JPH0287561A - リード成形金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体パッケージにおけるリード成形時に用
いられるリード成形金型に適用して有効な技術に関する
。

〔従来の技術〕

半導体パッケージのリード形状について記載されている
例としては、日経ＢＰ社、昭和６３年８月１日発行、「
日経マイクロデバイス」Ｐ３６〜Ｐ４６がある。

上記文献においては、そのＰ３７において、ガルウィン
グ状に成形されたリードを備えた半導体パッケージ（Ｑ
ＦＰ）が写真とともに説明されている。

このような面付実装形の半導体パッケージにふいては、
リード成形において僅かなばらつきが生じても直接実装
不良に結び付くため、高いリード成形精度が要求されて
いる。

このようなリード成形方法を、フラットパッケ−ジ構造
の半導体パッケージのリード成形を例に説明すると、ま
ずパッケージ本体の側面より直線状に延設された状態の
リードを成形ダイ　（下型）上に載置し、この成形ダイ
に向かって成形パンチ（上型）を加圧下降させてリード
を加圧成形する方法が一般的である。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記加圧成形を繰り返していくうちに、パッ
ケージ本体を構成するレジンの一部、あるいはリードの
金属片等が異物としてリード上、あるいは成形ダイ上、
成形パンチ面等に被着した状態となる場合が多い。この
ように、成形ダイ、リードまたは成形パンチ面に異物が
被着されたままの状態で上記加圧成形を実施した場合、
異物の被着されたリードのみ他のリードと不揃いの状態
で成形されたり、あるいはリード表面を損傷してしまい
、実装時におけるリード浮きの要因となり、実装不良に
直接結びつくことが本発明者によって見い出された。

本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的は、成形前における成形ダイ、リードおよび成形
パンチ面のレジン屑等の異物を除去し、信頼性の高いリ
ード成形を実現できる技術を提供することにある。

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。

すなわち、成形ダイ面とパンチ加圧面との間の半導体パ
ッケージのリードが配置される空間を強制排気する吸引
路を設けた構造としたものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、上記空間内のレジン、腎、金属
片等の異物が効果的に除去されるため、これら異物が原
因となる半導体パッケージのリード成形不良およびリー
ドの損傷が防止可能となる。

〔実施例〕

第１図（ａ）およびら）は本発明の一実施例であるリー
ド成形金型によるリード成形工程を示す断面図、第２図
は本実施例に提供されるリード成形前の半導体パッケー
ジを示す全体断面図、第３図は本実施例によりリード成
形された後の状態の半導体パッケージを示す全体断面図
である。

本実施例のリード成形金型１は、ＱＦＰ形の半導体パッ
ケージ２におけるリード成形を行うためのものであり、
半導体パッケージ２の載置される成形ダイ４を有してい
る。

上記成形ダイ４は、半導体パッケージ２のパッケージ本
体５が収容されるキャビティ６と、パッケージ本体５の
側面から突出されたり−ド７を支持するリード支持突起
８ａと、パンチ受は面１０とで構成されている。このよ
うな成形ダイ４は、鋼鉄等の硬度の高い金属材料で形成
されている。

第１図において、上記キャビティ６の上方には昇降可能
なリード押え１１が配置されており、該リード押え１１
のリード支持突起８ｂと、上記成形ダイ４のリード支持
突起８ａとでリード７がその根元部分において固定され
る構造となっている。

同図において、パンチ受は面１０の上方には昇降可能な
成形パンチ１２が配置されており、該成形パンチ１２の
底面はパンチ加圧面１３として構成されている。

上記成形ダイ４の側方には切断金型１４が配置されてお
り、この切断金型１４と上記成形ダイ４との間で形成さ
れた空間は吸引路１５として構成され、該吸引路１５は
図示されない真空吸引源に連通されている。

次に、本実施例に提供される半導体パッケージ２につい
て簡単に説明する。

本実施例に提供される半導体パッケージ２は、パッケー
ジ本体５をレジン（合成樹脂）で構成したいわゆる樹脂
モールド形の半導体パッケージ２であり、そのパッケー
ジ形式は第３図に示すように、リード７がガルウィング
状に成形されたフラットパッケージ構造（ＱＦＰ）のも
のであるが、本実施例ではリード成形前の状態、すなわ
ち第２図に示す状態で成形ダイ４上に提供される。

上記半導体パッケージ２は、４２アロイ、コバール等の
板状の導電性金属を所定形状にエツチングあるいはプレ
ス加工したリードフレーム１６を有しており、その中央
にはタブ１７が形成され、該タブ１７の周囲には、該タ
ブ１７と非接触の状態でリード７が延設されている。リ
ード７はパッケージ本体５内に埋設されるインナーリー
ド７ａと、パッケージ本体５の側面より外方に延設され
たアウターリード７ｂとからなり、第２図に示す状態に
おいては、各リード７はその周囲のフレーム枠１６ａに
より互いに連結された状態となっている。上記タブ１７
上には銀ペーストなどの接合材１８により半導体ペレッ
ト２０がその回路形成面を同図において上面にした状態
で装着されている。上記半導体ペレット２０は、単結晶
引き上げ法等を通じて得られたンリコン（Ｓｉ）の円柱
状のインゴットを幅方向にスライスして得られた半導体
ウェハ上にフォトリングラフィ技術によって各種の特性
層を形成し、さらにこれを四角形状に分断して得られた
ものである。

上記半導体ペレット２０の表面にはアルミニウム（ΔＩ
ｌ）からなるポンディングパッド２１が形成され、該ポ
ンディングパッド２１と上記インナーリード７ａとは金
（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはアルミニウム（Ａβ）か
らなる導電性のワイヤ２２によって結線されている。こ
のようなワイヤ２２による結線は公知のワイヤボンディ
ング技術によって可能である。このように半導体ペレッ
ト２０およびワイヤ２２の装着されたリードフレーム１
６に対して、モールド金型を用いた樹脂モールド法によ
ってパッケージ本体５が構成されている。なお、ワイヤ
２２としては上記導電性のワイヤ２２の周囲に絶縁性の
樹脂を被着した、いわゆる被覆ワイヤを用いてもよい。

以上の工程を経て、第２図に示す状態とされた半導体パ
ッケージ２は、成形ダイ４上に載置されると、まずリー
ド押え１１が下降してそのリード支持突起８ｂと成形ダ
イ４のリード支持突起８ａとの間にリード７　（アウタ
ーリード７ｂ）を挟持した状態で固定する。この状態で
吸引路１５を通じて真空吸引が開始されると、成形ダイ
４、ＩＪ−ドアあるいはパンチ加圧面１３に付着された
レジン屑等の異物２３が上記吸引路１５を通じて強制除
去される（第１図（ａ））。

次に、成形バンチ１２が下降して、リード７を下方に押
し下げる。さらに成形パンチ１２が下降されると、リー
ド７は上記成形バンチ１２のパンチ加圧面１３によって
同図下方に押し下げられ、最終的に成形ダイ４のパンチ
受は面ＩＯとの間にリード７を挟持した状態で成形バン
チ１２の下降が停止される。この状態で引き続いて切断
金型１４が下降し、リード７を連結しているフレーム枠
部分を切断除去する。この間、吸引路１５における真空
吸引は継続されており、当該リード成形工程で発生した
金属片等の異物２３も上記吸引路１５を通じて除去され
る（第１図う））。

次に、切断金型１４、成形バンチ１２およびリード押え
１１の順で各部が上昇されると、半導体パッケージ２は
固定を解除され、リード成形金型ｌ外に取り出される。

このようにして取り出された状態の半導体パッケージ２
を示したものが第３図であり、同図では、パッケージ本
体５の側面から突出されたり−ド７　（アウターリード
７ｂ）がガルウィング状に成形されるとともに、フレー
ム枠１６ａが切除され、各リード７が電気的に独立状態
となっている。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、吸引路１５は成形ダイ４と切断金型１４との
間の空間を利用した場合で説明したが、これに限らず、
成形ダイ４自体に真空吸引孔を穿設し、これを成形ダイ
４のパンチ受は面１０で開口させた構造としてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるＱＦＰ形のパッケージ
構造におけるリード成形に適用した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、たとえばＤＩＰ
、ＰＬＣＣ，ＳＯＪ等のリード成形にも適用可能である
。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

すなわち、成形ダイ面とパンチ加圧面との間のリードが
配置される空間を強制排気する吸引路を設けることによ
って、上記空間内のレジン屑、金属片等の異物が効果的
に除去されるため、これら異物が原因となる半導体パッ
ケージのリード成形不良が防止可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例であるリ
ード成形金型によるリード成形工程を示す断面図、第２
図は上記実施例に提供されるリード成形前の状態の半導
体パッケージを示す全体断面図、第３図は上記実施例に
よりリード成形された後の状態の半導体パッケージを示
す全体断面図である。 １・・・リード成形金型、２・・・半導体パッケージ、
４・・・成形ダイ、５・・・パッケージ本体、６・・・
キャビティ、７・・・リード、７ａ・・・インナーリー
ド、７ｂ・・・アウターリード、３ａ、３ｂ・・・リー
ド支持突起、１０・・・パンチ受は面、１１・・・リー
ド押え、１２・・・成形パンチ、１３・・・パンチ加圧
面、１４・・・切断金型、１５・・・吸引路、１６・・
・リードフレーム、１６ａ・・・フレーム枠、１７・・
・タブ、１８・・・接合材、２０・・・半導体ペレット
、２１・・・ポンディングパッド、２２・・・ワイヤ、
２３・・・異物。 第１図 （ａ） 第１図 （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下型としての成形ダイ上に配置された半導体装置の
   リードに対して上型としての成形パンチを加圧下降させ
   ることによって、リードの成形を行うリード成形金型で
   あって、成形ダイ面とパンチ加圧面との間のリードが配
   置される空間を強制排気する吸引路を有することを特徴
   とするリード成形金型。 ２、上記下型および上型とともに成形ダイ上より側方に
   突出された半導体パッケージのリードの先端を切断する
   切断ダイを備えており、上記吸引路は切断ダイと上記成
   形ダイとのダイ面間に形成されていることを特徴とする
   請求項１記載のリード成形金型。 ３、上記成形ダイは半導体パッケージのパッケージ本体
   の側面より突出されたリードを面付実装用のガルウィン
   グ状に成形するものであることを特徴とする請求項１記
   載のリード成形金型。