JPS6393749A - ビフエニルカルボン酸エステル誘導体および液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶性化合物およびその化合物少なくと
も１種を含有する液晶組成物に関する。液晶表示素子は
、時計のデジタル化に端を発し、計算機、ゲーム等に用
いられ、すでにそれらの商品における液晶表示は技術的
に完全に定着化している。現在ではポケットテレビ等に
用いられて来でいるが、それらの表示方式においては液
晶の中のネマチック相を利用したＴＮ（ツイストネマチ
ック）型が玉流となっている。

この方式の欠点として、応答が遅い、視る角度によって
表示が見えない（視角特性が悪い）等がある。液晶表示
素子は受光型で眼が疲れない、消費電力が極めて少ない
、ＩＣとの相性が良好といった優れた特徴を有しており
、用途の拡大が望まれているがそれには前記の欠点の改
善は不可欠の問題とされてｂる。

この問題を解決するため種々の研究がされてきているが
、その中にＴＮ屋表示方式に代る新しい液晶表示方式と
して強誘電性液晶を用いた表示デバイス（Ｎ、Ａ、　Ｃ
１ａｒｋ、　８．Ｔ、　Ｌａｇｅｒｗａｌｌ　；Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙａ、Ｌｅｔｔ、、３６．８９９　（１９８０
））がある。

強誘電性液晶はＲｏＢ、　Ｍｅｙｅｒらにより見い出さ
れたものでおる。（Ｒ，Ｂ、　Ｍｅｙｅｒ、　、Ｌ　Ｐ
ｈｙｓｉｑｕｅ。

３６、　Ｌ−６９（１９７５）　） この表示方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ
相（以下ＳｍＣ”と略記する）、カイラルスメクチック
■相（ＳｍＨ”と略記する）を利用するものでゴ型方式
に比べ格段に応答速度が速いところから各方面で実用化
の研究が活発に行われている。しかしこの表示方式に用
いる強誘電性液晶材料は未だ数が少なく又それらは安定
性等の点で冥用上問題がある。

本発明者らは実用に供し得る、化学的に安定で広いＳｍ
Ｃ”相を有する液晶化合物、及び組成物取分として有用
な液晶化合物の開発を目的として鋭意研究した結果、本
発明に到達した。

すなわち本発明は、一般式 （式中、Ｒｏは炭素原子数４〜１４の不整炭素原子を有
するアルキル基を表わし、ｎは１〜１２の整数を表わし
、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、ｎの
数とＲの炭素原子数の和は１４以下である）で表わされ
るビフェニルカルボン酸エステル誘導体並びにその化合
物の少なくとも１種を含有する液晶組成物を提供するも
のである。

本発明に係る新規強誘電性液晶化合物は、化学的に安定
な物質であり、それ自身単独でも広い温度範囲でＳｍＣ
”相を有しているがそれらを相互に混合し、或は他の液
晶組成物に添加することによりＳｍＣ”相の温度範囲を
さらに拡張することができ、表示素子の動作温度範囲を
拡張するのに有効に利用される。

以下に、本発明に係る化合物の合成ルートを式で示し、
また、実施例によりその製造方法及び使用例を具体的に
説明する。図式中に示された（１）〜休）の記号は、い
ずれも実施例中の対応する各化合物に符されている。

なお本明細書に使用した略記号は以下のとおりの意衆な
表わす。

ｍ、ｐ、　：融点 Ｓｍ：　　スメクテイツク相 ＳｍＣ”　：　　カイラルスメクチックＣ相ＳｍＡ　　
：　　スメクテイツクＡ相 ＳｍＢ　　：　　スメクテイツクＢ相 Ｓｘ：　　同定できなかったスメクテイツク相Ｃｈ：　
　コレステリック相 Ｘｓｏ　　：　　等方性液体 ｃｒｙｓｔ　：結晶状態 ＣＨ３ Ｉ Ｃ２Ｈ５ＣＨＣ）（２Ｂｒ 実施例１　（ａ）↓Ｂｒ　（ＣＨ２）ａＢｒ実施例１（
Ｃ）↓ 実施例１（ｄ）■ 及び 実施例　１ （Ｓ）　−Ｐ　−（３−エトキシプロピル）フェニル４
′−（（６“′−メチルオクチル）オキシ〕ビフェニル
−４“−カルホキシレー）　（Ｖ）の合成（ａ）（８）
−６−メチルオクチルブロマイド（１）の合成 反応容器に粉末マグネシウム１＆８Ｆおよびテトラヒド
ロフラン（水素化リチウムアルミニウムで処理した後に
蒸留して精製）１６０ＣＣを仕込み、これに（Ｓ）　−
２−メチルブチループワマイ（ド、（Ｍｏｌ。

Ｃｒｙｓｔ、　Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ、、　４８．３７
〜５２，１９７８の反応例に従って合成り１１２３〜１
２４Ｃ）７１を滴下してグリニヤール試薬を調製した。

別に、反応容器に１．４−ジブロモブタン１２３２、テ
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）　３５０　ｅｃおよび０．
１ｍｏｌ／Ｌのジリチウムテトラクロロキュープレート
−ＴＨＦ溶液（Ｌｉ２ＣｕＣＡ４／ＴＨＦ）　１８　ｅ
Ｃを仕込み、ＯＣ以下で上記のグリニヤール試薬を滴下
した。

０℃以下で１時間、１０℃で１時間、式らに室温下で１
時間攪拌した後、反応液を希塩酸中に注加した。遊離し
た有機層をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を充分に水洗
した。ベンゼン層を芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し
、残留分を減圧蒸留して、（Ｓ）　−６−メチルオクチ
ルブロマイド（１）　６　ｏ　ｔを得た。ｂ、ｐ、１０
２〜１１４℃７２７　ｍｍＨｇ （ｂ）　　（Ｓ）−メチル４−Ｃ（６“−メチルオクチ
ル）オキシフビフェニル−４′−カルボキシレート（Ｉ
Ｉ）の合成 反応容器に、メチル４−ヒドロキシビフェニル−４′−
カルボキシレート３８ｆ、（８１６−メチルオクチルブ
ロマイド（１）　３８　ｔ、無水炭酸ナトリウム５３ｒ
およびシクロヘキサノン５００ＣＣを仕込み、１３０〜
１４０℃で５時間攪拌した。

放冷後、反応液を水へあけ、遊離した有機層をベンゼン
で蒲出した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥
させた。溶媒を留去し、残留分もアセトンより再結晶す
ることにより５０ｔの（Ｓ）−メチル４−（（６“−メ
チルオクチル）オキシ〕ヒフェニルー４′−カルボキシ
レー）　（ｉ）Ｓｍ を得た。ｍ、ｐ、　１１３　　１２５ （ｃ）　　（Ｓ）　−４−（（６“−メチルオクチル）
オキシラビフェニル−４′−カルボン酸（Ｉｔ）の合成
反応容器に（Ｓ）−メチル４−（（６“−メチルオクチ
ル）オキシフビフェニル−４′−カルボキシレー）　（
ＩＩ）　５０　ｔ　（テトラヒトｏ７ラン２００ｃｃに
溶解）、メタノール２００ｃｃおよび９５俤苛性ソーダ
１５ｔ（水１５０ｃｃに溶解）を仕込み、還流下に４時
間攪拌した。次に反応液へ塩酸を投入して酸性とした後
、析出物を減圧−過した。

戸果した結晶を加熱乾燥して４５９の（Ｓ）　−４−［
（６“−メチルオクチル）オキシラビフェニル−４′−
カルボン酸（ｌｌＩ）′を得た。

（ｄ）　　（Ｓ）−４−［（６“−メチルオクチル）オ
キシ〕ビフェニルー４′−カルボニルクロライドＯｖ）
の合成 反応容器に（Ｓ）−４−（（６“−メチルオクチル）オ
キシ〕ビフェニルー４′−カルボンｉｌｌ　（Ｉｆｌ）
４５９゜ベンゼンｓ　ｏ　０００　＞よび少量のピリジ
ンを仕込み、還流下に攪拌しながら塩化チオニル５２１
を滴下した。次いで同温度で１０時間反応させた後、溶
媒と過剰の塩化チオニルを留去して、４７１の（Ｓ）　
−４−（（６“−メチルオクチル）オキシ〕ビフェニル
ー４′−カルボニルクロライド（〜）を得た。

（ｅ）　　（Ｓ）−Ｐ　−（３−エトキシプロピル）フ
ェニル４／　−（（６１１１−メチルオクチル）オキシ
フビフェニル−４“−カルボキシレート（Ｖ）の合成 反応容器に、Ｐ−（３−エトキシプロピル）フェノール
（特開昭５８−８５８２５公報１５５頁記載の４−（γ
−メトキシプロピル）フェノールの合成例に準じて合成
したもの）１．７ｔ、ベンゼン１０ｃｃおよびピリジン
α８ｔを仕込み、攪拌しながら室温下（Ｓ）−４−（（
６“−メチルオクチル）オキシ〕ヒフェニルー４′−カ
ルボニルクロライド（ＩＶ）　３．５　？　（ベンゼン
２０ｃｃに溶解させた）を滴下した。室温下で２時間、
さらに還流下で３時間反応させた後、反応液を水へ注加
した。遊離したベンゼン層をよく水洗し、芒硝で乾燥さ
せた。ベンゼンな留去し、残留分をアセトンより２回再
結晶して■）−Ｐ−（３−エトキシプロピル）フェニル
４１−　（（ｂｌｌｌ−メチルオクチル）オキシ〕ヒフ
ェニル−４“−カルボキシレート（ｖ）１８９を得た。

このものの含量は、液体クロマトグラフィーにて９９％
以上であり、薄層クロマトグラフィーにて１スポツトで
おった。

また、赤外線吸収スペクトル測定によれば特性値は、２
８００〜３０００ｍ−’　、１７２０ａａ−’、１２７
０ｃ！Ｒ−’、１１８０ｉ：＊−１であった。また、マ
ススペクトル分析では、５０３に分子イオンピーク、３
２３　Ｋ基準ピークが認められ、このものの化学構造が
支持された。

このものをメトラーホットステージＦＰ−８２にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ、以下のよう
であった。

Ｃｒｙｓｔ　、−Ｓｘ　−ＳｍＣ”　−ＳｍＡ　−Ｃｈ
−Ｉｓ。

実施例　２ （ｓ）　−ｐ　−（ｓ−メトキシペンチル）フェニル４
′＋　（（６ａｌｌ−メチルオクチル）オキシフビフェ
ニル−４”−カルホキシレー）　（Ｖｌ）の合成反応容
器に、Ｐ−（５−メトキシペンチル）フェノール（後記
の製造法により合成）ｔｓｒ。

ベンゼン１０ｃｃおよびピリジンＱ、７ｆを仕込み、攪
拌しながら室温下（Ｓ）−４−（（６”−メチルオクチ
ル）オキシ〕ヒフェニルー４′−カルボニルクロライド
（ｌｖ）　２．８　？　（ベンゼｙ２０ｃｃＫｆｇ解）
を滴下した。室温下で２時間、さらに還流下で３時間反
応させた後、反応液を水へ注加した。

遊離したベンゼン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。

ベンゼンを留去し、残留分をアセトンより２回再結晶し
て（Ｓ）　−Ｐ　−（５−メトキシペンチル）フェニル
４Ｊ　−（（６１１１−メチルオクチル）オキシフビフ
ェニル−４“−カルホキシレー）（ｖｌ）ｔ７ｒを得た
。このものの含量は、液体クロマトグラフィーにて９９
％以上であり、薄層クロマトグラフィーてて１スポツト
であった。

また、赤外線吸収スにクトル測定によれば、特性値は、
２８００〜３０００５ｍ−１，１７３０ａｋ−’、１２
７０Ｃａｌ−’　、１１９０５１−１でおった。また、
マススペクトル分析では、５１６に分子イオンビーク、
３２３に基準ピークが認められ、このものの化学構造が
支持された。

このものをメトラーホットステージＦＰ−８２にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のようで
あった。

６２　７４．５　　１３５　　１４Ｂ、５　１５５．５
Ｃｒｙｓｔ、→Ｓｘ−→８ｍＣ−−８ｍＡ−→Ｃｈ−−
→Ｉｓ。

本実施例で使用したＰ−（５−メトキシペンチル）フェ
ノールは下記の如くして製造した。

ｐ−（ｓ−メトキシペンチル）フェノールの合成ａ）　
　３−ベンゾイル酪酸の合成 反応容器に、ベンゼン２．５ｔおよび粉末状に砕いた無
水塩化アルミニウム５１２ｔを仕込んだ。

この混合物に、無水グルタル酸２００ｔ（ベンゼン５ｏ
ｏｅｃに溶解）を攪拌下、２５〜３０℃で滴下し、さら
に同温度で７時間攪拌した。反応液をを希塩数に注加し
、析出した結晶をＰ別した。

結晶を苛性ソーダ水溶液に溶解させ、不溶物を除いた後
、塩酸を加えて酸性とした。析出した結晶をＰ集して３
−ベンゾイル酪酸３２０ｔを得た。ｍ、ｐ、　１２２〜
１２６Ｃ ｂ）　　５−フェニル吉草酸の合成 反応容器に３−ベンゾイル酪酸３２０２，８１１１１９
６抱水ヒドラジン５ｓｏｔ、ジエチレングリコール２ｔ
および８５嘩苛性カリ２５４ｔ（水４００ｃＣＫ溶解）
を仕込み、還流下に３時間攪拌した。次に水を留去しな
がら２２０℃まで昇温し、同温度で６時間攪拌した。

放冷後、反応液を水へあけ、塩酸を加えて酸性とした。

析出した結晶をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を水洗し
た後芒硝で乾燥させた。

ベンゼンを留去し、残留分をりグロインから再結晶して
５−フェニル吉草酸２６０ｔを得た。

ｍ、ｂ−５７〜５９℃ ｃ）５−７二二ルペンタノ一ルノ合成 反応容器に、エチルエーテル７００ｃｃおよび水素化リ
チウムアルミニウム６２９を仕込み、５−フエニル吉草
醗２６０ｔ（エチルエーテル１ｔに溶解させた）な攪拌
下、３０Ｃ以下で滴下した。同温度でさらに２時間攪拌
した後、反応液を希塩酸中へ注加した。遊離したエチル
エーテル層を水洗した後芒硝で乾燥させた。

エチルエーテルな留去後、残留分を蒸留して５−フェニ
ルペンタノール２００ｆを得た。

ｂ、ｐ、　９７〜１０３℃７０．１　ｍｍＨｇｄ）１−
クロロ−５−フェニルペンタンの合成反応容器に、塩化
チオニル２９０２、ピリジン２０ｔおよびベンゼン５ｏ
ｏｃｃｔ’仕込み、５−フェニルペンタノール２００ｔ
を還流下撹拌しながら滴下した。同温度で４時間攪拌し
た後、反応液を水へ注加した。

ベンゼン層を苛性ソーダ水溶液で洗浄し、さらに水洗し
た後、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去した後、残留
分を蒸留して１−クロロ−５−フェニルペンタン１９５
ｔを得た。ｂ、ｐ、１３９〜ｂ ｅ）１−メトキシ−５−フェニルベンタンノ合成反応容
器に、メタノール１ｔを仕込み、金属ナトリウム５０ｔ
を溶解させた。次Ｖｃ１−クロロー５−フェニルペンタ
ン１９５ｔを還流下に、攪拌しながら滴下し、さらに、
同温度で３２時間攪拌した。

反応液を水へ注加し、遊離したオイルをベンゼンで抽出
した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させた
。ベンゼンを留去し、残留分を蒸留して１−メトキシ−
５−フェニルペンタン１８１ｔを得た。ｂ、ｐ、１２７
〜ｂｆ）Ｐ−（５−メトキシはンチル）アセトフェノン
の合成 反応容器に、塩化メチレン２１．無水塩化アルミニウム
２９５ｔおよび１−メトキシ−５−フェニルペンタン１
８０ｔを仕込んだ。次に塩化アセチル１５８？を攪拌し
なから０〜５℃で滴下し、同温度でさらに４時間攪拌し
た。

反応液を希塩酸中に注加し、分離した塩化メチレン層を
水洗した後芒硝で乾燥させた。

塩化メチレンを留去した後、残留分を蒸留してｐ−（ｓ
−メトキシペンチル）アセトフェノン２０２ｔを得た。

ｂ、ｐ、１２８℃／α６　ｍｍＨｇ　〜１３６℃／Ｑ、
　４　ｍｍＨｇ ｇ）Ｐ−（５−メトキシペンチル）フェノールの合成 反応容器に、ｐ−（ｓ−メトキシはンチル）アセトフェ
ノン２００？、　８８％ぎ酸ｔ６ｔ、無水酢酸α８ｔ１
濃硫酸１０ＣＣおよび３５％過酸化水素水３００ＣＣを
仕込み、４０〜５０℃で８時間攪拌した。反応液を水へ
あけ、水溶液をエーテルで抽出した。エーテル層を炭酸
ナトリウム水溶液で洗浄し水洗した後、芒硝で乾燥させ
た。エーテルな留去後、残留分を蒸留した（ｂ、ｐ、　
１３０〜ｂ 物７４ｔ、メタノール２００Ｃｅ、苛性ソーダ５２ｔ（
水１００ｅｅに溶解させた）を仕込み、還流下に２時間
攪拌した。反応液を希塩酸へ注加し、遊離したオイルを
エーテルで抽出した。エーテル層を水洗後、芒硝で乾燥
させた。

エーテルな留去後、残留分を蒸留してｐ−（ｓ−メトキ
シはンチル）フェノール５４９を得た。

ｂ、ｐ、　１２８〜１５０℃／　ｃＬ３　ｍｍＨｇ〈反
応経路〉 ）ＣＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ ｂ）　　↓ ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ Ｃ）　　↓ （凶ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０Ｈｄ）　　↓ 忰ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＡｅ）　　↓ ｅｃＨ２ｃＨ２ｃＨ２ｃＨ２ｃＨ２０ｃＨｓｆ）　　↓ ０Ｍ３Ｃｏ（鎮ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０
ＣＨｓ　　↓ ＨＯ舎四２四２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０ＣＨ３実施例　３
〜５ 実施例１．２に準拠して、同様にして各種の誘導体を合
成し、相転移温度を測定した結果を次に示す。

実施例　６ （ｓ）　−ｐ　−（ｓ−メトキシはメチル）フェニル４
′−（（ａ／／／−メチルヘキシル）オキシフビフェニ
ル−４“−カルホキシレー）　（Ｘ）の合成（ａ）　　
（Ｓ）−メチル４−（（４“−メチルヘキシル）オキシ
〕ビフェニルー４′−カルボキシレート（Ｖ−）の合成 反応容器にメチル４−ヒドロキシビフェニル−４′−カ
ルボキシレート６７．５？、　（Ｓ）−４−メチルヘキ
シルブロマイド（Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、　Ｌｉｑ。

Ｃｒｙｓｔ、　１１４２３７〜２４７１９８４の反応例
に従い合成。ｂ、ｐ、　７１〜７２℃／２３．５ｍｍＨ
ｇ　）５８．５？、無水炭酸カリウム８２９およびシク
ロヘキサノン７５０ｃｃを仕込み、１３０〜１４０℃で
５時間、攪拌した。

放冷後、反応液を水へあけ、遊離した有機層をベンゼン
で抽出した。ベンゼン層なよく水洗した後、芒硝で乾燥
させた。溶媒を留去し、残留分をア七トンより再結晶す
ることにより７５ｔの（Ｓ）−メチル４−［：（４“−
メチルへ中シル）オキシフビフェニル−４′−カルボキ
シレートυ瞭を得た。このものの相変化を偏光顕微鏡下
で観察したところ以下のようでめった。

（ｂ）　　（８）−４−（（４“−メチルヘキシル）オ
キシ〕ビフェニルー４′−カルボン［（Ｖｌｌ）の合成
反応容器に、（Ｓ）−メチル４−（（４“−メチルヘキ
シル）オキシュビフェニル−４′−カルボキシレー）　
（Ｖ舗）７５Ｆ（テトラヒドロフラン２００伐に溶解さ
せた）、メタノール２００ｃｃおよび９５俤苛性ンーダ
３０ｔ（水１５０ｃｃに溶解させた）を仕込み還流下に
４時間攪拌した。

次に、反応液へ基数を投入して酸性とした後、析出物を
減圧−過した。Ｆ集した結晶を加熱乾燥して６７１の（
８）−４−（（４“−メチルヘキシル）オキシフビフェ
ニル−４′−カルボン酸（ｗｉｌｌ）を得た。

（ｃ）　　（Ｓ）−４−（（、ａ“−メチルヘキシル）
オキシ〕ビフェニルー４′−カルボニルクロラ（）’０
４の合成 反応容器に、（Ｓ）−４−（（４“−メチルヘキシル）
オキシ〕ヒフェニルー４′−カルボンＭ、　（Ｖｌ）６
７ｔ、ベンゼン６００ｃｃおよび少量のピリジンを仕込
み、還流下に攪拌しながら塩化チオニル５１１Ｆを滴下
した。次いで同温度で１０時間反応させた後、溶媒と過
剰の塩化チオニルを留去シテ（ｓ）−４−Ｃ（４“−メ
チルヘキシル）オキシフビフェニル−ｌ−カルボニルク
ローｙ　イ）’　（ｌｘ）７０ｔを得た。

（ｄ）（３１Ｆ　−（５−メトキシペンチル）フェニル
４／　−（（４／／Ｉ−メチルヘキシル）オキシ〕ビフ
ェニルー４〃−カルボキシレー）　（Ｘ）の合成 反応容器に、実施例２に記載の如くして製造したＰ−（
５−メトキシペンチル）フェノール２ｔ、ベンゼン１Ｑ
ｅｅ、ピリジン０，８ｔを仕込み、攪拌しながら室温下
（Ｓ）−４−［（４“−メチルヘキシル）オキシフビフ
ェニル−４′−カルボニルクロライド（ｌｘ）　Ｓ、　
４　？　（ベンゼン２０　ｅｃ　Ｋ溶解させた）を滴下
した。室温下で２時間、さらに還流下で３時間反応させ
た後、反応液を水に注加した。遊離したベンゼン層をよ
く水洗し、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去し、残留
分をア七トンより２回再結晶して（Ｓ）　−Ｐ　−（５
−メトキシペンチル）フェニルａ／　−（（４／／／　
−、ｔ　チルヘキシル）オキシフビフェニル−４“−カ
ルボ中シレー）（Ｘ）２．１ｆを得た。

このものの含量は、液体クロマトグラフィーにて９９％
以上であり、薄層クロマトグラフィーにて１スポツトで
あった。

また、赤外線吸収スペクトル測定によれば、特性値は２
８００〜３０００３″″１．１７５０国−１，１２７０
ｅｓ−’　、１１８０（ＩＩＩ−’であった。また、マ
ススペクトル分析では、４８８に分子イオンビーク、２
９５に基準ピークが認められ、このものの化学構造が支
持された。

このものを、メトラーホットステージＦＰ−８２にはさ
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ、以下のよ
うであった。

５１　　　６ｔ５　　　　１０４　　　　１２６　　　
１４８Ｃｒ７Ｓｔ、−８ｘ　□　ＳｍＣ−−ＳｍＡ　−
ｃｈ　□ＩＳＯ実施例　７ （Ｓ）　−Ｐ　−（５−メトキシペンチル）フェニル４
′、−（（２＃／−メチルブチル）オキシフビフェニル
−４“−カルボキシレートの合成 実施例６において（Ｓ）　−４−メチルヘキシルブロマ
イドの替わりに、（８）　−２−メチルブチルブロマイ
ドを用い、同様に操作して（ｓ）　−ｐ　−（ｓ−メト
キシはメチル）フェニル４’−（（２”’−メチルブチ
ル）オキシフビフェニル−４“−カルボキシレートを得
た。

このものの含量は、液体クロマトグラフィーにて９９囁
以上、薄層クロマトグラフィーにて１スポツトであった
。

また赤外線吸収スペクトル測定によれば特性値は２８０
０〜３０００ａ、−１，１７３０５１−’、１２７０３
−１．１１９　Ｑｃｍ−’であった。またマススペクト
ル分析では、４６０に分子イオンビーク、２６７に基準
ピークが認められ、このものの化学構造が支持された。

このものをメトラーホットステージＦＰ　−８２にはさ
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のよう
であった。

ｘ 実施例　８ 表面にポリイミド系高分子膜を塗布し、ラビング処理し
た２枚の透明電極を有するガラス基板に、マイラーフィ
ルムをはさんで、液晶セルを組立てた。なお、２枚の基
板は、そのラビング方向は平行になるようにされ、セル
間隔は、９μｍである。このような液晶セルを炸裂し、
それらに各実施例で得られたＳｍＣ”相を有する各化合
物をそれぞれ封入し、等方性液体からＳｍＣ”相まで徐
冷した。

この液晶セルを２枚の偏光板にはさみ、電圧を印加し、
極性を反転させると表示状態が変化した。各実施例で得
られた各化合物のＳｍＣ”相は、強誘電性を示し、電気
光学素子として使用し得るものである。

実施例　９ 既存の強誘電性液晶（８）−ｐ−オクチルオキシフェニ
ル４−（（２“−メチルブチル）〕〕ビフェニルー４′
−カルボキシレー　（Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、　Ｌｉｑ
。

Ｃｒｙｓｔ、　３７　１８９１９７６）に実施例１で得
られた（Ｓ）　−ｐ　−（３−エトキシプロピル）フェ
ニル４′−（（６“−メチルオクチル）オキシフビフェ
ニル−４“−カルボキシレートを２０囁（重量比）添加
したときのＳｍＣ”相の温度範囲を表に示した。

（Ｓ）　−ｐ　−（Ｓ−エトキシプロピル）フェニル４
’−（（６“−メチルオクチル）オ中シ〕ビフェニル−
４“−カルボキシレートを２０％添加することにより（
Ｓ）　−ｐ−オクチルオキシフェニル４−（（２”−メ
チルブチル）〕〕ビフェニルー４′−カルボキシレーの
ＳｍＣ”相の温度範囲は１２．６０から３３℃へと拡張
した。

本発明に係る化合物は、化学的に安定であって強誘電液
晶組成物の温度範囲を拡張する成分として有用なもので
ある。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾＊は炭素原子数４〜１４の不整炭素原子を
   有するアルキル基を表わし、ｎは１〜１２の整数を表わ
   し、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、ｎ
   の数とＲの炭素原子数の和は１４以下である）で表わさ
   れるビフェニルカルボン酸エステル誘導体。
2. （２）上記〔 I 〕式においてＲ＾＊が一般式▲数式、
   化学式、表等があります▼ （式中ｍは、０〜１０の整数を表わし、ｎは１〜１２の
   整数を表わし、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基を
   表わし、ｎの数とＲの炭素原子数の和は１４以下である
   ）で表わされるアルキル基である特許請求の範囲第１項
   記載のビフェニルカルボン酸エステル誘導体。
3. （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾＊は炭素原子数４〜１４の不整炭素原子を
   有するアルキル基を表わし、ｎは１〜１２の整数を表わ
   し、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、ｎ
   の数とＲの炭素原子数の和は１４以下である）で表わさ
   れるビフェニルカルボン酸エステル誘導体の少なくとも
   １種を含有することを特徴とする液晶組成物。
4. （４）前記〔 I 〕式においてＲ＾＊が一般式▲数式、
   化学式、表等があります▼ （式中、ｍは、０〜１０の整数を表わし、ｎは、１〜１
   ２の整数を表わし、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル
   基を表わし、ｎの数と、Ｒの炭素原子数の和は１４以下
   である）で表わされるアルキル基である特許請求の範囲
   第３項に記載の液晶組成物。