JPH029169A - オーミック電極の形成方法 - Google Patents
オーミック電極の形成方法Info
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- JPH029169A JPH029169A JP16026288A JP16026288A JPH029169A JP H029169 A JPH029169 A JP H029169A JP 16026288 A JP16026288 A JP 16026288A JP 16026288 A JP16026288 A JP 16026288A JP H029169 A JPH029169 A JP H029169A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ｎ型ＧａＡｓ基板上にオーミック電極を形
成する方法に関するものである。
成する方法に関するものである。
化合物半導体素子に電極を形成する方法として、オーミ
ック電極形成技術がある。金属と半導体とを接触させた
とき、■界面でのキャリアの再結合速度か非常に速い場
合、■ショットキー障壁か十分低い場合、■キャリアが
トンネルできるほど障壁か十分薄い場合はオーミック接
触になる（ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ。
ック電極形成技術がある。金属と半導体とを接触させた
とき、■界面でのキャリアの再結合速度か非常に速い場
合、■ショットキー障壁か十分低い場合、■キャリアが
トンネルできるほど障壁か十分薄い場合はオーミック接
触になる（ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ。
７１０）。このオーミック接触の最も一般的な方法とし
て、合金化法（ａｌｌｏｙｅｄ ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔ
ａｃｔ ）かある。これは、規程かの合金を被着し、熱
処理により半導体と合金化させオーミックにするもので
、ベース金属としてＡｕ、Ａｇ、Ｉｎなどを用い、ドー
パントとしてｎ形には、５１１Ｇｅ１Ｓ ｎ −、Ｓ
ｅ ＳＴ ｅを、ｐ形には、Ｚｎ、Ｃｄ。
て、合金化法（ａｌｌｏｙｅｄ ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔ
ａｃｔ ）かある。これは、規程かの合金を被着し、熱
処理により半導体と合金化させオーミックにするもので
、ベース金属としてＡｕ、Ａｇ、Ｉｎなどを用い、ドー
パントとしてｎ形には、５１１Ｇｅ１Ｓ ｎ −、Ｓ
ｅ ＳＴ ｅを、ｐ形には、Ｚｎ、Ｃｄ。
Ｂｅ、Ｍｇを添加したものが多く使用されている。
この中でも特に、ｎ型ＧａＡｓ基板にＡｕ、Ｇｅ。
Ｎｉを形成するオーミック電極は最もよく使用される。
この種のオーミック電極は、基板上に形成される薄膜の
種類により、■ ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅ薄膜、その
上にＮｉ薄膜を形成した２層構造（以下、ｒＮ ｉ／Ａ
ｕＧｅ／ＧａＡｓ系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基
板上にＡｕＧｅＮｉ薄膜、その上にＮｉ薄膜を形成した
２層構造（以下、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ
ｉ系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＮｉ薄
膜、その上にＧｅ薄膜、さらにＡｕ薄膜を形成した３層
構造（以下、ｒ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系」
という。）電極、■ＧａＡｓ基板上にＧｅ薄膜、その上
にＡｕ薄膜、さらにＮｉ薄膜を形成した３層構造（以下
、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系」という。）
電極、の４種類に大別できる。
種類により、■ ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅ薄膜、その
上にＮｉ薄膜を形成した２層構造（以下、ｒＮ ｉ／Ａ
ｕＧｅ／ＧａＡｓ系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基
板上にＡｕＧｅＮｉ薄膜、その上にＮｉ薄膜を形成した
２層構造（以下、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ
ｉ系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＮｉ薄
膜、その上にＧｅ薄膜、さらにＡｕ薄膜を形成した３層
構造（以下、ｒ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系」
という。）電極、■ＧａＡｓ基板上にＧｅ薄膜、その上
にＡｕ薄膜、さらにＮｉ薄膜を形成した３層構造（以下
、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系」という。）
電極、の４種類に大別できる。
以下、この中でよく使用されているＮ ｉ ／ Ａ ｕ
Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系電極について説明する。
Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系電極について説明する。
ＡｕＧｅの共晶温度は３５６℃、ＡｕＧａの共晶温度は
３４１℃なので、この温度で液層が形成される。
３４１℃なので、この温度で液層が形成される。
ＧａＡｓ表面には自然酸化膜が存在するため、分解が起
こるのは自然酸化膜が除去された部分に限られ、この濡
れた部分にＡｕＧｅ溶液が凝集し、いわゆるポールアッ
プと呼ばれる不規則な合金化が進行する。Ｎｉは、この
不規則な合金化を防ぐために添加されている。Ｎｉは、
ＧａＡｓと強い固相反応を持つため、ＮｉがＧａＡｓ界
而に拡面し、ＧａＡｓを固相で分解してＮｉＡｓ、β−
ＡｕＧａを形成する。この固相反応で自然酸化膜が除去
されるため、ポールアップを生じない。高濃度層形成は
、ＧａＡｓ表面へのＧｅの拡散によってなされる（ＬＳ
Ｉハンドブック、電子通信学会編、ｐ、７１０）。
こるのは自然酸化膜が除去された部分に限られ、この濡
れた部分にＡｕＧｅ溶液が凝集し、いわゆるポールアッ
プと呼ばれる不規則な合金化が進行する。Ｎｉは、この
不規則な合金化を防ぐために添加されている。Ｎｉは、
ＧａＡｓと強い固相反応を持つため、ＮｉがＧａＡｓ界
而に拡面し、ＧａＡｓを固相で分解してＮｉＡｓ、β−
ＡｕＧａを形成する。この固相反応で自然酸化膜が除去
されるため、ポールアップを生じない。高濃度層形成は
、ＧａＡｓ表面へのＧｅの拡散によってなされる（ＬＳ
Ｉハンドブック、電子通信学会編、ｐ、７１０）。
第３図は、従来の電極形成方法を示すものである。まず
、化合物半導体としてＧ ａ Ａ ｓ ｕ 仮１上にＡ
ｕＧｅ薄膜２を真空蒸着で形成する（ステップ１０１）
。さらに、このＡｕＧｅ薄膜２上にＮｉ薄膜３を真空蒸
着で形成する（ステップ１０２）。次に、以上の工程で
形成されたＡｕＧｅ薄膜２およびＮｉ薄膜３を、３５０
℃以上で加熱することにより（ステップ１０３）、オー
ミック接合を形成しくステップ１０４）、Ｎｉ／ＡｕＧ
ｅから成るオーミック電極４が形成される。
、化合物半導体としてＧ ａ Ａ ｓ ｕ 仮１上にＡ
ｕＧｅ薄膜２を真空蒸着で形成する（ステップ１０１）
。さらに、このＡｕＧｅ薄膜２上にＮｉ薄膜３を真空蒸
着で形成する（ステップ１０２）。次に、以上の工程で
形成されたＡｕＧｅ薄膜２およびＮｉ薄膜３を、３５０
℃以上で加熱することにより（ステップ１０３）、オー
ミック接合を形成しくステップ１０４）、Ｎｉ／ＡｕＧ
ｅから成るオーミック電極４が形成される。
しかしなから、従来の電極形成方法はｎ型ＧａＡｓ基板
にＧｅを十分かつ均一に拡散することができず、オーミ
ック接触抵抗が増大しやすいという欠点があった。例え
ば、Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａＡｓ系電
極では、Ｇｅの濃度が低いので、接触抵抗が大きくなる
。Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ系電極は、Ｎｉ
が量的に多すぎるので、Ｇｅの拡散がＮｉによって妨げ
られる。Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系電極及びＮ
ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系電極は、合金化温度で
ある４５０℃以上で、それぞれ高融点である３種の金属
を溶かさなければならないので、半導体Ｍ［に悪影響を
与える。
にＧｅを十分かつ均一に拡散することができず、オーミ
ック接触抵抗が増大しやすいという欠点があった。例え
ば、Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａＡｓ系電
極では、Ｇｅの濃度が低いので、接触抵抗が大きくなる
。Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ系電極は、Ｎｉ
が量的に多すぎるので、Ｇｅの拡散がＮｉによって妨げ
られる。Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ系電極及びＮ
ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系電極は、合金化温度で
ある４５０℃以上で、それぞれ高融点である３種の金属
を溶かさなければならないので、半導体Ｍ［に悪影響を
与える。
そこで、この発明はｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均
一かつ十分に行える電極形成方法を提供することにより
、オーミック電極の接触抵抗を減少することを目的とす
る。
一かつ十分に行える電極形成方法を提供することにより
、オーミック電極の接触抵抗を減少することを目的とす
る。
上記課題を達成するため、この発明はｎ型ＧａＡｓ基板
上に金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）とゲルマニウム（Ｇｅ
）薄膜の混合薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、混合
薄膜上にニッケル（Ｎｉ）薄膜を形成する第２薄膜形成
工程と、薄膜を加熱する加熱工程を含んで構成される。
上に金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）とゲルマニウム（Ｇｅ
）薄膜の混合薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、混合
薄膜上にニッケル（Ｎｉ）薄膜を形成する第２薄膜形成
工程と、薄膜を加熱する加熱工程を含んで構成される。
この場合、第１薄膜形成工程においてＡｕとＧｅの重量
比がほぼ８８対１２であるＡｕＧｅとＧｅとを融合させ
、５００〜２０００オングストロームの膜厚を有する混
合薄膜を形成し、第２薄膜形成工程において１００〜５
００オングストロームのＮｉ薄膜を形成し、加熱工程に
おいて薄膜を４４５°Ｃ〜４５５°Ｃで３０秒〜２分間
加熱すると効果的である。
比がほぼ８８対１２であるＡｕＧｅとＧｅとを融合させ
、５００〜２０００オングストロームの膜厚を有する混
合薄膜を形成し、第２薄膜形成工程において１００〜５
００オングストロームのＮｉ薄膜を形成し、加熱工程に
おいて薄膜を４４５°Ｃ〜４５５°Ｃで３０秒〜２分間
加熱すると効果的である。
この発明は、以上のように構成されているので、基板側
の第１薄膜に十分なＧｅか含まれており、Ｇｅの基板へ
の拡散を十分に行うことができる。
の第１薄膜に十分なＧｅか含まれており、Ｇｅの基板へ
の拡散を十分に行うことができる。
なお、混合薄膜を形成する際、膜厚を５００オングスト
ロ一ム未満にすると、薄膜が薄くなり過ぎ配線抵抗が増
大し断線しやすくなる。また、２０００オングストロー
ムを越えると、合金化を十分に行うことができず、集積
度が悪くなる。
ロ一ム未満にすると、薄膜が薄くなり過ぎ配線抵抗が増
大し断線しやすくなる。また、２０００オングストロー
ムを越えると、合金化を十分に行うことができず、集積
度が悪くなる。
さらに、Ｎｉ薄膜を形成する際、膜厚を１００オングス
トローム未満にすると電極の平坦性が悪くなる。また、
５００オングストロームを越えると、集積度が悪くなり
、Ｎｉの酸化により電極が劣化しやすくなる。
トローム未満にすると電極の平坦性が悪くなる。また、
５００オングストロームを越えると、集積度が悪くなり
、Ｎｉの酸化により電極が劣化しやすくなる。
さらに、上記薄膜を加熱する際、加熱温度が４４５±５
℃の範囲を逸脱すると、接触抵抗が増加し、実用性が乏
しくなる。この場合、加熱時間か３０秒未満になると、
加熱不十分により電極を形成することができなくなる。
℃の範囲を逸脱すると、接触抵抗が増加し、実用性が乏
しくなる。この場合、加熱時間か３０秒未満になると、
加熱不十分により電極を形成することができなくなる。
また、２分を越えると、Ｇｅが界面を越えて中に入り込
んでしまうのて、かえって接触抵抗が増加してしまう。
んでしまうのて、かえって接触抵抗が増加してしまう。
以下、この発明に係るオーミック電極の形成方法の一実
施例を添付図面に基づき説明する。なお、説明において
同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する
。
施例を添付図面に基づき説明する。なお、説明において
同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する
。
第１図は、この発明に係るオーミック電極の形成方法の
一実施例を示すものである。この発明はバ本的に、第１
薄膜形成工程、第２薄膜形成工程及び加熱工程を含んで
構成される。
一実施例を示すものである。この発明はバ本的に、第１
薄膜形成工程、第２薄膜形成工程及び加熱工程を含んで
構成される。
第１薄膜形成工程では、ＧａＡｓ基板１上にＡｕＧｅと
Ｇｅの混合薄膜５を真空蒸着法で形成する（ステップ２
０１）。具体的には、蒸青炉の抵抗加熱用タングステン
ボート上に、重量比がほぼ８８対１２のＡｕＧｅと、Ｇ
ｅ結品をのせ、通電加熱によりＡｕＧｅとＧ’ｅとを融
合させる。この溶融金属化したものを蒸着源とし、抵抗
加熱法によりＧａＡｓ基板１上に蒸着する。この方法に
よれば、ＡｕＧｅとＧｅとの重量比を変更することによ
り、任意の組成のＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することがで
きる。また、ＡｕとＧｅとを融合する場合に比べて、比
較的低温で容易にＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することがで
きる。この場合、低温で行うので、輻射熱か少なく、基
板上のフォトレジストに対する悪影響を防止することか
できる。
Ｇｅの混合薄膜５を真空蒸着法で形成する（ステップ２
０１）。具体的には、蒸青炉の抵抗加熱用タングステン
ボート上に、重量比がほぼ８８対１２のＡｕＧｅと、Ｇ
ｅ結品をのせ、通電加熱によりＡｕＧｅとＧ’ｅとを融
合させる。この溶融金属化したものを蒸着源とし、抵抗
加熱法によりＧａＡｓ基板１上に蒸着する。この方法に
よれば、ＡｕＧｅとＧｅとの重量比を変更することによ
り、任意の組成のＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することがで
きる。また、ＡｕとＧｅとを融合する場合に比べて、比
較的低温で容易にＡｕ−Ｇｅ蒸着源を形成することがで
きる。この場合、低温で行うので、輻射熱か少なく、基
板上のフォトレジストに対する悪影響を防止することか
できる。
この場合、混合薄膜５の膜厚か５００オングストロ一ム
未満になると基板内にＡｕＧｅが入り込み配線抵抗が増
加する。また、２０００オングストロームを越えると、
集積度を向上させることができなくなる。従って、この
膜厚は５００〜２０００オングストロームの範囲で設定
することか望ましい。
未満になると基板内にＡｕＧｅが入り込み配線抵抗が増
加する。また、２０００オングストロームを越えると、
集積度を向上させることができなくなる。従って、この
膜厚は５００〜２０００オングストロームの範囲で設定
することか望ましい。
また、ＡｕとＧｅとの重量比は、８８対１２に限定され
るものではなく、例えば、８０対２０あるいは９０対１
０でも、実用上は問題ないと考えられる。
るものではなく、例えば、８０対２０あるいは９０対１
０でも、実用上は問題ないと考えられる。
さらに、ＡｕＧｅとＧｅを融合させた蒸着源の加熱法は
、抵抗加熱法に限定されるものではなく、例えば、電子
衝撃加熱法でも使用することができる。
、抵抗加熱法に限定されるものではなく、例えば、電子
衝撃加熱法でも使用することができる。
第２薄膜形成工程では、混合薄膜５上にＮｉ薄膜６を電
子衝撃加熱法で形成する（ステップ２０２）。この場合
、Ｎｉ薄膜６の膜厚か１００オングストローム未満にな
ると電極の平坦性が悪くなり、５００オングストローム
を越えると、集積度が悪くなり、接触抵抗を下げること
ができなくなる。従って、この膜厚は１００〜５００オ
ングストロームの範囲で設定することが望ましい。
子衝撃加熱法で形成する（ステップ２０２）。この場合
、Ｎｉ薄膜６の膜厚か１００オングストローム未満にな
ると電極の平坦性が悪くなり、５００オングストローム
を越えると、集積度が悪くなり、接触抵抗を下げること
ができなくなる。従って、この膜厚は１００〜５００オ
ングストロームの範囲で設定することが望ましい。
加熱工程では、混合薄膜５、Ｎｉ薄膜６が形成された後
、合金化温度で加熱する（ステップ２０３）。この場合
、加熱温度は４５０±５℃の範囲で設定することが望ま
しい。これは、この範囲外で加熱すると、いずれも接触
抵抗の増加につながるからである。
、合金化温度で加熱する（ステップ２０３）。この場合
、加熱温度は４５０±５℃の範囲で設定することが望ま
しい。これは、この範囲外で加熱すると、いずれも接触
抵抗の増加につながるからである。
また、加熱時間は３０秒〜２分の間で設定することが望
ましい。これは、短すぎると加熱不十分になり電極形成
か不可能になり、長すぎるとＧｅが拡散しすぎ接触抵抗
の増加にっなかるからである。
ましい。これは、短すぎると加熱不十分になり電極形成
か不可能になり、長すぎるとＧｅが拡散しすぎ接触抵抗
の増加にっなかるからである。
この加熱工程により、ＧａＡｓ基板１上に２層構造のオ
ーミック電極か形成される（ステップ２０４）。
ーミック電極か形成される（ステップ２０４）。
すた、加熱工程をＮ２ガスあるいはＡｒガス等の不活性
ガス雰囲気中で行うことにより、加熱用％ｈの酸化を防
止することができる。
ガス雰囲気中で行うことにより、加熱用％ｈの酸化を防
止することができる。
次に、この実施例に係る実験結果を示す。この実験は、
Ｓｉ＋イオンを注入しアニールしたｎ型ＧａＡｓ基板上
に、フォトリソグラフィ技術によりオーミック電極のパ
ターンを形成した。次に、ＡｕＧｅとＧｅの混合薄膜を
１０００オングストローム、Ｎｉ薄膜を３００オングス
トロームで真空蒸着法によりオーミック金属を付着させ
、リフトオフ技術により所定形状の電極に形成した。
Ｓｉ＋イオンを注入しアニールしたｎ型ＧａＡｓ基板上
に、フォトリソグラフィ技術によりオーミック電極のパ
ターンを形成した。次に、ＡｕＧｅとＧｅの混合薄膜を
１０００オングストローム、Ｎｉ薄膜を３００オングス
トロームで真空蒸着法によりオーミック金属を付着させ
、リフトオフ技術により所定形状の電極に形成した。
なお、混合薄膜は０．５０ｇのＡｕＧｅと０．１１ｇの
Ｇｅを融合したものを蒸着源としている。この後、ホッ
トプレート上で、Ｎ２雰囲気の中で１分間加熱した。こ
の場合、温度は４００℃か５００°Ｃの範囲で変化させ
た。
Ｇｅを融合したものを蒸着源としている。この後、ホッ
トプレート上で、Ｎ２雰囲気の中で１分間加熱した。こ
の場合、温度は４００℃か５００°Ｃの範囲で変化させ
た。
第２図は、上記実験結果を示すものであり、オーミック
接触抵抗（Ｒｅ ）の合金化温度依存性を示すものであ
る。この実験では、４５０℃付近で最小値になっている
。
接触抵抗（Ｒｅ ）の合金化温度依存性を示すものであ
る。この実験では、４５０℃付近で最小値になっている
。
この発明は、以上説明したように構成されているので、
ｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均一かつ十分にするこ
とができる。その為、オーミック電極における接触抵抗
を最小にすることができる。
ｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均一かつ十分にするこ
とができる。その為、オーミック電極における接触抵抗
を最小にすることができる。
また、低温で容易に任意の組成比を有するＡｕ−Ｇｅ蒸
着源を形成することができる。特に、この蒸着形成を抵
抗加熱法で行えば、蒸着時のＧａＡｓ基板の損傷を少な
くすることかできる。
着源を形成することができる。特に、この蒸着形成を抵
抗加熱法で行えば、蒸着時のＧａＡｓ基板の損傷を少な
くすることかできる。
第１図は、この発明の一実施例に係るオーミック電極の
形成方法を示す図、第２図は、この発明における加熱工
程のオーミック接触抵抗の合金化温度依存性を示す図、
第３図は、従来技術に係るオーミック電極の形成方法を
示す図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＡｕＧｅ薄膜 ３．６・・・Ｎｉ薄膜 ４・・オーミック電極 ５・・混合薄膜 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
山 １） 行（ａ） （ｂ） 電極形成方法 第 １図 カロ秀矢温崖 （°Ｃ） オーミック接馴付盲抗の合金化５品席依存・准（ａ） 従未技祈 第３図 （ｂ）
形成方法を示す図、第２図は、この発明における加熱工
程のオーミック接触抵抗の合金化温度依存性を示す図、
第３図は、従来技術に係るオーミック電極の形成方法を
示す図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＡｕＧｅ薄膜 ３．６・・・Ｎｉ薄膜 ４・・オーミック電極 ５・・混合薄膜 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
山 １） 行（ａ） （ｂ） 電極形成方法 第 １図 カロ秀矢温崖 （°Ｃ） オーミック接馴付盲抗の合金化５品席依存・准（ａ） 従未技祈 第３図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｎ型ＧａＡｓ基板上に金ゲルマニウム （ＡｕＧｅ）とゲルマニウム（Ｇｅ）薄膜の混合薄膜を
形成する第１薄膜形成工程と、 前記混合薄膜上にニッケル（Ｎｉ）薄膜を形成する第２
薄膜形成工程と、 前記薄膜を加熱する加熱工程を含んで構成されるオーミ
ック電極の形成方法。 ２、前記第１薄膜形成工程において、ＡｕとＧｅの重量
比がほぼ８８対１２であるＡｕＧｅとＧｅとを融合させ
、５００乃至２０００オングストロームの膜厚を有する
混合薄膜を形成し、前記第２薄膜形成工程において、１
００乃至５００オングストロームのＮｉ薄膜を形成し、
前記加熱工程において、前記薄膜を４４５℃乃至４５５
℃で３０秒乃至２分間加熱する請求項１記載のオーミッ
ク電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160262A JP2599433B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160262A JP2599433B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029169A true JPH029169A (ja) | 1990-01-12 |
| JP2599433B2 JP2599433B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=15711203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160262A Expired - Fee Related JP2599433B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599433B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5090286A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-07-19 | ||
| JPS58207627A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63160262A patent/JP2599433B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5090286A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-07-19 | ||
| JPS58207627A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2599433B2 (ja) | 1997-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |