JPH05326576A - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
- Publication number
- JPH05326576A JPH05326576A JP12712292A JP12712292A JPH05326576A JP H05326576 A JPH05326576 A JP H05326576A JP 12712292 A JP12712292 A JP 12712292A JP 12712292 A JP12712292 A JP 12712292A JP H05326576 A JPH05326576 A JP H05326576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- collet
- die
- lead frame
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ダイボンディングおよびアイランドの下げを同
時に行なうことにより、工数の低減およびアイランドの
下げ量のバラツキの低減を図ることを目的とする。 【構成】内部は通常のコレット４で外部はアイランド１
ａの下げ金型としたコレットを使用し、ダイボンディン
グとアイランドの下げ加工を同時に行なう構成とする。 【効果】工数低減、アイランドの下げ量のばらつきがな
くなる
時に行なうことにより、工数の低減およびアイランドの
下げ量のバラツキの低減を図ることを目的とする。 【構成】内部は通常のコレット４で外部はアイランド１
ａの下げ金型としたコレットを使用し、ダイボンディン
グとアイランドの下げ加工を同時に行なう構成とする。 【効果】工数低減、アイランドの下げ量のばらつきがな
くなる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に係
り、特にリードフレームを使用する樹脂封止型の半導体
装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
り、特にリードフレームを使用する樹脂封止型の半導体
装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置の製造における封止工
程は、セラミック部材を使用して気密封止を行なうセラ
ミック封止タイプと、リードフレームを使用しエポキシ
系の樹脂で封止する樹脂封止タイプとがある。また最近
の電子機器等においては高性能化とともに機器自体の小
型化が進み、各々の半導体装置もその実装形態に小型
化、薄型化が要望され大きな課題となっている。
程は、セラミック部材を使用して気密封止を行なうセラ
ミック封止タイプと、リードフレームを使用しエポキシ
系の樹脂で封止する樹脂封止タイプとがある。また最近
の電子機器等においては高性能化とともに機器自体の小
型化が進み、各々の半導体装置もその実装形態に小型
化、薄型化が要望され大きな課題となっている。
【０００３】このような中で量産性に優れた樹脂封止型
の半導体装置においても小型化、薄型化を可能とするた
めに、様々の方策が取られている。その中の一つとして
半導体装置のパッケージバランスを取り薄型化を図る手
段として、半導体ペレットを取り付けるアイランドを他
のリードフレーム面より下げて、ワイヤボンディングお
よび封止を行なうことにより、半導体ペレットを封止樹
脂のほぼ中央に位置させるものがある。
の半導体装置においても小型化、薄型化を可能とするた
めに、様々の方策が取られている。その中の一つとして
半導体装置のパッケージバランスを取り薄型化を図る手
段として、半導体ペレットを取り付けるアイランドを他
のリードフレーム面より下げて、ワイヤボンディングお
よび封止を行なうことにより、半導体ペレットを封止樹
脂のほぼ中央に位置させるものがある。
【０００４】このようにアイランドが下げられ製造され
たリードフレームを示したものとして特開昭５４−６０
５６３号がある。
たリードフレームを示したものとして特開昭５４−６０
５６３号がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記したような
手段においては、予めリードフレームメーカーでアイラ
ンドを下げて製造したものを購入するか、アイランド下
げの加工がされていないものを購入しアイランドを下げ
る金型を作りペレットボンディング前に前記金型にてア
イランドを下げるものであるため種々問題がある。
手段においては、予めリードフレームメーカーでアイラ
ンドを下げて製造したものを購入するか、アイランド下
げの加工がされていないものを購入しアイランドを下げ
る金型を作りペレットボンディング前に前記金型にてア
イランドを下げるものであるため種々問題がある。
【０００６】例えばリードフレームメーカーにてアイラ
ンド下げを行なったものを購入するにおいては、一般に
リードフレームメーカーから積み重ねてリードフレーム
が運ばれることが多いため、その搬送途上においてアイ
ランドに外部応力が加わりアイランドの下げ量が変動
し、ダイボンディングおよびワイヤボンディングにおい
て支障を来すという課題があった。
ンド下げを行なったものを購入するにおいては、一般に
リードフレームメーカーから積み重ねてリードフレーム
が運ばれることが多いため、その搬送途上においてアイ
ランドに外部応力が加わりアイランドの下げ量が変動
し、ダイボンディングおよびワイヤボンディングにおい
て支障を来すという課題があった。
【０００７】またペレットボンディング前に、アイラン
ドを下げる方法をとるものにおいては、アイランド下げ
のための金型を作成し、ペレットボンディング工程前に
行なう必要が有る。しかし、このようなものでは工程が
増えるばかりか、そのアイランドの下げ量に対応してそ
れぞれの金型を形成しなければならず、効率的とは言え
ない。
ドを下げる方法をとるものにおいては、アイランド下げ
のための金型を作成し、ペレットボンディング工程前に
行なう必要が有る。しかし、このようなものでは工程が
増えるばかりか、そのアイランドの下げ量に対応してそ
れぞれの金型を形成しなければならず、効率的とは言え
ない。
【０００８】本願発明の目的は、上記したような問題を
解決し安価で確実なアイランドの下げ加工を可能とする
半導体装置の製造装置を提供することに有る。
解決し安価で確実なアイランドの下げ加工を可能とする
半導体装置の製造装置を提供することに有る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記
の通りである。
発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記
の通りである。
【００１０】すなわちリードフレームを使用した樹脂封
止型の半導体装置の製造装置において、リードフレーム
を載置する金型と、前記金型の中央部に形成された穴部
と、前記金型上方に上下動自在に取り付けられ、前記リ
ードフレームのアイランドに半導体ペレットを取り付け
るとともに前記アイランド位置を所望の値に加工成形す
るように形成されてなるコレットを有する半導体ペレッ
トの取付け装置である。
止型の半導体装置の製造装置において、リードフレーム
を載置する金型と、前記金型の中央部に形成された穴部
と、前記金型上方に上下動自在に取り付けられ、前記リ
ードフレームのアイランドに半導体ペレットを取り付け
るとともに前記アイランド位置を所望の値に加工成形す
るように形成されてなるコレットを有する半導体ペレッ
トの取付け装置である。
【００１１】
【作用】上記した手段によれば、半導体ペレットをアイ
ランドに取り付ける工程と、アイランドをリードフレー
ムの他の面より下げる工程を同時に行なうことが可能と
なるため工数の低減を図ることが可能となる。またコレ
ットを変更することによりアイランドの下げ量を調整す
ることが可能となる。
ランドに取り付ける工程と、アイランドをリードフレー
ムの他の面より下げる工程を同時に行なうことが可能と
なるため工数の低減を図ることが可能となる。またコレ
ットを変更することによりアイランドの下げ量を調整す
ることが可能となる。
【００１２】
【実施例】図１乃至図３は本願発明の実施例である半導
体ペレットのダイボンディング装置を用いた製造工程を
示した側面断面図である。以下、本実施例について説明
する。
体ペレットのダイボンディング装置を用いた製造工程を
示した側面断面図である。以下、本実施例について説明
する。
【００１３】本実施例におけるダイボンディング装置は
ダイボンディング金型２とコレット４とからなる。ダイ
ボンディング金型２は中央部に所望の穴部が形成され、
その底部に備え付けられた可動可能な受け台２ａとから
なる。また前記金型の上方には上下動自在のコレット４
が取り付けられ、その形状は内部が半導体ペレットをタ
ブに取り付けるための一般に使用されるコレットと同様
な形状となっており、その内部が斜面状に半導体ペレッ
トを保持するよう形成され、真空吸着のための排気孔４
ａが形成されている。コレット４の外側はリードフレー
ムのタブを下げるための型として形成され、具体的には
その周囲に張出し部４ｃが形成されその下部にはアイラ
ンドをおし下げるための凸部４ｂが形成されている。こ
の凸部はコレット４がアイランドに半導体ペレット５を
取り付けた時点で金型２の受け台２ａにアイランドを押
し下げるよう形成されている。また張出し部４ｃは金型
とリードフレームを挾み込んだ状態で組合せられ、リー
ドフレームを成形する。また図示しないがコレット４は
通常のダイボンディングのコレットと同じように上下動
自在に形成されている。
ダイボンディング金型２とコレット４とからなる。ダイ
ボンディング金型２は中央部に所望の穴部が形成され、
その底部に備え付けられた可動可能な受け台２ａとから
なる。また前記金型の上方には上下動自在のコレット４
が取り付けられ、その形状は内部が半導体ペレットをタ
ブに取り付けるための一般に使用されるコレットと同様
な形状となっており、その内部が斜面状に半導体ペレッ
トを保持するよう形成され、真空吸着のための排気孔４
ａが形成されている。コレット４の外側はリードフレー
ムのタブを下げるための型として形成され、具体的には
その周囲に張出し部４ｃが形成されその下部にはアイラ
ンドをおし下げるための凸部４ｂが形成されている。こ
の凸部はコレット４がアイランドに半導体ペレット５を
取り付けた時点で金型２の受け台２ａにアイランドを押
し下げるよう形成されている。また張出し部４ｃは金型
とリードフレームを挾み込んだ状態で組合せられ、リー
ドフレームを成形する。また図示しないがコレット４は
通常のダイボンディングのコレットと同じように上下動
自在に形成されている。
【００１４】以下、製造工程について説明する。
【００１５】図１に示したように、まず金型２に本実施
例の対象となるリードフレーム１が移送され載置され
る。リードフレーム１は鉄系あるいは銅系の材料からな
り、アイランド１ａには半導体ペレット５のダイボンデ
ィングのためのＡｇペースト３が塗布されている。コレ
ット４には半導体ペレット５が真空吸着によりすでに保
持されている。このコレットが半導体ペレットを吸着す
るまでの工程は従来のものと同じ工程を使用することが
できる。
例の対象となるリードフレーム１が移送され載置され
る。リードフレーム１は鉄系あるいは銅系の材料からな
り、アイランド１ａには半導体ペレット５のダイボンデ
ィングのためのＡｇペースト３が塗布されている。コレ
ット４には半導体ペレット５が真空吸着によりすでに保
持されている。このコレットが半導体ペレットを吸着す
るまでの工程は従来のものと同じ工程を使用することが
できる。
【００１６】次ぎに図２に示したように前記コレット４
が下降し、前記金型２へ前記リードフレームのアイラン
ド１ａを押し下げ、リードフレームの他の面よりアイラ
ンドを所望の量おし下げる。この際コレット４は真空吸
着を停止しＡｇペーストによって半導体ペレットをリー
ドフレームにダイボンディングする。この時のタブ下げ
量はコレット４および受け台２ａとにより調整すること
が可能である。また張出し部４ｃ金型の穴部の周囲と組
み合わせられ確実に押し下げるとともに凸部４ｂは受け
台２ａにアイランド１ａを押し下げ、所望の量アイラン
ドを下げることが可能となる。
が下降し、前記金型２へ前記リードフレームのアイラン
ド１ａを押し下げ、リードフレームの他の面よりアイラ
ンドを所望の量おし下げる。この際コレット４は真空吸
着を停止しＡｇペーストによって半導体ペレットをリー
ドフレームにダイボンディングする。この時のタブ下げ
量はコレット４および受け台２ａとにより調整すること
が可能である。また張出し部４ｃ金型の穴部の周囲と組
み合わせられ確実に押し下げるとともに凸部４ｂは受け
台２ａにアイランド１ａを押し下げ、所望の量アイラン
ドを下げることが可能となる。
【００１７】次ぎに図３に示したようにコレット４が金
型より離れ、リードフレームのタブ下げおよびダイボン
ディング工程を終了する。
型より離れ、リードフレームのタブ下げおよびダイボン
ディング工程を終了する。
【００１８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られるものの効果を記載すれば下記
の通りである。
的なものによって得られるものの効果を記載すれば下記
の通りである。
【００１９】すなわちダイボンディングおよびアイラン
ド下げ工程を同時に行なうことが可能となるため工数が
低減される。またダイボンディングとアイランド下げを
同時に行なうため、アイランドの下げ量にバラツキがな
くなる。さらにコレットと受け台の調整でアイランドの
下げ量を適時変更することが可能となるため、アイラン
ドの下げ量の変更が容易となる。
ド下げ工程を同時に行なうことが可能となるため工数が
低減される。またダイボンディングとアイランド下げを
同時に行なうため、アイランドの下げ量にバラツキがな
くなる。さらにコレットと受け台の調整でアイランドの
下げ量を適時変更することが可能となるため、アイラン
ドの下げ量の変更が容易となる。
【図１】本発明のダイボンディング装置による製造工程
を示す要部断面図。
を示す要部断面図。
【図２】本発明のダイボンディング装置による製造工程
を示す要部断面図。
を示す要部断面図。
【図３】本発明のダイボンディング装置による製造工程
を示す要部断面図。
を示す要部断面図。
１．．リードフレーム、１ａ．．アイランド、２．．ダ
イボンディング金型、２ａ．．受け台、３．．Ａｇペー
スト、４．．コレット、４ａ．．排気孔、４ｂ．．凸
部、４ｃ．．張出し部、５．．半導体ペレット、
イボンディング金型、２ａ．．受け台、３．．Ａｇペー
スト、４．．コレット、４ａ．．排気孔、４ｂ．．凸
部、４ｃ．．張出し部、５．．半導体ペレット、
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームを使用した半導体装置の製
造における半導体ペレットのダイボンディング装置にお
いて、前記リードフレームを載置する金型と、前記金型
の中央部に形成された穴部と、前記金型上方に上下動自
在に取り付けられ、前記リードフレームのアイランドに
半導体ペレットを取り付けるとともに前記アイランドを
前記リードフレームの他の面より所望の量下げるよう加
工成形するコレットを有することを特徴とするダイボン
ディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12712292A JPH05326576A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12712292A JPH05326576A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | ダイボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326576A true JPH05326576A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14952155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12712292A Pending JPH05326576A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481899A (en) * | 1992-09-10 | 1996-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Pressure differential downset apparatus |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12712292A patent/JPH05326576A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481899A (en) * | 1992-09-10 | 1996-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Pressure differential downset apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US20020105061A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20080003718A1 (en) | Singulation Process for Block-Molded Packages | |
| US6645792B2 (en) | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP2515415B2 (ja) | 半導体素子の外部リ―ドの成型方法 | |
| KR100206082B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| JPH05326576A (ja) | ダイボンディング装置 | |
| US6627481B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor package with a lead frame having a support structure | |
| US20020048851A1 (en) | Process for making a semiconductor package | |
| US10079162B1 (en) | Method for making lead frames for integrated circuit packages | |
| JPH0287561A (ja) | リード成形金型 | |
| JP2003188332A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0653399A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2944590B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR0176111B1 (ko) | 반도체 칩 패키지를 성형하는 제조금형 구조 및 이형핀 배치방법 | |
| JP2723855B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0750384A (ja) | マルチチップ半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100332642B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH0997866A (ja) | リード成形方法及びリード成形用金型 | |
| US20030047815A1 (en) | Resin mold semiconductor device | |
| JPH0360048A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61191055A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH04286134A (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JP2000183262A (ja) | リードフレームの端子切断方法 | |
| JPH07122580A (ja) | 半導体装置 |