JPS63239941A - 化合物半導体装置の電極の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の電極の製造方法Info
- Publication number
- JPS63239941A JPS63239941A JP7169387A JP7169387A JPS63239941A JP S63239941 A JPS63239941 A JP S63239941A JP 7169387 A JP7169387 A JP 7169387A JP 7169387 A JP7169387 A JP 7169387A JP S63239941 A JPS63239941 A JP S63239941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- compound semiconductor
- semiconductor device
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物半導体装置の電極の製造方法に関する
。
。
（従来の技術）
従来、化合物半導体装置においては、そのオーミ？り電
極としてｎ型ＧａＡａに対するＡｕＧｅ合金に代表され
るＡｕ系合金材料が多用されている。化食物半導体集積
回路においては、その配線材料として、上記オーミック
電極との整合性の見地から、Ａｕを主体とした金属が用
いられている。
極としてｎ型ＧａＡａに対するＡｕＧｅ合金に代表され
るＡｕ系合金材料が多用されている。化食物半導体集積
回路においては、その配線材料として、上記オーミック
電極との整合性の見地から、Ａｕを主体とした金属が用
いられている。
しかし、 Ａｕ系配線材料は、反応性イオンエツチング
（ＲＩＥ）など、化学反応を用いたエツチング難しい。
（ＲＩＥ）など、化学反応を用いたエツチング難しい。
このため１通常、 Ａｕ系配線材料のパターニングには
、イオンミリング法などの物理的エツチング法、又はリ
フトオフ法が用いられているが。
、イオンミリング法などの物理的エツチング法、又はリ
フトオフ法が用いられているが。
いずれも１μ、又はその以下の微細パターンを形成する
ことが困難であシ、かつ生産性が低い、といった問題が
あった。
ことが困難であシ、かつ生産性が低い、といった問題が
あった。
一方、Ｓ１集積回路の配線材料として一般に用いられて
いるＡＩ系系材上１例えば塩素系ガスを用いたＲＩＥに
よシ容易に微細加工しうる。しかし、 ＡｌとＡｕとを
直接接触させると低温で反応し、高抵抗で脆に合金を形
成するため、従来、 Ａｕ系合金材料をオーミック電極
に用いた化合物半導体装置にＡＩＩ配線を用いることは
できなかった。
いるＡＩ系系材上１例えば塩素系ガスを用いたＲＩＥに
よシ容易に微細加工しうる。しかし、 ＡｌとＡｕとを
直接接触させると低温で反応し、高抵抗で脆に合金を形
成するため、従来、 Ａｕ系合金材料をオーミック電極
に用いた化合物半導体装置にＡＩＩ配線を用いることは
できなかった。
Ｍ系間線を可能にする手段としては、オーミック電極と
Ｍの間に相互拡散を抑制する金属（バリヤメタル）を介
在させる方法とＡｌと整合するオーミック電極を形成す
る方法がある。前者の場合工程が増えるうえ１前後プロ
セスとの不整合を生ずるなどの問題がある。後者の例と
してはｓ ｎ −ＧａＡｇ基板側からＧｅ 、Ｎｉ 、
Ａｌｌの順で堆積した後、熱処理し１形成したオーミッ
ク電極があることが知られている。 （Ｉ３Ｅ ＥＤ
Ｌ−７４１１ｐ、 ６０３．＠ＡＩ−ＧｅＯｈｍｉｃ
Ｃｏｎｔａｃｔｓ ｔｏ ｎ−ｔ７ｐｅ ＧａＡｓ”）
しかしながらこのオーミック電極においても問題点があ
り熱処理後の電極Ｉ−Ｖ特性に再現性がなく、ショット
キー接合に近い非直線性の電流電圧特性を示すことがあ
プ、プロセスの安定性に欠けていた。特に熱処理をホッ
トプレートなどの比較的長い時間を要する方法の場合こ
れが顕著である。
Ｍの間に相互拡散を抑制する金属（バリヤメタル）を介
在させる方法とＡｌと整合するオーミック電極を形成す
る方法がある。前者の場合工程が増えるうえ１前後プロ
セスとの不整合を生ずるなどの問題がある。後者の例と
してはｓ ｎ −ＧａＡｇ基板側からＧｅ 、Ｎｉ 、
Ａｌｌの順で堆積した後、熱処理し１形成したオーミッ
ク電極があることが知られている。 （Ｉ３Ｅ ＥＤ
Ｌ−７４１１ｐ、 ６０３．＠ＡＩ−ＧｅＯｈｍｉｃ
Ｃｏｎｔａｃｔｓ ｔｏ ｎ−ｔ７ｐｅ ＧａＡｓ”）
しかしながらこのオーミック電極においても問題点があ
り熱処理後の電極Ｉ−Ｖ特性に再現性がなく、ショット
キー接合に近い非直線性の電流電圧特性を示すことがあ
プ、プロセスの安定性に欠けていた。特に熱処理をホッ
トプレートなどの比較的長い時間を要する方法の場合こ
れが顕著である。
（発明が解決するための問題点）
以上説明したように従来の方法においては。
安定したオーミック電極を得ることができないという問
題があった。
題があった。
本発明は従来の方法における問題を解決し、常に良好な
オーミック特性を安定して得られるようにするものであ
る。
オーミック特性を安定して得られるようにするものであ
る。
（問題を解決するための手段）
本発明は化合物半導体に接触する第１層がＧｅであり、
第２層がＮｉであシ、第３層がＡｌ又はＡＩを少くなく
とも含む合金であるオーミック電極においτ、積層膜の
中間層であるＮｉ層の膜厚を３５０Ｘ以上１０００１以
下という範囲で堆積した後に熱処理を行う。
第２層がＮｉであシ、第３層がＡｌ又はＡＩを少くなく
とも含む合金であるオーミック電極においτ、積層膜の
中間層であるＮｉ層の膜厚を３５０Ｘ以上１０００１以
下という範囲で堆積した後に熱処理を行う。
又この熱処理を長い時間をかけずに行うことによシ上記
のＮｌ膜厚にした長所を最大限に生かすことが可能とな
るため、赤外線ランプ加熱やレーザー、電子ビーム加熱
を用い熱処理時間を６０秒未満としかつこの時の温度を
４５０υ〜６００°Ｃにする。
のＮｌ膜厚にした長所を最大限に生かすことが可能とな
るため、赤外線ランプ加熱やレーザー、電子ビーム加熱
を用い熱処理時間を６０秒未満としかつこの時の温度を
４５０υ〜６００°Ｃにする。
（作 用）
化合物半導体／ Ｇｅ／Ｎｔ／ｋｌの構造で熱処理しオ
ーミック接合となるメカニズムは次のように考えられる
。比較的低温でＡｌがＮｉ ／ｉｔ中へ固相拡散してい
きＧｅへ達する。この状態でＧｅ−Ａｌの共晶温度に達
すると、化合物半導体とＧｏ、Ａｌの液相を形成するか
もしくは化合・物半導体中Ｇｅ、ＡＩが固相拡散する。
ーミック接合となるメカニズムは次のように考えられる
。比較的低温でＡｌがＮｉ ／ｉｔ中へ固相拡散してい
きＧｅへ達する。この状態でＧｅ−Ａｌの共晶温度に達
すると、化合物半導体とＧｏ、Ａｌの液相を形成するか
もしくは化合・物半導体中Ｇｅ、ＡＩが固相拡散する。
このようにして化合物半導体内へＧｅがドーピングされ
オーミック特性が得られる。
オーミック特性が得られる。
ここでＮｉ層は化合物半導体表面の自然酸化膜の還元と
化合物半導体内よシ吸い出された物質の還元を行なうこ
とによ）、表面モホロジーを良くする役割があり、表面
が凸凹になるいわゆるポールアップ現象を防止すること
ができる。加えてＡｌの下層への拡散の障壁ともなって
いる。これが低抵抗で安定なオーミック特性を得るため
に極めて重要である。
化合物半導体内よシ吸い出された物質の還元を行なうこ
とによ）、表面モホロジーを良くする役割があり、表面
が凸凹になるいわゆるポールアップ現象を防止すること
ができる。加えてＡｌの下層への拡散の障壁ともなって
いる。これが低抵抗で安定なオーミック特性を得るため
に極めて重要である。
Ｎ１膜厚が薄すぎる場合はＡｌ拡散が非常に進みやすく
化合物半導体中へＡｌが過剰に入る。このためＡｌと化
合物半導体がショットキー接合となり、オーミック特性
は得られない。一方Ｎ１膜厚が厚すぎる場合は、逆にＡ
ｌがＧｅ層に達しにくい、このためＡＡ！−Ｇｅの共晶
が起こりにくくオーミック特性が得られない。このため
Ｎ１膜を３５０Ｘ〜ｔｏｏｏＸとすれば適当なＡｌの拡
散が起こり安定したオーミック特性を得られる。父上記
のＡｌ拡散を適当な所で止めるためには赤外線ランプや
レーザー、′電子ビームを用いた短時間熱処理がそのＮ
ｉ膜厚に対する長所を引き出すことができＮ１膜厚に対
応した条件に、熱処理時間６０秒未満かつ温度は４５０
’Ｃ〜６００℃である。
化合物半導体中へＡｌが過剰に入る。このためＡｌと化
合物半導体がショットキー接合となり、オーミック特性
は得られない。一方Ｎ１膜厚が厚すぎる場合は、逆にＡ
ｌがＧｅ層に達しにくい、このためＡＡ！−Ｇｅの共晶
が起こりにくくオーミック特性が得られない。このため
Ｎ１膜を３５０Ｘ〜ｔｏｏｏＸとすれば適当なＡｌの拡
散が起こり安定したオーミック特性を得られる。父上記
のＡｌ拡散を適当な所で止めるためには赤外線ランプや
レーザー、′電子ビームを用いた短時間熱処理がそのＮ
ｉ膜厚に対する長所を引き出すことができＮ１膜厚に対
応した条件に、熱処理時間６０秒未満かつ温度は４５０
’Ｃ〜６００℃である。
（実施例）
本発明をＧａＡｓへ適用した場合の実施例について述べ
る。行なった製造方法及びその測定結果を詳しく説明す
ると、半絶縁性ＧａＡｓ基板（１）にホトリング２フイ
ー技術を用いて所望の形状にしたホトレジスト（２）を
形成する。これをマスク材とじて＋１３ Ｓｌ を加速エネルギー１８０ ＫｅＶドーズ３Ｘ１
０（ｍ−２の条件で選択イオン注入し、注入層（３）を
得る（第１図−（ａ））。
る。行なった製造方法及びその測定結果を詳しく説明す
ると、半絶縁性ＧａＡｓ基板（１）にホトリング２フイ
ー技術を用いて所望の形状にしたホトレジスト（２）を
形成する。これをマスク材とじて＋１３ Ｓｌ を加速エネルギー１８０ ＫｅＶドーズ３Ｘ１
０（ｍ−２の条件で選択イオン注入し、注入層（３）を
得る（第１図−（ａ））。
次にホトレジストを除去したのちＡａＨ３＋Ａｒ雰囲気
中で８２０’Ｏのアニールを行い、先のイオン注入層（
３）を活性化する。この後全面に適当な膜厚の５ｉ０２
（４）を被着する。さらにオーミック電極形成領域のみ
開口したホトレジスト（５）を形成する（第１図−（ｂ
） ） 。
中で８２０’Ｏのアニールを行い、先のイオン注入層（
３）を活性化する。この後全面に適当な膜厚の５ｉ０２
（４）を被着する。さらにオーミック電極形成領域のみ
開口したホトレジスト（５）を形成する（第１図−（ｂ
） ） 。
さらに全面にオーミック電極材料をＧｅ （６）Ｎ１
（７）Ａｌｔ８）の順で被着する。本実施例ではＮｉの
膜厚を５ｏｏＸとした試料の他比較対照試料として０〜
１２００ＸのＮ１膜厚の試料も炸裂した（第１図−（ｃ
）入次に電極形成領域以外のオーミック電極材料Ｇｅ
（６）Ｎｉ （７） ｒ見（８）をホトレジスト（５）
とともに除去する（第１図−（ｄ） ） 。
（７）Ａｌｔ８）の順で被着する。本実施例ではＮｉの
膜厚を５ｏｏＸとした試料の他比較対照試料として０〜
１２００ＸのＮ１膜厚の試料も炸裂した（第１図−（ｃ
）入次に電極形成領域以外のオーミック電極材料Ｇｅ
（６）Ｎｉ （７） ｒ見（８）をホトレジスト（５）
とともに除去する（第１図−（ｄ） ） 。
このようなプロセスを用いて第２図に示すようなオーミ
ックコンタクトの抵抗率測定用のパターンを形成する。
ックコンタクトの抵抗率測定用のパターンを形成する。
（９）はイオン注入領域であシ、α〔はオーミック電極
領域である。このパターンはオーミック電極間隔ｄを変
化させておシ各々の間隔における抵抗を四端子法を用い
て測定することによシイオン注入領域（９）のシート抵
抗とオーミックコンタクト抵抗率Ｐｃ （以下Ｐｃ ）
を分離することが可能である。
領域である。このパターンはオーミック電極間隔ｄを変
化させておシ各々の間隔における抵抗を四端子法を用い
て測定することによシイオン注入領域（９）のシート抵
抗とオーミックコンタクト抵抗率Ｐｃ （以下Ｐｃ ）
を分離することが可能である。
このような試料をＮ２雰囲気の石英管α２に入れタング
ステンハロゲンランプ０３により加熱しｎ−ＧｍＡｇ導
電層（３）とオーミック電極Ｇｅ （６） Ｎｉ （７
） Ａｌ （８）を合金化しオーミック接合を形成した
（第３図）。
ステンハロゲンランプ０３により加熱しｎ−ＧｍＡｇ導
電層（３）とオーミック電極Ｇｅ （６） Ｎｉ （７
） Ａｌ （８）を合金化しオーミック接合を形成した
（第３図）。
この時の加熱条件は、温度条件４００℃〜６５０℃とし
時間条件５〜１２０秒と組み合せて選んだ。
時間条件５〜１２０秒と組み合せて選んだ。
第４図は、上記試料上のオーミック電極間のニーＶｇ性
の合金化温度依存性とＮｉ膜厚依存性を調べた結果であ
る。Ｎｉｇ厚をａｏｏＸ以下にした場合、合金化温度を
４００℃〜６５０″０で変化させると始めシ薗ットキー
接合に近い特性から少しオーξツク特性に近い方へ変化
するが再びシ四ットキー接合に近い特性を示す、しかし
ながらＮｉ膜厚をａｓｏＸ以上１０００Ｘ以下の範囲で
は最適温度は異なるがある温度条件下で非常に良いオー
ミック特性を得ている。
の合金化温度依存性とＮｉ膜厚依存性を調べた結果であ
る。Ｎｉｇ厚をａｏｏＸ以下にした場合、合金化温度を
４００℃〜６５０″０で変化させると始めシ薗ットキー
接合に近い特性から少しオーξツク特性に近い方へ変化
するが再びシ四ットキー接合に近い特性を示す、しかし
ながらＮｉ膜厚をａｓｏＸ以上１０００Ｘ以下の範囲で
は最適温度は異なるがある温度条件下で非常に良いオー
ミック特性を得ている。
さらにＮ１膜厚を１０００Å以上にした場合は、再びオ
ーミック特性が得られなくなる。これらは。
ーミック特性が得られなくなる。これらは。
Ｇｅ−ＡＪＯ共晶に関係しておシＮ１膜厚が薄すぎる場
合、 ＡＩがＮｉ膜をつき抜けてＡＩ−ＧａＡ＋ｓのシ
ッットキー接合が現われる。逆にＮｌが厚すぎる場合は
Ｎ１がＡＩの拡散障壁となシＡｌ−Ｇｏの共晶が起こり
にくくなることを示している。これらのことよシＧｅ／
Ｎ ｌ／ＡＩのオーミック電極材料においては、Ｎｌ膜
厚を３５０Ｘ以上１０００１以下とした場合のみ良好な
オーミック特性が得られる。
合、 ＡＩがＮｉ膜をつき抜けてＡＩ−ＧａＡ＋ｓのシ
ッットキー接合が現われる。逆にＮｌが厚すぎる場合は
Ｎ１がＡＩの拡散障壁となシＡｌ−Ｇｏの共晶が起こり
にくくなることを示している。これらのことよシＧｅ／
Ｎ ｌ／ＡＩのオーミック電極材料においては、Ｎｌ膜
厚を３５０Ｘ以上１０００１以下とした場合のみ良好な
オーミック特性が得られる。
第５図はＮ１５００Ｘとして５〜３０秒のランプアロイ
をした時のコンタクト抵抗率の温度依存性を示すもので
ある。４５０’Ｏ〜６００°Ｃの範囲で１０−６〜１０
Ω・ｄという小さい値を得ている。
をした時のコンタクト抵抗率の温度依存性を示すもので
ある。４５０’Ｏ〜６００°Ｃの範囲で１０−６〜１０
Ω・ｄという小さい値を得ている。
上述し九本発明によれば、 Ｇｏ、Ｎｉ、ＡＪを材料と
してＧａＡｓに対して良好なオーミック接合をなす電極
を再現性よく製造することができる。
してＧａＡｓに対して良好なオーミック接合をなす電極
を再現性よく製造することができる。
本発明は上記実施例に限られない１例えば、基板はＧａ
Ａｓに限らず、 ＡＡ’ＧａＡｓなど、本発明の電極と
良好なオーミック接合をなすものであればよい。
Ａｓに限らず、 ＡＡ’ＧａＡｓなど、本発明の電極と
良好なオーミック接合をなすものであればよい。
又、熱処理方法も、赤外線ランプに限らず、所定の熱処
理条件を与えられるものであればよい。
理条件を与えられるものであればよい。
第１図は本発明の一実施例を説明するための工程断面図
、第２図はオーミックコンタクトの抵抗率測定用のパタ
ーンを示す図、第３図は第１図の方法で得られた試料の
熱処理を行う例を示した図。 ８４図は熱処理後におけるＮ１膜厚を変えた時のＩ−Ｖ
特性のアロイ温度依存性を示す図、第５図はコンタクト
抵抗率のアロイ温度時間依存性を示す図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡａ基板、２・・・ホトレジスト
、３・・・イオン注入領域、４・・・５ｉｎ２．５・・
・ホトレジスト、６・・・Ｇｅ、７・・・Ｎ１，８・・
・ＡＩ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 （ａ） （Ｃ） （ｄ） 第２図 ○ｏｏｏｏｏｏ○ Ｖ（Ｖ）（ｅ） ｌｔ〃１ｔｓ０ ５００ ５５７） （１）θ 乙Ｓ
ρＡ１１ｏｙ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ （ご）第５
図
、第２図はオーミックコンタクトの抵抗率測定用のパタ
ーンを示す図、第３図は第１図の方法で得られた試料の
熱処理を行う例を示した図。 ８４図は熱処理後におけるＮ１膜厚を変えた時のＩ−Ｖ
特性のアロイ温度依存性を示す図、第５図はコンタクト
抵抗率のアロイ温度時間依存性を示す図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡａ基板、２・・・ホトレジスト
、３・・・イオン注入領域、４・・・５ｉｎ２．５・・
・ホトレジスト、６・・・Ｇｅ、７・・・Ｎ１，８・・
・ＡＩ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 （ａ） （Ｃ） （ｄ） 第２図 ○ｏｏｏｏｏｏ○ Ｖ（Ｖ）（ｅ） ｌｔ〃１ｔｓ０ ５００ ５５７） （１）θ 乙Ｓ
ρＡ１１ｏｙ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ （ご）第５
図
Claims (3)
- （１）化合物半導体基体上にＧｅからなる第１層、Ｎｉ
からなる第２層、Ａｌ又はＡｌを少なくとも含む合金か
らなる第３層を順次積層する工程と、前記積層膜を熱処
理する工程とを有する化合物半導体装置の電極の製造方
法において、前記第２層の厚さが３５０〜１０００Åの
範囲にあることを特徴とする化合物半導体装置の電極の
製造方法。 - （２）前記積層膜を熱処理する工程に赤外線ランプ加熱
法レーザービーム加熱法あるいは電子ビーム加熱法を少
なくとも用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の化合物半導体装置の電極の製造方法。 - （３）前記積層膜を熱処理する工程の温度が４５０〜６
００℃の範囲にあり、かつ熱処理時間が６０秒未満の範
囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
化合物半導体装置の電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7169387A JPS63239941A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 化合物半導体装置の電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7169387A JPS63239941A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 化合物半導体装置の電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239941A true JPS63239941A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13467880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7169387A Pending JPS63239941A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 化合物半導体装置の電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004036635A1 (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 薄膜結晶ウェーハの製造方法、それを用いた半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2012114480A (ja) * | 2003-08-14 | 2012-06-14 | Cree Inc | 金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7169387A patent/JPS63239941A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004036635A1 (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 薄膜結晶ウェーハの製造方法、それを用いた半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2012114480A (ja) * | 2003-08-14 | 2012-06-14 | Cree Inc | 金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子 |
| US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3753774A (en) | Method for making an intermetallic contact to a semiconductor device | |
| JPH0587986B2 (ja) | ||
| US4545115A (en) | Method and apparatus for making ohmic and/or Schottky barrier contacts to semiconductor substrates | |
| EP0137701A1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device including a barrier film | |
| US4470190A (en) | Josephson device fabrication method | |
| JP2893723B2 (ja) | オーミック電極の製造方法 | |
| US5459087A (en) | Method of fabricating a multi-layer gate electrode with annealing step | |
| Bahir et al. | Rapid thermal alloyed ohmic contact on InP | |
| JPS63239941A (ja) | 化合物半導体装置の電極の製造方法 | |
| JPH10335259A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3123226B2 (ja) | オーミック電極及びその形成方法 | |
| US5336631A (en) | Method of making and trimming ballast resistors and barrier metal in microwave power transistors | |
| JPH01107523A (ja) | 化合物半導体装置の電極の製造方法 | |
| JPS60242619A (ja) | 半導体オ−ム性電極の形成方法 | |
| JPH046089B2 (ja) | ||
| JP2599432B2 (ja) | オーミック電極の形成方法 | |
| JP2599433B2 (ja) | オーミック電極の形成方法 | |
| JPH05167063A (ja) | オーミック電極とその形成方法及び半導体装置 | |
| JPS58212169A (ja) | 三層電極構造を有する半導体装置 | |
| KR940001256B1 (ko) | 금속배선막 형성방법 | |
| JPH06204151A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JPS58207627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0226790B2 (ja) | ||
| JPH029171A (ja) | オーミック電極 | |
| JPH029170A (ja) | オーミック電極 |