JP2002222908A - リード切断金型 - Google Patents
リード切断金型Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ワーク受けダイと切断ポンチとの隙間に入り込
む半田めっき屑の詰まりを防止してリードへの半田めっ
き屑の付着をなくし、かつ金型の寿命を延ばす。 【解決手段】リードフレームに半導体チップを樹脂封入
して半導体パッケージを形成し、次にリードフレームに
半田めっきを施し、次に樹脂バリやタイバー等の不要部
を切断除去し、さらにリード成形を行った後リード先端
部を切り揃えるリード切断金型において、半導体パッケ
ージ１を載せるワーク受けダイ４と、半導体パッケージ
１のリード２をワーク受けダイ４に押圧固定するリード
押え３と、ワーク受けダイ４の垂直側面との間に所定の
隙間８をあけて上下動しワーク受けダイ４のリード押え
面から水平に突出したリード先端部２ａを切落とす切断
ポンチ５とを備え、隙間８を形成するワーク受けダイ４
の垂直側面には、リード切断の際に隙間８に入り込む半
田めっき屑７を取込む溝６を設けた。
む半田めっき屑の詰まりを防止してリードへの半田めっ
き屑の付着をなくし、かつ金型の寿命を延ばす。 【解決手段】リードフレームに半導体チップを樹脂封入
して半導体パッケージを形成し、次にリードフレームに
半田めっきを施し、次に樹脂バリやタイバー等の不要部
を切断除去し、さらにリード成形を行った後リード先端
部を切り揃えるリード切断金型において、半導体パッケ
ージ１を載せるワーク受けダイ４と、半導体パッケージ
１のリード２をワーク受けダイ４に押圧固定するリード
押え３と、ワーク受けダイ４の垂直側面との間に所定の
隙間８をあけて上下動しワーク受けダイ４のリード押え
面から水平に突出したリード先端部２ａを切落とす切断
ポンチ５とを備え、隙間８を形成するワーク受けダイ４
の垂直側面には、リード切断の際に隙間８に入り込む半
田めっき屑７を取込む溝６を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封入型半導体装
置の製造に使用するリード切断金型に関するもので、特
に半田めっきの施されたリードの先端部を切り揃える際
に使用するリード切断金型に関する。
置の製造に使用するリード切断金型に関するもので、特
に半田めっきの施されたリードの先端部を切り揃える際
に使用するリード切断金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＩＣ等の樹脂封入型半導体装置
は、リードフレーム上に搭載した半導体チップをトラン
スファモールド法により樹脂封入し、次いでリードフレ
ーム部分に所定のめっき処理を施し、その後、樹脂バリ
やタイバーなどの不要部分を切断除去し、最後にリード
成形、リード切断を行って樹脂封入型半導体装置を完成
させている。
は、リードフレーム上に搭載した半導体チップをトラン
スファモールド法により樹脂封入し、次いでリードフレ
ーム部分に所定のめっき処理を施し、その後、樹脂バリ
やタイバーなどの不要部分を切断除去し、最後にリード
成形、リード切断を行って樹脂封入型半導体装置を完成
させている。
【０００３】上記した従来の半導体装置の製造工程にお
いて、リードフレームに施されるめっき処理の一つに半
田めっきがある。この半田めっきは、金めっきなどに比
べて安価であり、かつプリント基板等へのリード半田付
け実装が確実に行えるなどの利点がある。しかし、材質
が脆いため、リード成形の際に成形金型との摩擦により
表面が削られ易いこと、あるいはリード切断金型による
リード切断の際にせん断部分においてめっき剥離が発生
し易いこと、などの問題点がある。
いて、リードフレームに施されるめっき処理の一つに半
田めっきがある。この半田めっきは、金めっきなどに比
べて安価であり、かつプリント基板等へのリード半田付
け実装が確実に行えるなどの利点がある。しかし、材質
が脆いため、リード成形の際に成形金型との摩擦により
表面が削られ易いこと、あるいはリード切断金型による
リード切断の際にせん断部分においてめっき剥離が発生
し易いこと、などの問題点がある。
【０００４】特にリード切断の際に発生するめっき剥離
は、同時に発生するめっきバリとともに半田めっき屑と
なって半導体装置のリードに付着し、その後半導体装置
のプリント基板等への実装工程の際に、リード間の短絡
不良を引き起こす原因ともなる。この半田めっき屑の発
生メカニズムに付いて図面を用いて説明する。
は、同時に発生するめっきバリとともに半田めっき屑と
なって半導体装置のリードに付着し、その後半導体装置
のプリント基板等への実装工程の際に、リード間の短絡
不良を引き起こす原因ともなる。この半田めっき屑の発
生メカニズムに付いて図面を用いて説明する。
【０００５】図５は、従来のリード切断金型を用いたリ
ード切断の概要を示す部分断面図である。ここで、図６
はリード成形後のＱＦＰ（クワッドフラットパッケー
ジ）のリードを切断する場合を示している。図６に示す
ように、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂
封入した後リードフレームに半田めっきを施し、その後
リード２をガルウィング型に成形してなる半導体パッケ
ージ１をワーク受けダイ４に載置し、上方からリード押
え３を降下させてリード２の水平部分を押さえてワーク
受けダイ４に固定する。次いで切断ポンチ５を上昇さ
せ、リード押え３に設けられている切刃とでリード２の
先端部２ａを切り落とし、半導体パッケージ１のリード
２の長さ寸法を切り揃えるようになっている。
ード切断の概要を示す部分断面図である。ここで、図６
はリード成形後のＱＦＰ（クワッドフラットパッケー
ジ）のリードを切断する場合を示している。図６に示す
ように、リードフレームに搭載した半導体チップを樹脂
封入した後リードフレームに半田めっきを施し、その後
リード２をガルウィング型に成形してなる半導体パッケ
ージ１をワーク受けダイ４に載置し、上方からリード押
え３を降下させてリード２の水平部分を押さえてワーク
受けダイ４に固定する。次いで切断ポンチ５を上昇さ
せ、リード押え３に設けられている切刃とでリード２の
先端部２ａを切り落とし、半導体パッケージ１のリード
２の長さ寸法を切り揃えるようになっている。
【０００６】ここで、切り落とされたリード２の先端部
２ａは、切断屑として自然落下あるいは吸引装置（例え
ば特開平３−１６９０５６号公報）によって排除される
が、半田めっき層はリード切断部においてめっきバリと
なったり、あるいは摩擦によってめっき剥離片となる。
このバリや剥離片がリードから分離して半田めっき屑と
なる。この半田めっき屑７は、通常は吸引装置等によっ
て一部はリード切断屑とともに除去されるが、大部分は
ワーク受けダイ４と切断ポンチ５との間に設けられた隙
間８に落ち込み、次々に発生する半田めっき屑７によっ
て順に下方に押し込まれ、この隙間８の下方から押し出
されるようにして半田めっき屑７の排出が行われてい
る。
２ａは、切断屑として自然落下あるいは吸引装置（例え
ば特開平３−１６９０５６号公報）によって排除される
が、半田めっき層はリード切断部においてめっきバリと
なったり、あるいは摩擦によってめっき剥離片となる。
このバリや剥離片がリードから分離して半田めっき屑と
なる。この半田めっき屑７は、通常は吸引装置等によっ
て一部はリード切断屑とともに除去されるが、大部分は
ワーク受けダイ４と切断ポンチ５との間に設けられた隙
間８に落ち込み、次々に発生する半田めっき屑７によっ
て順に下方に押し込まれ、この隙間８の下方から押し出
されるようにして半田めっき屑７の排出が行われてい
る。
【０００７】しかし、長時間リード切断金型を使用して
いるうちに半田めっき屑の量が増えてワーク受けダイ４
と切断ポンチ５との隙間８に詰まりが発生し、半田めっ
き屑７が下に落ちきれずに隙間８に蓄積してしまう現象
が発生する。その結果、隣り合うリードとリードの間な
どに半田めっき屑７が溜まるようになり、これがリード
２に付着して半導体製品の歩留り低下を招くばかりでな
く、切断ポンチ５がスムーズに摺動しなくなって金型の
破損を引き起こす原因ともなっている。
いるうちに半田めっき屑の量が増えてワーク受けダイ４
と切断ポンチ５との隙間８に詰まりが発生し、半田めっ
き屑７が下に落ちきれずに隙間８に蓄積してしまう現象
が発生する。その結果、隣り合うリードとリードの間な
どに半田めっき屑７が溜まるようになり、これがリード
２に付着して半導体製品の歩留り低下を招くばかりでな
く、切断ポンチ５がスムーズに摺動しなくなって金型の
破損を引き起こす原因ともなっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置の製造に用いるリード切断金型は、リード切断
時に発生する半田めっき屑の大部分をワーク受けダイと
切断ポンチとの隙間に落とし込んで、次々に発生する半
田めっき屑を順に押し出すようにして下方から排出する
手段をとっていた。そのため、時間の経過とともに半田
めっき屑が隙間に詰まり始め、隙間に落ち込めなくなっ
た半田めっき屑がリード間などに溢れ出しリードに付着
して半導体製品の歩留りを低下させ、さらには切断ポン
チの摺動性を悪化させて金型の破損を引き起こす原因と
なっていた。
導体装置の製造に用いるリード切断金型は、リード切断
時に発生する半田めっき屑の大部分をワーク受けダイと
切断ポンチとの隙間に落とし込んで、次々に発生する半
田めっき屑を順に押し出すようにして下方から排出する
手段をとっていた。そのため、時間の経過とともに半田
めっき屑が隙間に詰まり始め、隙間に落ち込めなくなっ
た半田めっき屑がリード間などに溢れ出しリードに付着
して半導体製品の歩留りを低下させ、さらには切断ポン
チの摺動性を悪化させて金型の破損を引き起こす原因と
なっていた。
【０００９】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、ワーク受けダイと切断ポンチとの
隙間に入り込む半田めっき屑の詰まりを防止することに
よって半田めっき屑の排出をスムーズに行い、リードへ
の半田めっき屑の付着をなくし、さらには金型自身の寿
命を延ばすことのできるリード切断金型を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、ワーク受けダイと切断ポンチとの
隙間に入り込む半田めっき屑の詰まりを防止することに
よって半田めっき屑の排出をスムーズに行い、リードへ
の半田めっき屑の付着をなくし、さらには金型自身の寿
命を延ばすことのできるリード切断金型を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ム上に搭載した半導体チップをトランスファモールド法
により樹脂封入して半導体パッケージを形成し、次いで
リードフレーム部分に半田めっき処理を施し、次いで樹
脂バリやタイバーなどの不要部分を切断除去し、さらに
リード成形を行った後、リード先端部を切り揃える際に
使用するリード切断金型において、前記半導体パッケー
ジを載置するワーク受けダイと、半導体パッケージのリ
ードをワーク受けダイに押圧して固定するリード押え
と、ワーク受けダイの垂直側面との間に所定の隙間をあ
けて上下動しワーク受けダイのリード押え面から水平に
突き出したリード先端部を切り落とす切断ポンチとを備
え、対向して前記隙間を形成するワーク受けダイの垂直
側面および切断ポンチの垂直側面のいずれか一方または
両方の垂直側面には、リード切断の際に隙間に入り込む
半田めっき屑を取り込むための溝を設けている。
ム上に搭載した半導体チップをトランスファモールド法
により樹脂封入して半導体パッケージを形成し、次いで
リードフレーム部分に半田めっき処理を施し、次いで樹
脂バリやタイバーなどの不要部分を切断除去し、さらに
リード成形を行った後、リード先端部を切り揃える際に
使用するリード切断金型において、前記半導体パッケー
ジを載置するワーク受けダイと、半導体パッケージのリ
ードをワーク受けダイに押圧して固定するリード押え
と、ワーク受けダイの垂直側面との間に所定の隙間をあ
けて上下動しワーク受けダイのリード押え面から水平に
突き出したリード先端部を切り落とす切断ポンチとを備
え、対向して前記隙間を形成するワーク受けダイの垂直
側面および切断ポンチの垂直側面のいずれか一方または
両方の垂直側面には、リード切断の際に隙間に入り込む
半田めっき屑を取り込むための溝を設けている。
【００１１】また、本発明は、対向して前記隙間を形成
するワーク受けダイの垂直側面および切断ポンチの垂直
側面のいずれか一方または両方に複数の溝を設けてい
る。また、これらの溝の上側面を傾斜面とし、溝の開口
面積を広げた構造としている。
するワーク受けダイの垂直側面および切断ポンチの垂直
側面のいずれか一方または両方に複数の溝を設けてい
る。また、これらの溝の上側面を傾斜面とし、溝の開口
面積を広げた構造としている。
【００１２】また、本発明は、対向して前記隙間を形成
するワーク受けダイの垂直側面および切断ポンチの垂直
側面の両方に形成されたそれぞれの溝を、ワーク受けダ
イのリード押え面と切断ポンチの先端面とを一致させた
時に両側面の溝同士が対向しない位置となるように互い
にずらして設けている。
するワーク受けダイの垂直側面および切断ポンチの垂直
側面の両方に形成されたそれぞれの溝を、ワーク受けダ
イのリード押え面と切断ポンチの先端面とを一致させた
時に両側面の溝同士が対向しない位置となるように互い
にずらして設けている。
【００１３】また、本発明は、前記ワーク受けダイの垂
直側面に設けられる溝を、リード押え面から最初の溝の
上側面までの距離がリード厚の最大寸法に等しい距離と
なる位置に設けている。
直側面に設けられる溝を、リード押え面から最初の溝の
上側面までの距離がリード厚の最大寸法に等しい距離と
なる位置に設けている。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態に付い
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態のリード切断金型を用いたリード切断の概要を
示す部分断面図である。ここでは、リード成形後のＱＦ
Ｐ（クワッドフラットパッケージ）のリードを切断する
場合を例にとって説明する。図１に示すように、まず、
板厚が０．１５ｍｍ程度の鉄−ニッケル系合金のリード
フレームに半導体チップを搭載し、樹脂封止して半導体
パッケージ１を形成した後リードフレームに半田めっき
を施し、その後、樹脂バリやタイバーなどの不要部分を
切断除去し、最後にリード２をガルウィング型に成形し
てなる半導体パッケージ１を準備する。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態のリード切断金型を用いたリード切断の概要を
示す部分断面図である。ここでは、リード成形後のＱＦ
Ｐ（クワッドフラットパッケージ）のリードを切断する
場合を例にとって説明する。図１に示すように、まず、
板厚が０．１５ｍｍ程度の鉄−ニッケル系合金のリード
フレームに半導体チップを搭載し、樹脂封止して半導体
パッケージ１を形成した後リードフレームに半田めっき
を施し、その後、樹脂バリやタイバーなどの不要部分を
切断除去し、最後にリード２をガルウィング型に成形し
てなる半導体パッケージ１を準備する。
【００１５】この半導体パッケージ１を、リード切断金
型を構成するワーク受けダイ４に載置し、上方からリー
ド押え３を降下させてリード２の水平部分をワーク受け
ダイ４に押圧して固定する。次いで切断ポンチ５を上昇
させ、切断ポンチ５とリード押え３の先端部外側に設け
られた切刃とで、ワーク受けダイ４のリード押え面から
水平に突出したリード２の先端部２ａを切り落とし、半
導体パッケージ１のリード２の先端部における長さ寸法
を切り揃える。
型を構成するワーク受けダイ４に載置し、上方からリー
ド押え３を降下させてリード２の水平部分をワーク受け
ダイ４に押圧して固定する。次いで切断ポンチ５を上昇
させ、切断ポンチ５とリード押え３の先端部外側に設け
られた切刃とで、ワーク受けダイ４のリード押え面から
水平に突出したリード２の先端部２ａを切り落とし、半
導体パッケージ１のリード２の先端部における長さ寸法
を切り揃える。
【００１６】この際、切り落とされたリード２の先端部
２ａは、切断屑として自然落下あるいは吸引装置によっ
て排除されるが、リード２に施された半田めっき層はリ
ード切断部においてめっきバリとなったり、あるいは摩
擦によってめっき剥離片となる。これらのバリや剥離片
がリードから分離して半田めっき屑が発生する。この半
田めっき屑７は、従来技術で説明したように、吸引装置
等によって一部はリード切断屑とともに除去されるが、
大部分はワーク受けダイ４の垂直側面と切断ポンチ５の
垂直側面とで形成される所定寸法の隙間８に落ち込み、
後から発生した半田めっき屑７によって順に下方に押し
込まれ、この隙間８の下方から押し出されるようにして
半田めっき屑７は排除される。通常この隙間８の間隔
は、半導体パッケージの種類にもよるがほぼリード２の
厚み程度であり、ここでは０．１５ｍｍ程度としてい
る。
２ａは、切断屑として自然落下あるいは吸引装置によっ
て排除されるが、リード２に施された半田めっき層はリ
ード切断部においてめっきバリとなったり、あるいは摩
擦によってめっき剥離片となる。これらのバリや剥離片
がリードから分離して半田めっき屑が発生する。この半
田めっき屑７は、従来技術で説明したように、吸引装置
等によって一部はリード切断屑とともに除去されるが、
大部分はワーク受けダイ４の垂直側面と切断ポンチ５の
垂直側面とで形成される所定寸法の隙間８に落ち込み、
後から発生した半田めっき屑７によって順に下方に押し
込まれ、この隙間８の下方から押し出されるようにして
半田めっき屑７は排除される。通常この隙間８の間隔
は、半導体パッケージの種類にもよるがほぼリード２の
厚み程度であり、ここでは０．１５ｍｍ程度としてい
る。
【００１７】そこで、本実施の形態では、従来技術の問
題点である隙間８における半田めっき屑７の詰まりを防
止する手段として、隙間８を構成するワーク受けダイ４
の垂直側面に溝６を形成している。この溝６を設けたこ
とによって、隙間８に落ち込んできた半田めっき屑７は
溝６内に誘い込まれ、隙間８内に残留する分が少なくな
る。
題点である隙間８における半田めっき屑７の詰まりを防
止する手段として、隙間８を構成するワーク受けダイ４
の垂直側面に溝６を形成している。この溝６を設けたこ
とによって、隙間８に落ち込んできた半田めっき屑７は
溝６内に誘い込まれ、隙間８内に残留する分が少なくな
る。
【００１８】この溝６を設ける位置あるいは溝６の寸法
は、実験を重ねた結果、次に示すような寸法とすること
によって、半田めっき屑７のリード２への付着が少なく
なることが確認された。すなわち、隙間８を構成するワ
ーク受けダイ４の垂直側面に、リード押さえ面からの寸
法が０．１７ｍｍの位置から０．３２ｍｍにかけて水平
方向に幅０．１５ｍｍの溝６を設ける。溝６の位置は、
隙間８に落ち込んでくる半田めっき屑７を直ちに取り込
めるように、できるだけリード押え面に近い位置に設け
るのが好ましいが、ここでは、ワーク受けダイ４に変形
が起こらない強度を考慮して、半田めっき厚を含むリー
ド２の厚さ０．１５±０．０２ｍｍの最大値の寸法から
求めている。また、溝６の幅も半田めっき屑７の大きさ
から判断して、リード厚と同一としている。また、溝６
の深さもワーク受けダイ４の変形を考慮して、リード厚
程度にすることが好ましい。
は、実験を重ねた結果、次に示すような寸法とすること
によって、半田めっき屑７のリード２への付着が少なく
なることが確認された。すなわち、隙間８を構成するワ
ーク受けダイ４の垂直側面に、リード押さえ面からの寸
法が０．１７ｍｍの位置から０．３２ｍｍにかけて水平
方向に幅０．１５ｍｍの溝６を設ける。溝６の位置は、
隙間８に落ち込んでくる半田めっき屑７を直ちに取り込
めるように、できるだけリード押え面に近い位置に設け
るのが好ましいが、ここでは、ワーク受けダイ４に変形
が起こらない強度を考慮して、半田めっき厚を含むリー
ド２の厚さ０．１５±０．０２ｍｍの最大値の寸法から
求めている。また、溝６の幅も半田めっき屑７の大きさ
から判断して、リード厚と同一としている。また、溝６
の深さもワーク受けダイ４の変形を考慮して、リード厚
程度にすることが好ましい。
【００１９】次に、上記のようなワーク受けダイ４に溝
６を設けたリード切断金型を用いてリード切断を行い、
リード２への半田めっき屑７の付着状況を調べた結果を
図５のグラフを用いて説明する。図５は、従来技術にお
ける溝の無いリード切断金型を２週連続で使用した場合
の半田めっき屑の付着不良率と、本発明の溝を有するリ
ード切断金型を２週連続で使用した場合の半田めっき屑
の付着不良率とを比較したものである。すなわち、従来
技術のリード切断金型を使用した場合には、第１週目に
発生した付着不良率は０．３０％、第２週目に発生した
付着不良率は０．２８％であった。そして、２週間経過
後、従来技術のリード切断金型を本発明のリード切断金
型に交換し、引き続き２週連続で使用した場合の半田め
っき屑の付着不良率は、第３週目が０．１４％、第４週
目が０．１３％となり、従来技術の付着不良率の半分以
下となった。
６を設けたリード切断金型を用いてリード切断を行い、
リード２への半田めっき屑７の付着状況を調べた結果を
図５のグラフを用いて説明する。図５は、従来技術にお
ける溝の無いリード切断金型を２週連続で使用した場合
の半田めっき屑の付着不良率と、本発明の溝を有するリ
ード切断金型を２週連続で使用した場合の半田めっき屑
の付着不良率とを比較したものである。すなわち、従来
技術のリード切断金型を使用した場合には、第１週目に
発生した付着不良率は０．３０％、第２週目に発生した
付着不良率は０．２８％であった。そして、２週間経過
後、従来技術のリード切断金型を本発明のリード切断金
型に交換し、引き続き２週連続で使用した場合の半田め
っき屑の付着不良率は、第３週目が０．１４％、第４週
目が０．１３％となり、従来技術の付着不良率の半分以
下となった。
【００２０】次に、本発明の第２の実施の形態について
図２を用いて説明する。図２は、第２の実施の形態のリ
ード切断金型を用いたリード切断の概要を示す部分断面
図である。第１の実施の形態では、溝をワーク受けダイ
側に設けていたが、本実施の形態では、図２に示すよう
に、ワーク受けダイ４側ではなく切断ポンチ５側に溝６
ａを設けている。切断ポンチ５側に設ける溝６ａの位置
としては、できるだけ切断ポンチ５の上面に近い位置に
設けるのが好ましいが、ここでは、少なくとも切断ポン
チ５の切刃に影響を与えない程度の距離を置いて設けて
いる。この溝６ａを設けたことによって、発生した半田
めっき屑７を溝６ａに取り込むことができるので第１の
実施の形態と同様の効果が得られる。
図２を用いて説明する。図２は、第２の実施の形態のリ
ード切断金型を用いたリード切断の概要を示す部分断面
図である。第１の実施の形態では、溝をワーク受けダイ
側に設けていたが、本実施の形態では、図２に示すよう
に、ワーク受けダイ４側ではなく切断ポンチ５側に溝６
ａを設けている。切断ポンチ５側に設ける溝６ａの位置
としては、できるだけ切断ポンチ５の上面に近い位置に
設けるのが好ましいが、ここでは、少なくとも切断ポン
チ５の切刃に影響を与えない程度の距離を置いて設けて
いる。この溝６ａを設けたことによって、発生した半田
めっき屑７を溝６ａに取り込むことができるので第１の
実施の形態と同様の効果が得られる。
【００２１】次に、本発明の第３の実施の形態について
図３を用いて説明する。図３は、第３の実施の形態のリ
ード切断金型を用いたリード切断の概要を示す部分断面
図である。第１の実施の形態では、溝をワーク受けダイ
側にだけ設け、また第２の実施の形態では溝を切断ポン
チ側にだけ設けていたが、本実施の形態では、図３に示
すように、ワーク受けダイ４側および切断ポンチ５側の
両方に、それぞれ溝を設けている。また、ワーク受けダ
イ４の溝６および切断ポンチ５の溝６ａの数はそれぞれ
１個ずつでもよいが、それぞれ複数個ずつ設けることに
よって、半田めっき屑の取り込み量を更に増やすことが
できる。また、ワーク受けダイ４のリード押え面と切断
ポンチ５の上端面とを一致させた状態で、対向する両方
の溝６と６ａとの位置が一致しないように、ワーク受け
ダイ４の溝６と切断ポンチの溝６ａとの位置をずらして
設けることが好ましい。また、図４の部分断面図に示す
ように、それぞれの溝６および６ａの上側面を傾斜面９
とし、溝６および６ａの開口面積を広げて半田めっき屑
を取り込み易い構造としてもよい。
図３を用いて説明する。図３は、第３の実施の形態のリ
ード切断金型を用いたリード切断の概要を示す部分断面
図である。第１の実施の形態では、溝をワーク受けダイ
側にだけ設け、また第２の実施の形態では溝を切断ポン
チ側にだけ設けていたが、本実施の形態では、図３に示
すように、ワーク受けダイ４側および切断ポンチ５側の
両方に、それぞれ溝を設けている。また、ワーク受けダ
イ４の溝６および切断ポンチ５の溝６ａの数はそれぞれ
１個ずつでもよいが、それぞれ複数個ずつ設けることに
よって、半田めっき屑の取り込み量を更に増やすことが
できる。また、ワーク受けダイ４のリード押え面と切断
ポンチ５の上端面とを一致させた状態で、対向する両方
の溝６と６ａとの位置が一致しないように、ワーク受け
ダイ４の溝６と切断ポンチの溝６ａとの位置をずらして
設けることが好ましい。また、図４の部分断面図に示す
ように、それぞれの溝６および６ａの上側面を傾斜面９
とし、溝６および６ａの開口面積を広げて半田めっき屑
を取り込み易い構造としてもよい。
【００２２】このように、第３の実施の形態によれば、
溝を複数設けたことによってワーク受けダイ４の溝６に
入りそこなった半田めっき屑を切断ポンチ５の溝６ａで
拾うことが可能となり、また、溝の開口を広げたことに
よって半田めっき屑がさらに溝に入り易くなり、ワーク
受けダイ４と切断ポンチ５との隙間における半田めっき
屑の詰まりによる負荷がなくなったことから切断ポンチ
５の摺動性を維持することができる。
溝を複数設けたことによってワーク受けダイ４の溝６に
入りそこなった半田めっき屑を切断ポンチ５の溝６ａで
拾うことが可能となり、また、溝の開口を広げたことに
よって半田めっき屑がさらに溝に入り易くなり、ワーク
受けダイ４と切断ポンチ５との隙間における半田めっき
屑の詰まりによる負荷がなくなったことから切断ポンチ
５の摺動性を維持することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
の製造に用いるリード切断金型によれば、半導体パッケ
ージを載置するワーク受けダイと、半導体パッケージの
リードをワーク受けダイに押し付けて固定するリード押
えと、ワーク受けダイの垂直側面との間に所定の隙間を
あけて上下動しワーク受けダイのリード押え面から水平
に突き出したリード先端部を切り落とす切断ポンチとを
備え、この隙間を形成するワーク受けダイの垂直側面ま
たは切断ポンチの垂直側面、あるいはその両側面に、リ
ード切断の際に隙間に入り込む半田めっき屑を取り込む
ための溝を設けたことによって、ワーク受けダイと切断
ポンチとの隙間に入り込む半田めっき屑の詰まりを防止
することができる。
の製造に用いるリード切断金型によれば、半導体パッケ
ージを載置するワーク受けダイと、半導体パッケージの
リードをワーク受けダイに押し付けて固定するリード押
えと、ワーク受けダイの垂直側面との間に所定の隙間を
あけて上下動しワーク受けダイのリード押え面から水平
に突き出したリード先端部を切り落とす切断ポンチとを
備え、この隙間を形成するワーク受けダイの垂直側面ま
たは切断ポンチの垂直側面、あるいはその両側面に、リ
ード切断の際に隙間に入り込む半田めっき屑を取り込む
ための溝を設けたことによって、ワーク受けダイと切断
ポンチとの隙間に入り込む半田めっき屑の詰まりを防止
することができる。
【００２４】その結果、隙間に落ち込みきれなかった半
田めっき屑があふれてリードに付着するという事態がな
くなって半導体製品の歩留りが向上し、さらに、切断ポ
ンチの摺動性を維持することができるので金型破損の要
因がなくなって金型の寿命を延ばすことができる。
田めっき屑があふれてリードに付着するという事態がな
くなって半導体製品の歩留りが向上し、さらに、切断ポ
ンチの摺動性を維持することができるので金型破損の要
因がなくなって金型の寿命を延ばすことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のリード切断金型を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態のリード切断金型を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態のリード切断金型を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図４】図３で示すリード切断金型の一部を改良した部
分断面図である。
分断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態のリード切断金型の
効果を説明するグラフである。
効果を説明するグラフである。
【図６】従来技術におけるリード切断金型を示す部分断
面図である。
面図である。
１ 半導体パッケージ ２ リード ２ａ 先端部 ３ リード押え ４ ワーク受けダイ ５ 切断ポンチ ６、６ａ 溝 ７ 半田めっき屑 ８ 隙間 ９ 傾斜面
Claims (7)
- 【請求項１】 リードフレーム上に搭載した半導体チッ
プをトランスファモールド法により樹脂封入して半導体
パッケージを形成し、次いでリードフレーム部分に半田
めっき処理を施し、次いで樹脂バリやタイバーなどの不
要部分を切断除去し、さらにリード成形を行った後、リ
ード先端部を切り揃える際に使用するリード切断金型に
おいて、前記半導体パッケージを載置するワーク受けダ
イと、半導体パッケージのリードをワーク受けダイに押
圧して固定するリード押えと、ワーク受けダイの垂直側
面との間に所定の隙間をあけて上下動しワーク受けダイ
のリード押え面から水平に突き出したリード先端部を切
り落とす切断ポンチとを備え、前記隙間を形成するワー
ク受けダイの垂直側面には、リード切断の際に隙間に入
り込む半田めっき屑を取り込むための溝を設けたことを
特徴とするリード切断金型。 - 【請求項２】 リードフレーム上に搭載した半導体チッ
プをトランスファモールド法により樹脂封入して半導体
パッケージを形成し、次いでリードフレーム部分に半田
めっき処理を施し、次いで樹脂バリやタイバーなどの不
要部分を切断除去し、さらにリード成形を行った後、リ
ード先端部を切り揃える際に使用するリード切断金型に
おいて、前記半導体パッケージを載置するワーク受けダ
イと、半導体パッケージのリードをワーク受けダイに押
圧して固定するリード押えと、ワーク受けダイの垂直側
面との間に所定の隙間をあけて上下動しワーク受けダイ
のリード押え面から水平に突き出したリード先端部を切
り落とす切断ポンチとを備え、前記隙間を形成する切断
ポンチの垂直側面には、リード切断の際に隙間に入り込
む半田めっき屑を取り込むための溝を設けたことを特徴
とするリード切断金型。 - 【請求項３】 リードフレーム上に搭載した半導体チッ
プをトランスファモールド法により樹脂封入して半導体
パッケージを形成し、次いでリードフレーム部分に半田
めっき処理を施し、次いで樹脂バリやタイバーなどの不
要部分を切断除去し、さらにリード成形を行った後、リ
ード先端部を切り揃える際に使用するリード切断金型に
おいて、前記半導体パッケージを載置するワーク受けダ
イと、半導体パッケージのリードをワーク受けダイに押
圧して固定するリード押えと、ワーク受けダイの垂直側
面との間に所定の隙間をあけて上下動しワーク受けダイ
のリード押え面から水平に突き出したリード先端部を切
り落とす切断ポンチとを備え、対向して前記隙間を形成
するワーク受けダイの垂直側面および切断ポンチの垂直
側面の両方に、それぞれリード切断の際に隙間に入り込
む半田めっき屑を取り込むための溝を設けたことを特徴
とするリード切断金型。 - 【請求項４】 対向して前記隙間を形成するワーク受け
ダイの垂直側面および切断ポンチの垂直側面のいずれか
一方または両方に、複数の溝が設けられていることを特
徴とする請求項１又は２又は３記載のリード切断金型。 - 【請求項５】 対向して前記隙間を形成するワーク受け
ダイの垂直側面および切断ポンチの垂直側面のいずれか
一方あるいは両方に形成された溝の上側面を傾斜面と
し、溝の開口面積を広げたことを特徴とする請求項１又
は２又は３記載のリード切断金型。 - 【請求項６】 対向して前記隙間を形成するワーク受け
ダイの垂直側面および切断ポンチの垂直側面の両方に形
成されたそれぞれの溝は、ワーク受けダイのリード押え
面と切断ポンチの先端面とを一致させた時に両側面の溝
同士が対向しない位置となるように互いにずらして設け
られていることを特徴とする請求項３記載のリード切断
金型。 - 【請求項７】 前記ワーク受けダイの垂直側面に設けら
れる溝は、リード押え面から最初の溝の上側面までの距
離がリード厚の最大寸法に等しい距離となる位置に設け
られていることを特徴とする請求項１又は３記載のリー
ド切断金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001020510A JP2002222908A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | リード切断金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001020510A JP2002222908A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | リード切断金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222908A true JP2002222908A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18886208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001020510A Pending JP2002222908A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | リード切断金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114160871A (zh) * | 2021-12-11 | 2022-03-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 表贴器件引线的剪切辅助工装 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135650U (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-10 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | リ−ド曲げ成形用パンチ |
| JPH0228964A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | 半導体の切断整形金型 |
| JPH0287561A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | リード成形金型 |
| JPH07335807A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Rohm Co Ltd | 電子部品の製造方法およびこれを用いたリード端子の成形装置 |
| JPH10163394A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Iwate Toshiba Electron Kk | 半導体リード成型装置 |
| JP2001144239A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Oita Nippon Denki Kk | リード切断用金型 |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001020510A patent/JP2002222908A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135650U (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-10 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | リ−ド曲げ成形用パンチ |
| JPH0228964A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | 半導体の切断整形金型 |
| JPH0287561A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | リード成形金型 |
| JPH07335807A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Rohm Co Ltd | 電子部品の製造方法およびこれを用いたリード端子の成形装置 |
| JPH10163394A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Iwate Toshiba Electron Kk | 半導体リード成型装置 |
| JP2001144239A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Oita Nippon Denki Kk | リード切断用金型 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114160871A (zh) * | 2021-12-11 | 2022-03-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 表贴器件引线的剪切辅助工装 |
| CN114160871B (zh) * | 2021-12-11 | 2022-11-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 表贴器件引线的剪切辅助工装 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030630 |