JPH0285822A - 液晶デバイスの製造方法 - Google Patents

液晶デバイスの製造方法

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JPH0285822A
JPH0285822A JP63238184A JP23818488A JPH0285822A JP H0285822 A JPH0285822 A JP H0285822A JP 63238184 A JP63238184 A JP 63238184A JP 23818488 A JP23818488 A JP 23818488A JP H0285822 A JPH0285822 A JP H0285822A
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crystal device
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洋 小川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、大面積になし得る液晶デバイスの製造方法に
関するもので1本発明液晶デバイスは。
視野の遮断、開放及び明シもしくは照明光の透過制限、
遮断、透過t−電気的または熱的に操作し得るものでろ
って、賜物の窓やショーウィンドウなどで視野遮断のス
クリーンや、採光コントロールのカーテンに利用される
と共に、単純ドツトマトリクス形の電極構成で文字や図
形全表示し、高速応答性を以りて電気的に表示を切シ換
えることによりて、広告板、案内板、装飾表示板等の表
示用デバイスとして利用される。
〈従来の技術〉 液晶デバイスは、従来、ネマチック液晶を使用したTN
型や、 STN型のものが実用されている。
また強篩電性液晶を利用したものも提案されている。こ
れらは偏光板′t−要するものであシ、また配向処理を
要するものでもある。一方また、それらを要さず、明る
くコントラストの良い、大型で廉価な液晶デバイスヲ典
造する方法として、液晶のカプセル化によシ、ポリマー
中に液晶滴を分散させ、そのポリマーをフィルム化する
方法がしられている。ここでカプセル化物質としては、
ゼラチン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール等が提
案されている(%表昭58−501631号、USP4
435047号)。
上記明細書で開示された技術においては、ポリビニルア
ルコールでカプセル化された液晶分子は、それが薄層中
で正の誘電率異方性を有するものであれば、電界O存在
下でその液晶分子が電界の方向に配列し、液晶の屈折率
n0とポリマーの屈折率npが等しいときには、透明性
を発現する。1界が除かれると、液晶分子はランダム配
列に戻シ、液晶滴の屈折率がnoよシずれるため、液晶
滴はその境界面で光を散乱し、光の透過″N−全遮断す
るので、薄膚体は白濁する。この様にカプセル化された
液晶を分散包蔵したポリマーを薄膜としている技術は、
上記のもの以外にもいくつか知られておシ、例えば1%
表昭61−502128号には、液晶がエポキシ樹脂中
に分散したもの、特開昭62−2231号には、特殊な
紫外線硬化ポリマー中に液晶が分散したもの等が開示さ
れてbる。
〈発明が解決しようとする課題〉 上記の如き従来の液晶デバイスは、液晶滴がポリマー中
に分散しているので、を界を印加した場合、液晶滴には
ポリマーを介して電界が及ぶので、液晶分子の配列に変
化を与えるためには、高い駆動電圧を必要とするため、
実用上程々の障害となる欠点を有する。
また電界を印加した腺十分な透明性上達成するためには
、液晶の屈折率とポリマーの屈折率とが近似したものと
なる様、それぞれを十分選択しなければならないわずら
れしさがある。
更にまた。大面積のデバイスの%徴を生かしてマルチブ
レックス駆動による大型表示を行うに当たりて、それを
可能とさせる上で必要なしきい値が存在しないので、そ
の実施が困難である。
これらの点は、大面積液晶デバイスを実用化する上で大
きな障害であシ、解決されるべき問題点である。本発明
者らはこれらの問題点を解決すべく鋭意研究し、大型表
示素子用の低電圧駆動性とハイコントラスト性及び明確
なしきい値を有する液晶デバイスの製造法を見出すに至
りた。
く課題を解決するための手段〉 本発明は、2枚の基板の間に正の誘電率異方性を有する
液晶材料が介在した液晶デバイスの製造方法に於いて、
2枚の基板の間に正の誘を率異方性を有する液晶材料と
重合性組成物との混合溶液を等方性液体状態で保持しな
がら重合性組成物を重合させることによシ、液晶材料の
連続相中に3次元ネットワーク状の透明性固体物質を形
成させることを特徴とする液晶デバイスの製造方法に関
するものである。
本発明に於ける重合性組成物は、重合性化合物及び重合
開始剤金含有するとともに必要に応じて連鎖移動剤等を
含有している。
本発明に於いて使用し得る重合性化合物としてti、例
、ttf、スチレン、クロロスチレンやα−メチルスチ
レン、ジビニルベンゼン二fL換基トシては、メチル、
エチル、fロビル、ブチル、アミル。
2−エチルヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル、ヘ
キサデシル、オクタデシル、シクロヘキシル、ベンジル
、メトキシエチル、ブトキシエチル。
フェノキシエチル、アクリロニトリル、グリシジル、2
−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロ?ル、31’
ロロー2−ヒドロキシプロピル、ジy’fルアミノエチ
ル、ジエチルアミノエチル等のごとき基を有するアクリ
レート、メタクリレート又ハフマレート;エチレングリ
コール、ポリエチレングリコール、2c2ピレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール、1.3−ニア#チレ
ングリコール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチ
レングリコール、トリメチロールプロパン、グリセリン
及びペンタエリスリトール等のモノ(メタ)アクリレー
ト又はポリ(メタ)アクリレート;酢酸ビニル、酪酸ビ
ニル又は安息香酸ビニル、アクリロニトリル、セチルビ
ニルエーテル、リモネン、シクロヘキセン、ジアリルフ
タレート、ジアリルイソフタレート、2−3−又は4−
ビニルピリジン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル
アミド、メタクリルアミド、N−ヒドロキシメチルアク
リルアミド又はN−ヒドロキシエチルメタクリルアミド
及びそれらのアルキルエーテル化合物、ネオペンチルグ
リコール1モルに2モル以上のエチレンオキサイド若し
くはグロビレンオキサイド金付加して得たジオールのソ
(メタ)アクリレート、トリメチロールグロ・971モ
ルに3モル以上のエチレンオキサイド若しくはグロビレ
ンオキサイドを付加して得九トリオールのノ又はトリ(
メタンアクリレート、ビスフェノールA1モルに2モル
以上のエチレンオキサイド若しくはプロピレンオキサイ
ドを付加して得たジオールのジ(メタ)アクリレート、
2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート1モルとフ
ェニルイソシアネート若しくはn−ブチルイソシアネー
ト1モルとの反応生成物、ジペンタエリスリトールのポ
リ(メタコアクリレート、長鎖脂肪族ジアクリレート、
脂肪族トリアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキ
シピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリ
レート、ヒドロキシパビリン酸エステルネオペンチルグ
リコールジアクリレート、トリシクロデカンジメチロー
ルジアクリレート、トリス(アクリルオキシエチル)イ
ンシアスレート、ポリオレフィン変性ネオペンチルグリ
コールジアクリレート等を挙けることができ、(メタ)
アクリル糸二重結合を2個以上有する重合性化合物が特
に好ましい。
本発明に於いて使用し得る重合開始剤としては。
例えば、2−ヒドロキシ72−メチル−1−フェニルプ
ロパン−l−オン(メル/ 社製r / a キュア1
173J)、1−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケ
トン(チパ・ガイギー社製「イルガキュア184J)、
1−(4−イソノロビルフェニル)−2−ヒドロキシ−
2−メチルプロパン−1−オン(メルク社製[プロキュ
ア1116J )、ベンジルジメチルケタール(チパ・
ガイギー社製[イルガキュア651J)、2−メチル−
1−(4−(メチルチオ)フェニルツー2−モルホリノ
プロパノン−1(チパ・ガイギー社製「イルガキュア9
07J)、2.4−ジエチルチオキサントン(日本化系
社製[カヤキュアDETX j )、p−ジメチルアミ
ノ安息香酸エチル(日本化系社製「カヤキュアEPA 
J )、イソプロピルチオキサントン(ワードプレキン
ソッグ社良「カンタキュアーITX J ) 、等が挙
げられ、液状でちる2−ヒドロキシ−2−メチル−1−
7エニルグロパンー1−オンが液晶材料と相溶性の面で
特に好ましい。
本発明に於いて必要に応じて使用し得る連鎖移動剤の好
例は、ブタンジオールジチオプロピオネート、ペンタエ
リスリトールテトラキス(β−チオプロピオネート)、
トリエチレングリコールジメルカグタン等々である。連
鎖移動剤の併用は、重合性化合物の種類によってはきわ
めて効果的で。
重合が尚〈なり過さ゛るのを防止し、それによって液晶
材料が電界に応じて応答し易くされ、低電圧駆動性が発
揮される。
本発明に於いて使用し得る液晶材料は、正の誘電率異方
性を有し、少なくとも誘電率異方性Δ6は8以上で、複
屈折率Δnは0.1以上でおり、液晶濃度が60X量チ
以上となるように重合性組成物と相溶させ得るものが好
ましい。このような液晶材料は市販の液晶材料全適宜に
選択して使用してもよhし、第1表に示す液晶材料を適
宜に混合して使用してもよく、必要に応じてカイラル成
分を添加してもよい。
本発明に於いては、2枚の基板の間に正の誘電率異方性
を有する液晶材料と重合性組成物との混合溶液全等方性
液体状態で保持しながら重合性組成物を重合させること
によシ、液晶材料の連続相中に3次元ネットワーク状の
透明性固体物質を形成させる。
2枚の基板としては5例えばガラス板、グラスチックフ
ィルム等を挙げることができ、液晶デバイスを電圧で駆
動する場合にはそれぞれの基板の内面に電極を形成する
必要がある。
混合溶液中の液晶材料の使用割合は、一般に60重量係
以上とすることが好ましい。
混合溶液t−2枚の基板間に介在させるには、この溶液
を基板間に注入しても良いが、一方の基板上にスピンナ
等のコータを使用して血布し、次いで他方の基板1km
ねても良^。
液晶材料が等方性液体状態の場合、重合性化合物と液晶
材料は相溶しておシ、液晶分子が溶液中に均一に溶解し
ている。一方、この状態から冷却して液晶材料をネマチ
ック相に相転移させると、ネマチック相の重合性化合物
に対する溶解性は低下して、重合性化合物と液晶剃料は
分離する。
例えば、ピリジン系液晶組成物(TNl = 68.5
℃〕に重合性化合物としてカプロラクトン変性ヒドロキ
シピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリ
レートを添加すると、10.%添加した場合、TN、は
51℃に、20%の場合はTN、が32℃とネマチック
相−等方性液体相転移点(TNl )が下がる。示差型
熱量計で降温過程におけるエンタルピーΔHを論べると
、ピリジン系液晶組成物のみではΔH=0.34 Ce
&t/g)であるが、20チの場合はΔH= 0.13
 〔eh4//l ]と、ΔHもモノマー濃度に影響さ
れ値が小さくなシ、液晶材料の等方性液体状態と重合性
化合物は相溶していることを示している。
一方、偏光顕微鏡を用いてこの溶液のテクスチャーを観
察してみると、溶液を等方性液体状態からネマチック相
へ転移させるとネマチック相から重合性化合物が分離す
ることが確認でき、ネマチック相の重合性化合物に対す
る溶解性は低下していることを示している。
混合溶液中罠於いて重合性組成物が重合し、相分離が進
むと混合溶液中の重合性組成物の濃度が減少し、混合溶
液のTNlが上昇して液晶材料がネマチック相に転移す
ると、液晶材料からの重合性組成物の相分離が一層促進
される。
即ち、本発明に於いては、重合性組成物に対する液晶材
料の等方性液体状態での溶解性と、ネマチック液晶状態
での溶解性の差を利用して重合性組成物を液晶材料から
相分離させつつ重合させることによシ、3次元ネットワ
ーク状の透明性固体物質を液晶連続相中に生成させるも
のである。
重合性組成物′t−硬化させるには、好ましくは10 
rnJ/cm”以上もしくは3峙シ12以上の強度で基
板を通して紫外線を照射してもよいが、必要に応じて熱
ま九は電子線で代替してもよい。尚、紫外I!Mを照射
する場合には、一定強度の紫外線ヲ基板面に刈して均一
に照射することが好ましい。このような紫外機を一度だ
け照射してもよいし、数回くシ返して照射してもよく、
これによって網目の大きさが均一な3次元ネットワーク
状の透明性固体物質全連続液晶相中に形成させることが
できる。
網目の大きさは0.5〜2μmの範囲が好ましく、網目
の大きさが均一な3次元ネットワーク状の透明性固体物
it影形成せることで、液晶デバイスはハイコントラス
トな、明瞭なしきい値全発現し。
線順次声査方式による時分割駆動させることで。
ト9ットマトリクス電極構成による図形および文字の表
示が出来、優れた特性を示す。つまり、本発明の液晶デ
バイスは、液晶連続相中にネットの大きさが均一な3次
元ネットワーク状の透明性固体物質上形成させることで
時分割駆動を実現している。
重合性組成物t−重合させるには、混合溶液のネマチッ
ク相−等方性液体相転移点近傍から上限が液晶材料単体
のネマチック相−等方性液体相転移点までの温度範囲の
等方性液体状態で行わさせると良く、さらに効果的には
、混合溶液のネマチック相−等方性液体相転移点近傍部
ち、相転移点とそれよシもlOL位高い温度との範囲内
で行うことが好ましい。
この様にして製造された液晶デバイスの実例を上げる。
ピリジン系液晶組成物(TNI = 68.5℃)にカ
プロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペ
ンチルグリコールジアクリレートt−添加した溶液で製
造した液晶デバイスの電圧−透過率曲線の一例を第1図
に示す。横軸に印加電圧、縦軸に透過率としてグロット
したものである。(1ンはしきい値vthを記す。しき
い値は7.8Vrm8でお)、印加電圧がO〜4vr□
の間では透過率がほとんど変化しておらづ、明瞭なしき
い値が存在していることが分かる。(2)は飽和電圧V
□tでおる。飽和電圧は、17.8 Vrmsであり、
この液晶デバイス120 Vr□以下と、液滴分散型液
晶デバイスの駆動電圧s o vrnis以上と比べて
低電圧で駆動できることを示している。従来技術の液晶
デバイスと比べ、しきい(INの急峻性が改善されてい
る。また、(3)は無電圧印加の場合の透過率であるが
、透過率は1.6俤と低く遮光性が優れている。液晶デ
バイスの透明性は、透過率が85%で飽和しておシ、透
明性ガラス基板の透過率と等しくなっている。
つまり、本発明の液晶デバイスは、透過率の範囲が1.
6%から85%とハイコントラストな液晶デバイスであ
る。参考例として従来技術による液滴分散型液晶デバイ
スの電圧−透過率曲線の一例(Liq、 Cryst、
 、 1987 、Vol、 146 、 pp−1−
15)を上けると、しきい値vthは33vrm、、飽
和電圧vsatが75 Vr□と駆動電圧が高く、透過
率の範囲が296から64囁であシコントラストが低く
、シきい値に急峻性がないため時分割駆動t−難しくし
て込る。本発明の液晶デバイスが時分割駆動全行うのに
優れていることが分かる。
実際に、時分割駆動した場合の液晶デバイスの印加電圧
波形及び光学応答波形を第2図及び第3図に示す。1g
2図は、印加電圧波形、第3図は、その光学応答波形で
ある。パルス@ 10 nhs@e、、1/3バイアス
法、1/2デ、−ティの電圧波形を液晶デバイスに印加
して、光学応答波形を見ている。
(4)の選択波形が印加されている場合は、透過率が5
0%近く進上がり、(5)の非選択波形が印加されてい
る場合は、透過率が大きく変化せづ1時分割駆動時のコ
ントラスト比が、1:15と高い値を示しており、時分
割駆動出来ることを証明している。また、応答速度も、
立ち上がシ時間は1〜2に+’116e、立ち下が#)
時間は3〜5 ms e c *と速く、更にデユーテ
ィ比金上けることが出来る値でおる。
この様に1本発明は、従来技術による液m分散型液晶デ
バイスでは成し遂げられなかった時分割駆動を可能にし
た優れた液晶デバイスである。
液晶デバイスには、基板上にセグメント電極、ドツトマ
トリクス電極等を設けてもよいし1表示面上に紫外線カ
ットフィルター、光表面反射防止膜等金堰シ付けても良
いし、iik!木部または表示部全体にカラーフィルタ
ーを取り付けてもよい。
またこの様な液晶デバイスは、電圧を印加しなくても、
液晶材料が等方性液体相に相転移する温度になると透明
状態に変わるので、適当な相転移温度を有する液晶材料
全選択することによって、P9r望の温度域における感
温型(温度比@型)の光変鉤デバイスとして使用可能で
ある。
〈実施例〉 以下に本発明の実施例全示し、本発明全史に具体的に説
明する。しかし1本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
実施例1 液晶組成物(5) 転移温度 屈折率 68.5℃(N−I) く−25℃(C−N) n@ = 1.787 n□ = 1.533 血=0.254 20℃の粘度   59 c、p。
誘電率異方性   Δg=26.9 液晶材料として液晶組成物(5)(ネマチック相−等方
性液体転移点TN1 : 68.5℃、しきい値Vth
:1、 l 5 vrml s複屈折率二〇、254、
常屈折率n。:1.533、誘電率異方性Δj:26.
9)80ム意チ、重合開始剤として2−ヒドロキシ−2
−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン0.4%
% 重合性化合物としてカプロラクトン変性ヒドロキシ
パビリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレ
−1−19,6重量%全混合した。この溶液全示差型熱
量計を用いてネマチック相−等方液体相転移温度を論べ
たところ32℃であった。従って、この転移温度よシ8
℃高い40℃に試料を加熱し紫外線硬化温度とした。ス
ペーサとして平均粒径lOμmのガラスファイバーの微
粉を小量添加し。
20αX20cmの2枚のITOガラス板の間に挿入し
、ITOガラス全体を40℃に加熱して、40mvi/
c!n”の強度の紫外機’i、ITOガラス板全面に同
時に均一に照射した。与えたエネルギーは400mJ/
cm”に相当する。液晶デバイスの電極間隔は11μm
である。紫外線照射によシブバイスは。
ITOガラス板全面に均一に白濁不透明状態になった。
この液晶デバイスを調べたところ、しきい値電圧vth
 =7−8 ”rms h飽和電圧vsat = 17
−8 vrma、無電圧印加時の透過率が1゜6%、透
過率の最大値が85%であった。1/3バイアス法、1
72 f 、 −ティでパルス幅f I Q maee
で駆動したところ、コントラストが1=15であった。
2枚のガラス基板の間に形成されたV@元層の断面を走
査型電子顕微鏡で観察したところ、1〜1.3μmの大
きさの均一なネットの3次元ネットワークが認められた
実施例2 実施例1と同様の方法によシ。液晶材料として液晶組成
物(4)(ネマチック相−等方性液体転移点TNに68
.5℃、しきい値Vth : 1. I 5 Vrrn
、、複屈折率:0.254.常屈折率fLQ : 1.
517 %誘電率異方性Δt:26.9)7ONk%、
重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−7
エニループロパンーl−オン0.6優、重合性化合物と
してカプロラクトン変性ヒドロキシパピリン酸エステル
ネオペンチルグリコールジアクリレート29.4重量%
の混合物について紫外lf!A硬化させた。混合溶液の
ネマチック相−等方性液体転移点TN1は13℃である
。紫外m硬化温度を20℃に設定し九。紫外線の強度は
40−一で、与えたエネルギーは150幌た2に相当す
る。紫外線照射によシブバイスは、ITOガラス板全面
に均一に白濁した。得られた液晶デバイスは、しきい値
vth=11、3 Vrms s飽和電圧”aat =
 24 Vrms 、無電圧印加時の透過率が11.0
%、透過率の最大値が85.2%であった。V3バイア
ス法、1/2デユテイでパルス幅f l Q +n+s
ecで駆動したところ、コントラストが1:9であった
実施例3 実施例1と同様な方法によシ、重合性化合物としてカプ
ロラクトン変性ヒドロキシパビリン酸エステルネオペン
チルグリコールジアクリレート19.6重量%1重合開
始剤として2−ヒドロキシ−2−メfルー1−7エニル
ープロパンー1−、t70.496、液晶材料としてロ
ッシェ社製ネマチック液晶組成物RO−571(TN、
: 64℃、しきい値vth : 1. s v、ms
、復屈折車:0.22.常屈折率n0:1、521 、
誘を率異方性Δ#:13.0)80ム意チを混合し紫外
線照射して硬化させた。溶液のネマチック相−等方液体
相転移温度は37.7℃である。
紫外線硬化温度を45℃に設定して、40 mW/cn
t’の強度の紫外@’i、IToガラス板全面に同時に
均一に照射した。与えたエネルギーは120 mJ〜に
相当する。液晶デバイスの電極間隔は11μmである。
紫外線照射によ)デバイスは、ITOガラス板全面に均
一に白濁した。得られた液晶デバイスハ、シきい値vt
h = 7−8 vrms 、飽和電圧viat=20
 vrml、無電圧印加時の透過率が4.0 % 、透
過率の最大値が85.4%であった。l/3バイアス法
1/27’、−ティでノ4ルス幅をI Q maeeで
駆動したところ、コントラストが1:10であった。
2枚のガラス基板の間に形成された調光層の断面を走査
型電子顕微鏡で観察したところ、0.9〜1.1μmの
大きさの均一なネットの3次元ネットワークが認められ
た。
実施例4 液晶材料として液晶組成物(4)(ネマチック相−等方
性液体転移点TNに68.5℃、しきい値Vth:1、
 l 5 vrmi s複屈折率:0.254.常屈折
in□:1.533.誘を率異方性Δ#:26.9)8
0重菫粂、重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチ
ル−1−フェニル−プロパン−1−オン0.4チ、TL
重合性化合物して長鎖脂肪族ジアクリレート(SART
OMERCompany社製、為品名: C−2000
)を19.6Xjtチを混合した。実施例1と同様な方
法で紫外線硬化させた。溶液のネマチック相−等方液体
相転移温度は27.7℃である。索外R硬化温度は35
℃に設定して、 40 mW7−の強度の紫外線に20
0mmケスのエネルギーで照射した。紫外線照射によ)
デバイスは、 ITOガラス板全面に均一に白濁した。
得られた液晶デバイスは、しきh値”th = 4−2
 vrms *飽和電圧vsat = 18−3 vr
l11m1%無電圧印加時の透過率が10.3%、透過
率の最大値が82.0%でありた。1/3バイアス法、
1/2デユーテイでパルス幅をl0m5・Cで駆動した
ところ。
コントラストがに8でありた。
実施例5 液晶材料として液晶組成物(4)(ネマチック相−等方
性液体転移点TN、 + 68.5℃、しきい値Vth
:1、15 vrms s複屈折率二〇、254 、常
屈折率nO:1、533 、誘を率異方性Δε:26.
9)803に量チ、重合開始剤として2−ヒドロキシ−
2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン0.4
96、重合!、化合物としてポリプロピレングリコール
ヅアクリレート(平均分子量400)を19.6重xq
b金混合した。実施例1と同様な方法で紫外線硬化させ
た。溶液のネマチック相−等方液体相転移温度は32.
5℃である。紫外線硬化温度は40℃に設定して、40
 mW/cm”の強度の紫外線を200 rnJ/c!
n!のエネルギーで照射した。紫外線照射によシデパイ
スは、 ITOガラス板全面に均一に白濁した。
得られ九液晶デバイスは、しきいイ直vth=8.5■
rmlI、飽和電圧vsat = 24.7 Vrms
 %無電圧印加時の透過率が4.3%、透過率の最大値
が80,6%でおった。1/3バイアス法、 1/2デ
ユーテイでパルス幅k 10 mvrecで駆動したと
ころ、コントラストが1:6であった。
実施例6 重合性化合物として長鎖脂肪族ジアクリレート(SAR
TOMERCompany社製、′#3品名: C−2
000)19.6i量チ、重合開始剤として2−ヒドロ
キシ−2−’fシル−−7エニルーグロパンー1−オン
0.4%、液晶材料としてロッシェ社製ネマチック液晶
組成物RO−571(TNl:64℃、しきい値Vth
 : L 5 ”rma % ’01屈折率:0.22
、常屈折in□:1.521.誘を率異方性Δ# : 
xa、o)8 o3kjlチを混合し、実施例1と同様
な方法で紫外巌硬化させた。溶液のネマチック相−等方
液体相転酪温度は31.5℃である。紫外線硬化温度は
33℃に設定してs 40 rnW/3mの強度の紫外
/iA k 200 mJ/cm”のエネルギーで照射
した。紫外線照射によ#)デバイスは、 ITOガラス
板全面に均一に白濁した。得られた液晶デバイスは、し
きい値Vth=8.8vrrn、、飽和電圧vsat 
= 29.7 Vrms %無電圧印加時の透過率が3
.0%、透過率の最大値が77.0%でありた。l/3
バイアス法、1/2デユーテイでパルス幅f 10 m
s@cで駆動したところ、コントラストが1=8であっ
た。
実施例7 重合性化合物としてペンチルグリコール・ボリグロピレ
ングリコール変性ソアクリレート(SARTOMERC
ompshny社製、商品名: C−9003)19.
6!量チ、重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチ
ル−1−フェニル−グロノ9ン−1−オン0.4%、液
晶材料としてロッシェ社製ネマチック液晶組成物RO−
571(TNl: 64℃、しきb値vth : 1.
5 ■rrns 、後屈折率:0.22.常屈折率no
:1.521、p電率異方性Δg:13.0)80!i
%を混合し、実施例1と同様な方法で紫外線硬化させた
。済液のネマチック相−等方液体相転移温度は31.5
℃である。紫外線硬化温度は33℃に設定して、40m
φ2の強度の紫外線全200mJ/−のエネルギーで照
射した。紫外線照射によりデバイスは、ITOガラス板
全面に均一に白濁した。得られfc液晶デバイスは、し
きい値Vth”9.2vrml s飽和電圧vsat 
= 31.8 Vr工、、無電圧印加時の透過率が5.
0%、透過率の最大値が75.0%で6−)た。1/3
バイアス法、l/2デ、−ティでパルス@″f:10 
m5ecで駆動したところ、コントラストがl:6であ
った。
実施例8 重合性化合物として長鎖脂肪族ジアクリレート(SAR
TOMERCompany’社製、商品名二〇−200
0)19.6重に俤、重合開始剤として2−ヒドロキシ
−2−メfルーl−7エニルーグロパンー1−、オン0
.4チ、液晶材料としてロッシェ社製ネマチクク液晶組
成物RO−571(Tsl: 64℃、しきい値vth
:1.5Vrm、、復屈折率:0.22.常屈折率no
:1.521.誘電率異方性Δ#:13.0)80X量
チを混合し、実施例1と同様な方法で紫外線硬化させた
。溶液のネマチック相−等方液体相転移温度は31.5
℃である。紫外線硬化温度は40℃に設定して、40鴫
讐の強度の紫外線を200mJ/m”のエネルギーで照
射した。紫外線照射によりデバイスは、ITOガラス版
全面に均一に白濁した。得られた液晶デバイスは、しき
い値7/lh =4−8 vfllll 、飽和電圧v
ant = 19.7 Vrma s無電圧印加時の透
過率が11.0%、透過率の最大値が77.0%であっ
た。V3バイアス法、l/2デユーテイでパルス幅f 
10 ms@eで駆動したところ、コントラストがl:
8であった。
実施例9 重合性化合物としてポリプロピレングリコールジアクリ
レート(平均分子−fi400)19.6重量%、重合
開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニ
ル−ノロパン−1−オン0,4%。
液晶材料としてロッシェ社裂ネマチック液晶組成物RO
−571(TNI : 64℃、しきい値Vth : 
1. svr、n、、″4IL屈折率:0.22、常屈
折率no : 1.521゜誘電74−異方性Δg:1
3.oン80重量St−混合し、実施例1と同様な方法
で紫外線硬化させた。溶液のネマチック相−等方液体転
移IMLPLは33.7℃である。紫外線硬化温度は4
0℃に設定して、40mW〜の強度の紫外線k 220
1XIJ〜のエネルギーで照射した。紫外線照射によシ
ブバイスは、ITOガラス板全面に均一に白濁し友。得
られた液晶デバイスは、しきい値vth=6.4Vrm
思・飽和電圧V□t”” 20−5 vym@ s無電
圧印加時の透過率が7.0%、透過率の最大値が83.
0%であった。
l/3バイアス法、l/2デユーテイでパルス幅を10
 ms@cで駆動したところ、コントラストが1:8で
あった。
実施例10 重合性化合物としてペンチルグリコール・ポリプロピレ
ングリコール変性ジアクリレート(SARTOMERC
ompany社製、商品名: C−9003)24.5
重量%、重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル
−1−7エニループロパンー1−オン0.5%、液晶材
料として大日本インキ化学工業社製液晶組成物DOX 
−4067(TNl : 60℃、しきい値vth二1
511Vrn1.、復屈折率二〇、175゜常屈折率n
O: 1.509 、811率異方性Δε:19.7)
75!量チを混合し、実施例1と同様な方法で紫外線硬
化させた。溶液のネマチック相−等方液体相転移温度は
21.3℃である。紫外線硬化温度は25℃に設定して
、35 mW/−の強度の紫外線上120 rnJ/c
m”のエネルギーで照射し次。紫外線照射によシブバイ
スは、 ITOガラス板全面に均一に白濁した。得られ
た液晶デバイスは、しきい値vth = 4.2 Vr
rn、 、飽和電圧vaat = 17−7 ”rms
、無電圧印加時の透過率が2760%、m過軍の最大値
が85.0%でありた。1/3バイアス法、1/2 F
あ一ティでパルス幅’l: 10 m5ecで駆動した
ところ、コントラストが1:5でありた。
実施例11 重合性化合物としてポリオレフィン変性ネオペンチルグ
リコールジアクリレート24.5重i%、重合開始剤と
して2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロ
パン−1−オン0.5%、液晶材料として大日本インキ
化学工業社製液晶組成物DOX −4067(TNl 
: 60℃、しきい値Vth :1. l I Vrm
、 、後屈折率:0.175.常屈折率no:1、50
9 、誘1率異方性Δε:19.7)75亘に%を混合
し、実施例1と同様な方法で紫外線硬化させfc、溶液
のネマチック相−等方液体相転移温度は20.5℃であ
る。紫外線硬化温度は25℃に設定して、35m彫−の
強度の紫外線’jz l 20 mJ/−のエネルギー
で照射した。Jw:外線照射によシブバイスは、ITO
ガラス板全面に均一に白濁した。
得られた液晶デバイスは、しきい値vth = 7.1
■r□、飽和電圧”mat = 25− り vrmg
 s無電圧印加時の透過率が22.0%、透過率の最大
値が81.0優でありた。1/3バイアス法、l/2デ
ユーテイで/4′ルス幅k l Omateで駆動した
ところ、コントラストが1=3でおった。
実施例12 重合性化合物としてヒドロキシピバリン酸エステルネオ
ペンチルグリコールジアクリレート24.5mm%、重
合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェ
ニル−プロパン−1−オン0.5優、液晶材料として大
日本インキ化学工業社製液晶mfR物DOX−4067
(Ts* : 60℃、しきい値Vth:1、11 V
r、、 、後屈折率:O,175,常屈折率no二1、
509 、誘電率異方性Δ砿:I9.7)75]!量囁
を混合し、実施例1と同様な方法で紫外線硬化させた。
溶液のネマチック相−等方液体相転移温度は27.5℃
である。紫外線硬化温度は31℃に設定して、35 m
W/crlの強度の紫外線k 120 mJ/iのエネ
ルギーで照射し九。紫外線照射によシブバイスは、 I
TOガラス板全面に均一に白濁した。
得られた液晶デバイスは、しきい値■th””3.5v
rrns 、飽和電圧”mat = 14−8 vrn
ll *無電圧印加時の透過率が32.01透過率の最
大値が83.0俤でおった。l/3バイアス法、 1/
2デー−ティで/4’ルス幅全10 ma@eで駆動し
たところ、コントラストがl:3であった。
〈発明の効果〉 本発明は以上の如きものであるから、大面機の薄膜の液
晶デバイスでおりて%10〜30Vという低電圧での駆
動が可能でこの程度の低電圧でも立ち上が夛応答速度が
1〜2m5ecと応答速度が高く、透明−白濁不透明の
コントラストが高く、しきい値を有するため1/3 F
、−ティの時分割駆動が可能である。従りて採光調節、
視界調節1文字図形の大型表示が極めて容易となp、し
かもその様な液晶デバイスの製造を極めて容易にするも
のでおる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる液晶デバイスの印加電圧−光透
過率のグラフを示し、第2図は本発明に係わる液晶デバ
イスの時間−印加電圧のグラフを示し、第3図は本発明
に係わる液晶デバイスの時間−光透過率のグラフ上水し
ている。 第1図 代理人 弁理士  高 橋 勝 利 印加電圧[Vrmsl

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2枚の基板の間に正の誘電率異方性を有する液晶材
    料が介在した液晶デバイスの製造方法に於いて、2枚の
    基板の間に正の誘電率異方性を有する液晶材料と重合性
    組成物との混合溶液を等方性液体状態で保持しながら重
    合性組成物を重合させることにより、液晶材料の連続相
    中に3次元ネットワーク状の透明性固体物質を形成させ
    ることを特徴とする液晶デバイスの製造方法。 2、混合溶液のネマチック相−等方性液体転移点と、液
    晶材料のネマチック相−等方性液体転移点との間の温度
    範囲で重合性組成物を重合させる特許請求の範囲第1項
    記載の液晶デバイスの製造方法。 3、重合性組成物がネマチック液晶状態で液晶材料から
    分離する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の液晶デ
    バイスの製造方法。 4、紫外線を照射することにより、重合性組成物を重合
    させる特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記載の
    液晶デバイスの製造方法。 5、10mJ/cm^2以上の紫外線照射エネルギーを
    照射して重合性組成物を重合させる特許請求の範囲第4
    項記載の液晶デバイスの製造方法。 6、3mW/cm^2以上の強度で紫外線を照射して重
    合性組成物を重合させる特許請求の範囲第4項記載の液
    晶デバイスの製造方法。 7、一定強度の紫外線を基板面に対して均一に照射して
    重合性組成物を重合させる特許請求の範囲第4項、第5
    項又は第6項記載の液晶デバイスの製造方法。 8、基板上にセグメント電極が形成された特許請求の範
    囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項又
    は第7項記載の液晶デバイスの製造方法。 9、基板上にドットマトリクス電極が形成された特許請
    求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第
    6項又は第7項記載の液晶デバイスの製造方法。 10、表示面に紫外線カットフィルターを取り付けてあ
    る特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第
    5項、第6項、第7項、第8項又は第9項記載の液晶デ
    バイスの製造方法。 11、表示面に光表面反射防止膜を取り付けてある特許
    請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、
    第6項、第7項、第8項又は第9項記載の液晶デバイス
    の製造方法。 12、画素部または表示部全体にカラーフィルターを取
    り付けてある特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、
    第4項、第5項、第6項、第7項、第8項、第9項、第
    10項又は第11項記載の液晶デバイスの製造方法。 13、重合性組成物が重合性化合物及び重合開始剤を含
    有している特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第
    4項、第5項、第6項、第7項、第8項、第9項、第1
    0項、第11項又は第12項記載の液晶デバイスの製造
    方法。 14、重合性組成物が重合性化合物及び重合開始剤を含
    有しているとともに連鎖移動剤、光増感剤を含有してい
    る特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項、第
    5項、第6項、第7項、第8項、第9項、第10項、第
    11項又は第12項記載の液晶デバイスの製造方法。 15、重合性化合物が、ポリプロピレングリコールジア
    クリレート、長鎖脂肪族ジアクリレート、ペンチルグリ
    コール・ポリプルピレングリコール変性ジアクリレート
    、ポリオレフィン変性ネオペンチルグリコールジアクリ
    レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ト
    リシクロデカンジメチロールジアクリレート、ポリエチ
    レングリコールジアクリレート、ヘキサンジオールジア
    クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
    トリス(アクリオキシエチル)イソシアムレート又はカ
    プロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペ
    ンチルグリコールジアクリレートである特許請求の範囲
    第13項又は第14項記載の液晶デバイスの製造方法。 16、連鎖移動剤がブタンジオールジチオプロピオネー
    ト、ペンタエリスリトールテトラキス(β−チオプロピ
    オネート)、またはトリエチレングリコールジメルカプ
    タンである特許請求の範囲第14項記載の液晶デバイス
    の製造方法。 17、3次元ネットワーク状の透明性固体物質の網目の
    大きさが0.5〜2μmの範囲にある特許請求の範囲第
    1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7
    項、第8項、第9項、第10項、第11項、第12項、
    第13項、第14項、第15項、又は第16項記載の液
    晶デバイスの製造方法。
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