JPH029119A - オーミック電極の形成方法 - Google Patents
オーミック電極の形成方法Info
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ｎ型ＧａＡｓ基板上にオーミック電極を形
成する方法に関するものである。
成する方法に関するものである。
化合物半導体素子に電極を形成する方法として、オーミ
ック電極形成技術がある。金属と半導体とを接触させた
とき、■界面でのキャリアの再結合速度が非常に速い場
合、■ショットキー障壁が十分低い場合、■キャリアが
トンネルできるほど障壁が十分薄い場合はオーミック接
触になる（ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ。
ック電極形成技術がある。金属と半導体とを接触させた
とき、■界面でのキャリアの再結合速度が非常に速い場
合、■ショットキー障壁が十分低い場合、■キャリアが
トンネルできるほど障壁が十分薄い場合はオーミック接
触になる（ＬＳＩハンドブック、電子通信学会編、ｐ。
７１０）。このオーミック接触の最も一般的な方法とし
て、合金化法（ａｌｌｏｙｅｄ ｏｈｍｌｃ ｃｏｎｔ
ａｃｔ ）がある。これは、幾種かの合金を被着し、熱
処理により半導体と合金化させオーミックにするもので
、ベース金属としてＡｕ、Ａｇ、Ｉｎなどを用い、ドー
パントとしてｎ形には、Ｓ Ｉ ＳＧ ｅ 。
て、合金化法（ａｌｌｏｙｅｄ ｏｈｍｌｃ ｃｏｎｔ
ａｃｔ ）がある。これは、幾種かの合金を被着し、熱
処理により半導体と合金化させオーミックにするもので
、ベース金属としてＡｕ、Ａｇ、Ｉｎなどを用い、ドー
パントとしてｎ形には、Ｓ Ｉ ＳＧ ｅ 。
５ｎＳＳｅＳＴｅを、ｐ形には、ＺｎＳＣｄ。
Ｂｅ、Ｍｇを添加したものが多く使用されている。
この中でも特に、ｎ型ＧａＡｓ基板にＡｕ５Ｇｅ。
Ｎｉを形成するオーミック電極は最もよく使用される。
この種のオーミック電極は、基板上に形成される薄膜の
種類により、■ ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅ薄膜、その
上にＮｉ薄膜を形成した２層構造（以下、ｒ Ｎ ｉ
／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系」という。
種類により、■ ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅ薄膜、その
上にＮｉ薄膜を形成した２層構造（以下、ｒ Ｎ ｉ
／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系」という。
）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＡｕＧｅ薄膜＃膜、その
上にＮｉ薄膜を形成した２層構造（以下、ｒＮｉ／Ａｕ
ＧｅＮｉ系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＮ
ｉ薄膜、その上にＧｅ薄膜、さらにＡｕ薄膜を形成した
３層構造（以下、ｒ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ
系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＧｅ薄膜、
その上にＡｕ薄膜、さらにＮｉ薄膜を形成した３層構造
（以下、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系」とい
う。）電極、の４種類に大別できる。
上にＮｉ薄膜を形成した２層構造（以下、ｒＮｉ／Ａｕ
ＧｅＮｉ系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＮ
ｉ薄膜、その上にＧｅ薄膜、さらにＡｕ薄膜を形成した
３層構造（以下、ｒ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ
系」という。）電極、■ ＧａＡｓ基板上にＧｅ薄膜、
その上にＡｕ薄膜、さらにＮｉ薄膜を形成した３層構造
（以下、ｒ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系」とい
う。）電極、の４種類に大別できる。
以下、この中でよく使用されているＮ ｉ ／ Ａ ｕ
Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系電極について説明する。
Ｇ ｅ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系電極について説明する。
ＡｕＧｅの共晶温度は３５６℃、ＡｕＧａの共晶温度は
３４１℃なので、この温度で液層が形成される。
３４１℃なので、この温度で液層が形成される。
ＧａＡｓ表面には自然酸化膜が存在するため、分解が起
こるのは自然酸化膜が除去された部分に限られ、この濡
れた部分にＡｕＧｅ溶液が凝集し、いわゆるポールアッ
プと呼ばれる不規則な合金化が進行する。Ｎｉは、この
不規則な合金化を防ぐために添加されている。Ｎｉは、
ＧａＡＳと強い固相反応を持つため、ＮｉがＧａＡｓ界
面に拡散し、ＧａＡｓを固相で分解してＮｉＡｓ、β−
ＡｕＧａを形成する。この固相反応で自然酸化膜が除去
されるため、ボールアップを生じない。高濃度層形成は
、ＧａＡｓ表面へのＧｅの拡散によってなされる（ＬＳ
Ｉ／−ンドブツク、電子通信学会編、ｐ、７１０）。
こるのは自然酸化膜が除去された部分に限られ、この濡
れた部分にＡｕＧｅ溶液が凝集し、いわゆるポールアッ
プと呼ばれる不規則な合金化が進行する。Ｎｉは、この
不規則な合金化を防ぐために添加されている。Ｎｉは、
ＧａＡＳと強い固相反応を持つため、ＮｉがＧａＡｓ界
面に拡散し、ＧａＡｓを固相で分解してＮｉＡｓ、β−
ＡｕＧａを形成する。この固相反応で自然酸化膜が除去
されるため、ボールアップを生じない。高濃度層形成は
、ＧａＡｓ表面へのＧｅの拡散によってなされる（ＬＳ
Ｉ／−ンドブツク、電子通信学会編、ｐ、７１０）。
第３図は、従来の電極形成方法を示すものである。まず
、化合物半導体としてＧａＡｓ基板１上にＡｕＧｅ薄膜
２を真空蒸着で形成する（ステップ１０１）。さらに、
このＡｕＧｅ薄膜２上にＮｉ薄膜３を真空蒸着で形成す
る（ステップ１０２）。次に、以上の工程で形成された
ＡｕＧｅ薄膜２およびＮｉ薄膜３を、３５０℃以上で加
熱することにより（ステップ１０３）、オーミック接合
を形成しくステップ１０４） 、Ｎｉ／ＡｕＧｅから成
るオーミック電極４が形成される。
、化合物半導体としてＧａＡｓ基板１上にＡｕＧｅ薄膜
２を真空蒸着で形成する（ステップ１０１）。さらに、
このＡｕＧｅ薄膜２上にＮｉ薄膜３を真空蒸着で形成す
る（ステップ１０２）。次に、以上の工程で形成された
ＡｕＧｅ薄膜２およびＮｉ薄膜３を、３５０℃以上で加
熱することにより（ステップ１０３）、オーミック接合
を形成しくステップ１０４） 、Ｎｉ／ＡｕＧｅから成
るオーミック電極４が形成される。
しかしながら、従来の電極形成方法はｎ型ＧａＡｓ基板
にＧｅを十分かつ均一に拡散することができず、オーミ
ック接触抵抗が増大しやすいという欠点があった。例え
ば、Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａＡｓ系電
極では、Ｇｅの濃度が低いので、接触抵抗が大きくなる
。Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ系電極は、Ｎｉ
が量的に多すぎるので、Ｇｅの拡散がＮｉによって妨げ
られる。Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ Ｌ系電極及びＮ
ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系電極は、合金化温度で
ある４５０℃以上で、それぞれ高融点である３種の金属
を溶かさなければならないので、半導体基板に悪影響を
与える。
にＧｅを十分かつ均一に拡散することができず、オーミ
ック接触抵抗が増大しやすいという欠点があった。例え
ば、Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｇ ａＡｓ系電
極では、Ｇｅの濃度が低いので、接触抵抗が大きくなる
。Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ系電極は、Ｎｉ
が量的に多すぎるので、Ｇｅの拡散がＮｉによって妨げ
られる。Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ Ｌ系電極及びＮ
ｉ ／ Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ系電極は、合金化温度で
ある４５０℃以上で、それぞれ高融点である３種の金属
を溶かさなければならないので、半導体基板に悪影響を
与える。
そこで、この発明はｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均
一かつ十分に行える電極形成方法を提供することにより
、オーミック電極の接触抵抗を減少することを目的とす
る。
一かつ十分に行える電極形成方法を提供することにより
、オーミック電極の接触抵抗を減少することを目的とす
る。
上記課題を達成するため、この発明はｎ型ＧａＡｓ基板
上にゲルマニウム（Ｇｅ）薄膜を形成する第１薄膜形成
工程と、Ｇｅ薄膜上に金ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）薄
膜を形成する第２薄膜形成工程と、Ａｕ−Ｇｅ薄膜上に
ニッケル（Ｎｉ）薄膜を形成する第３薄膜形成工程と、
上記薄膜を加熱する加熱工程を含んで構成される。
上にゲルマニウム（Ｇｅ）薄膜を形成する第１薄膜形成
工程と、Ｇｅ薄膜上に金ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）薄
膜を形成する第２薄膜形成工程と、Ａｕ−Ｇｅ薄膜上に
ニッケル（Ｎｉ）薄膜を形成する第３薄膜形成工程と、
上記薄膜を加熱する加熱工程を含んで構成される。
この場合、第１薄膜形成工程において５０〜１００オン
グストロームのＧｅ薄膜を形成し、第２薄膜形成工程に
おいて５００〜２０００オングストロームのＡｕ−Ｇｅ
薄膜を形成し、第３薄膜工程において１００〜５００オ
ングストロームのＮｉ薄膜を形成し、加熱工程において
薄膜を４２０℃〜３０℃で３０秒〜２分間加熱すると好
ましい。
グストロームのＧｅ薄膜を形成し、第２薄膜形成工程に
おいて５００〜２０００オングストロームのＡｕ−Ｇｅ
薄膜を形成し、第３薄膜工程において１００〜５００オ
ングストロームのＮｉ薄膜を形成し、加熱工程において
薄膜を４２０℃〜３０℃で３０秒〜２分間加熱すると好
ましい。
この発明は、以上のように構成されているので、基板側
の第１薄膜及び第２薄膜にＧｅが含まれており、Ｇｅの
基板への拡散を十分に行うことができる。
の第１薄膜及び第２薄膜にＧｅが含まれており、Ｇｅの
基板への拡散を十分に行うことができる。
なお、Ｇｅ薄膜を形成する際、膜厚を５０オングストロ
一ム未満にすると、薄膜が薄くなり過ぎ膜厚の制御が困
難になる。また、１００オングストロームを越えると、
接触抵抗が増加し実用性が悪くなる。
一ム未満にすると、薄膜が薄くなり過ぎ膜厚の制御が困
難になる。また、１００オングストロームを越えると、
接触抵抗が増加し実用性が悪くなる。
さらに、ＡｕＧｅ薄膜を形成する際、膜厚を５００オン
グストロ一ム未満にすると、薄膜が薄くなり過ぎ配線抵
抗が増大し断線しやすくなる。
グストロ一ム未満にすると、薄膜が薄くなり過ぎ配線抵
抗が増大し断線しやすくなる。
また、２０００オングストロームを越えると、合金化を
十分に行うことができず、集積度が悪くなる。
十分に行うことができず、集積度が悪くなる。
さらに、Ｎｉ薄膜を形成する際、膜厚を１００オングス
トローム未満にすると、ＡｕとＧｅの共晶結合が形成さ
れ電極の平坦性が悪くなる。また、５００オングストロ
ームを越えると、集積度が悪くなり、Ｎｉの酸化により
電極が劣化しやすくなる。
トローム未満にすると、ＡｕとＧｅの共晶結合が形成さ
れ電極の平坦性が悪くなる。また、５００オングストロ
ームを越えると、集積度が悪くなり、Ｎｉの酸化により
電極が劣化しやすくなる。
さらに、上記薄膜を加熱する際、加熱温度が４２０〜４
３０℃の範囲を逸脱すると、接触抵抗が増加し、実用性
が乏しくなる。この場合、加熱時間が３０秒未満になる
と、加熱不十分により電極を形成することができなくな
る。また、２分を越えると、Ｇｅが界面を越えて中に入
り込んでしまうので、かえって接触抵抗が増加してしま
う。
３０℃の範囲を逸脱すると、接触抵抗が増加し、実用性
が乏しくなる。この場合、加熱時間が３０秒未満になる
と、加熱不十分により電極を形成することができなくな
る。また、２分を越えると、Ｇｅが界面を越えて中に入
り込んでしまうので、かえって接触抵抗が増加してしま
う。
以下、この発明の一実施例に係るオーミック電極の形成
方法の一実施例を添付図面に基づき説明する。なお、説
明において同一要素には同一符号を用い、重複する説明
は省略する。
方法の一実施例を添付図面に基づき説明する。なお、説
明において同一要素には同一符号を用い、重複する説明
は省略する。
第１図は、この発明の一実施例を示すものである。この
発明は基本的に、第１薄膜形成工程、第２薄膜形成工程
、第３薄膜形成工程及び加熱工程を含んで構成される。
発明は基本的に、第１薄膜形成工程、第２薄膜形成工程
、第３薄膜形成工程及び加熱工程を含んで構成される。
第１薄膜形成工程では、ＧａＡｓ基板１上にＧｅ薄膜５
を真空蒸着法で形成する（ステップ２０１）。この場合
、Ｇｅ薄膜５の膜厚が５０オングストロ一ム未満になる
と膜厚の制御が困難になり、１００オングストロームを
越えると接触抵抗が増加する。従って、この膜厚は５０
〜１００オングストロームの範囲で設定することが望ま
しい。
を真空蒸着法で形成する（ステップ２０１）。この場合
、Ｇｅ薄膜５の膜厚が５０オングストロ一ム未満になる
と膜厚の制御が困難になり、１００オングストロームを
越えると接触抵抗が増加する。従って、この膜厚は５０
〜１００オングストロームの範囲で設定することが望ま
しい。
第２薄膜形成工程では、Ｇｅ薄膜５上にＡｕＧｅ薄膜６
を真空蒸着法で形成する（ステップ２０２）。この場合
、ＡｕＧｅ薄膜６の膜厚が５００オングストロ一ム未満
になると基板内にＡｕＧｅが入り込み配線抵抗が増加す
る。また、２０００オングストロームを越えると、集積
度を向上させることができなくなる。従って、この膜厚
は５００〜２０００オングストロームの範囲で設定する
ことが望ましい。
を真空蒸着法で形成する（ステップ２０２）。この場合
、ＡｕＧｅ薄膜６の膜厚が５００オングストロ一ム未満
になると基板内にＡｕＧｅが入り込み配線抵抗が増加す
る。また、２０００オングストロームを越えると、集積
度を向上させることができなくなる。従って、この膜厚
は５００〜２０００オングストロームの範囲で設定する
ことが望ましい。
第３薄膜形成工程では、ＡｕＧｅ薄膜６上にＮｉ薄膜７
を真空蒸着法で形成する（ステップ２０３）。この場合
、Ｎｉ薄膜７の膜厚が１００オングストローム未満にな
ると電極の平坦性が悪くなり、５００オングストローム
を越えると、集積度が悪くなり、接触抵抗を下げること
ができなくなる。従って、この膜厚は１００〜５００オ
ングストロームの範囲で設定することが望ましい。
を真空蒸着法で形成する（ステップ２０３）。この場合
、Ｎｉ薄膜７の膜厚が１００オングストローム未満にな
ると電極の平坦性が悪くなり、５００オングストローム
を越えると、集積度が悪くなり、接触抵抗を下げること
ができなくなる。従って、この膜厚は１００〜５００オ
ングストロームの範囲で設定することが望ましい。
加熱工程では、Ｇｅ薄膜５、ＡｕＧｅ薄膜６及びＮｉ薄
膜７が形成された後、合金化温度で加熱する（ステップ
２０４）。この場合、加熱温度は４２５±５℃の範囲で
設定することが望ましい。
膜７が形成された後、合金化温度で加熱する（ステップ
２０４）。この場合、加熱温度は４２５±５℃の範囲で
設定することが望ましい。
これは、この範囲外で加熱すると、いずれも接触抵抗の
増加になるからである。
増加になるからである。
また、加熱時間は３０秒〜２分の間で設定することが望
ましい。これは、短すぎると加熱不十分になり電極形成
が不可能になり、長すぎるとＧｅが拡散しすぎ接触抵抗
の増加につながるからである。
ましい。これは、短すぎると加熱不十分になり電極形成
が不可能になり、長すぎるとＧｅが拡散しすぎ接触抵抗
の増加につながるからである。
この加熱工程により、ＧａＡｓ基板１上に３層構造のオ
ーミック電極が形成される（ステップ２０５）。
ーミック電極が形成される（ステップ２０５）。
なお、上記実施例において薄膜形成方法とじて真空蒸着
法を使用したが、この方法に限定されるものではない。
法を使用したが、この方法に限定されるものではない。
例えば、スパッタリング法でもよい。
また、加熱工程をＮ２ガスあるいはＡｒガス等の不活性
ガス雰囲気中で行うことにより、加熱用電極の酸化を防
止することができる。
ガス雰囲気中で行うことにより、加熱用電極の酸化を防
止することができる。
次に、この実施例に係る実験結果を示す。この実験は、
Ｓｔ＋イオンを注入しアニールしたｎ型ＧａＡｓ基板上
に、フォトリソグラフィ技術によリオーミック電極のパ
ターンを形成した。次に、Ｇｅ薄膜を５０オングストロ
ーム、ＡｕＧｅ薄ＩＮＮを８００オングストローム、Ｎ
ｉ薄膜を３００オングストロームで真空蒸着法によりオ
ーミック金属を形成した。このように形成された３層構
造のオーミック金属を、リフトオフ技術により所定形状
の電極に形成した。この後、ホットプレート上で、Ｎ２
雰囲気の中で１分間加熱した。この場合、温度は４００
℃から５００℃の範囲で変化させ、Ｇｅ薄膜の膜厚のみ
１００オングストロームにした同一構造の電極を別個に
形成した。
Ｓｔ＋イオンを注入しアニールしたｎ型ＧａＡｓ基板上
に、フォトリソグラフィ技術によリオーミック電極のパ
ターンを形成した。次に、Ｇｅ薄膜を５０オングストロ
ーム、ＡｕＧｅ薄ＩＮＮを８００オングストローム、Ｎ
ｉ薄膜を３００オングストロームで真空蒸着法によりオ
ーミック金属を形成した。このように形成された３層構
造のオーミック金属を、リフトオフ技術により所定形状
の電極に形成した。この後、ホットプレート上で、Ｎ２
雰囲気の中で１分間加熱した。この場合、温度は４００
℃から５００℃の範囲で変化させ、Ｇｅ薄膜の膜厚のみ
１００オングストロームにした同一構造の電極を別個に
形成した。
第２図は、上記実験結果を示すものであり、オーミック
接触抵抗の合金化温度依存性を示すものである。この実
験では、５０オングストロームのＧｅｐ４膜と１００オ
ングストロームのＧｅ薄膜を使用したものを示している
が、いずれも４２５℃付近で接触抵抗は最小値になって
いる。
接触抵抗の合金化温度依存性を示すものである。この実
験では、５０オングストロームのＧｅｐ４膜と１００オ
ングストロームのＧｅ薄膜を使用したものを示している
が、いずれも４２５℃付近で接触抵抗は最小値になって
いる。
〔発明の効果〕
この発明は、以上説明したように構成されているので、
ｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均一かつ十分にするこ
とができる。その為、オーミック電極における接触抵抗
を最小にすることができる。
ｎ型ＧａＡｓ基板へのＧｅ拡散を均一かつ十分にするこ
とができる。その為、オーミック電極における接触抵抗
を最小にすることができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るオーミック電極の
形成方法を示す図、第２図は、この発明における加熱工
程のオーミック接触抵抗（Ｒｅ ）の合金化温度依存性
を示す図、第３図は、従来技術に係るオーミック電極の
形成方法を示す図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＡｕＧｅ薄膜 ３．７・・・Ｎｉ薄膜 ４・・・オーミック電極 ５・・・Ｇｅ薄膜 ６・・・ＡｕＧｅ薄膜 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 良否用 芳 樹間
山 １） 行（ａ） （ｂ） 電ｉ形瓜方５去 蔦１図 ｈ口 長各温度 （’Ｃ） オーミック接触抵抗の合金化湿度依存・圧（ａ） （ｂ） 従来及術 第３図
形成方法を示す図、第２図は、この発明における加熱工
程のオーミック接触抵抗（Ｒｅ ）の合金化温度依存性
を示す図、第３図は、従来技術に係るオーミック電極の
形成方法を示す図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ＡｕＧｅ薄膜 ３．７・・・Ｎｉ薄膜 ４・・・オーミック電極 ５・・・Ｇｅ薄膜 ６・・・ＡｕＧｅ薄膜 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 良否用 芳 樹間
山 １） 行（ａ） （ｂ） 電ｉ形瓜方５去 蔦１図 ｈ口 長各温度 （’Ｃ） オーミック接触抵抗の合金化湿度依存・圧（ａ） （ｂ） 従来及術 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｎ型ＧａＡｓ基板上にゲルマニウム （Ｇｅ）薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、前記Ｇｅ
薄膜上に金ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ：薄膜を形成する
第２薄膜形成工程と、 前記Ａｕ−Ｇｅ薄膜上にニッケル（Ｎｉ）薄膜を形成す
る第３薄膜形成工程と、 前記薄膜を加熱する加熱工程を含んで構成されるオーミ
ック電極の形成方法。 ２、前記第１薄膜形成工程において、５０乃至１００オ
ングストロームのＧｅ薄膜を形成し、前記第２薄膜形成
工程において、５００乃至２０００オングストロームの
Ａｕ−Ｇｅ薄膜を形成し、 前記第３薄膜工程において、１００乃至５００オングス
トロームのＮｉ薄膜を形成し、 前記加熱工程において、前記薄膜を４２０℃乃至４３０
℃で３０秒乃至２分間加熱する請求項１記載のオーミッ
ク電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160261A JP2599432B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160261A JP2599432B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029119A true JPH029119A (ja) | 1990-01-12 |
| JP2599432B2 JP2599432B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=15711181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160261A Expired - Fee Related JP2599432B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | オーミック電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599432B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162246A (en) * | 1990-04-27 | 1992-11-10 | North Carolina State University | Selective germanium deposition on silicon and resulting structures |
| US5358899A (en) * | 1991-10-25 | 1994-10-25 | International Business Machines Corporation | Oxygen assisted ohmic contact formation to n-type gallium arsenide |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5090286A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-07-19 | ||
| JPS58207627A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63160261A patent/JP2599432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5090286A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-07-19 | ||
| JPS58207627A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162246A (en) * | 1990-04-27 | 1992-11-10 | North Carolina State University | Selective germanium deposition on silicon and resulting structures |
| US5358899A (en) * | 1991-10-25 | 1994-10-25 | International Business Machines Corporation | Oxygen assisted ohmic contact formation to n-type gallium arsenide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2599432B2 (ja) | 1997-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |