JPH01151538A - 光学活性4−アルキル安息香酸エステル化合物及び液晶組成物 - Google Patents

光学活性4−アルキル安息香酸エステル化合物及び液晶組成物

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JPH01151538A
JPH01151538A JP62309446A JP30944687A JPH01151538A JP H01151538 A JPH01151538 A JP H01151538A JP 62309446 A JP62309446 A JP 62309446A JP 30944687 A JP30944687 A JP 30944687A JP H01151538 A JPH01151538 A JP H01151538A
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methyldecyl
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benzene
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Kenji Suzuki
賢治 鈴木
Atsushi Sugiura
杉浦 淳
Tsunenori Fujii
藤井 恒宣
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、強誘電性液晶組成物の成分として有用で、か
っ、安全性の良い新規な液晶性化合物ならびにこの液晶
化合物を用いる液晶組成物に関する。
〔背景技術〕
ネマティック液晶を利用した表示素子は、その低電圧駆
動性、低消費電力性、受光型のため目が疲れない等の特
長を有し、種々の機器の表示部に用いられている。しか
しながらネマティック液晶表示素子は、発光グイオート
、エレクトロルミネッセンス等の表示素子に比べて、応
答速度が遅く、応用上に制限かあった。液晶表段として
は、1980年にクラークらにより提唱された強誘電性
液晶の光スイツチング現象を利用する方式がある(アプ
ライド・フイジイクス・レターズ、 36 (1980
) 899)。強誘電性液晶を利用した表示方式は従来
のネマティック液晶表示素子に比へその応答速度は約数
百倍に達し、テレビ等の動画像や高速光シャッターを始
めとし、多方面への応用が可能となるものである。
強誘電性液晶は、スメクテイツク液晶の一種であるが、
液晶が強誘電性を示すには、次の条件を満足せねばなら
ない。
■ 分子構造中に不斉炭素原子を何し、かつ光学活性で
あること。
■ 分子長軸方向に垂直な永久双極子モーメントを有す
ること。
■ 液晶物質か、カイラルスメクテイツクC相(SmC
”相)を有すること。
下記式、(a)で表わされる化合物は、メイヤーらによ
り初めて見出された代表的な強誘電性液晶であるが(ジ
ュルナール・ド・フイジーク。
廷(1975)、 L−69)、シック塩基であるため
、化学的安定性に欠けている。
実用の面から、表示素子として機能さU゛る液晶化合物
には、化学的安定性が必要であり、また表示素子として
満足の行く特性を得るためには、従来のネマティック液
晶表示素子の場合と同様、他の数種の成分としての強誘
電性液晶との混合が必須である。本発明者らは、強誘電
性を示す温度範囲に視点を置き、種々の化合物を検討し
、合成し、評価した結果、化学的に安定な分子構造を有
し、表示素子での動作範囲を拡張する成分として有用な
本発明に係る化合物を見出すことに成功した。
すなわち、本発明は、一般式(I) (Xは0RSCOOR及び0CORを表わし、Rは炭素
原子数1〜18のアルキル基を示し、Roは不斉炭素原
子を有する炭素原子数4〜18のアルキル基であって、
その不斉炭素原子はベンゼン環に直接結合しているもの
とする)で表わされる光学活性−4−アルキル安息香酸
エステル化合物ならびに該化合物を含有する液晶組成物
を提供するものである。
以下に、本発明を実施例によって具体的に説明ずろ。
実施例における各物質の製造プロセスを図式すると次の
通りである。
次の反応図式中に示された(i)〜(xiii)の記号
は、いずれも実施例中の対応する各化合物に符されてい
る。
本明細書、特に実施例中の記載において使用されている
略号の息義を次に示す。
b、p、   沸点 mp、   融点 Cryst、  結晶状態 SmC”  カイラルスメクテイックC相SmA   
スメクテイツクA相 SmX   同定できなかったスメクテイツク相ch 
   コレステリック相 lso、   等方性液体 Ho@()coon CI+3 110竪X公011 実施例 1 (R)−4−オクチルオキシビフェニル−4′−イルp
−(1−メチルデシル)ベンゾエート(ix)の合成 (a)(S)−2−フェニル−1−プロパツール(11
)の合成 水素化アルミニウムリチウム31gとエチルエーテルI
Qの混合物に対し、(S)−2−フェニルプロピオン酸
エヂル(i)190g((α〕甘せ+58.1’ クロ
ロホルム溶液)を撹拌しながら滴下し、滴下俊速流下に
2時間反応させた。反応液を希塩酸中に徐々に注加し、
遊離したエーテル層を、よく水洗した後、芒硝で乾燥さ
せた。
エーテルを留去した後、残留分を減圧蒸留して133g
の(S)−2−フェニル−1−プロパツール(11)を
得た。
b、p、 126°C/ 28mmt1g(b) (S
 )−1−ブロモ−2−フェニルプロパン(iii)の
合成 上記(a)で得られた(S)−2−フェニル−1−プロ
パツール123g、エチルエーテル620ccおよびピ
リジン183gの混合物に対し、三臭化リン276Li
を0℃で撹拌しながら滴下した。滴下後、0℃で1時間
、室温で4時間反応させ、反応液を冷水に注加した。
反応液をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を希苛性ソーダ
水溶液、水の順で洗浄した。このベンゼン層を芒硝で乾
燥させ、ベンゼンを留去した後、残留分を減圧蒸留して
62gの(S)−1−ブロモ−2−フェニルプロパン(
iii)を得た。
b、p、 124°C/ 28mml1g(c)(R)
−2−フェニルウンデカン(iv)の合成 面記(b)で得られた(S)−1−ブロモ−2−フェニ
ルプロパン545gを乾燥したテトラヒドロフラン20
0ccに溶解さけ、この溶液をマグネシラ1. g 9
に滴下してグリニヤール試薬を調製した。
このグリニヤール試薬を臭化オクチル539、乾燥した
テトラヒドロフラン200ccおよび臭化第1銅0.1
gの混合物に対し、0°Cで滴下した。
滴下後、反応液を徐々に昇温し、30〜40℃で2時間
反応させた。反応液を希塩酸に注加し、遊離した有機層
をベンゼンで抽出した。ベンゼン層を水洗し、芒硝で乾
燥させた。ベンゼンを留去した後、残留分を減圧蒸留し
て41gの(R)−2−フェニルウンデカン(1v)を
得た。
b、p、 102〜109°C/ 0.2mml1g(
d) (R)−p −(1−メチルデシル)アセトフェ
ノン(V)の合成 無水塩化アルミニウム30.6gと塩化メチレン300
ccの混合物に対し、0℃で塩化アセチル18y、次い
で(R)−2−フェニルウンデカン41り(塩化メチレ
ン100ccへ溶解)を滴下した。
同l:M度で2時間撹拌した後、反応液を希塩酸中に注
加した。遊離した塩化メチレン層を水洗した後、芒硝で
乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残留分を減圧
蒸留して43gの(R)−p−(1−メチルデシル)ア
セトフェノン(V)を得た。
b、p、 142〜143°C/ 0.2mmt1g(
c) (R) −p −(1−メチルデシル)安息香酸
クロライド(vii)の合成 前記(d)て得られた(R)−p−(1−メチルデシル
)アセトフェノン43gとジオキサン250ccの混合
物に対し、次亜臭素酸ナトリウム水溶液(臭素125g
と5N苛性ソーダ水溶液6509より調製)を室温下に
、撹拌しながら滴下した。
滴下後、反応液を徐々に昇温し、50℃とした。
反応液に亜硫酸ナトリウム水溶液を加え、過剰の次亜臭
素酸ナトリウムを分解した後、塩酸を加えて酸性にした
。沈澱した結晶をクロロホルムで抽出し、クロロポルム
層をよく水洗した。
クロロポルム層を芒硝で乾燥さ什た後、クロロホルムを
留去して(R)−p−(1−メチルデシル)安息香酸(
vi)を得た。(R)−p−(1−メチルデシル)安息
香酸とベンゼン200ccの混合物に、還流下に撹拌し
ながら塩化チオニル409を滴下した。さらに還流下で
3時間反応させた後、過剰の塩化チオニルとベンゼンと
を留去し、残留分を減圧蒸留して38gの(R)−’p
 −(l−メチルデシル)安息香酸クロライド(vii
)を得た。
b、p、160°C/ 0.2mm1g(r)4−ヒド
ロキシ−4′−オクチルオキシビフェニル(vli)の
合成 4.4′−ジヒドロキシビフェニル3009、エタノー
ル800ccおよび苛性ソーダzog(水400ccに
溶解させた)の混合物に、還流下に撹拌しながら臭化オ
クチル156gを滴下した。同温度で、5時間撹拌した
後反応液を水に注加した。水不溶物を減圧が過し、炉果
物をベンゼンで洗浄した。が果物を希塩酸とともに加熱
撹拌した後、再び不溶物を減圧濾過した。
が果物をベンゼンより2回再結晶して13NFの4−ヒ
ドロキシ−4′−オクチルオキシビフェニル(vii)
を得た。
m、p、 150.8〜152.0℃ (g)(R)−4−オクチルオキシビフェニル−4′−
イルp−(1−メチルデシル)ベンゾニー)(ix)の
合成 4−ヒドロキシ−4′−オクチルオキシビフェニル2g
、ピリジン0.6gおよびベンゼン20ccの混合物に
室温下に前記(e)で得られた(R)−p−(1−メチ
ルデシル)安息香酸クロライド29を滴下した。室温下
で2時間、還流下で3時間撹拌した後、反応液を水中に
注加した。遊離したベンゼン層を水洗した後、芒硝で乾
燥させた。ベンゼンを留去した後、残留分をカラムクロ
マトグラフィー(担体ニジリカゲル、溶離液:ベンゼン
:ヘキサン=1:!の混合物)にて精製し、さらにエタ
ノールより再結晶して(R)−4−オフデルオキソビフ
ェニル−4′−イルp−(1−メチルデシル)ベンゾエ
ート(ix)1.69を得た。このものの含量は、液体
クロマトグラフィーにて99%以上、薄層クロマトグラ
フィーにて1スポツトであった。赤外線吸収スペクトル
測定によれば特性値は、2800〜3000cm−’、
1740am−’51600cm−8.1210cm−
’であり、また質量スペクトル分析では、557に分子
イオンビーク、259に基準ピークが認められ、このら
のの化学構造が支持された。
このものをメトラー社製ホットステージFP−82には
さみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のよ
うであった。
#:顕微鏡観察では相変化が不明瞭であったため示差熱
量計測定により求めた。
実施例 2 (R)−4−ペンチルオキシカルボニルビフェニル−4
′−イルp−(1−メチルデシル)ベンゾエート(×1
)の合成 (a)ペンチル4−ヒドロキシビフェニル−4′−カル
ボキシレート(x)の合成 4−ヒドロキシビフェニル−4′−カルボン酸2(Ml
、l−ペンタノール150ccおよび濃硫酸20ccの
混合物を還流下に5時間撹拌した。
反応液を減圧下で濃縮した後、水に注加した。
遊離した油状物をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を水洗
した。ベンゼン層を芒硝で乾燥させた後、ベンゼンを留
去し、残留分をベンゼン−ヘキサンの混合物より再結晶
して12.41?のペンチル4−ヒドロキシビフェニル
−4′−カルボキシレート(x)を得た。
m、p、 104.4〜104.9℃ (b)(R)−4−ペンデルオキシカルボニルビフェニ
ル−4′−イルp −(1−メチルデシル)ベンゾエー
ト(Xl)の合成 前記(a)で得られたペンチル4−ヒドロキシビフェニ
ル−4′−カルボキシレート(x)2y、ピリジン0,
6gおよびベンゼン20ccの混合物に室温下、実施例
1 (e)で得られた(R)−p−(+−メチルデシル
)安息香酸クロライド(vii) 2.39を滴下した
室温下で2時間、還流下で3時間撹拌した後、反応液を
水中に注加した。遊離したベンゼンJ17!を水洗した
後、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去した後、残留分
をカラムクロマトグラフィー(担体ニジリカゲル、溶離
液:ベンゼン)にて精製し、さらにアセトンより再結晶
して2.1gの(R)−4−ペンチルオキシカルボニル
ビフェニル−4′〜イルp−(1−メチルデシル)ベン
ゾエート(xi)を得た。このものの含量は液体クロマ
トグラフィーにて99%以上、%1Jffクロマトグラ
フィーにて1スポツトであった。赤外線吸収スペクトル
測定によれば特性値は、2800〜3000cm−’、
1730cm−’、1710cm−’、1600c+n
−’であり、また質量スペクトル分析では、543に分
子イオンピーク、259に基準ピークが認められ、この
ものの化学構造が支持された。
このものをメトラー社製ホットステージFP−82には
さみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のよ
うであった。
実施例 3 (R)−4−ペンタノイルオキノビフェニル−4′−イ
ルp〜(l−メチルデシル)ベンゾエート(xii)の
合成 (a)4−ヒドロキシ−4′−ペンクツイルオキシビフ
ェニル(xii)の合成 水400 cc、ジオキサン400ccよ3よびI、1
3N Thフ性ソーダ水溶液270ccの混合物に、5
℃以下で撹拌しなから吉草酸クロライド35.5gと4
.4′−ノヒドロキシビフエニノに50gを投入した。
同温度で2時間撹拌した後、反応液を減圧が過シた。J
果物をベンゼンとともに加熱撹r1ミし、が過した。炉
液より析出した結晶を再びが集し、エタノールより再結
晶して10yの4−ヒドロキシ−4′−ペンクツイルオ
キシビフェニル(xii)を得た。
(b)(R)−4−ペンタノイルオキソビフェニル−4
′−イルp−(1−メチルデシル)ベンゾニー)(xi
ii)の合成 前記(a)で得られた4−ヒト【1キン−4′−ペンタ
ノイルオキソビフェニル(xii)2.4?、ピリジン
0.79およびベンゼン20ccの混合物に室温下で、
実施例1(e)で得られた(R)−p−(1−メチルデ
シル)安息香酸クロライド(vii)2.4gを滴下し
た。室温下で2時間次いで還流下で3時間、撹拌した後
、反応液を水中へ注加した。遊離したベンゼン層を水洗
した後、芒硝で乾燥させた。
ベンゼンを留去した後、残留分をカラムクロマトグラフ
ィー(担体ニジリカゲル、溶離液:ベンゼン)にて精製
し、さらにアセトンより再結晶して22gの(R)−4
−ペンタノイルオキシビフェニル−4′−イルp−(1
−メヂルデシル)ベンゾエート(xii)を得た。この
ものの含量は、液体クロマトグラフィーにて99%以上
であり、薄層クロマトグラフィーにて1スポツトであっ
た。赤外線吸収スペクトル測定によれば特性値は、2H
O〜3000cm−’、1760c+n−’、1740
cm−’。
1600cm−’であり、また質量スペクトル分析では
、529に分子イオンビーク、259に基準ピークが認
められ、このものの化学構造が支持された。
このものをメトラー社製ポットステージFP−82には
さみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のよ
うであった。
#:顕微鏡観察では、相変化が不明瞭であったので示差
熱量計測定により求めた。
実施例 4〜7 実施例1、実施例2及び実施例3にべへ拠して同様にし
て各種の誘導体を合成した。実施例1〜7において得ら
れた各化合物の相転移温度を測定した結果を表1に示す
。表中、RおよびXは、それぞれ、前記一般式([)に
おいて定義した基を表し、それにより各化合物を示す。
実施例 8 既存の強誘電性液晶(S)−p−オクチルオキシフェニ
ル4−(6’−メチルオクチル)オキシベンゾエート(
Ferroelectrics、 58.3〜? (1
984))に実施例6で得られた(R)−4−デシルオ
キシビフェニル−4′−イルp −(1−メチルデシル
)ベンゾエートを20%(重量比)添加して得られた組
成物のSmC”相の温度範囲を表2に示した。
(R)−4−デノルオギンビフェニルー4′−イルp−
(1−メチルデシル)ベンゾエートを20%添加するこ
とにより(S)−p−オクチルオキシフェニル4−(6
’−メチルデシル)オキソベンゾエートのSmC”相の
温度範囲は16.5°から37°へと拡張した。
実施例 9 表面にポリビニルアルコール膜を塗布し、ラビング処理
した2枚の透明電極を有するガラス基板を用いて液晶セ
ルを組立てた。なお、2枚の基板は、そのラビング方向
が、平行になるようにされた。セル間隔は3μmである
。この液晶セルに実施例8で得られた液晶組成物を封入
し、等方性液体からSmC”相まで徐冷した。この液晶
素子を2枚の偏光板にはさみ、20V、2011zの三
角波を印加したところ、明瞭なスイツヂング動作が確認
された。かくして電気光学素子に供し得る強誘電性液晶
組成物が得られた。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (XはOR、COOR及びOCORを表わし、Rは炭素
    原子数1〜18のアルキル基を示し、R^*は不斉炭素
    原子を有する炭素原子数4〜18のアルキル基であって
    、その不斉炭素原子はベンゼン環に直接結合しているも
    のとする)で表わされる光学活性−4−アルキル安息香
    酸エステル化合物。
  2. (2)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (XはOR、COOR及びOCORを表わし、Rは炭素
    原子数1〜18のアルキル基を示し、R^*は不斉炭素
    原子を有する炭素原子数4〜18のアルキル基であって
    、その不斉炭素原子はベンゼン環に直接結合しているも
    のとする)で表わされる光学活性−4−アルキル安息香
    酸エステル化合物少なくとも1種を含むことを特徴とす
    る液晶組成物。
JP62309446A 1987-12-09 1987-12-09 光学活性4−アルキル安息香酸エステル化合物及び液晶組成物 Pending JPH01151538A (ja)

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