JPH0288541A

JPH0288541A - 液晶材料

Info

Publication number: JPH0288541A
Application number: JP23827188A
Authority: JP
Inventors: Koji Seto; 浩二瀬戸; Hiroshi Shimojitoushiyo; 浩下地頭所
Original assignee: Nitto Kasei Co Ltd
Current assignee: Nitto Kasei Co Ltd
Priority date: 1988-09-22
Filing date: 1988-09-22
Publication date: 1990-03-28
Anticipated expiration: 2012-07-16
Also published as: JP2631876B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は１表示素子又は電気光学素子に有用な液晶性化
合物及びそれを含有する液晶組成物に関する。

現在、液晶材料による表示素子は受光型の表示方式であ
り、消費電力の少ないことや、薄型の表示装置を作成で
きる等の特長があり、広く実用に供されている。一方発
光型の表示方式で、大画面表示が可能で、高速応答を特
徴とする　ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）やプラズ
マデイスプレィの開発も盛んである。

〔従来の技術〕

これまで表示素子に用いられてきた液晶は殆どがネマチ
ック液晶で、その主流はＴＮ　（ツイスト拳ネマチック
（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　）　：］型である
。このＴＮ型表示方式は、小型、低消費電力などの長所
を有する反面１画像表示の応答速度が遅いという欠点を
も有している。受光型、低消費電力といった液晶表示素
子の特徴を生かし、なお１つ発光型ディヌプレイに匹敵
する応答性を確保するためには新しい液晶表示方式の開
発が不可欠である。

その試みの一つに強誘電性液晶の光スイツチング現象を
利用した表示デパイヌが提案されている。

強誘電性は分子配列上分類命名されているカイラルスメ
クチックＣ相、カイラルスメタチック■相、カイラルス
メタチックＦ相、カイラルスメクチックＣ相及びカイラ
ルスメクチックＨ相（以下それぞれＳＣ相、　Ｓｒ相、
　ＳＦ相、　Ｓｃ相及びＳｌ＋相と略す）に発現し１強
誘電性に基づく応答は次式〔ａ〕τ＝７／Ｐｓ−ＥＣａ
〕（式中τは応答時間、ηは液晶材料の粘度、Ｐｓは自発
分極、Ｅは電界を示す）として表わされるため、理論上
１μｓまでの応答のできる表示素子を得ることが可能で
ある。

現状での強誘電性液晶化合物には、コレステリック液晶
と同様にらせん構造がある。強誘電性液晶の光ヌイッチ
ング現象発現にはこのらせんをほどく必要がある。はど
く方法の１つとしてセルギャップをらせんピッチＰ以下
に制御したセルを製作する方法があるが、多くの化合物
のらせんピッチは１〜３声であることから、現在のセル
製作技術では困難である。一方液晶化合物の配合技術の
面かららせんをほどく方法が考えられている（特開昭６
１−１９５１８７号）。これはスメクチックＣ相を有す
る化合物と強誘電性スメクチック液晶化合物又はその組
成物と混合することによる方法である。この方法による
と９強誘電性スメクチック液晶同志を配合する方法（特
願昭５８−１８６３１２号。

特開昭６１−１７４２９４号）に比して配合が単純化さ
れるので、実用的な液晶組成物を得る上で重要である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

そこでスメクチックＣ相を有する化合物としては、スメ
クチックＣ相を示す温度範囲が広く。

その上限温度が高いこと１強誘電性スメクチック液晶化
合物とよく混合すること、化学的１Ｐ的及び光に安定で
あること等の諸性質を有することが望まれている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上記観点から鋭意研究の結果。

安定性にすぐれ１強誘電性スメクチック液晶化合物とよ
く混合し、スメクチックＣ相を示す温度範囲が広く、そ
の上−限温度が高い液晶性化合物及びそれを含有する液
晶組成物を見出し９本発明に到つ　ｔこ　。

すなわち１本発明は、一般式［Ｉ）ＣＯ−又は基−０Ｃ−を、Ｚは基−Ｃ＝Ｃ−又は基は水
素原子又はハロゲン原子をそれぞれ示す）で表わされる
と良品性化合物である。

また本発明は、上記一般式〔■〕で表わされる化合物を
少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物で
ある。

一般式〔■〕で表わされる化合物の典型例を具体的に示
すと３式中のＹ、Ｑ及びＺの組合せによ９次のグループ
に分けることができる。

（式中Ｒは炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は直鎖ア
ルコキシ基を　ａ２は炭素数１〜２０の直鎖アルコキシ
基又は分校アルコギシ基を示し、Ｙは基−（上記式中Ｒ
１、Ｒ２及びＸは前記と同じ意義を有する。）本発明の化合物の製造法の概略を示すと次のようになる
。

〔ＤンＣＡＢ］［Ｂ）〔Ｃ〕

（上記式中Ｒ’、Ｒ２，Ｘ及びＹは前記と同じ意義を有
し、ＴＥＡはトリエチルアミンヲ示ス。）〔作　　　用
〕本発明の化合物は次の作用及び特徴を示す。

まず水分を含存する雰囲気下において、容易に分解され
うるような基や、光によって異性化するような基をもた
ないので、湿気、光に対して非常に安定である。

次に本発明の化合物の多くは単独でもスメクチックＣ相
を示す温度範囲が広いので９本発明の化合物同志や１本
発明の化合物と既存のスメクチックＣ４’１１を有する
化合物１例えばエステル系、ビフェニ／ｌ／糸９ピリミ
ジン系等を混合することによりスメクチックＣ相を示す
温度範囲を室温を含む巾広い範囲に拡張できる。従−〕
で、実用的にはさらに、混合する強誘電性力イラルヌメ
タチノク液晶化合物の強誘電性を示す温度範囲が狭い場
合でも混合できるので、その化合物を選択できる範囲が
広くなる。また本発明の化合物に、それ自体では強誘電
性を示さない光学活性化合物の混合も可能である。

また本発明によると、一般式〔■〕で表わされる化合物
において　Ｒ２が分校アルコキシ基でカイラリティーを
有する場合、対常体の一方、すなわち光学活性を示す式
ＣＩ、）の化合物は、これをネマチック液晶に添加する
ことによってねじれた構造を読起する能力を有する。ね
じれた構造を有するネマチック液晶、すなわち、カイラ
ルネマチック７夜晶は、　ＴＮ表示素子のいわゆる。リ
バース・ドメイン（ｒｅｖｅｒｓｅ　ｄｏｍａｉｎ　：
　Ｌ　４模様）を生成することがないので１本発明の光
学活性を示す式〔■〕の化合物をリバース・ドメイン生
成の防止剤として使用できる。

〔実　施　例〕

以下に実施例を例示して１本発明を説明するが、実施例
中の％は重量％を示すものとする。

の合成攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｍ１の三
つロフラヌコに、窒素気流中で４−アルコキシブロモベ
ンゼン６４　ｍｍｏｌ　、　３−メチル−１−ブチン−
３−オー／Ｖ　５．９１　？　（７０ｍｍｏ＋　）　、
　　）リフェニルホヌフィン２７０■、ジクロロビス（
トリフェニルホヌフィン）パラジウムＭｉｌΦ０■（０
，２０ｍｍｏｌ　）及びトリエチルアミン６０　ｍｌを
仕込み、攪拌溶解し、ヨウ化銅４５　ｍｇを加えた。室
温で３時間攪拌後、徐々に加熱し、　３０分要して内温
を８０℃とした。この温度で１０時間反応させた。反応
後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧上留去し、残
留物にエーテｌし３００　ｍｌを加えて水洗し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。７７５過後、エルチルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー　（
２００メツシユのシリカゲル１００　？　、展開溶媒：
ベンゼン）にかけて９次式の化合物［Ａ）を中間化合物
として得た（収率７０〜８７％）。

Ｈ３攪拌器、温度計及び蒸留装置を備えた３００ｍ乙の三つ
ロフラスコに、窒素気流中で上記化合物〔Ａ〕５７．８
ｍｍｏｌ　、無水トルエン１２０ｍｔ及びナトリウムハ
イドライド（６０％ヌジョール分散剤）２００■を仕込
み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し３０分要し
て内温を７０℃とした。アセトン（副生物）の還流が始
まり、トルエンと共に留出しはじめるが、さらに加熱し
て留出温度がトルエンの沸をとなるまで反応を続けた。

この間２時間を要し留出した溶媒は６０　ｍｌであった
。反応終了後、室温に戻し、ベンゼン１００ｍｔを加え
て水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。Ｆ１過後、
有機溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（２００メンシユのシリカゲｗ　１００　ｆ
　、　ｆｌｅ　開溶媒：ヘキサン）にかけて、第１表の
４−アルコキシフェニルアセチレン〔Ｂ〕を８５〜９５
％の収率で得た。　その構造はＩＲ及びＮＭＲスペクト
ルで確認した。

結果を第１表に示す。

ｆＭａ例２　　　ｐ−ブロモフェニル−４−アルコキシ
（又攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｍ乙
の三つロフラスコに、ｐ−）゛ロモフェノール３、９３
９　（２５ｍｍｏｌ　）と無水ピリジン１０ｍ１を仕込
み攪拌下に溶解した。このピリジン溶液に、４−アルコ
キシ（又はアルキ／Ｌ／　）ベンゾイルクロライド２０
ｍｍｏ＋を含むテトラヒドロフラン溶液２０　ｍｌ　ヲ
水冷下加えた。反応温度を室温に戻した後、還流温度と
し、８時間攪拌した。反応終了後、ベンゼンを加え、水
洗、１０％苛性ソーダのアルカリ水洗、水洗の順で洗浄
した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下
に留去し、残留物をエタノールから結晶として単離精製
し、第２表のｐ−フロモフェニル−４−アルコキシ（又
はアルキ／Ｌ／）ベンゾエート［Ｃ］を７２〜９７％の
収率で得た。

４−アフレコキシ（又はアルキ）Ｖ　）ベンゾイルクロ
ライド２０　ｍｍｏｌの代シに４−アルコキシ−３−ク
ロルベンゾイルクロライド２Ｑｍｍｏｌを用いる以外は
すべて製造例２と同一条件で合成し、第２表のｐ−プロ
モフエニ）ｖ−４−アルコキシ−３−クロルベンシェー
ド〔Ｃ〕を８２〜９１％の収率で得ｔこ　。

以上の結果を第２表に示す。

第表ＴＡ造例４　　　ｐ−アルコキシ（又はアルキ／Ｖ）フ
ェニル−攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００
ｄの三つロフラスコに、ｐ−アルコキシ（又ハアルキル
）フェノール１８．２　ｍ　ｍｏｌと無水ピリジン］Ｏ
ｍｌを仕込み、攪拌下に溶解した。このピリジン溶液に
、４−ブロモベンゾイルクロライド・）、３０ｆ（１９
，６ｍｍｏｌ　）を含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍ
１を水冷下加えた。反応温度を室温に戻した後。

還流温度とし、８時間攪拌した。反応終了後、ベンゼン
を加え、水洗、　　１０％苛性ソーダのアルカリ水洗、
水洗の１１＠で洗浄した後、無水硫酸すｌ−’Ｊウムで
乾燥した。溶媒を減圧下に留去し、残留物をエタノール
から単離精製し、第３表のｐ−アルコキシ（又はアルキ
ル）フェニル−４−ブロモベンゾエート〔りを８０〜９
８％の収率で得た。

１ノー／’１８．２ｍｍｏｌ　　を用いるＷ外はすべて
製造例４と同一条件で合成し、第３表の４′−アルコキ
シ＝３−クロルフェニ／Ｌ／　−４−ブロモベンゾエー
ト〔Ｃ〕を８８〜８９％の収率で得た。

以上の結果を第３表に示す。

ｐ−アルコキシ（又はアルキ／Ｌ／）フェノールｉ　８
．２　ｍ　ｍｏｌ　の代すニ・ルーアルコキシ−３−ク
ロルフ第了てｆｆｌａ例６　　　ｆ）−アルコキシ（又はアルキル）
フェニル−攪拌器、温度計及び還流冷却器を９１゛ｎえ
た１００ｍ１の三つロフラスコに、ｐ−アルコキシ（又
はアルキ／Ｌ／）フェノール３０　ｍｍｏｌと無水ビリ
ジ７２０　ｍｌを仕込み、攪拌下に／８解した。このピ
リジン溶液に、６−クロルニコチニルクロライド３５　
ｍｍｏｌ　ヲ含むジクロルエタン溶ｎ　５０　、、ｔを
水冷下加えた。

反応温度を室温に扉した後、・１・０℃に加熱し、８時
間攪拌した。反応終了後、ベンセンを加え、水洗、１０
％苛性ソーダのアルカル水洗、水洗の順で洗浄した後、
無水＠酸ナトリヮムで乾燥した。

溶媒と減圧下に留去し、残留物をエタノールから単離精
製し、第・を表のｐ−アルコキシ（又はアルキル）フェ
ニ＃−５−クロルニコ−ｙ−＊　−ト［Ｄ）ヲ８８〜９
５％の収率で得た。

ｐ−アルコキシ（又はアルキ／Ｌ／）フェノール３０ｍ
ｍｏｌの代りに、−Ｌ−アルコキシ−３−クロルフェノ
ール３０　ｍｍｏｌを用いる以外はすべて製造例６と同
一条件で合成し、第・を表の４′−アルコキシ−３−ク
ロルフェニル−６−クロルニコ〔Ｄ〕を８３％の収率で
得た。

以上の結果を第４表に示す。

第　　　４　　　表実ｍ例１　　　４−＋：ｐ−ニル−アルコキシアルキ／
Ｉ／）フエ攪拌器，温度計及び還流冷却器を備えた三つ
ロフラヌコに，窒素気流中で製造例２で得られたｐ−ブ
ロモフェニル−４−アルコキシ（又はアルキ）ｖ　）ベ
ンゾニー）　４．８ｍｍｏ＋　、製造例１で得られた４
−アルコキシフェニルアセチレン５，　Ｑ　ｍ　ｍｏｌ
　。

トリフェニルホスフィン６５■．ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パッジ１クム触に８２ｍ９及Ｕトリ
工チルアミン３０ｍ４を仕込み．攪拌溶解し。

ヨウ化銅６ｍｇを加えた。室温で２時間攪拌後．除徐に
加熱し，　　３０分要して９０℃とした。この温度で１
６時間反応させた。反応後は室温に戻し．トリエチルア
ミンを減圧下留去し，残留物にエーテ／’　１００　ｍ
ｌを加えて水洗し，無水硫酸ナトＩＪウムで乾燥した。

濾過後．エルチルを留去し．残留物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（　２００メツシユのシリカゲル１
００　？　、展開＠１）Ｘ　：　ペン−ｔ’　ン／ヘキ
サン＝１／１）にかけて単離精製した。ヘキサンから再
結晶化して第５表の４−〔ｐ−アルコキシ（又はアルキ
ル）フェニルカルボニルオキシ−　４−アルコキシトラ
ンＣＩ）を８７〜９２％の収率で得た。各化合物の構造
はＩＲ及びＮＭＲヌベクトルデークで確認した。

例　〔化合物随１〕外はすべて実施例１と同一条件で合成し．第５表の４　
−　（４’−アルコキシ−３″−クロルフェニルカルボ
ニルオキシ）−４−アルコキシトランＣＩ，１　ヲ８０
〜８９％の収率で得た。各化合物の構造はＩＲ及ヒＮＭ
Ｒスペクトルデータで確認した。

例　〔化合物Ｎａ７〕Ｔ　Ｒ　：　、　Ｋｌｌｒ　ｄ”硅ＤＣ４３ＮＭＲ　：δＴ１１８２９２０　、　　２２１２　、　　１？３６　、　　１
２５８１１６４　、８３０ｃｒｎ　’ ８、１（ｄ，２Ｈ）、７．６　〜６．７（ｍ，ＩＯＨ）
。

４、、０（ｔ，２Ｈ）、３．８（ｄ，２Ｈ）。

２、１〜０．８　（Ｉｎ．　２７　〜２８Ｈ　）　ｐｐ
ｍＩＲ　　νｍａｘ　　　　　２９２６　、　　２２１
６　、　　１７２８　、　　１２７２１２０４　　　８
３６ｃｍ　　’ ＤＣｔ３ＮＭＲ　：δ，，１８８．１（Ｉｎ．２Ｈ）、７．７　
〜６．７（Ｉｎ，９Ｈ）４、０　（＋ｎ，　４Ｈ　）、
　２．　１へ０７（ｍ．２＆〜２９Ｈ）ｐｐｍ以上実施
例１及び２で得られた各化合物の相転移温度と共に結果
を第５表に示す。

ｐ−グロモフェニル−４−フルコキシ（又ハアルキル）
ベンゾエート４．８　ｍｍｏｌの代シに製造例３でｍら
ｈｔニーｒ）−ブロモフェニル−４−アルコキシ−３−
クロルベンシェード４．８ｍｍｏｌを用いる以攪拌器、
温度計及び還流冷却器を備えた三つ口７ラスコに、ｌ造
例４で得うれたｐ−アルコキシ（又はアルキル）フェニ
ル−４−ブロモベンゾエート４．８ｍｍｏｌ　、製造例
１で得られた４−アルコキシフェニルアセチレン５゜Ｏ
ｍｒｎｏｌ　、　　）リフェニルホヌフィン６５〜．ジ
クロロビヌ（トリフェニルホヌフィン）パラジウム触媒
３２■及びトリエチルアミン３０　ｍ乙を仕込み、攪拌
溶解し、ヨウ化銅６■を加えた。室温で２時間攪拌後、
徐々に加熱し。

３０分要して８０〜９０℃とした。この温度で１０時間
反応させた。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを
減圧下留去し、残留物にエーテ／’１００ｍｔを加えて
水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。

濾過後、エーテルを留去し、残留物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（２００メツシユのシリｈ　ケｚＬ
／１００　ｙ　、　展開溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１
／ｌ）にかけて単離精製した。ヘキサンから再結晶化し
て第６表の４−〔ｐ−アルコキシ（又はアルキル）フェ
ニルオギシカルボニル〕−４−アルコキシトラン〔Ｉ）
を８３〜９２％の収率で得た。

各化合物の構造はＩＲ及びＮＭＲスペクトルデー、夕で
確認した。

例　〔化合物Ｎ１１６） ■Ｒ，，Ｋ１１ｒｄ″・ｋＮＭＲ：Ｊ　ＣＤ（２ｔｓＴｉＩ４２９２４　、　２２１２　　、　１７３４　　。

１７２２　　１２４８　　　８２８　ｃｍ−”８．１　
（ｄ、　２Ｈ）、　７．７〜６．７　（Ｉｌｌ、　ＩＯ
Ｈ）。

４．０　（ｔ、２Ｈ）、３．８　（ｄ、２Ｈ）。

２．１〜０．７　（ｍ、２７〜２８Ｈ）ｐｐｍ！３−ア
ルコキシ（又はアルキル）フェニル−４−ブロモベンゾ
ニー）４．８ｍｍｏｌの代りに製造例５−ｃｍられた４
−アルコキシ−３−クロルフェニル−４−ブロモベンゾ
エート４．８ｍｍｏｌを用いる以外はすべて実施例３と
同一条件で合成し、第６表の４−（４−アルコキシ−３
−クロフレフェニルオキシ力ルボニル）−４−アルコキ
シトランＣＤ　を８１〜９１％の収率で得た。各化合物
の構造はＩＲ及びＮＭＲスペクトルデータで確認した。

例　〔化合物随２０　） ■Ｒニジｍ、、　　　　　２９２４　　２２１６．　１
？３０．　１２８０゜１２５０　、　　８３４　ｃｍ　
　’ ＮＭＲ：δｐＨ７ｓ　　　ａｌ（ｄ、　２Ｈ）、　７．
７〜６．ｑ＜ｍ、　９Ｈ）。

３．９（ｍ、　４Ｈ）、　２．０〜０．６（ｍ、　２７
〜２８Ｈ）ｐｐｍ以上実施例３及び４で得られた各化合
物の相転移温度と共に結果を第６表に示す。

実７１１１５　　　　ｐ−アルコキシ（又はアルキル）
フェニル−反応容器に、窒素気流中で、製造例６で得ら
れたｐ−アルコキシ（又はアルキ）Ｖ　）フェニル−６
−クロルニコチネート４．８ｍｍｏ！、製造例１で得ら
れた４−アルコキシフェニルアセチレン　５．０ｍｍｏ
ｌ、トリフェニルホヌフィン６５■、ジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム触媒３２■及びトリ
エチルアミン３０　ｍｌを仕込み１攪拌溶解し、ヨウ化
銅６　ｍｔｉを加えた。室温で２時間攪拌後、徐々に加
熱し、３０分要して８０℃とした。

この温度で１６時間反応させた。反応後は室温に戻し、
トリエチルアミンを減圧下留去し、残留物にエーテ／’
１００ｍｔを加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。濾過後、エーテルを留去し。

残留物ヲシリカゲル力うムクロマトグラフィー媒（２００メツシユのシリカゲ／Ｌ’１００Ｆ、展開溶＃
＃−：ベンゼン）にかけて単離精製した。ヘキサンから
再結晶化して第７表のｐ−アルコキシ（又はアルキ／Ｉ
／）フエニ／Ｌ’−６−（ｐ−アルコキシフェニ）ｖ　
）エチニルニコチネートを８０〜８４％の収率で得た。

各化合物の構造はＩＲ及びＮＭＲスペクトルデークで確
認した。

例　〔化合物Ｎａ２２〕 ■Ｒ；シＫＢｒｄ′６ｋＮＭＲ：δ０Ｄ０３ｌ１ｌＳ２９２４　　、　２２２０　、　１７３８　　、　１５
１２　。

１２５４、　　８４０ｍ−１９，３（ｄ、ＬＨ）、８．３（ｄｄ、ＩＨ）７．５　（
Ｉｎ、　３Ｈ）、　６．９　（ｍ、　６Ｈ）。

４．０　ＣＬ、　４Ｈ）、　２．０”−０，６（Ｉｎ、
　３２〜３３Ｈ）Ｉ）Ｉ）Ｉｎｐ−アルコキシ（又はア
ルキル）フェニル−６−クロルニコチネー）　４．８　
ｍ　ｍｏｌの代りに製造例７テｉうｔｌＪ、：４−アル
コキシ−３−クロルフェニ／ｌ／　−５−クロルニコチ
ネート４．８ｍｍｏｌを用いる以外はすべて実施例５と
同一条件で合成し９第７表の４−アルコキシ−３−クロ
ルフェニル−６−（ｐ−アルコキシフェニル）エチニル
ニコチネートヲ７９〜８５％の収率で得た。各化合物の
構造はＩＲ及ヒＮＭＲスペクトルデータで確認した。

例　〔化合物随２６〕ＩＲ，シ、ｎａ！２９２４　、　２２１６　、　１？３
２　、　１４９８　。

１２５８、　　８３４ｃｒｎ　’ ＮＭＲδ０Ｄ−３９，３（ｍ、ＩＨ）８．３（ｄｄ、ｌ
Ｈ）。

ＭＳ７．７〜６．７（Ｉｎ、　８Ｈ）、　４．０（ｍ、　４
Ｈ）２．０〜０．７　（ｍ、　　３２〜３３Ｈ）　ｐＩ
）ｍ以上実施例５及び６で得られた各化合物の相転移温
度と共に結果を第７表に示す。

実施例７ｌ−（ｐ−アルコキシフェニル）−２−４′−
Ｍｌ袢器、温度計、還流冷却器及び水素ガスをためたゴ
ム風せん分備えたフラツフに、実施例１で得た４−［ｐ
−アルコキシ（又はアルキ）Ｖ　）フェニルカルボニル
オキシ〕−４−アルコキシトラン１．４ｍｍｏｌ　、　
５％パラジウム−炭素触媒５００グ及び酢酸エチル１０
ｍ１を仕込み、水素ガフ置換後。

室温で反応させた。反応の進行の程度を薄層クロマトチ
ンプで調べた。反応は約１時間でほぼ完了するが、さら
に２時間水素雰囲気中で反応を続けた。反応後は濾過助
剤を敷いたガラスフィルターで触媒を除去し、酢酸エチ
ルを減圧下で留去した。

反応粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
２００メツシユのシリカゲ／Ｌ１５０　ｆ　、　　展開
溶媒；ベンセン）にかけて精製し、第８表の１−〔ｐ−
アルコキシトラン／Ｌ／　）　−２−４−［ｐ−アルコ
キシ（又はアルキ）Ｖ）フェニルカルボニルオキシ〕フ
ェニルエタン〔■〕を９０〜９７％の収率で得た。

各化合物の構造はＩＲ及びＮＭＲヌベクトルで確認した
。

例　〔化合物Ｎ１１Ｌ２９〕ＩＲＫＪＩ、　　ｄｉｓｋ νｍａｗＮＭＲ：δＣＩＣｔ３ＭＳ２・９２８　　、　１７２８　　、　１２５６　　、　
１１６６７６４ｍ’ ８．１（ｄ、　２Ｈ）、　７．２〜６．７（Ｉｎ、　ｌ
０Ｈ）４．０（、ｔ、２Ｈ）、３．７（ｄ、２Ｈ）。

２．８　（ｓ、　４Ｈ）、２．１ヘリ、６　Ｃｒｎ、　
２７９８Ｈ）　ｐｐｔｎ４−（ｐ−アルコキシ（又はア
ルキルニルカルボニルオキシ〕−４−アルコキシトラン４、　
４　ｍ　ｍｏｌの代りに実施例２で得た４−（了′ーア
ルコキシー３ークロルフェニルカルボニルオキシ−４′
−アルコキシトラン４．　４　ｍ　ｍｏｌを用いる以外
はすべて実施例７と同一条件で合成し，第８表の１−（
ｐ−アルコキシフェニル）−２　−　４’　−　＜　４
”　−アルコキシ−３−クロルフェニルカルボニルオキ
シ）フェニルエタン〔■〕ヲ９１〜９５％ノ収率テｓだ
。各化合物の構造はＩＲ及びＮＭＲヌベクトルで確認し
た。

例　〔化合物Ｎ［Ｌ３５：］ＩＲ：ＩＪＫ”””　　　２９２４．　１７２６．　１
２７６、　１１９８゜７５６ｃｍ−１ＮＭＲ：δ０Ｄ”３　　８．１（ｍ、２Ｈ）、７．３〜
６．７（ｍ、９Ｈ）。

ＭＳ・シ、１（ｔ、２Ｈ）、３．９（ｔ、２Ｈ）２．９（Ｓ
、　４Ｈ）、　２．１〜０．７（ｍ、　２７〜２８Ｈ）
Ｉ）ｐｍ以上実施例７及び８で得られた各化合物の相転
移温度と共に結果を第８表に示す。

の合成実施例７の４−〔ｐ−アルコキシ（又はアルキ／Ｖ）フ
ェニルカルボニルオキシ〕−４−アルコキシトラン４．
．４ｍｍｏｌの代シに実施例３で得た４−Ｃｐ−アフレ
コキシ（又はアルキル）フエニｔｋオキシカルボニ）ｖ
　）　−４−アルコキシトラン４．４ｍｍｏｌを用いる
以外はすべて実施例７と同一条件で合成り、　第９表の
１−（ｐ−アルコキシフェニル）−２−４−（：ｐ−ア
ルコキシ（又はアルキル）フェニルオゝキシカルボニル９０〜９８％の収率で得た。各化合物の構造はＩＲ及び
ＮＭＲスペクトルデータで確認した。

例　〔化合物１＠４４１１Ｒ：ｖＫＢ’　”′に２９２４　、　　１７３０　、
　　１２４８　、　　１１９４　。

８２６ｃｍ−’ ＮＭＲ：δ０Ｄ０３ＭＳ８、０　（　ｄ．　２Ｈ　）、　７．３　〜６．７　（
ｍ．　ＩＯＨ　）。

３、、９（ｔ，２Ｈ）、３．７（ｄ，２Ｈ）。

２、１　〜Ｏ．？　（ｍ，　２７　〜２８Ｈ　）　ｐｐ
ｙｎ実施例７の４−〔ｐ−アルコキシ（又はアルキ）Ｖ
　）フェニルカルボニルオキシ）−４−７／レコキシト
ラン４．　４　ｍ　ｍｏｌの代りに実施例４で得たる−
（４−アルコキシ−３−クロルフェニルオキシ力ルボニ
／１／　）　−４−アルコキシトラン４．４ｍｍｏ＋　
ヲ用いる以外はすべて実施例７と同一条件で合成し。

第９表ノ１−（１）−アルコキシフェニル）−２−４　
−　（　４″−アルコキシ−３−クロルフェニルオキシ
カルボニ／Ｖ）フェニルエタンｍ’ｔ　９３〜９８％の
収率で得た。各化合物の構造はＩＲ及びＮＭＲスペクト
ルデータで確認した。

例　〔化合物随４８〕ＩＲ：ｖ　Ｋ］３ｒ　”＠ｋ　　　　２９２０，　　　
１７３６，　　　１２６４，　　　１１９２。

８１０ｃｒｎ−’ ＮＭＲ：δ０ｒｌＣ’３　　　８．０（ｄ，２Ｈ）、７
．３　〜６．６（ｍ．９Ｈ）ＭＳ３、９　（　ｍ，　４Ｈ　）、　２．９　（　８．　４
Ｈ　）２、２〜０．７（ｍ，２７〜２８Ｈ）ｐｐｍ以上
実施例９及び１０で得られた各化合物の相転移温度と共
に結果を第９表に示す。

実施例１１　　　　ｐ−アルコキシ（又はアルキル）フ
ェニル実ｍ例？の４−Ｃｐ−アルコキシ（又はアルキル
）フェニルカルボニルオキシ、］−］４−７／レコキシ
トラン４４　ｍ　ｍｏ　Ｉの代りに実施例５で得たｐ−
アルコキシ（又はアルキ）Ｖ　）フエニ／ｌ／　−６−
（ｐ−アルコキシトラン／Ｌ／　）エチニルニコチネー
ト４．４＋ｎｍｏｌを用いる以外はすべて実施例７と同
−条長件で合成し、第１０＋のｐ−アルコキシ（又はアルキルエチニルニコチネート（：Ｉ）を９１〜９５％の収率で
得ｔＦ０各化合物の構造はＩＲ及びＮＭＲスペクトルデ
ータで確認した。

例　〔化合動磁５０〕ＩＲ　：ｖＫＢ’　”ｓｋ２９２０　、　　１７４０　
、　　１５１０　、　　１２５２　。

８１４ｍ−’ ＮＭＲ：δ０Ｄ”３　　　９．２（ｄ．　ＬＨ）、　８
．２（ｄｄ．　ＩＨ）。

ＭＳ７、２　〜６．６（ｍ．９Ｈ）、３．９（ｍ，４Ｈ）３
、　１　（　Ｓ．　４Ｈ　）、　２．０〜０．７　（ｍ
．　３２　〜３３Ｈ　）Ｉ）Ｉ）ｍ実施例７の４−（ｐ
−アルコキシ（又はアルキル）フェニルカルボニルオキ
シ〕−４−アルコキシトラン４．　４　ｍ　ｍｏ＋の代
りに実施例６で得た４−アルコキシ−３−クロルフェニ
ルルコキシフェニル）エチニルニコチネート　　４．　４
ｍｍｏ＋を用いる以外はすべて実施例７と同一条件で合
成り．　　第１ｏ表の４′−アルコキシ−３−クロルフ
ェニル−６−β−（ｐ−７ルコキシフエニルエチルニコ
チネート〔Ｉ〕を９１〜９５％の収率で得た。各化合物
の構造はＩＲ及びＮＭＲスペクトルデータで確認した。

例　〔化合物随５４〕ＩＲ，νｍ、Ｘ　　　　２９２０，１７３４．１４９６
．１２５６゜８０８ｍ−’ ＣＩ）Ｃ１３ＮＭＲ：δＴＭＳ　　　、！１２（ｄ、　ＩＨ）、８．
２（ｄｄ、　ＩＨ）。

７．３〜６．７（ｍ、　８Ｈ）、　　４、Ｏ（ｔ、２Ｈ
）。

３．９　（ｔ、　２Ｈ）、　３．１　（Ｓ、　　４Ｈ）
。

２．１〜０．７　（ｍ、　　３２〜３３Ｈ）ｐＩ）ｍ以
上実施例１１及び実施例１２で得られた各化合物の相転
移温度と共に結果を第１０表に示す。

実施例１３１−二ｆｌレー４−シアノビフェニル　　２０％４−ベ
ンチ）ｖ−４−シアノビフェニ／ｖ　４０％・ｔ−オク
チルオキシ−４−シアノビフェニ）Ｖ２５％４−ペンチ
ル−４−シアノターフェニル　１５％からなるネマチッ
ク液晶組成物を、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗
布し、その表面をラビングして平行配向処理を施し、電
極間隔を１１０ｌ１に制御した透明電極を有するセルに
注入してＴＮ型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観
察したところ、リバースψツイスト・ドメインを生じて
いるのが観察された。

次た上記のネマチック液晶組成物に１本発明の光学活性
液晶性化合物、すなわち。

された。

実施例１４〜１６本発明の液晶性化合物と既知のスメクチック液晶化合物
を用いて液晶組成物を調製したところスメクチックＣ相
を示す温度範囲の広い組成物が得られた（実施例１４）
。

また実施例１４で得た液晶組成物に既知の強誘電性液晶
化合物を混合（実施例１５　”）又は光学活性化合物を
混合（実施例１６）シたところ、比較的長いらせんピッ
チＰを有する強誘電性力イラルヌメクチック液晶組成物
が得られた。

以上の結果を第１１表に示す。

〔化合物Ｎ１１１５〕で表わされる化合物を１％添加し、同様にＴＮ型セルに
て観察したところ、リバーヌ・ツイスト・ドメインは解
消され、均一なネマチック相が観察〔発明の効果〕本発明の光学活性な化合物をＴＮ表示素子用ネマチック
液晶組成物に添加することによシ、リパーヌ・ツイスト
・ドメインを消去することができる。また本発明の化合
物の多くはスメクチックＣ相を示す温度範囲が広いので
１強誘電性スメクチック液晶又は光学活性化合物を添加
することによ９強誘電性を示す温度範囲が広いスメクチ
ック液晶組成物が得られる。このような効果は本発明に
より達成される。

特許出願人　　日東化成株式会社代理人　弁理士　　松　永　哲　也

Claims

【特許請求の範囲】１、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（式中Ｒ＾１は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は直
鎖アルコキシ基を、Ｒ＾２は炭素数１〜２０の直鎖アル
コキシ基又は分枝アルコキシ基を示し、Ｙは基▲数式、
化学式、表等があります▼又は基▲数式、化学式、表等
があります▼を、Ｚは基−Ｃ≡Ｃ−又は基−ＣＨ＿２Ｃ
Ｈ＿２−を、Ｑは基▲数式、化学式、表等があります▼
又は基▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｘは水素
原子又はハロゲン原子をそれぞれ示す）で表わされる液
晶性化合物。２、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（式中Ｒ＾１は炭素数１〜２０の直鎖アルキル基又は直
鎖アルコキシ基を、Ｒ＾２は炭素数１〜２０の直鎖アル
コキシ基又は分枝アルコキシ基を示し、Ｙは基−▲数式
、化学式、表等があります▼又は基▲数式、化学式、表
等があります▼を、Ｚは基−Ｃ≡Ｃ−又は基−ＣＨ＿Ｃ
Ｈ＿２−を、Ｑは基▲数式、化学式、表等があります▼
又は基▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｘは水素
原子又はハロゲン原子をそれぞれ示す）で表わされる液
晶性化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする
液晶組成物。