JPH0578320A

JPH0578320A - シクロブタン誘導体並びにそれらを含む液晶組成物

Info

Publication number: JPH0578320A
Application number: JP3354088A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Tsuchiya; 和彦土屋; Megumi Kawaguchi; 恵川口; Kenji Suzuki; 賢治鈴木; Atsushi Sugiura; 淳杉浦; Tsunenori Fujii; 恒宣藤井
Original assignee: Kanto Chemical Co Inc
Current assignee: Kanto Chemical Co Inc
Priority date: 1991-04-16
Filing date: 1991-11-18
Publication date: 1993-03-30

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】下記式（Ｉ）に示す（式中、Ｒ^１は水素原子あるいは炭素原子数１〜１４の
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表わし、Ｒ^２は炭
素原子数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基
を表わし、で表わされる非光学活性のシクロブタン誘導体およびそ
れを含有する液晶組成物。【効果】この液晶性化合物は、それ自体、単独で室温付
近において広い温度範囲でＳｍＣ相を有する化合物であ
り、又、それらを適当な割合で混合すると、更に広い温
度範囲でＳｍＣ相を有する混合物を調製することがで
き、又、それらに適当な他の光学活性化合物を添加した
組成物は電圧印加により光学応答を示す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、新規な液晶性化合物並びにこれ
らの液晶性化合物の少なくとも１種を含有することを特
徴とする液晶組成物に関する。更に詳しく言えば本発明
は強誘電性液晶に関し、実用的な強誘電性液晶組成物作
製の際、その組成成分として有用で、かつ、化学的安定
性に優れた新規なシクロブタン環を有する液晶性化合物
ならびにそれらの液晶性化合物の少なくとも１種を含有
する液晶組成物に関する。

【０００２】

【背景技術】時計、電卓、パーソナルワープロ、ポケッ
トテレビ等に用いる表示素子として液晶表示素子は広く
用いられている。これは受光型で目が疲れない、消費電
力が少ない、薄型である等の優れた特徴を有しているた
めであるが、一方においては、応答速度が遅い、メモリ
ー性がない等の問題点があり、応用面において制限があ
った。また、応用面の拡大を図るため、従来用いられて
いたツイステッドネマチック（ＴＮ）型表示方式を改良
したスーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）型表示
方式等も見いだされている。しかし、これらは大画面表
示あるいはグラフィック表示用としては充分ではなく、
これらに代わる液晶表示素子の研究も種々行われてい
る。

【０００３】その１つに強誘電性液晶〔Ｒ．Ｂ．Ｍｅｙ
ｅｒ等；Ｐｈｙｓｉｑｕｅ，３６Ｌ−６９（１９７
５）〕を利用した表示方式〔Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ等；Ａ
ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓ．ｌｅｔｔ．，３６，８９９
（１９８０）〕がある。

【０００４】この方式は従来方式に比べて１０００倍も
の高速応答であること、及びメモリー性があること等の
優れた特徴を有しているため、液晶表示素子の用途拡大
が期待されている。強誘電性液晶は液晶分子長軸が層法
線方向とある角度を有する一連のスメクチック液晶をさ
すが、実用的にはカイラルスメクチックＣ（カイラルＳ
ｍＣ）相が用いられる。

【０００５】表示素子用の強誘電性液晶を用いる方式と
しては、（１）種々のカイラルＳｍＣ相を有する化合物
からなる液晶組成物を用いる方式、又は、（２）種々の
ＳｍＣ相を有する化合物と光学活性化合物とを混合して
得られる液晶組成物を用いる方式の２方式がある。

【０００６】強誘電性液晶表示素子の研究開発は当初、
（１）の方式で得られる液晶組成物を用いていたが、研
究開発が進展し、ＳｍＣ相を有する化合物に光学活性化
合物を添加することにより強誘電性液晶が得られること
が判明して以来、（２）の方式で得られる組成物を用い
る方向にある。

【０００７】これは実用面において、（２）の方が市場
から要求される種々の特性（動作温度範囲、応答速度、
自発分極、ラセンピッチ、化学的安定性等）を調整しや
すいこと、また、カイラルＳｍＣ化合物に比べてＳｍＣ
化合物は安価に合成できること等から（２）の方式で得
られる組成物が利点が多いと考えられているためであ
る。

【０００８】しかし、（２）の方式によっても未だ実用
に供するには充分な組成物が得られているという段階に
至っておらず、強誘電性液晶組成物作成の際に有用な成
分となり得るさらに優れた性質を有する化合物の開発が
望まれている状況にある。

【０００９】

【発明の開示】このような状況から、本発明者等は、強
誘電性液晶組成物作成の際に必要なＳｍＣ相を有する化
合物に視点を置き、特にこれまで知られている化合物に
は、ＳｍＣ相の温度領域が室温付近に存在するものが少
なく、それが室温付近に存在するものであっても、その
温度幅が狭く、又、その物質構造にベンゼン環が多く存
在していたり、安息香酸エステル型の構造が存在してい
るために粘性が高く高速応答には不利であると考えられ
ることを考慮して、これらの諸問題を解決する目的で種
々の新規構造を有する化合物をデザインし、合成し、評
価して、鋭意研究した結果、化学的に安定で、しかも、
室温付近におけるＳｍＣ相温度の範囲が広く、また、そ
れらの混合物が低粘性となる新規な化合物を合成するこ
とに成功した。

【００１０】すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）

【化５】（式中、Ｒ^１は水素原子あるいは炭素原子数１〜１４の
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表わし、Ｒ^２は炭
素原子数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基
を表わし、

【化６】で表わされる非光学活性のシクロブタン誘導体、並び
に、それらの化合物の少なくとも１種を含有することを
特徴とする液晶組成物を提供するものである。

【００１１】本発明に係わる新規な液晶性化合物は、そ
れ自体、単独で室温付近において広い温度範囲でＳｍＣ
相を有する化合物であり、又、それらを適当な割合で混
合すると、更に広い温度範囲でＳｍＣ相を有する混合物
を調製することができ、又、それらに適当な他の光学活
性化合物を添加した組成物は電圧印加により光学応答を
示す。

【００１２】従って本発明に係る新規な化合物は、実用
的な強誘電性液晶組成物作成時の組成成分として極めて
有用な化合物である。

【００１３】以下に、本発明に係る液晶性化合物の合成
経路について説明し、さらに、実施例等により、本発明
を詳細に説明する。

【００１４】まず、本発明に係る新規化合物の合成経路
を反応式により示すが、これらの合成経路は、その１例
であり、また、実施例とともに、これらの例により、本
発明は制約されるものではない。

【００１５】合成経路図

【化７】（式中の記号Ｒ^１、Ｒ^２およびＡはいずれも前述の定義
を示し、

【００１６】

【化８】を示す）。

【００１７】上記の合成経路について、詳細に説明する
と、式３の

【化９】で表わされる化合物とナトリウムハイドライド（Ｎａ
Ｈ）存在下に、式４の

【００１８】

【化１０】で表わされる化合物と反応させることにより本発明に係
る新規化合物が得られる。式３の

【化１１】の化合物は、式１の

【化１２】の化合物をＬｉＡｌＨ_４を用いて還元して得られる式２
の

【化１３】の化合物をトシル酸クロライドでエステル化することに
より得られる。

【００１９】式１の

【化１４】の化合物は特開昭６２−２０１８４３号公報に記載され
た方法で得られ、また式２の

【化１５】で表わされる化合物および式３の

【化１６】で表わされる化合物は特開平１−２０７２５４号公報記
載の方法で得られる。

【００２０】また、式４の

【化１７】で表わされる化合物は市販されている。

【００２１】次に、実施例を示し、本発明を更に、具体
的に説明する。実施例を含め、本明細書中に記載されて
いる略記号は下記の意味を有する。

【００２２】ＧＬＣガスクロマトグラフィーＨＰＬＣ高速液体クロマトグラフィーＩＲ赤外線吸収スペクトルＭａｓｓ質量分析ｍ．ｐ融点ｂ．ｐ沸点Ｃ結晶ＳｍＣ，ＳｃスメクチックＣ相カイラルＳｍＣ，カイラルＳｃカイラルスメクチックＣ相Ｓ_Ａ，ＳｍＡスメクチックＡ相Ｃｈコレステリック相Ｎｅネマチック相Ｉ等方性液体？温度不明

【００２３】実施例１

【化１８】反応器に５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．５９ｇ及びジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）５ｍｌを仕込み、室温撹拌下に、ナトリウム
ハイドライド（含量６０％）０．２ｇを加え、水素ガス
の発生終了後、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ−ト
ルエンスルホン酸エステル（製造法後述）０．８ｇのＤ
ＭＦ５ｍｌ溶液を滴下し、滴下後、２４時間室温で撹
拌した。

【００２４】反応液を希塩酸に注加し、エーテルで抽出
し、水洗し、芒硝で乾燥した後、溶媒を留去し、残留分
をメタノール／アセトン混合溶媒で再結晶して、５−ヘ
プチル−２−〔４−｛（３−（ペンチルシクロブチル）
メトキシ｝フェニル〕ピリミジン０．５０ｇ（収率５
６．３％）を得た。

【００２５】この物の純度はＨＰＬＣで１００％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４０８に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００２６】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００２７】上記の３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステルは下記の方法により製造
された。

【００２８】

【化１９】反応器にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌおよ
びリチウムアルミニウムハイドライド（ＬｉＡｌＨ_４）
５．０７ｇを仕込み、氷冷撹拌下に３−ペンチルシクロ
ブタンカルボン酸１５．１ｇのＴＨＦ３０ｍｌ溶液を滴
下後、４時間室温撹拌した。反応液を希塩酸に注加し、
エーテルで抽出後、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、
芒硝で乾燥した。このエーテル溶液を蒸留して溶媒を留
去し、残留物（粗３−ペンチルシクロブチルメタノー
ル）１４．９ｇを得た。ＧＬＣ９９．７％（シス体５２．３％、トランス体４
７．４％）

【００２９】

【化２０】反応器に（ａ）で得られた３−ペンチルシクロブチルメ
タノール５ｇおよびピリジン３０ｍｌを仕込み撹拌下に
１０℃以下でｐ−トルエンスルホン酸クロライド９．３
ｇのピリジン２０ｍｌ溶液を滴下後、室温で１時間、４
０〜５０℃で２時間反応した。反応液を希塩酸に注加し
ベンゼンで抽出後ベンゼン層を水洗し、芒硝で乾燥し
た。このベンゼン溶液の溶媒を留去して残留物（粗３−
ペンチルシクロブチルメチルｐ−トルエンスルホネー
ト）を得た。収量７．４ｇ（７４．４％）

【００３０】実施例２

【化２１】実施例１において、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキ
シフェニル）ピリミジン０．５９ｇに替えて、５−オク
チル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．
６２ｇを用い、他は実施例１と同様に操作して、５−オ
クチル−２−〔４−｛（３−ペンチルシクロヘキシルブ
チル）メトキシ｝フェニル〕ピリミジン０．２６ｇ（収
率２７．８％）を得た。

【００３１】この物の純度はＨＰＬＣで９９．２％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４２２に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００３２】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００３３】実施例３

【化２２】実施例１において、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキ
シフェニル）ピリミジン０．５９ｇに替えて、５−ノニ
ル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６
５ｇを用い、他は実施例１と同様に操作して、５−ノニ
ル−２−〔４−｛（３−ペンチルシクロブチル）メトキ
シ｝フェニル〕ピリミジン０．３６ｇ（収率３８．３
％）を得た。

【００３４】この物の純度はＨＰＬＣで９９．３％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４３６に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００３５】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００３６】実施例４

【化２３】反応器にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌおよ
びリチウムアルミニウムハイドライド（ＬｉＡｌＨ_４）
９．４ｇを仕込み、氷水冷撹拌下に３−エチルシクロブ
タンカルボン酸２１．１ｇのＴＨＦ３０ｍｌ溶液を滴下
後、４時間室温撹拌した。

【００３７】反応液を希塩酸に注加し、エーテルで抽出
後、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、芒硝で乾燥し
た。このエーテル溶液を蒸留して、溶媒を留去し、残留
分を減圧蒸留して３−エチルシクロブチルメタノール１
６．１ｇ（収率８５．６％）を得た。ｂ．ｐ６９〜８
１℃／９〜２１ｍｍＨｇ

【００３８】

【化２４】反応器に（ａ）で得た３−エチルシクロブチルメタノー
ル１６．１ｇ及びピリジン１２０ｍｌを仕込み、１０℃
以下で撹拌下にｐ−トルエンスルホン酸クロライド４０
ｇのピリジン８０ｍｌ溶液を滴下し、室温で１時間、次
いで４０〜５０℃で２時間反応させた。反応液を希塩酸
に注加し、ベンゼンで抽出後、水洗し、芒硝で脱水し、
溶媒を留去して粗３−エチルシクロブチルメチルｐ−ト
ルエンスルホン酸エステル３６ｇを得た。

【００３９】

【化２５】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、
（ｂ）で得た粗３−エチルシクロブチルメチルｐ−トル
エンスルホン酸エステル０．６９ｇを用い、他は実施例
１と同様に操作して、５−ヘプチル−２−〔４−｛（３
−（エチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕ピリミ
ジン０．５８ｇ（収率７３．１％）を得た。

【００４０】この物の純度はＨＰＬＣで９９．７％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で３６６に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００４１】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す

【００４２】実施例５

【化２６】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例４（ｂ）で得られる粗３−エチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．６９ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９ｇに替えて、５−オクチル−２−（４
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６２ｇを用い、
他は実施例１と同様に操作して、５−オクチル−２−
〔４−｛（３−エチルシクロブチル）メトキシ｝フェニ
ル〕ピリミジン０．４２ｇ（収率５０．４％）を得た。

【００４３】この物の純度はＨＰＬＣで９９．５％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で３８０に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００４４】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００４５】実施例６

【化２７】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例４（ｂ）で得られる粗３−エチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．６９ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９ｇに替えて、５−ノニル−２−（４−
ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６５ｇを用い、他
は実施例１と同様に操作して、５−ノニル−２−〔４−
｛（３−エチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕ピ
リミジン０．５７ｇ（収率６６．４％）を得た。

【００４６】この物の純度はＨＰＬＣで９９．４％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で３９４に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００４７】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００４８】実施例７

【化２８】実施例４（ａ）において、３−エチルシクロブタンカル
ボン酸２１．１ｇを、３−ブチルシクロブタンカルボン
酸２５．７ｇに替え、実施例４（ａ）と同様に操作し
て、３−ブチルシクロブチルメタノール２３．４ｇ（収
率６８．５％）を得た。ｂ．ｐ４５〜４６℃／０．１
５〜０．２５ｍｍＨｇ

【００４９】

【化２９】実施例４（ｂ）において、３−エチルシクロブチルメタ
ノール１６．１ｇに替えて、（ａ）で得た３−ブチルシ
クロブチルメタノール２０．１ｇを用い、他は実施例４
（ｂ）と同様に操作して、粗３−ブチルシクロブチルメ
チルｐ−トルエンスルホン酸エステル３９．１ｇを得
た。

【００５０】

【化３０】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、
（ｂ）で得た粗３−ブチルシクロブチルメチルｐ−トル
エンスルホン酸エステル０．７６ｇを用い、他は実施例
１と同様に操作して、５−ヘプチル−２−〔４−｛（３
−ブチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕ピリミジ
ン０．５５ｇ（収率６３．８％）を得た。

【００５１】この物の純度はＨＰＬＣで９９．０％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で３９４に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００５２】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００５３】実施例８

【化３１】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例７（ｂ）で得られる粗３−ブチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．７６ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９ｇに替えて、５−オクチル−２−（４
−ヒドロキシフェニル）ビリミジン０．６２ｇを用い、
他は実施例１と同様に操作して、５−オクチル−２−
〔４−｛（３−ブチルシクロブチル）メトキシ｝フェニ
ル〕ピリミジン０．６４ｇ（収率７１．４％）を得た。

【００５４】この物の純度はＨＰＬＣで９８．７％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４０８に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００５５】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００５６】実施例９

【化３２】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例７（ｂ）で得られる粗３−ブチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．７６ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９ｇに替えて、５−ノニル−２−（４−
ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６５ｇを用い、他
は実施例１と同様に操作して、５−ノニル−２−〔４−
｛（３−ブチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕ピ
リミジン０．５５ｇ（収率５９．９％）を得た。

【００５７】この物の純度はＨＰＬＣで９８．３％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４２２に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００５８】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００５９】実施例１０

【化３３】実施例４（ａ）において、３−エチルシクロブタンカル
ボン酸２１．１ｇを、３−オクチルシクロブタンカルボ
ン酸３５．０ｇに替え、他は実施例４（ａ）と同様に操
作して、３−オクチルシクロブチルメタノール２８．１
ｇ（収率８６．０％）を得た。ｂ．ｐ９６〜１０３℃
／０．７〜０．９ｍｍＨｇ

【００６０】

【化３４】実施例４（ｂ）において、３−エチルシクロブチルメタ
ノール１６．１ｇに替えて、（ａ）で得た３−オクチル
シクロブチルメタノール２８．０ｇを用い、他は実施例
４（ｂ）と同様に操作して、粗３−オクチルシクロブチ
ルメチルｐ−トルエンスルホン酸エステル４２．３ｇを
得た。

【００６１】

【化３５】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、
（ｂ）で得た粗３−オクチルシクロブチルメチルｐ−ト
ルエンスルホン酸エステル０．９１ｇを用い、他は実施
例１と同様に操作して、５−ヘプチル−２−〔４−
｛（３−オクチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕
ピリミジン０．７２ｇ（収率７３．２％）を得た。

【００６２】この物の純度はＨＰＬＣで９９．６％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４５０に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００６３】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００６４】実施例１１

【化３６】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例１０（ｂ）で得られる粗３−オクチルシクロブチルメ
チルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．９１ｇを用
い、又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．５９ｇに替えて、５−オクチル−２
−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６２ｇを
用い、他は実施例１と同様に操作して、５−オクチル−
２−〔４−｛（３−オクチルシクロブチル）メトキシ｝
フェニル〕ピリミジン０．６９ｇ（収率６８．７％）を
得た。

【００６５】この物の純度はＨＰＬＣで９９．４％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４６４に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００６６】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００６７】実施例１２

【化３７】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例１０（ｂ）で得られる粗３−オクチルシクロブチルメ
チルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．９１ｇを用
い、又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．５９ｇに替えて、５−ノニル−２−
（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６５ｇを用
い、他は実施例１と同様に操作して、５−ノニル−２−
〔４−｛（３−オクチルシクロブチル）メトキシ｝フェ
ニル〕ピリミジン０．６８ｇ（収率６５．５％）を得
た。

【００６８】この物の純度はＨＰＬＣで９９．３％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４７８に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００６９】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００７０】実施例１３

【化３８】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例７（ｂ）で得られる粗３−ブチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．７６ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９ｇに替えて、５−オクチル−２−（４
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６２ｇを用い、
他は実施例１と同様に操作して、５−オクチル−２−
〔４−｛（３−ブチルシクロブチル）メトキシ｝フェニ
ル〕ピリジン０．３３ｇ（収率３６．８％）を得た。

【００７１】この物の純度はＨＰＬＣで９９．８％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４０７に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００７２】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００７３】実施例１４

【化３９】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例４（ｂ）で得られる粗３−エチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．６９ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９ｇに替えて、５−デシル−２−（４−
ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．６８ｇを用い、他
は実施例１と同様に操作して、５−デシル−２−〔４−
｛（３−エチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕ピ
リジン０．４１ｇ（収率４６．３％）を得た。

【００７４】この物の純度はＨＰＬＣで９９．４％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４０７に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００７５】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００７６】実施例１５

【化４０】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例７（ｂ）で得られる粗３−ブチルシクロブチルメチル
ｐ−トルエンスルホン酸エステル０．７６ｇを用い、
又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン０．５９に替えて、５−デシル−２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）ピリミジン０．６８ｇを用い、他は
実施例１と同様に操作して、５−デシル−２−〔４−
｛（３−ブチルシクロブチル）メトキシ｝フェニル〕ピ
リジン０．４０ｇ（収率４２．４％）を得た。

【００７７】この物の純度はＨＰＬＣで９９．６％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４３５に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００７８】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００７９】実施例１６

【化４１】実施例１において、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキ
シフェニル）ピリミジン０．５９に替えて、５−デシル
−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン０．６８ｇ
を用い、他は実施例１と同様に操作して、５一デシルー
２−〔４−｛（３−ペンチルシクロブチル）メトキシ｝
フェニル〕ピリジン０．３６ｇ（収率３６．８％）を得
た。

【００８０】この物の純度はＨＰＬＣで９９．９％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４４９に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００８１】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００８２】実施例１７

【化４２】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．８ｇに替えて、実施
例１０（ｂ）で得られる粗３−オクチルシクロブチルメ
チルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．９１ｇを用
い、又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．５９ｇに替えて、５−デシル−２−
（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン０．６８ｇを用
い、他は実施例１と同様に操作して、５−デシル−２−
〔４−｛（３−オクチルシクロブチル）メトキシ｝フェ
ニル〕ピリジン０．４４ｇ（収率４１．２％）を得た。

【００８３】この物の純度はＨＰＬＣで９９．６％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、ＩＲ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４９１に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００８４】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００８５】実施例１８

【化４３】実施例１において、３−ペンチルシクロブチルメチルｐ
−トルエンスルホン酸エステル０．５９ｇに替えて、実
施例１０（ｂ）で得られる粗３−オクチルシクロブチル
メチルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．９１ｇを用
い、又、５−ヘプチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．５９ｇに替えて、５−オクチル−２
−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン０．６２ｇを用
い、他は実施例１と同様に操作して、５−オクチル−２
−〔４−｛（３−オクチルシクロブチル）メトキシ｝フ
ェニル〕ピリジン０．３７ｇ（収率３６．８％）を得
た。

【００８６】この物の純度はＨＰＬＣで９９．８％であ
り、ＴＬＣで１スポットであった。又、１Ｒ測定の結果
及びＭａｓｓ分析で４６３に分子イオンピークが認めら
れたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物質
が目的物であることを確認した。

【００８７】この物をメトラーホットステージＦＰ−８
２を用い、偏光顕微鏡下で相変化を観察した結果を表３
に示す。

【００８８】実施例１９実施例３で得られたＳｍＣ化合物９０重量％に対し、下
記式の光学活性化合物を１０重量％添加して強誘電性液
晶組成物を作成した。

【００８９】

【化４４】この液晶組成物の相転移温度は降温時６８．２℃で等方
性液体からＣｈ相、６２．８℃でＣｈ相からＳｍＡ相、
５３．７℃でＳｍＡからカイラルＳｍＣ相へ変化した。

【００９０】表面にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を
塗布し、その表面をラビングして平行配向処理を施した
透明電極を備えたセル厚３μｍの液晶セルを作製し、こ
の液晶セルに上記の強誘電性液晶組成物を封入し、等方
性液体からカイラルＳｍＣ相まで徐冷して液晶素子を作
製した。この液晶素子を２枚の偏光板に挟み、±２５
Ｖ、２００Ｈｚの矩形波を印加し、その時の透過光強度
の変化から応答時間を求めた。

【００９１】また、ソーヤー・タワー法にて自発分極を
測定し、印加電圧の極性反転時の消光位の移動角度より
チルト角度を測定した。その結果を表１に示す。

【００９２】

【表１】

【００９３】実施例２０実施例３で得られた化合物７５重量％と実施例１５で得
られた化合物２５重量％とよりなるＳｃ組成物を調製
し、その相転移温度を測定した。その結果を下記に示
す。

【００９４】

【化４５】

【００９５】実施例２１実施例２０で調製した液晶組成物９５重量％と下記構造
の光学活性化合物５重量％を混合し、強誘電性液晶組成
物を作成した。この組成物の降温時の相転移温度を下記
に示す。

【００９６】

【化４６】この強誘電性液晶組成物を市販の液晶セル（ＥＨＣ社
製、ポリイミド配向膜、２．２μｍギャプ）に封入し、
等方性液体からカイラルＳｍＣ相まで徐冷して液晶素子
を作製した。この液晶素子を２枚の偏光板に挟み、±５
Ｖ／μｍ、２００Ｈｚの矩形波を印加し、その時の透過
光強度の変化から応答時間を求めた。

【００９７】また、ソーヤー・タワー法にて自発分極を
測定し、印加電圧の極性反転時の消光位の移動角度より
チルト角度を測定した。その結果を表２に示す。

【００９８】

【表２】

【００９９】以上の実施例で認められるように、本発明
に係わる化合物はそれ自体単独で室温付近に広い温度範
囲でＳｍＣ相を有し、それらを混合することにより更に
液晶組成物のＳｍＣ相温度範囲を拡張することができ
る。又、本発明に係る化合物単独あるいはそれらの混合
物に光学活性化合物を添加して成る組成物は電圧印加に
より光学応答を示す。

【０１００】

【表３】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者杉浦淳埼玉県草加市稲荷１−７−１関東化学株式会社中央研究所内 (72)発明者藤井恒宣劃玉県草加市稲荷１−７−１関東化学株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）【化１】（式中、Ｒ^１は水素原子あるいは炭素原子数１〜１４の
直鎖状または分岐鎖状のアルキルを基を表わし、Ｒ^２は
炭素原子数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル
基を表わし、【化２】で表わされる非光学活性のシクロブタン誘導体。
【請求項２】前記一般式（Ｉ）のシクロブタン誘導体
がトランス体である請求項１記載のシクロブタン誘導
体。
【請求項３】前記一般式（Ｉ）のシクロブタン誘導体
がシス体である請求項１記載のシクロブタン誘導体。
【請求項４】一般式（Ｉ）【化３】（式中、Ｒ^１は水素原子あるいは炭素原子数１〜１４の
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表わし、Ｒ^２は炭
素原子数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基
を表わし、【化４】で表わされる非光学活性のシクロブタン誘導体の少なく
とも１種を含有することを特徴とする液晶組成物。
【請求項５】前記一般式（Ｉ）のシクロブタン誘導体
がトランス体である化合物の少なくとも１種を含有する
ことを特徴とする液晶組成物。
【請求項６】前記一般式（Ｉ）のシクロブタン誘導体
がシス体である化合物の少なくとも１種を含有すること
を特徴とする液晶組成物。