されている。
特に情報の書き込みが可能であるダイレクト・リード・
アフタ・ライト(DRAW)形式の光学記録方法につい
ては従来より記録原理及び記録材料が多数提案されてき
ており、DRAW形式の光カードは記録方法として光記
録材料をレーザ光の照射により物理的、化学的に変化せ
しめる、いわゆるヒートモード記録によりリーダライタ
におけるデジタル信号と対応して記録媒体上に情報をデ
ジタル的に表現するものである。光カードに対して信転
性の高い情報の記録及び再生のために、レーザビームを
光記録部に精度よくかつ正確に走査させねばならない。
アフタ・ライト(DRAW)形式の光学記録方法につい
ては従来より記録原理及び記録材料が多数提案されてき
ており、DRAW形式の光カードは記録方法として光記
録材料をレーザ光の照射により物理的、化学的に変化せ
しめる、いわゆるヒートモード記録によりリーダライタ
におけるデジタル信号と対応して記録媒体上に情報をデ
ジタル的に表現するものである。光カードに対して信転
性の高い情報の記録及び再生のために、レーザビームを
光記録部に精度よくかつ正確に走査させねばならない。
そのためレーザビームの制御用として追従目標となるト
ラッキングガイドを光記録部に安定性よく精密に形成す
る必要がある。
ラッキングガイドを光記録部に安定性よく精密に形成す
る必要がある。
レジスト及びレジストパターン上に積層されている金属
薄膜層も同時に剥離し、トラッキングガイド及びプリフ
ォーマットパターンが形成される。
薄膜層も同時に剥離し、トラッキングガイド及びプリフ
ォーマットパターンが形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉
トランキングガイド及びプリフォーマットパターンを光
の反射率の相異から検出する方式(以下濃淡検出)が提
案されており、特に後者は光学的低反射層と光学的高反
射層とを組み合わせたものであり、これらにトラッキン
グガイドとプリフォーマットパターンを対応させ、光記
録部を形成したものである。この濃淡検出による光カー
ドのトラッキングガイド及びプリフォーマットパターン
の作成をリフトオフ法により行う方法があり、サイドエ
ンチを生じないという利点を有する。この方法はカード
基材或いは透明基材」二にフォトレジストを塗布し、ト
ラッキングガイド及びプリフォーマットパターンが形成
されたフォトマスクを介して露光、現像後得られたレジ
ストパターンに金属薄膜層を積層し、これにレジスト剥
離液に浸して;( すなわち割れ或いはひびが生じていることが必要であり
、よってこの割れ或いはひびよりレジスト剥離液を染み
込ませ、レジストを剥離させるのでその割れ方、ひびが
均一に生じていないとレジストの剥離が均一にできず、
除去すべき金属薄膜が残存し、そのためパターンの形成
が不正確となり、パターン形成不良となる問題があった
。また、金属薄膜がレジストパターンの段で割れるため
にはレジスト膜厚が厚く、切り立っている必要がある。
の反射率の相異から検出する方式(以下濃淡検出)が提
案されており、特に後者は光学的低反射層と光学的高反
射層とを組み合わせたものであり、これらにトラッキン
グガイドとプリフォーマットパターンを対応させ、光記
録部を形成したものである。この濃淡検出による光カー
ドのトラッキングガイド及びプリフォーマットパターン
の作成をリフトオフ法により行う方法があり、サイドエ
ンチを生じないという利点を有する。この方法はカード
基材或いは透明基材」二にフォトレジストを塗布し、ト
ラッキングガイド及びプリフォーマットパターンが形成
されたフォトマスクを介して露光、現像後得られたレジ
ストパターンに金属薄膜層を積層し、これにレジスト剥
離液に浸して;( すなわち割れ或いはひびが生じていることが必要であり
、よってこの割れ或いはひびよりレジスト剥離液を染み
込ませ、レジストを剥離させるのでその割れ方、ひびが
均一に生じていないとレジストの剥離が均一にできず、
除去すべき金属薄膜が残存し、そのためパターンの形成
が不正確となり、パターン形成不良となる問題があった
。また、金属薄膜がレジストパターンの段で割れるため
にはレジスト膜厚が厚く、切り立っている必要がある。
そこで本発明は金属薄膜層下のレジストパターンを確実
に除去し、トラッキングガイド及びプリフォーマットデ
ータを正確に形成する光カードの製造方法を提供するも
のである。
に除去し、トラッキングガイド及びプリフォーマットデ
ータを正確に形成する光カードの製造方法を提供するも
のである。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は上記目的を達成すべくなされたものであり、透
明基板上にフォトレジストを塗布し、トラッキングガイ
ド及びプリフォーマットのパターンが形成されたフォト
マスクを介して露光を行い、現像し、レジストパターン
を形成した後、その上に金属薄膜層を積層し、しかる後
リフトオフ法で金属薄膜層が積層されたレジストパター
ンを除去して前記パターンを模写した金属薄膜層を形成
し、その上に光記録層を積層した後、接着剤層を介して
カード基材に接着し、カード寸法に打ち抜く光カードの
製造方法において、前記リフトオフ法による前記レジス
トパターン除去時に細線パターンを有するスタンバによ
って前記レジストパターン上の金属薄膜層の表面を押圧
変形せしめることを特徴とする光カードの製造方法であ
る。
明基板上にフォトレジストを塗布し、トラッキングガイ
ド及びプリフォーマットのパターンが形成されたフォト
マスクを介して露光を行い、現像し、レジストパターン
を形成した後、その上に金属薄膜層を積層し、しかる後
リフトオフ法で金属薄膜層が積層されたレジストパター
ンを除去して前記パターンを模写した金属薄膜層を形成
し、その上に光記録層を積層した後、接着剤層を介して
カード基材に接着し、カード寸法に打ち抜く光カードの
製造方法において、前記リフトオフ法による前記レジス
トパターン除去時に細線パターンを有するスタンバによ
って前記レジストパターン上の金属薄膜層の表面を押圧
変形せしめることを特徴とする光カードの製造方法であ
る。
〈作用〉
本発明によればリフトオフ法のレジスト除去時に、レジ
ストパターン」二に積層された金属薄膜層を細線パター
ンを有するスタンパにより押圧変形させ、金属薄膜に亀
裂等を生しさせるため、レジスト層へのレジスト剥離液
が浸入し易くするため、レジストの除去効率及び除去精
度が向上する。
ストパターン」二に積層された金属薄膜層を細線パター
ンを有するスタンパにより押圧変形させ、金属薄膜に亀
裂等を生しさせるため、レジスト層へのレジスト剥離液
が浸入し易くするため、レジストの除去効率及び除去精
度が向上する。
〈実施例〉
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図(a)乃至()は、本発明の光カードの製造工程
を示したものである。第1図(a)に示すように透明基
材(1)にフォトレジスト層(2)を設ける。透明基材
(1)は記録再生に使用する光源の波長域で透過率が高
(、かつ後工程において変形、劣化等を生じることなく
、また機械的強度、光学的特性を満たすものであれば特
に限定されるものでなく、ポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ塩化ビニ
ル樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレンポリカーボネー
トブレンド樹脂等がある。
を示したものである。第1図(a)に示すように透明基
材(1)にフォトレジスト層(2)を設ける。透明基材
(1)は記録再生に使用する光源の波長域で透過率が高
(、かつ後工程において変形、劣化等を生じることなく
、また機械的強度、光学的特性を満たすものであれば特
に限定されるものでなく、ポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ塩化ビニ
ル樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレンポリカーボネー
トブレンド樹脂等がある。
レジスト層(2)に使用されるフォトレジストとしては
、通常の紫外線照射型レジスト、DeepU■(遠紫外
線)レジスト、電子線レジスト、χ線しジスト等があり
、使用する光源とそれによりトランキングガイド及びプ
リフォーマットのパターンを精密かつ正確に再現できる
レジストを選び使用する。これらの中で露光装置等も含
めて比較的簡単に取り扱えるものは通常の紫外線照射型
のフォトレジストである。そして現像中で露光部が溶は
出ずポジ型のものが一般によく用いられている。
、通常の紫外線照射型レジスト、DeepU■(遠紫外
線)レジスト、電子線レジスト、χ線しジスト等があり
、使用する光源とそれによりトランキングガイド及びプ
リフォーマットのパターンを精密かつ正確に再現できる
レジストを選び使用する。これらの中で露光装置等も含
めて比較的簡単に取り扱えるものは通常の紫外線照射型
のフォトレジストである。そして現像中で露光部が溶は
出ずポジ型のものが一般によく用いられている。
その代表的なものには、AZシリーズ(Hoechst
社) 、Micro Po5itシリーズ (S hi
pley社) OF P Rシリーズ(東京応化)、
KMPRシリーズ(Kodak社)等がある。ネガ型(
露光部が硬化する)と比較して、耐薬品性等で必ずしも
勝ったものとはいえないが、解像力の点で優れており、
微mパターンの形成に良く用いられている。
社) 、Micro Po5itシリーズ (S hi
pley社) OF P Rシリーズ(東京応化)、
KMPRシリーズ(Kodak社)等がある。ネガ型(
露光部が硬化する)と比較して、耐薬品性等で必ずしも
勝ったものとはいえないが、解像力の点で優れており、
微mパターンの形成に良く用いられている。
フォトレジストの塗布方法には、デツピング法やローラ
コータ法、スプレー法等があるが、ガラス板上に適下し
たレジストを回転による遠心力によって飛散させ、ガラ
ス表面に成膜するスピニング法が、その精度と実用上の
簡便さから望ましい方法といえる。そして膜厚は一般に
レジストの濃度とスピナーの回転数で制御できるため、
希望する膜厚にレジストの塗布が可能である。
コータ法、スプレー法等があるが、ガラス板上に適下し
たレジストを回転による遠心力によって飛散させ、ガラ
ス表面に成膜するスピニング法が、その精度と実用上の
簡便さから望ましい方法といえる。そして膜厚は一般に
レジストの濃度とスピナーの回転数で制御できるため、
希望する膜厚にレジストの塗布が可能である。
塗布後、塗布膜から溶剤を除去するためにプリベータを
行う。
行う。
次にレジスト層(2)にトラッキングガイド及びプリフ
ォーマットのパターンの形成されたフォトマスク(3)
を介してマスク露光し、上記パターンの潜像を形成する
(第1図(b))。
ォーマットのパターンの形成されたフォトマスク(3)
を介してマスク露光し、上記パターンの潜像を形成する
(第1図(b))。
この場合露光装置は密着型および投影型があるが上記パ
ターンを高精度に焼き付は可能であればどちらでもよい
。
ターンを高精度に焼き付は可能であればどちらでもよい
。
そして現像してレジストパターンを形成した後、その上
に金属薄膜層(4)を積層する(第1図(C))。
に金属薄膜層(4)を積層する(第1図(C))。
金属薄膜層(4)は、M、 Cr、 Ni、 Ag、、
Au、等の金属及び合金を真空蒸着、イオンブレーティ
ング、スパッタリング等の手段で形成する。
Au、等の金属及び合金を真空蒸着、イオンブレーティ
ング、スパッタリング等の手段で形成する。
次にミリメートル当り数百本〜数千木の線数を有するス
タンバ(8)をレジストパターン上の金属薄膜層(4)
の表面を押圧する(第1図(d))。このスタンパは金
属面をμm単位の精密切削で作製、或いは三光束干渉露
光法で作製した干渉縞スタンバである。第2図(a)お
よび働)はスタンバ(8)の押圧時のレジストパターン
上の金属薄膜層(4)の部分拡大図であり、レジストパ
ターン上の金属薄膜層(4)の表面がスタンパの形状に
変形し、金属薄膜に亀裂等を生しる。
タンバ(8)をレジストパターン上の金属薄膜層(4)
の表面を押圧する(第1図(d))。このスタンパは金
属面をμm単位の精密切削で作製、或いは三光束干渉露
光法で作製した干渉縞スタンバである。第2図(a)お
よび働)はスタンバ(8)の押圧時のレジストパターン
上の金属薄膜層(4)の部分拡大図であり、レジストパ
ターン上の金属薄膜層(4)の表面がスタンパの形状に
変形し、金属薄膜に亀裂等を生しる。
これをレジスト剥離液に浸し、レジストを剥離させ、ト
ラッキングガイド及びプリフォーマットのパターンが形
成された金属薄膜層(4)が形成される(第1図(e)
)。さらにこの上面に光記録層(5)を積層する(第1
図(f))。光記録層(5)に用いられる光記録材料は
特に限定されるものでもなく、Te、Bi、 5nXS
e、 Pb、等の金属及び合金、Te−Te0等の金属
と金属酸化物の組合わせ、シアニン、フタロシアニン、
アザアヌレン等の色素及び色素バインダー毛といったも
のが使用できる。積層方法も光記録材料に応して、真空
蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、スピニ
ング法、ローラフタ法等を用いることができる。
ラッキングガイド及びプリフォーマットのパターンが形
成された金属薄膜層(4)が形成される(第1図(e)
)。さらにこの上面に光記録層(5)を積層する(第1
図(f))。光記録層(5)に用いられる光記録材料は
特に限定されるものでもなく、Te、Bi、 5nXS
e、 Pb、等の金属及び合金、Te−Te0等の金属
と金属酸化物の組合わせ、シアニン、フタロシアニン、
アザアヌレン等の色素及び色素バインダー毛といったも
のが使用できる。積層方法も光記録材料に応して、真空
蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、スピニ
ング法、ローラフタ法等を用いることができる。
次に接着剤を介してカード基材(7)を接着し、カード
サイズに打ち抜く(第1図(g))。
サイズに打ち抜く(第1図(g))。
接着剤層(6)の接着剤はカード基材(7)と光記録層
(5)とを考慮して適したものを使用し、エポキシ系、
アクリル系、ウレタン系等の接着剤が挙げられる。
(5)とを考慮して適したものを使用し、エポキシ系、
アクリル系、ウレタン系等の接着剤が挙げられる。
カード基材(7)は機械的強度、耐性等を満たすもので
あれば特に限定されるものではない。ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹
脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
あれば特に限定されるものではない。ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹
脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
以下具体的に実施例を述べる。
縦横12cm、厚さ0.4 mmの表面が平滑なアクリ
ル樹脂板ニAZ−1350を膜厚0.5〜0.8 μm
程度ニスピンコータで塗布し、70’Cで30分プリヘ
ークを行った後、トラッキングガイド及びプリフォーマ
ットのパターンが形成されたフォトマスクを介して密着
露光しく60mj/c消)、そして現像液MP−312
で現像してレジストパターンを形成する。
ル樹脂板ニAZ−1350を膜厚0.5〜0.8 μm
程度ニスピンコータで塗布し、70’Cで30分プリヘ
ークを行った後、トラッキングガイド及びプリフォーマ
ットのパターンが形成されたフォトマスクを介して密着
露光しく60mj/c消)、そして現像液MP−312
で現像してレジストパターンを形成する。
このレジストパターン上に、真空蒸着により膜厚400
〜800人のM膜を形成する。2光束干渉露光法で作製
されたミリメートル当り 700本の線数を有するN1
スタンバで押圧する。
〜800人のM膜を形成する。2光束干渉露光法で作製
されたミリメートル当り 700本の線数を有するN1
スタンバで押圧する。
次に酢酸セルソルブ液に浸し、レジスト層とその上の4
1層を除去した。そしてスピンコータでシアニン色素膜
を積層し、エポキシ系接着剤で白色ポリ塩化ビニルシー
トと貼り合わせ、打ち抜き金型でカードサイズに打ち抜
き光カードが得られる。
1層を除去した。そしてスピンコータでシアニン色素膜
を積層し、エポキシ系接着剤で白色ポリ塩化ビニルシー
トと貼り合わせ、打ち抜き金型でカードサイズに打ち抜
き光カードが得られる。
顕微鏡で形成されたトラッキングガイド及びブリフォー
マントのパターンを観察したところ通常のリフトオフ法
で行ったものよりも良好であった。
マントのパターンを観察したところ通常のリフトオフ法
で行ったものよりも良好であった。
(効果)
以」二述べたように本発明によればレジストパターン上
に積層された金属薄膜層を細線パターンを有するスタン
パにより押圧変形させるため、金属薄膜層に亀裂が生じ
、この亀裂よりレジスト剥離液が浸入するためレジスト
除去効率が向上し、トラッキングガイド及びプリフォー
マットのパターン精度よく形成され、形成不良が大幅に
減少する効果を有する。
に積層された金属薄膜層を細線パターンを有するスタン
パにより押圧変形させるため、金属薄膜層に亀裂が生じ
、この亀裂よりレジスト剥離液が浸入するためレジスト
除去効率が向上し、トラッキングガイド及びプリフォー
マットのパターン精度よく形成され、形成不良が大幅に
減少する効果を有する。
第1図(a)乃至((至)は本発明の光カード製造方法
を説明する製造工程図であり、第2図はスタンパ押圧時
の部分拡大断面図である。 1・・・透明基材 2・・・レジスト層 3・・・フォトマスク 4・・・金属薄膜層 5・・・光記録層 6・・・接着剤層 7・・・カード基材 8・・・スタンパ 特 許 出 凸版印刷株式会社 代 表 者 寸へ− 寸N−
を説明する製造工程図であり、第2図はスタンパ押圧時
の部分拡大断面図である。 1・・・透明基材 2・・・レジスト層 3・・・フォトマスク 4・・・金属薄膜層 5・・・光記録層 6・・・接着剤層 7・・・カード基材 8・・・スタンパ 特 許 出 凸版印刷株式会社 代 表 者 寸へ− 寸N−
Claims (1)
- (1)透明基材上にフォトレジストを塗布し、トラッキ
ングガイド及びプリフォーマットのパターンが形成され
たフォトマスクを介して露光を行い、現像し、レジスト
パターンを形成した後、その上に金属薄膜層を積層し、
しかる後リフトオフ法で金属薄膜層が積層されたレジス
トパターンを除去して前記パターンを模写した金属薄膜
層を形成し、その上に光記録層を積層した後、接着剤層
を介してカード基材に接着し、カードの寸法に打ち抜く
光カードの製造方法において、前記リフトオフ法による
前記レジストパターン除去時に細線パターンを有するス
タンパによって前記レジストパターン上の金属薄膜層の
表面を押圧変形せしめることを特徴とする光カードの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24762588A JPH0294145A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光カードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24762588A JPH0294145A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光カードの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294145A true JPH0294145A (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=17166292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24762588A Pending JPH0294145A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 光カードの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0294145A (ja) |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24762588A patent/JPH0294145A/ja active Pending
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