JPH028363B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、電磁制御走査磁気変換器に関し更に
詳細には、該変換器内の録音（記録）／再生領域
の場所即ち位置が機械的手段ではなく、電磁的手
段によつて制御されるようになつた磁気変換器に
関する。 広帯域磁気的信号記録においては、高い相対変
換器／記録媒体速度を得ることが、非常に重要視
されている。固定の変換器を通過する記録媒体の
速度を増大することは、結果として起る該媒体の
大幅な消耗ならびに高速度の送りに関連する、機
械的限界によつて制限される。 磁気テープレコーダーに利用される、回転ヘツ
ド変換器は、相対ヘツド／テープ速度の増大の著
しい発展を示している。この場合、前記変換器は
比較的ゆつくり進む磁気テープと接触して高速度
で回転する、回転走査レコーダには変換器がテー
プを掃引する角度により、一般に横走査レコーダ
およびらせん走査レコーダと称する二つの基本型
式のものがある。回転ヘツドレコーダによつて記
録される信号の所望の精度ならびに再現性を得る
ことに関しては多くの問題がある。例えば、回転
ドラム、変換器構造体およびドラム内の変換器の
場所に関しては、非常に僅かな機械的公差を保持
する必要がある。同時に、縦方向のテープ速度に
対してはドラムの回転速度を正確に維持しなけれ
ばならない。 電磁的に制御される走査形の変換器を利用する
磁気レコーダでは、変換器の機械的回転に関する
欠点が除去される。この場合、変換器は固定さ
れ、変換器の幅に渡り、よつて記録媒体を横切つ
て変換しようとする信号を電磁走査することによ
つて高い走査速度が得られる。 ある種の既知の走査磁気変換器は、非磁性スペ
ーサにより互いに隔絶された磁気的積層体（板）
を有している。各積層板は、変換ギヤツプ（間
隔）によつて構成された閉磁気回路を構成する。
前記積層板は、変換器の対向する側で反対方向に
漸増する制御された幅を有する脚部を備えてお
り、該脚部は制御巻線と連結している。走査動作
は、変換器の対向する側にある脚部を除々に飽和
させることによつて行なわれ、一度に一つの積層
板のみが変換モードのままとなる。作動している
積層板の場所は制御巻線に与えられる制御電流に
よつて制御される。 このような型式を用いる従来技術による変換器
では、逐次各積層板の磁気回路を遮断することに
より、即ち変換磁束経路を遮断することにより、
走査が行なわれる。可変幅の脚部を使用しなけれ
ばならないため、制御される幅の部分、およびそ
の結果としての遮断領域は、変換間隔および変換
器面から離れた場所になければならない。その結
果、記録媒体に面する不飽和部分は、隣接する活
性的積層板からの干渉、または媒体上の隣接する
記録信号トラツクからの漂遊磁束をピツクアツプ
やすくなる。次いで、これらのピツクアツプされ
た信号が媒体上に再記録されたり、再生中隣接す
る能動素子の磁気回路に漏れ出したりして、再生
信号の劣化を行なわせることもある。上記欠点
は、記録周波数および記録密度の増大と共に一層
著しくなつてしまう。 このような先行技術による変換器の更に顕著な
欠点としては、積層板間の干渉を抵減するためス
タツク（積み重ね）の各磁気的積層板を物理的か
つ磁気的に隣接する積層板から隔絶しなければな
らないことである。従つて媒体を横切る増分的即
ち走進的走査運動のみが可能となり、このこと
は、隣接する積層板の磁気回路を逐次オン／オフ
に切り換えることによつて、すなわち連続的にで
はなく、離散的段階的態様で、行なわれる。ま
た、トラツク幅は、少なくとも一つの積層体の幅
となつていなければならず、この幅の整数倍に対
してのみ調節することができる。上記のことは、
狭いトラツク上を連続的に走査し、かつその狭い
トラツク上に変換素子を正確に位置決めすること
が高品質性能の必要条件となつている狭いトラツ
ク上での高周波広帯域記録／再生に特に不都合で
ある。 上記した欠点は、本発明による走査変換器によ
つて変換間隔に隣接すると共に記録媒体に面する
コア部分を選択的に飽和させる電磁制御手段によ
り克服される。各飽和したコア部分は隣接する不
飽和部分を定め、かつ制御手段が各コア部分内に
配置されており、所望の急勾配の透磁率対磁束密
度の勾配が変換器幅に渡つて得られるようになつ
ている。変換器の対向する側の不飽和コア部分は
重なり合つており、変換間隔を横切つて延びる所
望の幅の変換領域を定める。 本発明に従つた変換器においては、変換器コア
の非動作部分による干渉、または漂遊磁束のピツ
クアツプがほぼ除去される。 また、本発明の好適な実施例では、離散的に作
動する別個の磁性積層板を使用する必要がない。
よつて、高透磁変換領域の場所を前記電磁制御手
段により変換器の幅に沿つて連続的に制御するこ
とができる。対応する制御電流の大きさを選択す
ることによつていかなる所望の変換領域幅も得る
ことができる。よつて、変換領域幅は、先行技術
による変換器のように、一つ以上の変換積層板の
幅に制限されることがない。その結果、本発明に
よる非積層の実施例では、前記変換領域を本発明
による電磁手段により連続的態様で狭めたり広げ
たりすることができるし、またその反対に変化さ
せることもできる。 本発明の一つの好適な実施例によれば、変換器
幅に渡る上記所望の急勾配の磁束密度対透磁率の
勾配は、変換器面および変換間隔面それぞれに対
して角度をもつて置換される制御巻線を各対向す
るコアに与えることによつて得られる。それによ
つて、くさび形の可飽和コア部分が、変換器面お
よび変換間隔面間の範囲を含んで形成される。対
向するコアのくさび形部分は逆に向けられてお
り、それらの断面積が変換間隔の片側で反対方向
に増大するようになつている。各コア面を含む前
記断面積は、制御巻線にそれぞれの制御電流を与
えることによつて、選択的に飽和される。飽和し
た各コアの断面積は、変換間隔に渡つて変換器面
に広がる不飽和高透磁変換領域を規定する。 本発明の他の好適な実施例では、ほぼ一定の断
面積と各コアの幅に渡つて反対方向に漸増する長
さとを有する制御磁束経路を設けることによつて
前記変換器面に所望の急勾配を与える。 本発明の更に他の実施例では、導電積層板によ
つて互いに隔絶された複数の磁気的積層板から成
る積層コア構造体が備え付けられている。導電駆
動線が、変換器面および変換間隔面から選択され
た距離に各コアを介して延びており、該駆動線の
各部分は導電積層板と接続している。制御電流が
差動的に切換えられ、駆動線のこれらの部分に流
れて、変換間隔に接する変換器面の選択された磁
気的積層板部分を飽和させる。これらの実施例で
は、積層コア構造体が備え付けられていると共に
変換器面における干渉（クロストーク）ピツクア
ツプを除去する。 本発明による電磁制御走査変換器の動作原理に
ついての説明を判り易くするために、最初電磁制
御走査の動作は考慮せず、既知の磁気変換器の基
本的な変換動作について、第１Ａ図および第１Ｂ
図を参照しながら説明するその後で、前記の走査
動作について第１Ｃ図および第１Ｄ図を参照しな
がら説明する。 第１Ａ図には、従来の構成による磁気変換器２
０が図示してあるが、該変換器２０は、変換間隔
２６を定める磁気２７，２８を有する対向する磁
気コア部分（以下コア２１，２２と称す）から成
つている。変換巻線窓２４が設けられており、変
換巻線２５を収容する。変換間隔２６は先行技術
で周知の如く非磁性体、例えば二酸化ケイ素すな
わちガラスによつて形成されている。記録信号電
流が例えば信号源７から変換巻線２５に与えら
れ、テープ４２のような磁気媒体上に記録される
と、磁束線１６によつて表わされるように、磁界
が変換器内に形成される。前記磁界は、周縁磁束
形式で変換間隔２６から発せられ、テープ４２と
係合する。該テープは、透明なものとして第１Ａ
図に図示されており、前記テープ面する変換器２
０の一部分４１（以下面４１と称す）が見えるよ
うになつている。前記周縁磁束は、巻線２５の信
号に対応する磁気パターンをテープ４２上に与え
る。変換間隔２６を通つて、例えば矢印４３方向
に磁気テープを進めることによつて、変化する磁
気信号パターンが第１Ｂ図の矢印で図示の如く前
記磁気テープに沿つて記録される。 テープ４２の５に図示されたように、変換器２
０が先に記録された信号を再生する再生ヘツドと
して利用される場合は、縦方向に移動するテープ
４２から発する磁束が間隔２６を係合し、それに
よつてピツクアツプされる変換巻線２５を横切る
磁束１６は変換器２０によつて記録磁束に比例す
る電気信号へと変換される。 第１Ｃ図および第１Ｄ図に図示されるように、
本発明によれば変換器面４１は、ハツチングした
飽和領域５７，５８が示すように、変換間隔２６
の対向する側に選択的に飽和することができる。
前記領域５７，５８の飽和は、変換器の各コア２
１，２２とそれぞれ関連する制御手段８，９（点
線で図示）によつて行なわれる。前記制御手段
８，９は、以下更に詳しく説明するような態様
で、コア２１，２２の一方とそれぞれ連結する各
制御巻線（図示せず）によつて構成されている。
前記制御手段８，９は、制御電流I1，I2を供給し
て、各コア２１，２２に制御磁束４７，４８を誘
起する制御電流I1，I2の大きさは、それによつて
誘起された磁束が既述の如く、かつ第１Ｃ図およ
び第１Ｄ図のハツチング部分に図示の如く前記の
各コア半体において選択された幅W1，W2を有す
る領域５７，５８を飽和させるように選択されて
いる。前記飽和領域５７，５８は変換間隔２６に
渡つて重なり合う各隣接高透磁不飽和部分、すな
わち領域４０，４６を規定する。前記重なり合う
部分４０，４６は空間２６に渡つて広がる幅W2
の高透磁変換領域５６を規定する。第１Ｃ図から
全変換間隔幅Ｗ＝W1＋W2＋W3＝一定となるこ
とが明らかとなろう。 一方の制御電流、例えばI1の大きさを増大する
と共に、もう一方の制御電流I2の大きさを比例し
て低減することにより、それぞれの幅W1，W2は
比例して変化し、変換領域５６を変換空間２６の
幅Ｗに沿つて選択的に移動することができる。例
えば、変換器幅Ｗに沿い高速度で変換領域５６を
周期的に走査したい場合、電流I1，I2双方の大き
さを反対にかつ線形に変化させ、それによつて飽
和部分５７，５８の幅W1，W2を比例して変化さ
せる制御回路が利用される。走査中変換領域５６
の一定の幅W3を保持するためには変化する制御
電流の和を一定に保持すること、すなわちI1＋I2
＝一定とすることが必要である本発明の好適な実
施例では、所望により飽和部分５７，５８の合成
幅W1＋W2を変化させることによつて、変換領域
５６の幅W3を連続的に変更することができる。
その結果、変換領域幅W3を連続して狭めたり広
げたりすることもできるし、またその反対に変化
させることもできる。 第１Ｃ図から明らかなように、変換磁束経路１
６が巻線窓２４の周囲に広がり、変換巻線２５と
交差している。制御磁束線４７，４８が変換磁束
１６に対して平行に広がると共に各制御電流の大
きさは、制御磁束４７，４８が変換巻線２５と連
結しないよう選択されており、信号磁束１６への
いかなる干渉も阻止するようになつている。第１
Ｅ図は、第１Ｃ図の電磁制御走査磁束変換器２０
を記録および／あるいは再生に利用する動作モー
ドの一実施例を示したものだが、該変換器２０内
の変換磁束１６に対応する磁化パターンを示すた
め、変換間隔部分２６を十分拡大して図示してあ
る。第１Ｅ図において、磁気媒体、例えばテープ
２４は縦方向、すなわち矢印４３方向に、変換間
隔２６に密着して、かつ変換器幅Ｗに対してほぼ
垂直に送り出される。この動作モードでは、電磁
制御手段８，９は、領域５７，５８を周期的に、
かつ差動的に飽和しそれによつて変換器の幅Ｗに
沿つて変換領域５６の位置を周期的に変更するの
に利用される。前記領域５７，５８を差動的に飽
和することによつて、各制御手段８，９は変換間
隔の対向する側にある各磁心２１，２２の選択さ
れた幅W1，W2をそれぞれ飽和することが判る。
合成幅W1＋W2とコア幅Ｗ間の差によつて、変換
領域５６の結果の幅W3（W3＝Ｗ−（W1＋W2））
が決定される。既述の如く、上記合成幅W1＋W2
を変化させることによつて、変換領域幅W3を変
化させることができる。 ３５（第１Ｅ図）に図示された記録トラツに沿
つた走査は、変換領域５６の位置が幅Ｗに沿つ
て、すなわち矢印１０の示す方向に移動すると共
に幅W1，W2が互いに対して反対に、かつ線形に
変化し、変換領域５６の一定した幅W3を保持す
ると行なわれる。一般に横方向記録／再生と称す
る上記走査動作において、幅Ｗは磁気テープ４２
上の走査長に対応する。この型式の記録は、矢印
１０が示す走査方向にほぼ直交して広がる磁化パ
ターンによつて特徴づけられるが、該磁化パター
ンは、次いでテープ４２の幅に渡つてほぼ直交し
て広がる平行なトラツク３５に沿つて記録され
る。変換間隔２６の長さＬは、記録されるトラツ
ク幅TWに対応する。記録モードにおいて、テー
プの磁気状態は走査動作によりトラツク３５に沿
つて進められる走査トラツク領域５６のほぼ「後
縁」における記録磁束方向によつて決定される。
前記のことからトラツク領域５６の幅W3は横方
向の記録に利用される通常の回転磁気変換器の間
隔長さに匹敵することが判る。よつて、必要な高
解像を得るには、トラツク領域幅W3が記録しよ
うとする最も短かい波長よりも狭くなければなら
ない。第１Ｆ図には、第１Ｃ図の走査磁気変換器
２０の別の動作モードの一例が図示されている
が、該変換器２０は、第１Ｅ図と同じ態様で、該
変換器２０に対して移動される磁気テープ４２の
縦方向トラツク１３に沿つて記録／再生するのに
利用されているしかしながら、第１Ｅ図とは異な
り、変換器２０が記録に利用される場合、飽和領
域５７，５８の幅W1，W2は制御手段８，９によ
つて一定に保たれ、それによつて変換領域５６の
定位置および一定幅W3が維持される。前記のこ
とは、手段８，９によつて与えられる制御電流
I1，I2を選択された一定の大きさに維持すること
によつて行なわれる。記録されたトラツク１３上
に得られる結果の磁化パターンは、一般に縦方向
記録と称している。 第１Ｆ図の変換器２０をトラツク１３上に記録
されたような信号を再生するために利用すると、
幅W1，W2のそれぞれを制御手段によつて差動的
に変更し、矢印１０，１１の示すいずれの方向に
も、すなわちトラツク１３の幅W3に渡つて変換
領域５６を再位置決めすることができる。前記動
作モードは、記録されたトラツク上に変換領域５
６の最適位置を維持し、記録／再生性能を最適化
するのに特に有用となりうる。後者の動作モード
は、磁気媒体の例えば横方向、ヘリカル、または
縦方向のトラツク上に記録された信号を再生する
場合に利用することができる。 先に述べたように、各コアの飽和領域幅W1，
W2を変更するだけで、所望の記録用トラツク幅
W3と、別の例えば更に幅の狭い再生用トラツク
幅W3′とを選択することもできる。 別の動作モードでは、特定の記録方法に関して
必要とされうる磁気媒体上の所定の離散位置に対
して所望の高精度で前記変換領域５６の位置を再
位置決めすることができる。 上記の説明から、上記動作モードの全てにおい
て、本発明の変換器はその面で、かつ変換間隔に
近接して飽和されることが判る。その結果、非動
作の電磁的に阻止されたコア部分によつて、いず
れの干渉、または漂遊磁束のピツクアツプも受け
やすいという点が取り除かれる。 本発明に従つた走査変換器によつて高品質の性
能を得るためには、コア２１，２２の隣接する飽
和、不飽和部分間の境界が良好に定められている
ことが望ましい。前記のことは、各変換器コアの
隣接する断面積間の透磁率の最大変化率が変換器
幅Ｗに渡つて得られるような態様で対向する磁気
コアおよび制御巻線を各コア内に配置することに
よつて行なわれる。前記のことは、各コア面の選
択された部分が制御電流によつて飽和され、その
結果何らの顕著な磁束もそこを通過しないと共
に、すぐ隣接する近接領域は、情報信号の変換に
必要なため十分透磁可能なままとなることを保証
する。その結果、変換器２０の性能は、各コア内
の各隣接する飽和・不飽和領域間の透磁率対磁束
密度勾配の峻度によつて決まる。 第６図には一例として適当なコア材（例えばア
ンペツクス社製フエライトPS52B）の周知の透
磁率ｍ対磁束密度Ｂの特性が示してある。その特
性から判るように、400以上の比較的高い透磁率
ｍが、B1＝4000ガウス以下の磁束密度Ｂで得ら
れるが、前記の高透磁率は所望の変換動作を行な
うのに十分である。その材料の飽和磁束密度は、
第６図に図示の如く、100以下の透磁率に対応し
て約B2＝6000ガウスとなつている。その結果変
換器コア内の高透磁領域および隣接飽和領域間の
所望の高速遷移を得るためには、第６図から判る
ように、透磁率がいずれの方向にも100以下から
400以上に急速に変化しなければならない。 次に、本発明による電磁制御走査磁気変換器の
好適な実施例に関し、第２Ａ図を参照しながら詳
細に説明する。磁気変換器２０は、平滑に重ねら
れ、かつ研磨された変換間隔面２３に接する対向
磁極２７，２８を備えた二つの対応するコア２
１，２２を有している。巻線窓２４が一方の、ま
たはそれぞれのコア２１，２２に設けられてお
り、変換巻線２５を収容している。適当な非磁性
体が磁極面２７，２８間に設けられており、従来
の変換間隔形成技術を利用して変換間隔２６が得
られる。 第２Ｂ図から第２Ｄ図に図示の、例えばテープ
４２のような磁気媒体に面する変換器面４１が、
間隔面２３にほぼ垂直な面に広がつている。変換
器は所望により、点線１８で図示の如く面取りし
て周知の面取り技術により所望の形状および変換
間隔の奥行きをそれぞれ得ることができる。第２
Ａ図の実施例の重要な特徴としては、開口３１，
３２が各対応するコア２１，２２にそれぞれ設け
られていることである。これらの開口は、変換間
隔面２３および変換器面４１双方に対してそれぞ
れ選択された角度で変換器２０の全幅Ｗに渡つて
延びている。制御巻線３８，３９は、その部分５
１，５２が開口３１，３２それぞれを通つて延び
るような態様で各コア２１，２２の回りに巻かれ
ている。第２Ａ図の好適な実施例では、コア２
１，２２が二つの同一のコア半体として例えばフ
エライトPS52B、または単一クリスタルフエラ
イトのような強磁性体ブロツクからつくられてい
る。開口３１，３２は各コア半体の幅を通つて、
すなわち上部側面３３，３４から反対側下方面３
６，３７へそれぞれダイアモンドきりもみするこ
とによつて得ることができる。各コア半体２１，
２２は間隔面２３で平滑に重ね合わされ、研磨さ
れる。ガラスのような物質を形成する適当な非磁
性変換間隔が真空スパツタによつて一つの、また
は双方のコア面２３上に設けられる。このように
設けられたコア半体２１，２２は一方のコア半体
を、もう一方のコア半体に対して180度だけ回転
させることによつて組立てられ、その結果その上
方面と下方面とは反転され、面２３ならびに４１
に対して開口３１，３２をそれぞれ逆対称に配置
させた対向するコアが得られる。従つて、組立て
られた対向する変換器のコア２１，２２におい
て、制御巻線開口３１，３３は変換間隔面２３お
よび変換器面４１双方に対して反対に向けられた
角度で延びる。二分されたコアは、周知の接着技
術を利用して変換間隔面２３で互いにガラス接着
され、変換間隔２６が得られる。また、対向する
コア２１，２２は所望により、磁性体から成る共
通の固体ブロツクでできていてもよい。その場
合、変換間隔の長さに対応する所望の幅を有する
溝が、例えば研削によつて面４１の内部に設けら
れている。続いて前記溝には適当な非磁性体が充
填され、変換間隔２６が得られる。次いで、巻線
窓２４が周知のきりもみ技術を利用して変換器幅
に渡りきりもみすることによつて得られる。 制御巻線３８，３９は選択された部分を差動的
に飽和し、第１Ｃ図および第１Ｄ図のところで既
に述べたように、変換間隔２６に渡つて広がる不
飽和高透磁変換領域５６を得る。前記の如く、選
択された飽和領域を各コア２１，２２の面４１に
得るため、例えば第３Ａ図に図示の制御回路を利
用して各制御電流I1，I2が以下述べるように制御
巻線３８，３９に供給される。 好適実施例に於て、制御電流I1，I2が差動的に
変化し、変換器の幅Ｗに渡つて一定の幅を有する
変換領域を周期的に走査する。それによつて情報
信号が、第２Ｂ図に図示の如く、縦方向に移動す
る磁気テープ４２の横方向トラツク３５に沿つて
記録、または再生される。例えば、電流値I1，I2
が一定に保持されている場合、変換領域は一定の
位置を占める。前記の適用例は第２Ｄ図の１３に
示すような縦方向トラツクに沿つて記録するのに
有用となりうる。縦方向の、またはらせん形のト
ラツク上で記録／再生中、変換領域の位置はトラ
ツクからトラツクへ歩進することができる。他の
適用例では、第２Ｃ図に図示の記録された、らせ
んトラツクを回転ドラムに固定して取り付けられ
た本発明による変換器によつて再生することがで
きると共に、変換領域の位置を記録トラツク幅に
渡り、移動して最適再生性能を得ることができ
る。第３Ａ図は、制御回路５４の一例を図示した
ものであるが、該制御回路５４は、第２Ａ図の変
換器２０の制御巻線３８，３９を駆動し、変換器
２０の幅Ｗに沿つて面４１における変換トラツク
領域の位置を制御するのに利用されている。本実
施例において、変換領域５６は第１Ｅ図および第
２Ｂ図に図示の如く、磁気テープ４２の横方向ト
ラツク３５に沿つて周期的に走査される。しかし
ながら、制御回路５４は、先述のような他の記
録／再生の適用例に利用された場合も変換器２０
の種々の動作モードを得るのに適合しうることが
半る第３Ａ図の回路５４は、周期的に変化する制
御電圧Vcを発生する制御電圧源６１を利用して
いる。該電圧Vcは、同回路により差動的に変化
する制御電流I1，I2へと下記の如く変更される。
電圧Vcは抵抗６２を介して帰還抵抗６４を有す
ると共に、ボルテツヂフオロアーを構成する第１
の演算増幅器６３の反転入力に与えられる。増幅
器６３の出力は帰還抵抗６７を有する第２の演算
増幅器６６の反転入力に別の抵抗６５を介して接
続される。該演算増幅器６６は前記演算増幅器６
３の出力信号を反転する。第１の増幅器６３の出
力は、また帰還抵抗７０を有する第３の演算増幅
器６９の反転入力にも抵抗６８を介して接続され
る。第２の演算増幅器６６の出力は、抵抗７１を
介し、帰還抵抗７３を有する第４の演算増幅器７
２の反転入力に接続される。調整可能な電位差計
７４が負のD.C電圧源およびアース間に接続され
ており、制御電流のオフセツトI0が得られる。電
位差計７４の出力は、抵抗７５を介して第３の演
算増幅器６９の反転入力に、また抵抗７６を介し
ては第４の演算増幅器７２の反転入力へとそれぞ
れ接続される。第３の演算増幅器６９の出力は、
変換器２０の前記第１の制御巻線３８に接続さ
れ、次いで該第１の制御巻線３８は、増幅器６９
の反転入力に帰還抵抗７０を介して接続される。
同様に、第４の増幅器７２の出力は、前記第２の
制御巻線３９に接続され、談制御巻線３９のもう
一方の端子は、帰還抵抗７３を介し、演算増幅器
７２の反転入力に接続される。コイル３８および
抵抗７０間の接続は、抵抗７８を介してアースさ
れる同様に、コイル３９および抵抗７３間の接続
は、抵抗７８を介してアースされる。前記４つの
演算増幅器６３，６６，６９および７２全ての各
非反転入力は、アースされる。増幅器６９，７２
および抵抗７０，７７ならびに７３，７８のそれ
ぞれは、第１および第２の電流源にそれぞれ相当
する。 電圧源６１からの電圧Vcがボルテツヂフオロ
アー６３，６４を介し第１の電流源６９，７０，
７７に与えられ、前記第１の電流源６９，７０，
７７は、入力電圧Vcに直接比例する制御電流I1を
第１の制御巻線３８に与える。更に、演算増幅器
６３の出力で得られた後、演算増幅器６６、抵抗
６７によつて反転された電圧が第２の電流源７
２，７３，７８に与えられ前記第２の電流源７
２，７３，７８は入力電圧Vcに逆比例する制御
電流I2を第２の制御巻線３９に与える。DC電圧
に接続された電位差計７４によつて所望の制御電
流のオフセツトI0が設定されるが、本実施例にお
ける該制御電流のオフセツトI0は、第３Ｂ図に関
して以下詳細に述べるように、最小および最大制
御電流値間の中間、すなわち I0＝（Imax−Imin）／２となる。上記説明か
ら、電圧Vcが第３Ｂ図に図示の如くVcminおよ
びVcmax間に周期的に変化する大きさを有する
場合には、回路５４によつてこのように変化する
制御電圧が第１および第２の電流源の各出力でそ
れぞれ得られるほぼ線形に変化する制御電流I1，
I2に変換されることになる。よつて制御電流I1，
I2は差動的に、すなわち互いに対して反対の向き
に変化すると共に、第３Ｂ図に図示の如く入力電
圧Vcに比例してほぼ線形に変化するが、該変化
は以下の式によつて定められる。すなわち I1＝KVc＋I0 I2＝−KVc＋I0(1) 但し、ＫおよびI0は、第３Ａ図の回路のパラメ
ータに基づく定数であり、該回路から導くことが
できる。前期第２Ａ図の好適な実施例を更に参照
するに、電流I1，I2は、磁気コアを通つて延びる
制御巻線部分５１，５２を取り囲む該磁気コアに
磁束を誘起する前記制御電流I1，I2は、面４１に
おける磁気コア２１，２２の選択された領域を飽
和させ、以下説明するように、本発明に従い前記
飽和領域内に不飽和高透磁トラツク領域を得るの
に利用される。 第４図では、本発明による変換器２０が更に詳
細に示されている。二対の想像面４４，４５およ
び５９，６０のそれぞれが開口３１，３２それぞ
れの縦軸と各々重畳されて示してある。前記４
４，４５は平行であり、変換間隔面２３と平行な
線で上方ならびに下方側面３３，３４および３
６，３７とそれぞれ接している。面５９，６０は
変換間隔面２３に垂直な線でこれらの側面と接し
ている。第４図から、想像面４４，４５，５９，
６０側面３３，３４，３６，３７間隔面２３およ
び面４１は、変換間隔面２３の反対側にそれぞれ
広がる二つの反対に向けられたくさび形部分４
９，５０を形成していることが半る。これらのく
さび形部分は、制御電流I1，I2によつて選択的か
つ差動的に飽和させようとする磁気コア２１，２
２の各部分を示しており、それよつて所望の変換
領域５６が規定される。 くさび形部分５０を拡大して第５図の斜視図に
示される。反対に向けられた双方のくさび形部分
は、大体同じなので、くさび形部分５０に関する
以下の説明は、くさび形部分４９にもほぼ適用さ
れる。第４図から判るように第５図におけるくさ
び形部分５０の縁３０は想像面４５，６０の接点
として規定されている変換間隔２６の所与の幅Ｗ
に対して、くさび形部分５０は、面２３および４
１双方に対してそれぞれ垂直に広がると共に、間
隔幅に沿つて漸増表面積を有する互いに平行な断
面積Ｌ１からLnに分割されるものとして想像す
ることができる。変換器２０の反対に向けられた
くさび形部分４９は、反対方向に漸増して対応す
る断面積（図示せず）を有することが判る。第４
図および第５図を更に参照するに、電流I2が制御
巻線３９に与えられるとそれによつて巻線部分５
２の回りに広がる磁束線４８によつて示された対
応する磁束がコア２２に誘起される。磁束線４８
が変換間隔２６に渡つて広がることも、また変換
巻線２５と交差することもないので、変換器内に
おける制御磁束および変換信号磁束間の干渉はい
ずれも最小化される。変換器幅に沿つた適当な走
査動作を保証して横方向の記録または再生を行な
うため、反対に変化する電流I1，I2の値は、それ
によつて誘起された制御磁束４７，４８が各磁気
コア半体２１，２２内でそれぞれ反対に向けられ
たくさび部分４９，５０の連続的に増大する断面
積Ｉ１からLnを連続して飽和するように選択さ
れている。例えば、第３Ｂ図に示したような漸増
電流I2を制御巻線３９に与えると、第５図の断面
積Ｌ１からLnは、制御電流I2の増分する大きさに
直接比例して最小部分から最大部分へと除々に飽
和される。一方の制御巻線の制御電流を周期的に
増分すると共に、もう一方の制御巻線の制御電流
を周期的に比例して低減することによつて、反対
に向けられたくさび形部分４９，５０の各部分Ｌ
１からLnは周期的に、かつ差動的に飽和される。
第４図の好適な実施例では、差動的に変化する電
流の和I1＋I2の和が一定に保たれて、上記の如く
変換器面４１に変換領域５６の一定の幅W3を得
る。前記の説明から、飽和領域の透磁率は空気の
それとほぼ等しいが、重なり合う不飽和部分は、
信号の記録／再生に必要なので、比較的高い透磁
率を有することが判る。第３Ｂ図の特性から、制
御電圧を−Vcminから＋Vcmaxに変更すること
によつて、制御電流値I1がImaxに変化すること
が判る。但し、Imaxは飽和電流レベルIsat以下
に選択されている。Isatは全断面積Ｌ１からLn、
すなわち全てのくさび形部分を不飽和領域を残さ
ずに飽和するのに十分な電流値に相当する。重な
り合う変換領域を得るため各くさび形部分４９，
５０には不飽和領域を必ず残しておく必要がある
ので、最大制御電流Imaxは、飽和電流レベル
Isat以下に選択されていなければならない。既に
注記したように、くさび形部分４９，５０は想像
上のものであり、単に本発明による変換器の好適
な実施例の動作説明を判り易くするため図示した
ものである。好ましくは、コア半体２１，２２内
の開口３１，３２は、ほぼ正方形の断面Ｌ１から
Lnが得られるように配置されている。このこと
によつて、面４１を含むくさび形部分４９，５０
が前記面部分から更に離れた別のコア部分を飽和
するのに先立つて飽和されることが保証される。
同時に、飽和するのに必要な制御電流を最小にす
る。 第７Ｂ図には、それぞれが第６図の特性に対応
すると共に、反対に向けられたくさび形部分４
９，５０の一方とそれぞれ関連する二つの重畳さ
れた磁束密度対透磁率特性５３，５３ａの一例が
示してある。第７Ａ図は90度だけ回転された第４
図のくさび形部分４９，５０の正面図である。ハ
ツチングした部分５７，５８は、飽和領域、すな
わち100以下の透磁率を有するコア部分を示して
いる。第７Ａ図の他のコア部分は400以上の透磁
率を有する不飽和高透磁領域４０，４６を示して
いる。変換間隔２６に渡つて広がると共に、重な
り合う不飽和高透磁領域４０，４６により形成さ
れる変換領域５６は100〜400の透磁率を示す重畳
特性５３，５３ａの重なり合つた部分に対応する
第７ａ図および第７Ｂ図から、良好に規定された
変換領域５６は出来るだけ急激な透磁率対磁束密
度勾配を有する特性を必要とすることが判る。前
記の要件は、急勾配の特性曲線を有する変換器コ
ア材を選択することによつて、かつ全走査長に渡
つて隣接する断面積間で大幅な磁束密度の変化が
行なわれるよう前記くさび形部分を設計すること
によつて得られる。透磁率勾配を更に増大させる
ためには磁気異方性を有すると共に、磁化容易軸
が変換間隔面に対して垂直に向けられたヘツドコ
ア材を用いることが望ましい。二つの隣接する断
面積間の磁束密度勾配を更に最大化し、所望の最
大透磁率対磁束密度勾配を得るため前記くさび形
部分の形状を第６図の特性曲線のそれに近似させ
る。すなわちくさび形部分４９，５０の指数的に
増大する断面積Ｌ１からLnを得ることが望まし
い。このことは、コア２１，２２を通つて延びる
指数的形状の開口３１，３２を設けることによつ
て得られる。しかしながら、磁性体から成る固体
コアにそのような開口を形成することは設計上難
かしい場合もある。 第２Ａ図および第４図の変換器の製造は、以下
説明する第８図から第１１図の実施例によつて、
特に指数的にくさび形を得る点に関して、簡素化
される。 第８図は、例えば厚さ0.001インチ但し、１イ
ンチは約2.54cmの複数の薄い磁気的積層板７２に
よつて構成された積層磁気コア体８１の好適な実
施例を示す分解斜視図であるが、判り易くするた
め、４つの積層板のみが図示されている。前記積
層板７２は、例えばパーマロイまたはミユーメタ
ルHiMu80のような適当な磁体性から成る薄板に
よつてエツチングされてもよい。同図における全
積層板の全形状および大きさは開口３２を除き一
致しているが、該開口３２は、各積層板の全てが
第９図に図示の如く積み重ねられている場合、結
果の開口が前記開口３２に対応して第４図に図示
の如く制御巻線３９を収容するような態様で積層
板へ漸次変位されるようになつている。 第９図の前記積層は、例えばエポキシによつて
周知の接着技術を利用して接着され、二分された
積層ヘツドコアの一方８１を形成するが、該コア
半体８１は第４図の前記半コアに対応するもので
ある。二つの相対する積層半コア８０，８１は、
各間隔面２３で重ね合わされ、例えば二酸化ケイ
素のような非磁性的変換間隔形成物質が既知スパ
ツタ技術を用いて、その上に真空スパツタされ
る。相対するコア半体８０，８１は、一方のコア
半体が第１０図の矢印１５が示すように、もう一
方のコア半体に対して180度回転され、第４図で
既に説明したように各制御巻線開口３１，３２が
間隔面２３および面４１それぞれに対して逆対称
的に広がるような態様で組立てられる。組立てら
れたコア半体８０，８１は既知接着技術によりエ
ポキシ接着されたものである。結果の積層コア構
造体８０，８１は、変換器面４１において面取り
が成され、第１１図の４１Ａに図示したような所
望の形状を得ると共に、変換間隔の所望の奥行き
を得ることが望ましい。その後、前記制御巻線３
８，３９が、第２Ａ図および第４図で説明したよ
うに開口３１，３２を通つて延びるそれらの各部
分５１，５２によつて各コア半体８０，８１の周
囲に構成される。変換巻線２５が、巻線窓を通り
コア８０，８１の背面部の回りにそれとほぼ対称
的に巻かれている。制御巻線３８，３９に対する
変換巻線２５の相対的配置は、変換巻線が制御磁
束経路と交差しない限り、第４図または第１１図
それぞれの実施例ではあまり重要でないことに注
意されたい。 第８図から第１１図の実施例は、第４図のそれ
と基本的に類似したコア構造体を結果的に構成す
るが、制御巻線窓を設けるために前記コアをきり
もみする必要がないという利点を有している。各
積層７２内に制御巻線窓を適切に位置決めするこ
とによつて、いかなる所望の形状の窓、例えば指
数的形状の窓も比較的容易に得られることが判
る。 第１２図から第１６図には、本発明による電磁
制御走査変換器の別の好適な実施例が示してあ
る。以下の説明から判るように、この実施例は、
変換間隔面に垂直な方向に断面積の更に均一な飽
和を得るという点で先に述べた実施例よりも利点
を有している。更に、指数的に増大する断面積を
有するような所望の磁気コアの形状を、簡素化さ
れた態様で得ることができる。同時に、変換器面
の飽和および不飽和領域間に所望の形状の透磁
率／磁束密度勾配が得られると共に、それによつ
て、変換領域の規定が強められる。 第１２図では、複数の磁気的積層板３０１が積
み重ねられて、積層コアスタツク（積み重ね）３
０５を形成している。各積層板は、制御巻線窓と
して働く中央開口３１４を有している密閉制御磁
束経路３０４が、制御巻線窓３１４の周囲の各積
層板面３０３に形成されている。スタツク３０５
内の隣接する積層板は、制御磁束経路３０４の漸
増する長さを有する。このことは、第１２図に図
示の如く、矢印３１２の方向に隣接する積層の奥
行きを徐々に増大し、それによつて磁束経路の磁
気抵抗を増分することによつて得られる。各積層
板は同じ厚さを有すると共に、制御磁束経路３０
４に垂直な方向にほぼ一定の幅３０２を有してい
ることが望ましい。一例として、積層板３０１
は、0.0001から0.001インチの厚さを有するミユ
ーメタルHiMu80パーマロイ、または無定形金属
からできていてもよい。変換巻線を収容する溝３
１５は、変換間隔面３０８の内部に設けられる。
積層板３０１の奥行きは、磁束経路長の上記所望
の増分を得るため、線形、指数関数的または、い
ずれの他の所望の関係で増分されてもよい。本実
施例では、前出の本発明による変換器の実施例に
おいて既に説明したような理由により、変換器幅
Ｗに渡る隣接する断面積３０３間に所望の急勾配
の透磁率対磁束密度勾配を得るよう指数関数的増
分が与えられている。積層板３０１は、第８図か
ら第１１図の上記実施例と同じ態様で互いに接着
されている。結果の半コアスタツク３０５が第１
３図に図示してある。二つの対応するスタツク３
０５，３０５ａは、第８図から第１１図の上記実
施例で既に説明したのと同じ技術を利用して、そ
れらの各変換間隔面３０８を接すると共に、非磁
気的変換間隔形成物質をその間に配置させて組立
てられ、第１４図に図示の如く互いに接合されて
いる。第１４図から変換間隔のそれぞれの側の相
対するコア積層は、下記の如く反対に向けられて
いることが判る。これらのコアスタツクは、各コ
ア３０５，３０５ａの制御磁束経路長３０４が変
換器幅Ｗに渡つて反対方向に増分するように組立
てられている。これらの漸増する磁束経路長は、
例えば第１４図のハツチングした部分３５３およ
び３５４に図示の如く、変換間隔３０７の相対す
る側の面３０６に差動的飽和を得るように働く。
飽和領域３５３，３５４の各幅W1，W2は所望の
幅W0を有する高透磁変換領域３３３が第１４図
に関する上記説明と同様、重り合う不飽和領域に
より面３０６に得られるよう選択されている。 第１４図に図示の如く、各制御巻線３３１，３
３２は、制御巻線窓３１４，３１４ａを通り各コ
ア半体３０５，３０５ａの回りに、好ましくは変
換面３０６，３０６ａ付近に巻かれる。変換信号
巻線３３４は、組立てられたコア３０５，３０５
ａの回りに変換巻線窓３１５を通して巻かれる。
変換領域３３３は、例えば先に第３Ａ図に関して
説明したのと同じ制御回路を利用して変換器の幅
Ｗに渡り走査することができる。 第１２図から第１４図の変換器構造体の設計変
更例について、第１５図から第１６図を参照しな
がら以下説明する。第１５図は、モノリシツク前
面コア３２０および積層裏面コア（スタツク）３
２１とを有する点で第１３図上の上記コア３０５
とは異なる複合ヘツドコア３１８の一方のコア半
体を示したものであるが、前記モノリシツク前面
コア３２０および前面コア３２０および前記積層
裏面コア３２１は、例えば対向する面３２５，３
２７でエポキシ接着することによつて一体に接合
され、空間が除去される。前記前面コア３２０
は、例えばPS52Bのような強磁性体ブロツクで
できていてもよい。溝３２２が前面コア３２０の
変換間隔面３２３の内部に設けられ、変換巻線窓
が得られる。積層裏面コア３２１は、前面３２５
の内部に広がる開放制御巻線窓３２４を有する外
は第１２図から第１４図で既に説明したのと同じ
態様で、複数の個々のＵ型積層板３２６から形成
される。各積層板は、第１２図で既に説明したよ
うに、また第１６図に図示したように積層板面に
延びる制御磁束経路３３５に垂直な方向にほぼ一
定の幅３２９を有する。第１４図の実施例の場合
と同様、隣接する積層板は方向３２７に漸増する
奥行きを有すると共に、反対側に増分する制御磁
束経路長を得、よつて変換器幅Ｗに渡り、反対に
増分する磁気抵抗を各コア３１８，３１９内に得
る。その増分は線形でもよいが、望ましくは指数
関数的になつており、前出の実施例で既に述べた
ように透磁率／磁束密度勾配を最大にする。一体
に接合された前出コア３２０およびスタツク３２
１は、第１６図の３３５に図示の如く密閉低磁気
抵抗制御磁束経路を形成している。スタツク３２
１の各裏面コア積層板は、互いに物理的に密接し
ていて、磁気損失を低減する。更に反対に向けら
れた相対するコア３１８，３１８ａのアセングリ
および前記各コアへの変換ならびに制御巻線の備
え付けは上記第１２図から第１４図と同じなの
で、ここではその説明を省略する。上記説明から
第１２図から第１６図の実施例において、積層の
ほぼ一定の断面積が制御磁束経路に垂直な方向に
保持されると共に、制御磁束経路の長さは差動的
に、すなわち対向するコア３１８，３１８ａの反
対方向に漸増することになる。変換器面３０６，
３０６ａが、他の磁気コア部分を飽和する前に必
ず飽和状態となるよう、第１２図から第１６図の
実施例においては、面３０６，３０６ａに沿う磁
束経路３０４の幅３２９が該磁束経路のその他の
部分に沿う幅より、僅かに狭くつくられているこ
とが望ましい。第１５図、第１６図の実施例の別
の利点としては、モノリシツク前面コア３２０が
裏面コア３２１と異なる物質でできていてもよい
ことである。例えば前面コア材は、変換間隔面に
垂直に磁化容易軸の向けられた磁気異方性を有
し、変換領域の規定を更に増大することができ
る。反対方向に漸増する制御磁束経路長を有する
反対に向けられた相対コア３０５，３０５ａの漸
次飽和は、第４図の実施例の反対に向けられたく
さび形部分の飽和と類似していることが、第４図
の実施例との比較により判る。その結果、第１２
図から第１６図の実施例および第４図の実施例と
の動作は、変換器面が変換間隔の相対する側で差
動的に飽和されるという点と、変換器幅に沿つて
連続的に移動、すなわち走査することのできる高
透磁変換領域が形成されるという点で類似してい
る。しかしながら、第１２図から第１６図の実施
例では、前記実施例におけるようにその部分のみ
飽和するのではなく、面３０６，３０６ａを含む
全積層面が飽和されるという点で異なる。上記実
施例の積層コアは、製造上の便宜を考えて、特
に、指数関数的に増分する断面積を有するような
所望のコア形状が容易に得られるよう設けられた
ものであることが判る。その結果、該コアの磁気
的積層板は、互いに物理的に接していると共に、
それらの間に何らの磁気的、または電気的絶縁を
設ける必要もない。 本発明の別の実施例について、第１７図から第
２５図を参照しながら説明する。ここでは、各対
向するコアを通り変換器面および変換間隔双方に
ごく接近してそれぞれ延びる導電駆動線３６８，
３６８ａ形式の制御巻線によつて前記面部分の飽
和が行なわれる。この実施例では、非磁性的導電
積層板３６３によつて互いに磁気回路の隔絶され
た離散的磁気的積層板３６１が走査変換器の半コ
ア３６０に備え付けられている。前記積層３６３
は、駆動線３６８に導電的に接続されており、二
つの導電積層板のそれぞれと、およびそれらの間
にある駆動線の一部とによつて、磁気的積層板３
６１を回る電流の一巻きが構成されている。各磁
気的積層板は、周囲の導電積層板とによつてそれ
を通して延びる駆動線の対応する部分とに対し
て、制御電流を与えることによつて、飽和される
ようになる。変換トラツク領域は、一つ以上の不
飽和積層板によつて得られると共に以下詳細に説
明するように、電流の巻きを構成する導電積層板
をオン／オフに切換えることによつて変換器の幅
に沿つて走査、すなわち移動することができる。
変換器面を飽和する外に、本実施例には、先行技
術による変換器よりも、変換器面に渡り急勾配の
階段上透磁率／磁束密度勾配が得られるという別
の利点がある。その特性は、以下詳細に説明する
ように、磁気積層材の透磁率対磁束密度特性とは
実際上関係がない。 透磁性積層板３６１が重ねられ、導電積層板３
６３間に挿入された変換器コア半体の一方３６０
の分解図が第１７図に示してある。好ましくは、
電気絶縁物質、例えば厚さ0.0001インチの二酸化
ケイ素から成る層３６２が各磁気的積層板３６１
の各プレーナ面にスパツタされ、前記導電積層板
３６３から、それらを電気的に絶縁する。各導電
積層板３６３はリード線３６４を有しているが、
該リード線は、例えば変換器面３６５と反対側の
その裏面部にはんだ付けすることによつてそこに
取り付けられる一例として、前記磁気的積層板
は、厚さ0.001インチのミユーメタルHiMu80ま
たは無定形金属からできており、かつ前記導電積
層板は、厚さ0.0005インチの銅でできている。各
積層板３６１，３６３は、その中に重なり合う開
口３６６，３６７を有しており、各積層板３６３
にはんだ付け等により導電的に接続されてはいる
が、磁気的積層からは、電気的に接続されてはい
るが、磁気的積層からは電気的に絶縁された導電
駆動線３６８を収容する。 第１８図は、第１７図の組立てられた積層半コ
アスタツク３６０の平面図である。第１９図は、
第１８図の線Ａ−Ａに沿つて描かれた積層スタツ
ク３６０の断面図と、および前記スタツクに接続
される積層スイツチング回路３７１のブロツク図
とを示すものである。第２０図に図示の如く、望
ましくは二つの全く同じ導電積層スイツチング回
路３７１，３７１ａを利用するので、一方の回路
３７１のみを第１９図に詳細に図示すると共に、
以下その説明を行なう。第１９図から判るよう
に、導電駆動線３６８の一端は、制御電流源３７
２の一方の磁極に接続されてはいるが、該電流源
のもう一方の磁極は、アースされている。各リー
ド線３６４は、導電積層スイツチング回路３７１
の複数の出力３９９の一つに接続されている。一
例として、導電積層スイツチング回路３７１は、
アツプ／ダウンカウンタ４３０と、プログラム可
能な読出し専用記憶装置（PROM）４３３とお
よびトランジスタ４３４と、電流設定コレクタ抵
抗４３５とおよびベース抵抗４３６とをそれぞれ
有する。複数のトランジスタスイツチによつて構
成されている。アツプ／ダウンカウンタ４３０
は、クロツク信号入力４３７と方向信号入力４３
８と、プリセツト入力Ｐ１からPn４２８と、負
荷入力４３９と、および複数の出力Ｑ１からQn
４３１とを有している。各出力４３１は、
PROM４３３の一方の入力４３２に接続されて
いる。PROM４３３は、複数の出力Ｄ１からDn
４４０を有しているが、前記複数の出力は、それ
ぞれ前記アレー４２９の一方のスイツチ４３４の
ベース抵抗４３６に接続されている。各コレクタ
抵抗４３５は、リード線３６４を介して一方の導
電積層３６３にそれぞれ接続されている。各トラ
ンジスタ４３４のエミツタは、アースされる。 二つの対応するコア半体３６０，３６０ａの接
合によつて得られた磁気変換器３７８の電磁制御
走査が第２０図に図示されている。適当な非磁性
体、例えば二酸化ケイ素から成る変換間隔３８１
が、周知の間隔形成技術を利用して二分されたコ
ア３６０，３６０ａの一方または双方の変換間隔
面３８０上に設けられている。各コア半体３６
０，３６０ａは、下記の如く逆対称的に共に組立
てられている。該コア半体は、矢印３５７で図示
の如く、一方のコア半体をもう一方のコア半体に
対して180度回転することによつて反転され、電
流源３７２，３７２ａに接続された導電ロツド３
６８，３６８ａの各端部が互いに対して反転され
る、すなわち変換器幅Ｗに渡つて反対側に位置決
めされる。変換信号巻線３８２，３８２ａが前記
コア半体の回りに巻線窓３８３を介して巻かれ、
記録／再生信号巻線として使用される。各コア半
体３６０，３６０ａの各導電積層板３６３，３６
３ａは、各積層スイツチング回路３７１，３７１
ａを介して電流源３７２，３７２ａと結合され、
以下説明するように、各コア半体の選択された積
層板面を逐次磁気飽和させる。 次に、第２０図の本発明による走査変換器の一
動作例について第２１図から第２５図を参照しな
がら説明する。第２１図では、カウンタ４３０，
４３０ａのクロツク入力４３７，４３７ａに、所
望の積層スイツチング周波数に対応する周波数を
有するクロツク信号Ａが受信される。一方のカウ
ンタ、例えば４３０の入力４３８には方向信号Ｂ
が受信されると共に、もう一方のカウンタ、例え
ば４３０ａには前記信号Ｂに対して反対の極性を
有する方向信号Ｄが受信される。前記カウンタの
一方は、もう一方のカウンタのプリセツトカウン
ト値とは異なる初期カウント値に４２８でプリセ
ツトされ、第２１図に図示の如く、線間隔ｚに対
応するオフセツトカウント値を得る。一方のカウ
ンタ、例えば４３０が第２１図のＣに図示の如く
カウントアツプすると、もう一方のカウンタ４３
０ａはそれと同時に同図Ｅに図示の如く、カウン
トダウンする。PROMの４３３，４３３ａは、
例えば下記の表１に図示の如く、カウンタ４３
０，４３０ａの出力４３１で得られた逐次的二進
カウント値を出力４４０の逐次的出力信号に変換
するようプログラムされている。
詳細には、該変換器内の録音（記録）／再生領域
の場所即ち位置が機械的手段ではなく、電磁的手
段によつて制御されるようになつた磁気変換器に
関する。 広帯域磁気的信号記録においては、高い相対変
換器／記録媒体速度を得ることが、非常に重要視
されている。固定の変換器を通過する記録媒体の
速度を増大することは、結果として起る該媒体の
大幅な消耗ならびに高速度の送りに関連する、機
械的限界によつて制限される。 磁気テープレコーダーに利用される、回転ヘツ
ド変換器は、相対ヘツド／テープ速度の増大の著
しい発展を示している。この場合、前記変換器は
比較的ゆつくり進む磁気テープと接触して高速度
で回転する、回転走査レコーダには変換器がテー
プを掃引する角度により、一般に横走査レコーダ
およびらせん走査レコーダと称する二つの基本型
式のものがある。回転ヘツドレコーダによつて記
録される信号の所望の精度ならびに再現性を得る
ことに関しては多くの問題がある。例えば、回転
ドラム、変換器構造体およびドラム内の変換器の
場所に関しては、非常に僅かな機械的公差を保持
する必要がある。同時に、縦方向のテープ速度に
対してはドラムの回転速度を正確に維持しなけれ
ばならない。 電磁的に制御される走査形の変換器を利用する
磁気レコーダでは、変換器の機械的回転に関する
欠点が除去される。この場合、変換器は固定さ
れ、変換器の幅に渡り、よつて記録媒体を横切つ
て変換しようとする信号を電磁走査することによ
つて高い走査速度が得られる。 ある種の既知の走査磁気変換器は、非磁性スペ
ーサにより互いに隔絶された磁気的積層体（板）
を有している。各積層板は、変換ギヤツプ（間
隔）によつて構成された閉磁気回路を構成する。
前記積層板は、変換器の対向する側で反対方向に
漸増する制御された幅を有する脚部を備えてお
り、該脚部は制御巻線と連結している。走査動作
は、変換器の対向する側にある脚部を除々に飽和
させることによつて行なわれ、一度に一つの積層
板のみが変換モードのままとなる。作動している
積層板の場所は制御巻線に与えられる制御電流に
よつて制御される。 このような型式を用いる従来技術による変換器
では、逐次各積層板の磁気回路を遮断することに
より、即ち変換磁束経路を遮断することにより、
走査が行なわれる。可変幅の脚部を使用しなけれ
ばならないため、制御される幅の部分、およびそ
の結果としての遮断領域は、変換間隔および変換
器面から離れた場所になければならない。その結
果、記録媒体に面する不飽和部分は、隣接する活
性的積層板からの干渉、または媒体上の隣接する
記録信号トラツクからの漂遊磁束をピツクアツプ
やすくなる。次いで、これらのピツクアツプされ
た信号が媒体上に再記録されたり、再生中隣接す
る能動素子の磁気回路に漏れ出したりして、再生
信号の劣化を行なわせることもある。上記欠点
は、記録周波数および記録密度の増大と共に一層
著しくなつてしまう。 このような先行技術による変換器の更に顕著な
欠点としては、積層板間の干渉を抵減するためス
タツク（積み重ね）の各磁気的積層板を物理的か
つ磁気的に隣接する積層板から隔絶しなければな
らないことである。従つて媒体を横切る増分的即
ち走進的走査運動のみが可能となり、このこと
は、隣接する積層板の磁気回路を逐次オン／オフ
に切り換えることによつて、すなわち連続的にで
はなく、離散的段階的態様で、行なわれる。ま
た、トラツク幅は、少なくとも一つの積層体の幅
となつていなければならず、この幅の整数倍に対
してのみ調節することができる。上記のことは、
狭いトラツク上を連続的に走査し、かつその狭い
トラツク上に変換素子を正確に位置決めすること
が高品質性能の必要条件となつている狭いトラツ
ク上での高周波広帯域記録／再生に特に不都合で
ある。 上記した欠点は、本発明による走査変換器によ
つて変換間隔に隣接すると共に記録媒体に面する
コア部分を選択的に飽和させる電磁制御手段によ
り克服される。各飽和したコア部分は隣接する不
飽和部分を定め、かつ制御手段が各コア部分内に
配置されており、所望の急勾配の透磁率対磁束密
度の勾配が変換器幅に渡つて得られるようになつ
ている。変換器の対向する側の不飽和コア部分は
重なり合つており、変換間隔を横切つて延びる所
望の幅の変換領域を定める。 本発明に従つた変換器においては、変換器コア
の非動作部分による干渉、または漂遊磁束のピツ
クアツプがほぼ除去される。 また、本発明の好適な実施例では、離散的に作
動する別個の磁性積層板を使用する必要がない。
よつて、高透磁変換領域の場所を前記電磁制御手
段により変換器の幅に沿つて連続的に制御するこ
とができる。対応する制御電流の大きさを選択す
ることによつていかなる所望の変換領域幅も得る
ことができる。よつて、変換領域幅は、先行技術
による変換器のように、一つ以上の変換積層板の
幅に制限されることがない。その結果、本発明に
よる非積層の実施例では、前記変換領域を本発明
による電磁手段により連続的態様で狭めたり広げ
たりすることができるし、またその反対に変化さ
せることもできる。 本発明の一つの好適な実施例によれば、変換器
幅に渡る上記所望の急勾配の磁束密度対透磁率の
勾配は、変換器面および変換間隔面それぞれに対
して角度をもつて置換される制御巻線を各対向す
るコアに与えることによつて得られる。それによ
つて、くさび形の可飽和コア部分が、変換器面お
よび変換間隔面間の範囲を含んで形成される。対
向するコアのくさび形部分は逆に向けられてお
り、それらの断面積が変換間隔の片側で反対方向
に増大するようになつている。各コア面を含む前
記断面積は、制御巻線にそれぞれの制御電流を与
えることによつて、選択的に飽和される。飽和し
た各コアの断面積は、変換間隔に渡つて変換器面
に広がる不飽和高透磁変換領域を規定する。 本発明の他の好適な実施例では、ほぼ一定の断
面積と各コアの幅に渡つて反対方向に漸増する長
さとを有する制御磁束経路を設けることによつて
前記変換器面に所望の急勾配を与える。 本発明の更に他の実施例では、導電積層板によ
つて互いに隔絶された複数の磁気的積層板から成
る積層コア構造体が備え付けられている。導電駆
動線が、変換器面および変換間隔面から選択され
た距離に各コアを介して延びており、該駆動線の
各部分は導電積層板と接続している。制御電流が
差動的に切換えられ、駆動線のこれらの部分に流
れて、変換間隔に接する変換器面の選択された磁
気的積層板部分を飽和させる。これらの実施例で
は、積層コア構造体が備え付けられていると共に
変換器面における干渉（クロストーク）ピツクア
ツプを除去する。 本発明による電磁制御走査変換器の動作原理に
ついての説明を判り易くするために、最初電磁制
御走査の動作は考慮せず、既知の磁気変換器の基
本的な変換動作について、第１Ａ図および第１Ｂ
図を参照しながら説明するその後で、前記の走査
動作について第１Ｃ図および第１Ｄ図を参照しな
がら説明する。 第１Ａ図には、従来の構成による磁気変換器２
０が図示してあるが、該変換器２０は、変換間隔
２６を定める磁気２７，２８を有する対向する磁
気コア部分（以下コア２１，２２と称す）から成
つている。変換巻線窓２４が設けられており、変
換巻線２５を収容する。変換間隔２６は先行技術
で周知の如く非磁性体、例えば二酸化ケイ素すな
わちガラスによつて形成されている。記録信号電
流が例えば信号源７から変換巻線２５に与えら
れ、テープ４２のような磁気媒体上に記録される
と、磁束線１６によつて表わされるように、磁界
が変換器内に形成される。前記磁界は、周縁磁束
形式で変換間隔２６から発せられ、テープ４２と
係合する。該テープは、透明なものとして第１Ａ
図に図示されており、前記テープ面する変換器２
０の一部分４１（以下面４１と称す）が見えるよ
うになつている。前記周縁磁束は、巻線２５の信
号に対応する磁気パターンをテープ４２上に与え
る。変換間隔２６を通つて、例えば矢印４３方向
に磁気テープを進めることによつて、変化する磁
気信号パターンが第１Ｂ図の矢印で図示の如く前
記磁気テープに沿つて記録される。 テープ４２の５に図示されたように、変換器２
０が先に記録された信号を再生する再生ヘツドと
して利用される場合は、縦方向に移動するテープ
４２から発する磁束が間隔２６を係合し、それに
よつてピツクアツプされる変換巻線２５を横切る
磁束１６は変換器２０によつて記録磁束に比例す
る電気信号へと変換される。 第１Ｃ図および第１Ｄ図に図示されるように、
本発明によれば変換器面４１は、ハツチングした
飽和領域５７，５８が示すように、変換間隔２６
の対向する側に選択的に飽和することができる。
前記領域５７，５８の飽和は、変換器の各コア２
１，２２とそれぞれ関連する制御手段８，９（点
線で図示）によつて行なわれる。前記制御手段
８，９は、以下更に詳しく説明するような態様
で、コア２１，２２の一方とそれぞれ連結する各
制御巻線（図示せず）によつて構成されている。
前記制御手段８，９は、制御電流I1，I2を供給し
て、各コア２１，２２に制御磁束４７，４８を誘
起する制御電流I1，I2の大きさは、それによつて
誘起された磁束が既述の如く、かつ第１Ｃ図およ
び第１Ｄ図のハツチング部分に図示の如く前記の
各コア半体において選択された幅W1，W2を有す
る領域５７，５８を飽和させるように選択されて
いる。前記飽和領域５７，５８は変換間隔２６に
渡つて重なり合う各隣接高透磁不飽和部分、すな
わち領域４０，４６を規定する。前記重なり合う
部分４０，４６は空間２６に渡つて広がる幅W2
の高透磁変換領域５６を規定する。第１Ｃ図から
全変換間隔幅Ｗ＝W1＋W2＋W3＝一定となるこ
とが明らかとなろう。 一方の制御電流、例えばI1の大きさを増大する
と共に、もう一方の制御電流I2の大きさを比例し
て低減することにより、それぞれの幅W1，W2は
比例して変化し、変換領域５６を変換空間２６の
幅Ｗに沿つて選択的に移動することができる。例
えば、変換器幅Ｗに沿い高速度で変換領域５６を
周期的に走査したい場合、電流I1，I2双方の大き
さを反対にかつ線形に変化させ、それによつて飽
和部分５７，５８の幅W1，W2を比例して変化さ
せる制御回路が利用される。走査中変換領域５６
の一定の幅W3を保持するためには変化する制御
電流の和を一定に保持すること、すなわちI1＋I2
＝一定とすることが必要である本発明の好適な実
施例では、所望により飽和部分５７，５８の合成
幅W1＋W2を変化させることによつて、変換領域
５６の幅W3を連続的に変更することができる。
その結果、変換領域幅W3を連続して狭めたり広
げたりすることもできるし、またその反対に変化
させることもできる。 第１Ｃ図から明らかなように、変換磁束経路１
６が巻線窓２４の周囲に広がり、変換巻線２５と
交差している。制御磁束線４７，４８が変換磁束
１６に対して平行に広がると共に各制御電流の大
きさは、制御磁束４７，４８が変換巻線２５と連
結しないよう選択されており、信号磁束１６への
いかなる干渉も阻止するようになつている。第１
Ｅ図は、第１Ｃ図の電磁制御走査磁束変換器２０
を記録および／あるいは再生に利用する動作モー
ドの一実施例を示したものだが、該変換器２０内
の変換磁束１６に対応する磁化パターンを示すた
め、変換間隔部分２６を十分拡大して図示してあ
る。第１Ｅ図において、磁気媒体、例えばテープ
２４は縦方向、すなわち矢印４３方向に、変換間
隔２６に密着して、かつ変換器幅Ｗに対してほぼ
垂直に送り出される。この動作モードでは、電磁
制御手段８，９は、領域５７，５８を周期的に、
かつ差動的に飽和しそれによつて変換器の幅Ｗに
沿つて変換領域５６の位置を周期的に変更するの
に利用される。前記領域５７，５８を差動的に飽
和することによつて、各制御手段８，９は変換間
隔の対向する側にある各磁心２１，２２の選択さ
れた幅W1，W2をそれぞれ飽和することが判る。
合成幅W1＋W2とコア幅Ｗ間の差によつて、変換
領域５６の結果の幅W3（W3＝Ｗ−（W1＋W2））
が決定される。既述の如く、上記合成幅W1＋W2
を変化させることによつて、変換領域幅W3を変
化させることができる。 ３５（第１Ｅ図）に図示された記録トラツに沿
つた走査は、変換領域５６の位置が幅Ｗに沿つ
て、すなわち矢印１０の示す方向に移動すると共
に幅W1，W2が互いに対して反対に、かつ線形に
変化し、変換領域５６の一定した幅W3を保持す
ると行なわれる。一般に横方向記録／再生と称す
る上記走査動作において、幅Ｗは磁気テープ４２
上の走査長に対応する。この型式の記録は、矢印
１０が示す走査方向にほぼ直交して広がる磁化パ
ターンによつて特徴づけられるが、該磁化パター
ンは、次いでテープ４２の幅に渡つてほぼ直交し
て広がる平行なトラツク３５に沿つて記録され
る。変換間隔２６の長さＬは、記録されるトラツ
ク幅TWに対応する。記録モードにおいて、テー
プの磁気状態は走査動作によりトラツク３５に沿
つて進められる走査トラツク領域５６のほぼ「後
縁」における記録磁束方向によつて決定される。
前記のことからトラツク領域５６の幅W3は横方
向の記録に利用される通常の回転磁気変換器の間
隔長さに匹敵することが判る。よつて、必要な高
解像を得るには、トラツク領域幅W3が記録しよ
うとする最も短かい波長よりも狭くなければなら
ない。第１Ｆ図には、第１Ｃ図の走査磁気変換器
２０の別の動作モードの一例が図示されている
が、該変換器２０は、第１Ｅ図と同じ態様で、該
変換器２０に対して移動される磁気テープ４２の
縦方向トラツク１３に沿つて記録／再生するのに
利用されているしかしながら、第１Ｅ図とは異な
り、変換器２０が記録に利用される場合、飽和領
域５７，５８の幅W1，W2は制御手段８，９によ
つて一定に保たれ、それによつて変換領域５６の
定位置および一定幅W3が維持される。前記のこ
とは、手段８，９によつて与えられる制御電流
I1，I2を選択された一定の大きさに維持すること
によつて行なわれる。記録されたトラツク１３上
に得られる結果の磁化パターンは、一般に縦方向
記録と称している。 第１Ｆ図の変換器２０をトラツク１３上に記録
されたような信号を再生するために利用すると、
幅W1，W2のそれぞれを制御手段によつて差動的
に変更し、矢印１０，１１の示すいずれの方向に
も、すなわちトラツク１３の幅W3に渡つて変換
領域５６を再位置決めすることができる。前記動
作モードは、記録されたトラツク上に変換領域５
６の最適位置を維持し、記録／再生性能を最適化
するのに特に有用となりうる。後者の動作モード
は、磁気媒体の例えば横方向、ヘリカル、または
縦方向のトラツク上に記録された信号を再生する
場合に利用することができる。 先に述べたように、各コアの飽和領域幅W1，
W2を変更するだけで、所望の記録用トラツク幅
W3と、別の例えば更に幅の狭い再生用トラツク
幅W3′とを選択することもできる。 別の動作モードでは、特定の記録方法に関して
必要とされうる磁気媒体上の所定の離散位置に対
して所望の高精度で前記変換領域５６の位置を再
位置決めすることができる。 上記の説明から、上記動作モードの全てにおい
て、本発明の変換器はその面で、かつ変換間隔に
近接して飽和されることが判る。その結果、非動
作の電磁的に阻止されたコア部分によつて、いず
れの干渉、または漂遊磁束のピツクアツプも受け
やすいという点が取り除かれる。 本発明に従つた走査変換器によつて高品質の性
能を得るためには、コア２１，２２の隣接する飽
和、不飽和部分間の境界が良好に定められている
ことが望ましい。前記のことは、各変換器コアの
隣接する断面積間の透磁率の最大変化率が変換器
幅Ｗに渡つて得られるような態様で対向する磁気
コアおよび制御巻線を各コア内に配置することに
よつて行なわれる。前記のことは、各コア面の選
択された部分が制御電流によつて飽和され、その
結果何らの顕著な磁束もそこを通過しないと共
に、すぐ隣接する近接領域は、情報信号の変換に
必要なため十分透磁可能なままとなることを保証
する。その結果、変換器２０の性能は、各コア内
の各隣接する飽和・不飽和領域間の透磁率対磁束
密度勾配の峻度によつて決まる。 第６図には一例として適当なコア材（例えばア
ンペツクス社製フエライトPS52B）の周知の透
磁率ｍ対磁束密度Ｂの特性が示してある。その特
性から判るように、400以上の比較的高い透磁率
ｍが、B1＝4000ガウス以下の磁束密度Ｂで得ら
れるが、前記の高透磁率は所望の変換動作を行な
うのに十分である。その材料の飽和磁束密度は、
第６図に図示の如く、100以下の透磁率に対応し
て約B2＝6000ガウスとなつている。その結果変
換器コア内の高透磁領域および隣接飽和領域間の
所望の高速遷移を得るためには、第６図から判る
ように、透磁率がいずれの方向にも100以下から
400以上に急速に変化しなければならない。 次に、本発明による電磁制御走査磁気変換器の
好適な実施例に関し、第２Ａ図を参照しながら詳
細に説明する。磁気変換器２０は、平滑に重ねら
れ、かつ研磨された変換間隔面２３に接する対向
磁極２７，２８を備えた二つの対応するコア２
１，２２を有している。巻線窓２４が一方の、ま
たはそれぞれのコア２１，２２に設けられてお
り、変換巻線２５を収容している。適当な非磁性
体が磁極面２７，２８間に設けられており、従来
の変換間隔形成技術を利用して変換間隔２６が得
られる。 第２Ｂ図から第２Ｄ図に図示の、例えばテープ
４２のような磁気媒体に面する変換器面４１が、
間隔面２３にほぼ垂直な面に広がつている。変換
器は所望により、点線１８で図示の如く面取りし
て周知の面取り技術により所望の形状および変換
間隔の奥行きをそれぞれ得ることができる。第２
Ａ図の実施例の重要な特徴としては、開口３１，
３２が各対応するコア２１，２２にそれぞれ設け
られていることである。これらの開口は、変換間
隔面２３および変換器面４１双方に対してそれぞ
れ選択された角度で変換器２０の全幅Ｗに渡つて
延びている。制御巻線３８，３９は、その部分５
１，５２が開口３１，３２それぞれを通つて延び
るような態様で各コア２１，２２の回りに巻かれ
ている。第２Ａ図の好適な実施例では、コア２
１，２２が二つの同一のコア半体として例えばフ
エライトPS52B、または単一クリスタルフエラ
イトのような強磁性体ブロツクからつくられてい
る。開口３１，３２は各コア半体の幅を通つて、
すなわち上部側面３３，３４から反対側下方面３
６，３７へそれぞれダイアモンドきりもみするこ
とによつて得ることができる。各コア半体２１，
２２は間隔面２３で平滑に重ね合わされ、研磨さ
れる。ガラスのような物質を形成する適当な非磁
性変換間隔が真空スパツタによつて一つの、また
は双方のコア面２３上に設けられる。このように
設けられたコア半体２１，２２は一方のコア半体
を、もう一方のコア半体に対して180度だけ回転
させることによつて組立てられ、その結果その上
方面と下方面とは反転され、面２３ならびに４１
に対して開口３１，３２をそれぞれ逆対称に配置
させた対向するコアが得られる。従つて、組立て
られた対向する変換器のコア２１，２２におい
て、制御巻線開口３１，３３は変換間隔面２３お
よび変換器面４１双方に対して反対に向けられた
角度で延びる。二分されたコアは、周知の接着技
術を利用して変換間隔面２３で互いにガラス接着
され、変換間隔２６が得られる。また、対向する
コア２１，２２は所望により、磁性体から成る共
通の固体ブロツクでできていてもよい。その場
合、変換間隔の長さに対応する所望の幅を有する
溝が、例えば研削によつて面４１の内部に設けら
れている。続いて前記溝には適当な非磁性体が充
填され、変換間隔２６が得られる。次いで、巻線
窓２４が周知のきりもみ技術を利用して変換器幅
に渡りきりもみすることによつて得られる。 制御巻線３８，３９は選択された部分を差動的
に飽和し、第１Ｃ図および第１Ｄ図のところで既
に述べたように、変換間隔２６に渡つて広がる不
飽和高透磁変換領域５６を得る。前記の如く、選
択された飽和領域を各コア２１，２２の面４１に
得るため、例えば第３Ａ図に図示の制御回路を利
用して各制御電流I1，I2が以下述べるように制御
巻線３８，３９に供給される。 好適実施例に於て、制御電流I1，I2が差動的に
変化し、変換器の幅Ｗに渡つて一定の幅を有する
変換領域を周期的に走査する。それによつて情報
信号が、第２Ｂ図に図示の如く、縦方向に移動す
る磁気テープ４２の横方向トラツク３５に沿つて
記録、または再生される。例えば、電流値I1，I2
が一定に保持されている場合、変換領域は一定の
位置を占める。前記の適用例は第２Ｄ図の１３に
示すような縦方向トラツクに沿つて記録するのに
有用となりうる。縦方向の、またはらせん形のト
ラツク上で記録／再生中、変換領域の位置はトラ
ツクからトラツクへ歩進することができる。他の
適用例では、第２Ｃ図に図示の記録された、らせ
んトラツクを回転ドラムに固定して取り付けられ
た本発明による変換器によつて再生することがで
きると共に、変換領域の位置を記録トラツク幅に
渡り、移動して最適再生性能を得ることができ
る。第３Ａ図は、制御回路５４の一例を図示した
ものであるが、該制御回路５４は、第２Ａ図の変
換器２０の制御巻線３８，３９を駆動し、変換器
２０の幅Ｗに沿つて面４１における変換トラツク
領域の位置を制御するのに利用されている。本実
施例において、変換領域５６は第１Ｅ図および第
２Ｂ図に図示の如く、磁気テープ４２の横方向ト
ラツク３５に沿つて周期的に走査される。しかし
ながら、制御回路５４は、先述のような他の記
録／再生の適用例に利用された場合も変換器２０
の種々の動作モードを得るのに適合しうることが
半る第３Ａ図の回路５４は、周期的に変化する制
御電圧Vcを発生する制御電圧源６１を利用して
いる。該電圧Vcは、同回路により差動的に変化
する制御電流I1，I2へと下記の如く変更される。
電圧Vcは抵抗６２を介して帰還抵抗６４を有す
ると共に、ボルテツヂフオロアーを構成する第１
の演算増幅器６３の反転入力に与えられる。増幅
器６３の出力は帰還抵抗６７を有する第２の演算
増幅器６６の反転入力に別の抵抗６５を介して接
続される。該演算増幅器６６は前記演算増幅器６
３の出力信号を反転する。第１の増幅器６３の出
力は、また帰還抵抗７０を有する第３の演算増幅
器６９の反転入力にも抵抗６８を介して接続され
る。第２の演算増幅器６６の出力は、抵抗７１を
介し、帰還抵抗７３を有する第４の演算増幅器７
２の反転入力に接続される。調整可能な電位差計
７４が負のD.C電圧源およびアース間に接続され
ており、制御電流のオフセツトI0が得られる。電
位差計７４の出力は、抵抗７５を介して第３の演
算増幅器６９の反転入力に、また抵抗７６を介し
ては第４の演算増幅器７２の反転入力へとそれぞ
れ接続される。第３の演算増幅器６９の出力は、
変換器２０の前記第１の制御巻線３８に接続さ
れ、次いで該第１の制御巻線３８は、増幅器６９
の反転入力に帰還抵抗７０を介して接続される。
同様に、第４の増幅器７２の出力は、前記第２の
制御巻線３９に接続され、談制御巻線３９のもう
一方の端子は、帰還抵抗７３を介し、演算増幅器
７２の反転入力に接続される。コイル３８および
抵抗７０間の接続は、抵抗７８を介してアースさ
れる同様に、コイル３９および抵抗７３間の接続
は、抵抗７８を介してアースされる。前記４つの
演算増幅器６３，６６，６９および７２全ての各
非反転入力は、アースされる。増幅器６９，７２
および抵抗７０，７７ならびに７３，７８のそれ
ぞれは、第１および第２の電流源にそれぞれ相当
する。 電圧源６１からの電圧Vcがボルテツヂフオロ
アー６３，６４を介し第１の電流源６９，７０，
７７に与えられ、前記第１の電流源６９，７０，
７７は、入力電圧Vcに直接比例する制御電流I1を
第１の制御巻線３８に与える。更に、演算増幅器
６３の出力で得られた後、演算増幅器６６、抵抗
６７によつて反転された電圧が第２の電流源７
２，７３，７８に与えられ前記第２の電流源７
２，７３，７８は入力電圧Vcに逆比例する制御
電流I2を第２の制御巻線３９に与える。DC電圧
に接続された電位差計７４によつて所望の制御電
流のオフセツトI0が設定されるが、本実施例にお
ける該制御電流のオフセツトI0は、第３Ｂ図に関
して以下詳細に述べるように、最小および最大制
御電流値間の中間、すなわち I0＝（Imax−Imin）／２となる。上記説明か
ら、電圧Vcが第３Ｂ図に図示の如くVcminおよ
びVcmax間に周期的に変化する大きさを有する
場合には、回路５４によつてこのように変化する
制御電圧が第１および第２の電流源の各出力でそ
れぞれ得られるほぼ線形に変化する制御電流I1，
I2に変換されることになる。よつて制御電流I1，
I2は差動的に、すなわち互いに対して反対の向き
に変化すると共に、第３Ｂ図に図示の如く入力電
圧Vcに比例してほぼ線形に変化するが、該変化
は以下の式によつて定められる。すなわち I1＝KVc＋I0 I2＝−KVc＋I0(1) 但し、ＫおよびI0は、第３Ａ図の回路のパラメ
ータに基づく定数であり、該回路から導くことが
できる。前期第２Ａ図の好適な実施例を更に参照
するに、電流I1，I2は、磁気コアを通つて延びる
制御巻線部分５１，５２を取り囲む該磁気コアに
磁束を誘起する前記制御電流I1，I2は、面４１に
おける磁気コア２１，２２の選択された領域を飽
和させ、以下説明するように、本発明に従い前記
飽和領域内に不飽和高透磁トラツク領域を得るの
に利用される。 第４図では、本発明による変換器２０が更に詳
細に示されている。二対の想像面４４，４５およ
び５９，６０のそれぞれが開口３１，３２それぞ
れの縦軸と各々重畳されて示してある。前記４
４，４５は平行であり、変換間隔面２３と平行な
線で上方ならびに下方側面３３，３４および３
６，３７とそれぞれ接している。面５９，６０は
変換間隔面２３に垂直な線でこれらの側面と接し
ている。第４図から、想像面４４，４５，５９，
６０側面３３，３４，３６，３７間隔面２３およ
び面４１は、変換間隔面２３の反対側にそれぞれ
広がる二つの反対に向けられたくさび形部分４
９，５０を形成していることが半る。これらのく
さび形部分は、制御電流I1，I2によつて選択的か
つ差動的に飽和させようとする磁気コア２１，２
２の各部分を示しており、それよつて所望の変換
領域５６が規定される。 くさび形部分５０を拡大して第５図の斜視図に
示される。反対に向けられた双方のくさび形部分
は、大体同じなので、くさび形部分５０に関する
以下の説明は、くさび形部分４９にもほぼ適用さ
れる。第４図から判るように第５図におけるくさ
び形部分５０の縁３０は想像面４５，６０の接点
として規定されている変換間隔２６の所与の幅Ｗ
に対して、くさび形部分５０は、面２３および４
１双方に対してそれぞれ垂直に広がると共に、間
隔幅に沿つて漸増表面積を有する互いに平行な断
面積Ｌ１からLnに分割されるものとして想像す
ることができる。変換器２０の反対に向けられた
くさび形部分４９は、反対方向に漸増して対応す
る断面積（図示せず）を有することが判る。第４
図および第５図を更に参照するに、電流I2が制御
巻線３９に与えられるとそれによつて巻線部分５
２の回りに広がる磁束線４８によつて示された対
応する磁束がコア２２に誘起される。磁束線４８
が変換間隔２６に渡つて広がることも、また変換
巻線２５と交差することもないので、変換器内に
おける制御磁束および変換信号磁束間の干渉はい
ずれも最小化される。変換器幅に沿つた適当な走
査動作を保証して横方向の記録または再生を行な
うため、反対に変化する電流I1，I2の値は、それ
によつて誘起された制御磁束４７，４８が各磁気
コア半体２１，２２内でそれぞれ反対に向けられ
たくさび部分４９，５０の連続的に増大する断面
積Ｉ１からLnを連続して飽和するように選択さ
れている。例えば、第３Ｂ図に示したような漸増
電流I2を制御巻線３９に与えると、第５図の断面
積Ｌ１からLnは、制御電流I2の増分する大きさに
直接比例して最小部分から最大部分へと除々に飽
和される。一方の制御巻線の制御電流を周期的に
増分すると共に、もう一方の制御巻線の制御電流
を周期的に比例して低減することによつて、反対
に向けられたくさび形部分４９，５０の各部分Ｌ
１からLnは周期的に、かつ差動的に飽和される。
第４図の好適な実施例では、差動的に変化する電
流の和I1＋I2の和が一定に保たれて、上記の如く
変換器面４１に変換領域５６の一定の幅W3を得
る。前記の説明から、飽和領域の透磁率は空気の
それとほぼ等しいが、重なり合う不飽和部分は、
信号の記録／再生に必要なので、比較的高い透磁
率を有することが判る。第３Ｂ図の特性から、制
御電圧を−Vcminから＋Vcmaxに変更すること
によつて、制御電流値I1がImaxに変化すること
が判る。但し、Imaxは飽和電流レベルIsat以下
に選択されている。Isatは全断面積Ｌ１からLn、
すなわち全てのくさび形部分を不飽和領域を残さ
ずに飽和するのに十分な電流値に相当する。重な
り合う変換領域を得るため各くさび形部分４９，
５０には不飽和領域を必ず残しておく必要がある
ので、最大制御電流Imaxは、飽和電流レベル
Isat以下に選択されていなければならない。既に
注記したように、くさび形部分４９，５０は想像
上のものであり、単に本発明による変換器の好適
な実施例の動作説明を判り易くするため図示した
ものである。好ましくは、コア半体２１，２２内
の開口３１，３２は、ほぼ正方形の断面Ｌ１から
Lnが得られるように配置されている。このこと
によつて、面４１を含むくさび形部分４９，５０
が前記面部分から更に離れた別のコア部分を飽和
するのに先立つて飽和されることが保証される。
同時に、飽和するのに必要な制御電流を最小にす
る。 第７Ｂ図には、それぞれが第６図の特性に対応
すると共に、反対に向けられたくさび形部分４
９，５０の一方とそれぞれ関連する二つの重畳さ
れた磁束密度対透磁率特性５３，５３ａの一例が
示してある。第７Ａ図は90度だけ回転された第４
図のくさび形部分４９，５０の正面図である。ハ
ツチングした部分５７，５８は、飽和領域、すな
わち100以下の透磁率を有するコア部分を示して
いる。第７Ａ図の他のコア部分は400以上の透磁
率を有する不飽和高透磁領域４０，４６を示して
いる。変換間隔２６に渡つて広がると共に、重な
り合う不飽和高透磁領域４０，４６により形成さ
れる変換領域５６は100〜400の透磁率を示す重畳
特性５３，５３ａの重なり合つた部分に対応する
第７ａ図および第７Ｂ図から、良好に規定された
変換領域５６は出来るだけ急激な透磁率対磁束密
度勾配を有する特性を必要とすることが判る。前
記の要件は、急勾配の特性曲線を有する変換器コ
ア材を選択することによつて、かつ全走査長に渡
つて隣接する断面積間で大幅な磁束密度の変化が
行なわれるよう前記くさび形部分を設計すること
によつて得られる。透磁率勾配を更に増大させる
ためには磁気異方性を有すると共に、磁化容易軸
が変換間隔面に対して垂直に向けられたヘツドコ
ア材を用いることが望ましい。二つの隣接する断
面積間の磁束密度勾配を更に最大化し、所望の最
大透磁率対磁束密度勾配を得るため前記くさび形
部分の形状を第６図の特性曲線のそれに近似させ
る。すなわちくさび形部分４９，５０の指数的に
増大する断面積Ｌ１からLnを得ることが望まし
い。このことは、コア２１，２２を通つて延びる
指数的形状の開口３１，３２を設けることによつ
て得られる。しかしながら、磁性体から成る固体
コアにそのような開口を形成することは設計上難
かしい場合もある。 第２Ａ図および第４図の変換器の製造は、以下
説明する第８図から第１１図の実施例によつて、
特に指数的にくさび形を得る点に関して、簡素化
される。 第８図は、例えば厚さ0.001インチ但し、１イ
ンチは約2.54cmの複数の薄い磁気的積層板７２に
よつて構成された積層磁気コア体８１の好適な実
施例を示す分解斜視図であるが、判り易くするた
め、４つの積層板のみが図示されている。前記積
層板７２は、例えばパーマロイまたはミユーメタ
ルHiMu80のような適当な磁体性から成る薄板に
よつてエツチングされてもよい。同図における全
積層板の全形状および大きさは開口３２を除き一
致しているが、該開口３２は、各積層板の全てが
第９図に図示の如く積み重ねられている場合、結
果の開口が前記開口３２に対応して第４図に図示
の如く制御巻線３９を収容するような態様で積層
板へ漸次変位されるようになつている。 第９図の前記積層は、例えばエポキシによつて
周知の接着技術を利用して接着され、二分された
積層ヘツドコアの一方８１を形成するが、該コア
半体８１は第４図の前記半コアに対応するもので
ある。二つの相対する積層半コア８０，８１は、
各間隔面２３で重ね合わされ、例えば二酸化ケイ
素のような非磁性的変換間隔形成物質が既知スパ
ツタ技術を用いて、その上に真空スパツタされ
る。相対するコア半体８０，８１は、一方のコア
半体が第１０図の矢印１５が示すように、もう一
方のコア半体に対して180度回転され、第４図で
既に説明したように各制御巻線開口３１，３２が
間隔面２３および面４１それぞれに対して逆対称
的に広がるような態様で組立てられる。組立てら
れたコア半体８０，８１は既知接着技術によりエ
ポキシ接着されたものである。結果の積層コア構
造体８０，８１は、変換器面４１において面取り
が成され、第１１図の４１Ａに図示したような所
望の形状を得ると共に、変換間隔の所望の奥行き
を得ることが望ましい。その後、前記制御巻線３
８，３９が、第２Ａ図および第４図で説明したよ
うに開口３１，３２を通つて延びるそれらの各部
分５１，５２によつて各コア半体８０，８１の周
囲に構成される。変換巻線２５が、巻線窓を通り
コア８０，８１の背面部の回りにそれとほぼ対称
的に巻かれている。制御巻線３８，３９に対する
変換巻線２５の相対的配置は、変換巻線が制御磁
束経路と交差しない限り、第４図または第１１図
それぞれの実施例ではあまり重要でないことに注
意されたい。 第８図から第１１図の実施例は、第４図のそれ
と基本的に類似したコア構造体を結果的に構成す
るが、制御巻線窓を設けるために前記コアをきり
もみする必要がないという利点を有している。各
積層７２内に制御巻線窓を適切に位置決めするこ
とによつて、いかなる所望の形状の窓、例えば指
数的形状の窓も比較的容易に得られることが判
る。 第１２図から第１６図には、本発明による電磁
制御走査変換器の別の好適な実施例が示してあ
る。以下の説明から判るように、この実施例は、
変換間隔面に垂直な方向に断面積の更に均一な飽
和を得るという点で先に述べた実施例よりも利点
を有している。更に、指数的に増大する断面積を
有するような所望の磁気コアの形状を、簡素化さ
れた態様で得ることができる。同時に、変換器面
の飽和および不飽和領域間に所望の形状の透磁
率／磁束密度勾配が得られると共に、それによつ
て、変換領域の規定が強められる。 第１２図では、複数の磁気的積層板３０１が積
み重ねられて、積層コアスタツク（積み重ね）３
０５を形成している。各積層板は、制御巻線窓と
して働く中央開口３１４を有している密閉制御磁
束経路３０４が、制御巻線窓３１４の周囲の各積
層板面３０３に形成されている。スタツク３０５
内の隣接する積層板は、制御磁束経路３０４の漸
増する長さを有する。このことは、第１２図に図
示の如く、矢印３１２の方向に隣接する積層の奥
行きを徐々に増大し、それによつて磁束経路の磁
気抵抗を増分することによつて得られる。各積層
板は同じ厚さを有すると共に、制御磁束経路３０
４に垂直な方向にほぼ一定の幅３０２を有してい
ることが望ましい。一例として、積層板３０１
は、0.0001から0.001インチの厚さを有するミユ
ーメタルHiMu80パーマロイ、または無定形金属
からできていてもよい。変換巻線を収容する溝３
１５は、変換間隔面３０８の内部に設けられる。
積層板３０１の奥行きは、磁束経路長の上記所望
の増分を得るため、線形、指数関数的または、い
ずれの他の所望の関係で増分されてもよい。本実
施例では、前出の本発明による変換器の実施例に
おいて既に説明したような理由により、変換器幅
Ｗに渡る隣接する断面積３０３間に所望の急勾配
の透磁率対磁束密度勾配を得るよう指数関数的増
分が与えられている。積層板３０１は、第８図か
ら第１１図の上記実施例と同じ態様で互いに接着
されている。結果の半コアスタツク３０５が第１
３図に図示してある。二つの対応するスタツク３
０５，３０５ａは、第８図から第１１図の上記実
施例で既に説明したのと同じ技術を利用して、そ
れらの各変換間隔面３０８を接すると共に、非磁
気的変換間隔形成物質をその間に配置させて組立
てられ、第１４図に図示の如く互いに接合されて
いる。第１４図から変換間隔のそれぞれの側の相
対するコア積層は、下記の如く反対に向けられて
いることが判る。これらのコアスタツクは、各コ
ア３０５，３０５ａの制御磁束経路長３０４が変
換器幅Ｗに渡つて反対方向に増分するように組立
てられている。これらの漸増する磁束経路長は、
例えば第１４図のハツチングした部分３５３およ
び３５４に図示の如く、変換間隔３０７の相対す
る側の面３０６に差動的飽和を得るように働く。
飽和領域３５３，３５４の各幅W1，W2は所望の
幅W0を有する高透磁変換領域３３３が第１４図
に関する上記説明と同様、重り合う不飽和領域に
より面３０６に得られるよう選択されている。 第１４図に図示の如く、各制御巻線３３１，３
３２は、制御巻線窓３１４，３１４ａを通り各コ
ア半体３０５，３０５ａの回りに、好ましくは変
換面３０６，３０６ａ付近に巻かれる。変換信号
巻線３３４は、組立てられたコア３０５，３０５
ａの回りに変換巻線窓３１５を通して巻かれる。
変換領域３３３は、例えば先に第３Ａ図に関して
説明したのと同じ制御回路を利用して変換器の幅
Ｗに渡り走査することができる。 第１２図から第１４図の変換器構造体の設計変
更例について、第１５図から第１６図を参照しな
がら以下説明する。第１５図は、モノリシツク前
面コア３２０および積層裏面コア（スタツク）３
２１とを有する点で第１３図上の上記コア３０５
とは異なる複合ヘツドコア３１８の一方のコア半
体を示したものであるが、前記モノリシツク前面
コア３２０および前面コア３２０および前記積層
裏面コア３２１は、例えば対向する面３２５，３
２７でエポキシ接着することによつて一体に接合
され、空間が除去される。前記前面コア３２０
は、例えばPS52Bのような強磁性体ブロツクで
できていてもよい。溝３２２が前面コア３２０の
変換間隔面３２３の内部に設けられ、変換巻線窓
が得られる。積層裏面コア３２１は、前面３２５
の内部に広がる開放制御巻線窓３２４を有する外
は第１２図から第１４図で既に説明したのと同じ
態様で、複数の個々のＵ型積層板３２６から形成
される。各積層板は、第１２図で既に説明したよ
うに、また第１６図に図示したように積層板面に
延びる制御磁束経路３３５に垂直な方向にほぼ一
定の幅３２９を有する。第１４図の実施例の場合
と同様、隣接する積層板は方向３２７に漸増する
奥行きを有すると共に、反対側に増分する制御磁
束経路長を得、よつて変換器幅Ｗに渡り、反対に
増分する磁気抵抗を各コア３１８，３１９内に得
る。その増分は線形でもよいが、望ましくは指数
関数的になつており、前出の実施例で既に述べた
ように透磁率／磁束密度勾配を最大にする。一体
に接合された前出コア３２０およびスタツク３２
１は、第１６図の３３５に図示の如く密閉低磁気
抵抗制御磁束経路を形成している。スタツク３２
１の各裏面コア積層板は、互いに物理的に密接し
ていて、磁気損失を低減する。更に反対に向けら
れた相対するコア３１８，３１８ａのアセングリ
および前記各コアへの変換ならびに制御巻線の備
え付けは上記第１２図から第１４図と同じなの
で、ここではその説明を省略する。上記説明から
第１２図から第１６図の実施例において、積層の
ほぼ一定の断面積が制御磁束経路に垂直な方向に
保持されると共に、制御磁束経路の長さは差動的
に、すなわち対向するコア３１８，３１８ａの反
対方向に漸増することになる。変換器面３０６，
３０６ａが、他の磁気コア部分を飽和する前に必
ず飽和状態となるよう、第１２図から第１６図の
実施例においては、面３０６，３０６ａに沿う磁
束経路３０４の幅３２９が該磁束経路のその他の
部分に沿う幅より、僅かに狭くつくられているこ
とが望ましい。第１５図、第１６図の実施例の別
の利点としては、モノリシツク前面コア３２０が
裏面コア３２１と異なる物質でできていてもよい
ことである。例えば前面コア材は、変換間隔面に
垂直に磁化容易軸の向けられた磁気異方性を有
し、変換領域の規定を更に増大することができ
る。反対方向に漸増する制御磁束経路長を有する
反対に向けられた相対コア３０５，３０５ａの漸
次飽和は、第４図の実施例の反対に向けられたく
さび形部分の飽和と類似していることが、第４図
の実施例との比較により判る。その結果、第１２
図から第１６図の実施例および第４図の実施例と
の動作は、変換器面が変換間隔の相対する側で差
動的に飽和されるという点と、変換器幅に沿つて
連続的に移動、すなわち走査することのできる高
透磁変換領域が形成されるという点で類似してい
る。しかしながら、第１２図から第１６図の実施
例では、前記実施例におけるようにその部分のみ
飽和するのではなく、面３０６，３０６ａを含む
全積層面が飽和されるという点で異なる。上記実
施例の積層コアは、製造上の便宜を考えて、特
に、指数関数的に増分する断面積を有するような
所望のコア形状が容易に得られるよう設けられた
ものであることが判る。その結果、該コアの磁気
的積層板は、互いに物理的に接していると共に、
それらの間に何らの磁気的、または電気的絶縁を
設ける必要もない。 本発明の別の実施例について、第１７図から第
２５図を参照しながら説明する。ここでは、各対
向するコアを通り変換器面および変換間隔双方に
ごく接近してそれぞれ延びる導電駆動線３６８，
３６８ａ形式の制御巻線によつて前記面部分の飽
和が行なわれる。この実施例では、非磁性的導電
積層板３６３によつて互いに磁気回路の隔絶され
た離散的磁気的積層板３６１が走査変換器の半コ
ア３６０に備え付けられている。前記積層３６３
は、駆動線３６８に導電的に接続されており、二
つの導電積層板のそれぞれと、およびそれらの間
にある駆動線の一部とによつて、磁気的積層板３
６１を回る電流の一巻きが構成されている。各磁
気的積層板は、周囲の導電積層板とによつてそれ
を通して延びる駆動線の対応する部分とに対し
て、制御電流を与えることによつて、飽和される
ようになる。変換トラツク領域は、一つ以上の不
飽和積層板によつて得られると共に以下詳細に説
明するように、電流の巻きを構成する導電積層板
をオン／オフに切換えることによつて変換器の幅
に沿つて走査、すなわち移動することができる。
変換器面を飽和する外に、本実施例には、先行技
術による変換器よりも、変換器面に渡り急勾配の
階段上透磁率／磁束密度勾配が得られるという別
の利点がある。その特性は、以下詳細に説明する
ように、磁気積層材の透磁率対磁束密度特性とは
実際上関係がない。 透磁性積層板３６１が重ねられ、導電積層板３
６３間に挿入された変換器コア半体の一方３６０
の分解図が第１７図に示してある。好ましくは、
電気絶縁物質、例えば厚さ0.0001インチの二酸化
ケイ素から成る層３６２が各磁気的積層板３６１
の各プレーナ面にスパツタされ、前記導電積層板
３６３から、それらを電気的に絶縁する。各導電
積層板３６３はリード線３６４を有しているが、
該リード線は、例えば変換器面３６５と反対側の
その裏面部にはんだ付けすることによつてそこに
取り付けられる一例として、前記磁気的積層板
は、厚さ0.001インチのミユーメタルHiMu80ま
たは無定形金属からできており、かつ前記導電積
層板は、厚さ0.0005インチの銅でできている。各
積層板３６１，３６３は、その中に重なり合う開
口３６６，３６７を有しており、各積層板３６３
にはんだ付け等により導電的に接続されてはいる
が、磁気的積層からは、電気的に接続されてはい
るが、磁気的積層からは電気的に絶縁された導電
駆動線３６８を収容する。 第１８図は、第１７図の組立てられた積層半コ
アスタツク３６０の平面図である。第１９図は、
第１８図の線Ａ−Ａに沿つて描かれた積層スタツ
ク３６０の断面図と、および前記スタツクに接続
される積層スイツチング回路３７１のブロツク図
とを示すものである。第２０図に図示の如く、望
ましくは二つの全く同じ導電積層スイツチング回
路３７１，３７１ａを利用するので、一方の回路
３７１のみを第１９図に詳細に図示すると共に、
以下その説明を行なう。第１９図から判るよう
に、導電駆動線３６８の一端は、制御電流源３７
２の一方の磁極に接続されてはいるが、該電流源
のもう一方の磁極は、アースされている。各リー
ド線３６４は、導電積層スイツチング回路３７１
の複数の出力３９９の一つに接続されている。一
例として、導電積層スイツチング回路３７１は、
アツプ／ダウンカウンタ４３０と、プログラム可
能な読出し専用記憶装置（PROM）４３３とお
よびトランジスタ４３４と、電流設定コレクタ抵
抗４３５とおよびベース抵抗４３６とをそれぞれ
有する。複数のトランジスタスイツチによつて構
成されている。アツプ／ダウンカウンタ４３０
は、クロツク信号入力４３７と方向信号入力４３
８と、プリセツト入力Ｐ１からPn４２８と、負
荷入力４３９と、および複数の出力Ｑ１からQn
４３１とを有している。各出力４３１は、
PROM４３３の一方の入力４３２に接続されて
いる。PROM４３３は、複数の出力Ｄ１からDn
４４０を有しているが、前記複数の出力は、それ
ぞれ前記アレー４２９の一方のスイツチ４３４の
ベース抵抗４３６に接続されている。各コレクタ
抵抗４３５は、リード線３６４を介して一方の導
電積層３６３にそれぞれ接続されている。各トラ
ンジスタ４３４のエミツタは、アースされる。 二つの対応するコア半体３６０，３６０ａの接
合によつて得られた磁気変換器３７８の電磁制御
走査が第２０図に図示されている。適当な非磁性
体、例えば二酸化ケイ素から成る変換間隔３８１
が、周知の間隔形成技術を利用して二分されたコ
ア３６０，３６０ａの一方または双方の変換間隔
面３８０上に設けられている。各コア半体３６
０，３６０ａは、下記の如く逆対称的に共に組立
てられている。該コア半体は、矢印３５７で図示
の如く、一方のコア半体をもう一方のコア半体に
対して180度回転することによつて反転され、電
流源３７２，３７２ａに接続された導電ロツド３
６８，３６８ａの各端部が互いに対して反転され
る、すなわち変換器幅Ｗに渡つて反対側に位置決
めされる。変換信号巻線３８２，３８２ａが前記
コア半体の回りに巻線窓３８３を介して巻かれ、
記録／再生信号巻線として使用される。各コア半
体３６０，３６０ａの各導電積層板３６３，３６
３ａは、各積層スイツチング回路３７１，３７１
ａを介して電流源３７２，３７２ａと結合され、
以下説明するように、各コア半体の選択された積
層板面を逐次磁気飽和させる。 次に、第２０図の本発明による走査変換器の一
動作例について第２１図から第２５図を参照しな
がら説明する。第２１図では、カウンタ４３０，
４３０ａのクロツク入力４３７，４３７ａに、所
望の積層スイツチング周波数に対応する周波数を
有するクロツク信号Ａが受信される。一方のカウ
ンタ、例えば４３０の入力４３８には方向信号Ｂ
が受信されると共に、もう一方のカウンタ、例え
ば４３０ａには前記信号Ｂに対して反対の極性を
有する方向信号Ｄが受信される。前記カウンタの
一方は、もう一方のカウンタのプリセツトカウン
ト値とは異なる初期カウント値に４２８でプリセ
ツトされ、第２１図に図示の如く、線間隔ｚに対
応するオフセツトカウント値を得る。一方のカウ
ンタ、例えば４３０が第２１図のＣに図示の如く
カウントアツプすると、もう一方のカウンタ４３
０ａはそれと同時に同図Ｅに図示の如く、カウン
トダウンする。PROMの４３３，４３３ａは、
例えば下記の表１に図示の如く、カウンタ４３
０，４３０ａの出力４３１で得られた逐次的二進
カウント値を出力４４０の逐次的出力信号に変換
するようプログラムされている。
【表】
第１９図から明らかなように、４４０における
出力Ｄ１からDnのいずれかが作動されると、そ
こに接続されている特定のトランジスタスイツチ
４３４から４３６がオンに切換えられ特定の導電
積層板３６３をリード線３６４の一部を介して電
流源へ接続すると共に、アースへと接続する。ス
タツク３６０の最上部にある最上導電積層板３６
３が電流源３７２に接続されると、第１の磁気的
積層板３６１には制御電流巻線が巻かれることが
判る。次のトランジスタスイツチが、方向３５１
に作動すると、第１および第２の磁気的積層板３
６１の双方に電流巻線が巻かれるようにし、スタ
ツクの全磁気的積層板に前記電流巻線が巻かれた
時、前記スタツクの最下部の積層板が前記回路に
切換られる。制御電流を流れさす巻線が巻かれた
各磁気的積層板には、第１８図の磁束３７６によ
つて図示されたように、駆動線３６８の回りに磁
束が誘起される。駆動線３６８の制御電流の大き
さは、各周辺積層板の一部を飽和するのに十分と
なるよう選択されている。該飽和部分は、第１８
図および第２０図のハツチングした部分３７７に
図示してあるように、変換器面３６５と、変換間
隔面３８０とおよび駆動線３６８とによつて定め
られた範囲に渡つて広がつている。 第２Ａ図および第４図の前記実施例と比較して
みると第１９図の変換器面３６５および変換間隔
面３８０双方に対する比較的接近した駆動線３６
８の場所は、第２Ａ図およ第４図のコア２１内の
巻線部分５１の場所と類似していることが判る。
しかしながら、前記実施例では、各コア内の変換
器面の漸次飽和が、変換器面ならびに間隔面それ
ぞれに対する制御巻線部分５１の選択された角度
づけによつてかつ制御巻線に与えられる制御電流
の大きさを選択的に変えることによつて得られる
のに対し、本実施例では、導電駆動線によつて、
電流巻線の巻かれたそれらの磁気的積層板の変換
器面のみが飽和されることにより、変換器の飽和
領域が得られるという点で異なつている。前記飽
和領域は、制御電流を駆動線の異なる部分に切換
えることによつて変換器幅に渡り移動、すなわち
走査される。駆動線３６１の面３０６を該積層板
の他の更に離れた部分を飽和させる前に飽和させ
るため、駆動線３６８は、変換器面３０６および
間隔面３８０に比較的接近して、かつそこからほ
ぼ等間隔に配置されることが望ましい。第２０図
では、変換器幅Ｗにかかる変換領域３８６の走査
を得るため、一方のスイツチング回路、例えば３
７１がある方向、例えば矢印３５１の示す方向に
切換えられると共に、もう一方のスイツチング回
路３７１ａはそれと同期して反対方向３５２に切
換えられる。それによつて、電流源３７２からの
制御電流I1が第１９図で説明したように、一方の
コア半体３６０の導電積層板３６３に逐次与えら
れる。もう一方のスイツチング回路３７１ａは、
電流源３７２ａからの電流I2をもう一方のコア半
体３６０ａの導電積層板３６３ａに逐次与える。
このように、切換えられた制御電流I1，I2は、変
換器幅に渡つて対向する二分されたコアの面部分
を反対方向に漸次飽和させると共に、各コアの活
性的導電積層板の数は反対側に、かつ線形に変化
し、一定した変換領域幅を保持する。カウンタの
一方をもう一方のカウンタに対して予設定するこ
とによつて得られる前記カウンタオフセツトＺに
よつて、各スタツクの一つ以上の積層板がいつで
も不飽和のままとなり所望の一定幅W0を有して
変換間隔３８１に渡つて重なり合う変換領域３８
６を得ることが保証される。 第２２図から第２５図を参照しながら、第１７
図から第２０図の走査変換器の動作について説明
する。第２２図は、第２０図の二分されたコアの
一方３６０の面部分３６５を90度だけ回転した正
面図である。飽和部分３７７はハツチングして示
してある。第６図から第７Ｂ図の前記特性と比較
しやすいように、一例として積層板３６１には同
じ磁性体、望ましくはミユーメタルHiMu80が選
択されている第２３図には、第２２図の変換器面
の部分３６５の磁束密度(B)対透磁率（ｍ）特性３
８７が示してある。第２３図から、本実施例には
変換器幅Ｗに渡り急激な階段状の透磁率／磁束密
度勾配が得られるという利点のあることが判る。
前記の特徴は、各積層板を各制御電流巻線で別個
に「巻く」ことにある。その結果、磁気的積層板
を取り囲む特定の電流巻線に制御電流が供給さ
れ、その面部分を飽和させると共に、その制御電
流をターンオフされた隣接する磁気的積層板は、
いかなる制御磁束もそこに誘起させない。よつ
て、磁束密度対透磁率の所望の急激な変化が、前
記面部分の隣接する不飽和および飽和領域間に生
ずるが、該変化は、磁気的積層材の透磁率対磁束
密度特性とは実際上関係がない。第２４図は、第
２０図に図示の反対に向けて組立てられたコア半
体３６０，３６０ａの面部分３６５，３６５ａの
90度だけ回転した正面図である。反対の向きによ
つて、各コア半体の各制御電流は、変換器幅に渡
つて、反対方向に切換えられ、第２０図で説明し
たように変換間隔３８１の反対側にある変換器面
を差動的に飽和させることが判る。第２５図は、
第２３図の特性が二つ重畳された、反対の向きの
特性３８７，３８７ａを図示しているが、該特性
のそれぞれは、第２４図のコア半体３６０，３６
０ａの一方の特性を示している。結果の良好に定
められた高透磁変換領域３８６が前記重畳された
特性間の領域によつて、図示されたように得られ
る。 以上、明らかなように、本実施例における変換
器幅Ｗに沿う変換領域３８６の走査、すなわち移
動は、変換器幅に渡り離散的段階で行なわれる
が、前記各段階は、磁気的積層板導電積層板およ
び絶縁層のそれぞれが組合わされた、厚さに対応
することが判る。更に、スイツチング回路３７
１，３７１ａの別の実施例も可能であることが判
る。例えば、第１９図の回路４２９，４３０およ
び４３３の代わりに、それぞれが、一つの導電積
層板に接続された端子を有する複数の抵抗（図示
せず）を利用して積層の切換えを行なうこともで
きる。各コア半体の隣接する積層板に接続された
抵抗の値は、変換器幅に渡つて反対方向に増分さ
れる前記各コアの抵抗のもう一方の端子は、可変
電圧源の一方の磁極に接続されると共に、前記可
変電圧源のもう一方の反対の磁極は、導電駆動線
の一端に接続される。各コア半体の電圧を反対方
向に変更することによつて、反対側スタツクの後
続の積層板が、第１７図から第２５図の実施例で
説明したように、逐次差動的に飽和されるように
なる。更に別の実施例として、第２１図のＢおよ
びＥに図示の如く、両方向に対称的に変換領域を
走査する（但し、各時間間隔I1，I2は等しい）代
わりに、一方の間隔をもう一方の間隔に対して短
縮することも可能である。よつて、一方向の比較
的長い走査間隔と、他方向の走差領域の急速な戻
りとを、スイツチング回路３７１，３７１ａのタ
イミングをしかるべく調整することによつて得る
ことができる。
出力Ｄ１からDnのいずれかが作動されると、そ
こに接続されている特定のトランジスタスイツチ
４３４から４３６がオンに切換えられ特定の導電
積層板３６３をリード線３６４の一部を介して電
流源へ接続すると共に、アースへと接続する。ス
タツク３６０の最上部にある最上導電積層板３６
３が電流源３７２に接続されると、第１の磁気的
積層板３６１には制御電流巻線が巻かれることが
判る。次のトランジスタスイツチが、方向３５１
に作動すると、第１および第２の磁気的積層板３
６１の双方に電流巻線が巻かれるようにし、スタ
ツクの全磁気的積層板に前記電流巻線が巻かれた
時、前記スタツクの最下部の積層板が前記回路に
切換られる。制御電流を流れさす巻線が巻かれた
各磁気的積層板には、第１８図の磁束３７６によ
つて図示されたように、駆動線３６８の回りに磁
束が誘起される。駆動線３６８の制御電流の大き
さは、各周辺積層板の一部を飽和するのに十分と
なるよう選択されている。該飽和部分は、第１８
図および第２０図のハツチングした部分３７７に
図示してあるように、変換器面３６５と、変換間
隔面３８０とおよび駆動線３６８とによつて定め
られた範囲に渡つて広がつている。 第２Ａ図および第４図の前記実施例と比較して
みると第１９図の変換器面３６５および変換間隔
面３８０双方に対する比較的接近した駆動線３６
８の場所は、第２Ａ図およ第４図のコア２１内の
巻線部分５１の場所と類似していることが判る。
しかしながら、前記実施例では、各コア内の変換
器面の漸次飽和が、変換器面ならびに間隔面それ
ぞれに対する制御巻線部分５１の選択された角度
づけによつてかつ制御巻線に与えられる制御電流
の大きさを選択的に変えることによつて得られる
のに対し、本実施例では、導電駆動線によつて、
電流巻線の巻かれたそれらの磁気的積層板の変換
器面のみが飽和されることにより、変換器の飽和
領域が得られるという点で異なつている。前記飽
和領域は、制御電流を駆動線の異なる部分に切換
えることによつて変換器幅に渡り移動、すなわち
走査される。駆動線３６１の面３０６を該積層板
の他の更に離れた部分を飽和させる前に飽和させ
るため、駆動線３６８は、変換器面３０６および
間隔面３８０に比較的接近して、かつそこからほ
ぼ等間隔に配置されることが望ましい。第２０図
では、変換器幅Ｗにかかる変換領域３８６の走査
を得るため、一方のスイツチング回路、例えば３
７１がある方向、例えば矢印３５１の示す方向に
切換えられると共に、もう一方のスイツチング回
路３７１ａはそれと同期して反対方向３５２に切
換えられる。それによつて、電流源３７２からの
制御電流I1が第１９図で説明したように、一方の
コア半体３６０の導電積層板３６３に逐次与えら
れる。もう一方のスイツチング回路３７１ａは、
電流源３７２ａからの電流I2をもう一方のコア半
体３６０ａの導電積層板３６３ａに逐次与える。
このように、切換えられた制御電流I1，I2は、変
換器幅に渡つて対向する二分されたコアの面部分
を反対方向に漸次飽和させると共に、各コアの活
性的導電積層板の数は反対側に、かつ線形に変化
し、一定した変換領域幅を保持する。カウンタの
一方をもう一方のカウンタに対して予設定するこ
とによつて得られる前記カウンタオフセツトＺに
よつて、各スタツクの一つ以上の積層板がいつで
も不飽和のままとなり所望の一定幅W0を有して
変換間隔３８１に渡つて重なり合う変換領域３８
６を得ることが保証される。 第２２図から第２５図を参照しながら、第１７
図から第２０図の走査変換器の動作について説明
する。第２２図は、第２０図の二分されたコアの
一方３６０の面部分３６５を90度だけ回転した正
面図である。飽和部分３７７はハツチングして示
してある。第６図から第７Ｂ図の前記特性と比較
しやすいように、一例として積層板３６１には同
じ磁性体、望ましくはミユーメタルHiMu80が選
択されている第２３図には、第２２図の変換器面
の部分３６５の磁束密度(B)対透磁率（ｍ）特性３
８７が示してある。第２３図から、本実施例には
変換器幅Ｗに渡り急激な階段状の透磁率／磁束密
度勾配が得られるという利点のあることが判る。
前記の特徴は、各積層板を各制御電流巻線で別個
に「巻く」ことにある。その結果、磁気的積層板
を取り囲む特定の電流巻線に制御電流が供給さ
れ、その面部分を飽和させると共に、その制御電
流をターンオフされた隣接する磁気的積層板は、
いかなる制御磁束もそこに誘起させない。よつ
て、磁束密度対透磁率の所望の急激な変化が、前
記面部分の隣接する不飽和および飽和領域間に生
ずるが、該変化は、磁気的積層材の透磁率対磁束
密度特性とは実際上関係がない。第２４図は、第
２０図に図示の反対に向けて組立てられたコア半
体３６０，３６０ａの面部分３６５，３６５ａの
90度だけ回転した正面図である。反対の向きによ
つて、各コア半体の各制御電流は、変換器幅に渡
つて、反対方向に切換えられ、第２０図で説明し
たように変換間隔３８１の反対側にある変換器面
を差動的に飽和させることが判る。第２５図は、
第２３図の特性が二つ重畳された、反対の向きの
特性３８７，３８７ａを図示しているが、該特性
のそれぞれは、第２４図のコア半体３６０，３６
０ａの一方の特性を示している。結果の良好に定
められた高透磁変換領域３８６が前記重畳された
特性間の領域によつて、図示されたように得られ
る。 以上、明らかなように、本実施例における変換
器幅Ｗに沿う変換領域３８６の走査、すなわち移
動は、変換器幅に渡り離散的段階で行なわれる
が、前記各段階は、磁気的積層板導電積層板およ
び絶縁層のそれぞれが組合わされた、厚さに対応
することが判る。更に、スイツチング回路３７
１，３７１ａの別の実施例も可能であることが判
る。例えば、第１９図の回路４２９，４３０およ
び４３３の代わりに、それぞれが、一つの導電積
層板に接続された端子を有する複数の抵抗（図示
せず）を利用して積層の切換えを行なうこともで
きる。各コア半体の隣接する積層板に接続された
抵抗の値は、変換器幅に渡つて反対方向に増分さ
れる前記各コアの抵抗のもう一方の端子は、可変
電圧源の一方の磁極に接続されると共に、前記可
変電圧源のもう一方の反対の磁極は、導電駆動線
の一端に接続される。各コア半体の電圧を反対方
向に変更することによつて、反対側スタツクの後
続の積層板が、第１７図から第２５図の実施例で
説明したように、逐次差動的に飽和されるように
なる。更に別の実施例として、第２１図のＢおよ
びＥに図示の如く、両方向に対称的に変換領域を
走査する（但し、各時間間隔I1，I2は等しい）代
わりに、一方の間隔をもう一方の間隔に対して短
縮することも可能である。よつて、一方向の比較
的長い走査間隔と、他方向の走差領域の急速な戻
りとを、スイツチング回路３７１，３７１ａのタ
イミングをしかるべく調整することによつて得る
ことができる。
第１Ａ図は先行技術による電磁制御走査動作を
伴なわない磁気変換器の動作を示す斜視図であ
る。第１Ｂ図は第１Ａ図の変換器によつて記録さ
れたテープ上の磁気粒子の方向を示す図である。
第１Ｃ図は本発明による電磁制御走査磁気変換器
の動作原理を示す斜視図である。第１Ｄ図は第１
Ｃ図の本発明による変換器の正面立面図である。
第１Ｅ図および第１Ｆ図は、第１Ｃ図の本発明に
よる変換器の種々の動作モードを示す図である。
第２Ａ図は本発明の好適な実施例による電磁制御
走査磁気変換器の簡略化された斜視図である。第
２Ｂ図、第２Ｃ図および第２Ｄ図は本発明による
変換器を利用する際得られる種々の記録型式をそ
れぞれ示す図である。第３Ａ図は本発明による変
換器の駆動に利用される制御回路図である。第３
Ｂ図は第３Ａ図の回路によつて得られた制御電圧
対制御電流特性を示す図である。第４図は第２Ａ
図に図示の本発明による変換器を詳細に示す図で
ある。第５図は第４図の本発明による変換器の可
飽和くさび形部分の拡大斜視図である。第６図は
周知の弾性体の磁束密度対透磁率特性の一例を示
す図である。第７Ａ図は90度だけ回転された第４
図の本発明による変換器の反対側に向けられた可
飽和くさび形部分の正面立面図である。第７Ｂ図
は第７Ａ図の一方の可飽和くさび形部分にそれぞ
れ対応する第６図の磁束密度対透磁率特性が二つ
重量された図である。第８図、第９図、第１０図
および第１１は第２Ａ図および第４図の本発明に
よる変換器の好適な製造方法を示す図である。第
１２図、第１３図、第１４図、第１５図および第
１６図は本発明の別の好適な実施例を示す図であ
る。第１７図、第１８図、第１９図および第２０
図は本発明の別の実施例を示す図である。第２１
図、第２２図、第２３図、第２４図および第２５
図は第１７図から第２０図の実施例の動作をそれ
ぞれ示す図である。 図で８および９は制御手段、２０は磁気変換
器、２１および２２は二分された磁気コア２３は
変換間隔面、２４は変換巻線窓、２５は変換巻
線、２６は変換間隔、２７および２８は磁気面、
３１および３２は開口、３８および３９は制御巻
線、４０および４６は重なり合う不飽和高透磁領
域、４９および５０はくさび形部分、５１および
５２は巻線部分、５４は制御回路、５６は変換領
域、５７および５８は飽和部分、７２は磁気的積
層板を示す。
伴なわない磁気変換器の動作を示す斜視図であ
る。第１Ｂ図は第１Ａ図の変換器によつて記録さ
れたテープ上の磁気粒子の方向を示す図である。
第１Ｃ図は本発明による電磁制御走査磁気変換器
の動作原理を示す斜視図である。第１Ｄ図は第１
Ｃ図の本発明による変換器の正面立面図である。
第１Ｅ図および第１Ｆ図は、第１Ｃ図の本発明に
よる変換器の種々の動作モードを示す図である。
第２Ａ図は本発明の好適な実施例による電磁制御
走査磁気変換器の簡略化された斜視図である。第
２Ｂ図、第２Ｃ図および第２Ｄ図は本発明による
変換器を利用する際得られる種々の記録型式をそ
れぞれ示す図である。第３Ａ図は本発明による変
換器の駆動に利用される制御回路図である。第３
Ｂ図は第３Ａ図の回路によつて得られた制御電圧
対制御電流特性を示す図である。第４図は第２Ａ
図に図示の本発明による変換器を詳細に示す図で
ある。第５図は第４図の本発明による変換器の可
飽和くさび形部分の拡大斜視図である。第６図は
周知の弾性体の磁束密度対透磁率特性の一例を示
す図である。第７Ａ図は90度だけ回転された第４
図の本発明による変換器の反対側に向けられた可
飽和くさび形部分の正面立面図である。第７Ｂ図
は第７Ａ図の一方の可飽和くさび形部分にそれぞ
れ対応する第６図の磁束密度対透磁率特性が二つ
重量された図である。第８図、第９図、第１０図
および第１１は第２Ａ図および第４図の本発明に
よる変換器の好適な製造方法を示す図である。第
１２図、第１３図、第１４図、第１５図および第
１６図は本発明の別の好適な実施例を示す図であ
る。第１７図、第１８図、第１９図および第２０
図は本発明の別の実施例を示す図である。第２１
図、第２２図、第２３図、第２４図および第２５
図は第１７図から第２０図の実施例の動作をそれ
ぞれ示す図である。 図で８および９は制御手段、２０は磁気変換
器、２１および２２は二分された磁気コア２３は
変換間隔面、２４は変換巻線窓、２５は変換巻
線、２６は変換間隔、２７および２８は磁気面、
３１および３２は開口、３８および３９は制御巻
線、４０および４６は重なり合う不飽和高透磁領
域、４９および５０はくさび形部分、５１および
５２は巻線部分、５４は制御回路、５６は変換領
域、５７および５８は飽和部分、７２は磁気的積
層板を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電磁的に制御される磁気変換器において、対
応するコア部分を有し、変換ギヤツプを規定する
よう磁極が変換ギヤツプ面に接するようにした磁
気コアと、各前記コア部分とそれぞれ関連し、前
記変換ギヤツプに近接する面部分を選択的に飽和
させるための制御手段とを有し、各前記飽和部分
は隣接不飽和高透磁面部分を規定し、この高透磁
面部分は高透磁変換領域を定めるように上記変換
ギヤツプを横切つて重なつたことを特徴とする磁
気変換器。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の磁気変換器にお
いて、前記磁気コアに係合する変換巻線を含んだ
ことを特徴とする磁気変換器。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の磁気変換器にお
いて、前記変換ギヤツプは前記変換器の幅の方向
に伸びる幅を有し、各前記制御手段は、一方の前
記コア部分の幅に渡つて伸びかつ制御電流を受け
るよう接続されて、前記面部分を選択的に飽和さ
せる制御巻線を具備することを特徴とする上記磁
気変換器。 ４ 特許請求の範囲第３項記載の磁気変換器にお
いて、前記制御電流を前記制御巻線に与える電流
印加手段を具備していることを特徴とする上記磁
気変換器。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の磁気変換器にお
いて、前記電流印加手段は一定の大きさの前記制
御電流を与えて、前記変換領域を所定の位置なら
びに一定の幅に保持するようにしたことを特徴と
する上記磁気変換器。 ６ 特許請求の範囲第４項記載の磁気変換器にお
いて、前記電流印加手段は前記制御電流の大きさ
を変化し、それによつて前記飽和面部分のそれぞ
れの幅を変えるよう結合されていることを特徴と
する上記磁気変換器。 ７ 特許請求の範囲第６項記載の磁気変換器にお
いて、前記電流印加手段は上記制御電流の大きさ
を直線的にかつ互いに対して反対の向きに変化さ
せると共に前記制御電流を一定の和に維持し、前
記変換領域の場所を変化せしめてその幅を一定に
保持するようにしたことを特徴とする上記磁気変
換器。 ８ 特許請求の範囲第７項記載の磁気変換器にお
いて、前記電流印加手段は上記制御電流の大きさ
を周期的に変化して前記変換ギヤツプ幅の方向へ
の前記変換領域の周期的走査を得るようにしたこ
とを特徴とする上記磁気変換器。 ９ 特許請求の範囲第６項記載の磁気変換器にお
いて、前記電流印加手段は前記制御電流の大きさ
の和を変化させ、前記変換領域幅を前記変換ギヤ
ツプ幅の方向に変化させる手段を含んだことを特
徴とする上記磁気変換器。 １０ 特許請求の範囲第３項記載の磁気変換器に
おいて、各前記制御巻線は前記変換ギヤツプ面お
よび前記変換器面それぞれに対して反対方向に配
向せしめられた角度関係で各コア部分を横切つて
延び、前記変換ギヤツプに隣接した反対方向に配
向せしめられたくさび形断面の形の選択的かつ差
動的に飽和されるコア部分を得るようにし、前記
各くさび形断面は前記変換ギヤツプのいずれかの
側でかつその幅に沿つて反対方向に漸増する断面
積となつていることを特徴とする上記磁気変換
器。 １１ 特許請求の範囲１０項記載の磁気変換器に
おいて、前記の各対向する磁気コアは一つの前記
制御巻線を収容する開口を有していることを特徴
とする上記磁気変換器。 １２ 特許請求の範囲第１１項記載の磁気変換器
においては、前記開口は前記変換器の幅に渡つて
ほぼ線形の経路で延びていることを特徴とする上
記磁気変換器。 １３ 特許請求の範囲第１１項記載の磁気変換器
において、前記開口は前記変換器の幅に渡つてほ
ぼ指数関数的形状の経路で延びていることを特徴
とする上記磁気変換器。 １４ 特許請求の範囲第１０項記載の磁気変換器
において、前記漸増断面積はほぼ矩形となつてお
り、かつそれぞれ前記変換ギヤツプ面および前記
変換器面の双方に対して直角に伸びることを特徴
とする上記磁気変換器。 １５ 特許請求の範囲第１１項記載の磁気変換器
において、前記の各対向する磁気コア部分は複数
の積み重ねられた磁気積層体によつて構成されて
おり、かつ前記各積層体は前記制御巻線を収容す
る開口を有しており、前記開口は各積み重ねの隣
接する積層体で反対方向に漸次変位されて前記反
対方向に配向せしめられた角度関係を得るように
なつたことを特徴とする上記磁気変換器。 １６ 特許請求の範囲第１５項記載の磁気変換器
において、前記各コアの前記磁気積層体は互いに
物理的接触関係にあることを特徴とする上記磁気
変換器。 １７ 特許請求の範囲第１５項記載の磁気変換器
において、前記開口はほぼ線形の経路を形成する
ように変位されることを特徴とする上記磁気変換
器。 １８ 特許請求の範囲第１５項記載の磁気変換器
において、前記開口はほぼ指数関数的形状の経路
を形成するように変位されることを特徴とする上
記磁気変換器。 １９ 特許請求の範囲第３項記載の磁気変換器に
おいて、前記の各対向する磁気コア部分は前記変
換ギヤツプ面および前記変換器面双方に対してほ
ぼ直角に延びると共に、それぞれが変換器幅に沿
つて反対方向に漸増する磁気抵抗を有する制御磁
束経路を与えることを特徴とする上記磁気変換
器。 ２０ 特許請求の範囲第１９項記載の磁気変換器
において、前記各コア部分は前記制御巻線を収容
するための、中央制御巻線窓を有しており、前記
制御磁束経路は前記中央制御巻線窓によつて定め
られるほぼ一定の幅を有しており、かつ前記漸増
磁気抵抗は漸増する長さを、前記反対方向に有す
る前記磁束経路を与えることによつて得られるこ
とを特徴とする上記磁気変換器。 ２１ 特許請求の範囲第２０項記載の磁気変換器
において、前記の各対向する磁気コア部分は前記
漸増磁束経路長を得るため、前記変換器幅に沿つ
て反対方向に増大する漸増深さを変換ギヤツプの
深さの方向に有することを特徴とする上記磁気変
換器。 ２２ 特許請求の範囲第１９項記載の磁気変換器
において、前記各対向する磁気コア部分はそれぞ
れが前記中央制御巻線窓に対応して密閉された中
央開口を有する複数の磁気的積層体によつて構成
されており、各コアの後続の積層体は、変換ギヤ
ツプの深さ方向に漸増する深さを有し、かつ前記
制御磁束経路は前記積層体の各プレーナ面によつ
て与えられることを特徴とする上記磁気変換器。 ２３ 特許請求の範囲第１９項記載の磁気変換器
において、前記の各対向する磁気コア部分はモノ
リシツク前面コア部分と、それと一体に接合され
ると共にそれぞれが前記中央制御巻線窓に対応す
るほぼＵ型の中央開口を有する複数の磁気的積層
体から成る積層背面コア部分とによつて構成され
ており、かつ前記漸増磁気抵抗は前記反対方向に
漸増深さを有する各コアの後続の積層体を設ける
ことによつて得られることを特徴とする上記磁気
変換器。 ２４ 特許請求の範囲第２３項記載の磁気変換器
において、前記モノリシツク前面コアは変換ギヤ
ツプ面に直角な方向に磁化容易軸を有する磁性体
からなることを特徴とする上記磁気変換器。 ２５ 特許請求の範囲第１９項記載の磁気変換器
において、前記変換器面に沿う前記制御磁束経路
は、前記コアの他の部分に対して比較的狭い幅を
有することを特徴とする上記磁気変換器。 ２６ 特許請求の範囲第３項記載の磁気変換器に
おいて、前記の各対向する磁気コア部分は非磁性
導電積層体によつて、互いに隔離された複数の積
み重ねられた磁性積層体を有しており、各前記制
御巻線は前記変換ギヤツプ面および変換器面部分
それぞれの内部に該変換ギヤツプ面および変換器
面部分それぞれから選択された距離で、前記磁気
コアの幅を横切つて延びる前記導電積層体と導電
的に接続された導電駆動線によつて構成されてお
り、かつ前記各磁気コア部分の導電積層体は、更
に前記制御電流を選択的に与えるよう、前記導電
駆動線にそれぞれ結合され、前記変換器面部分を
選択的に飽和させることを特徴とする上記磁気変
換器。 ２７ 特許請求の範囲第２６項記載の磁気変換器
において、一方の極が前記導電駆動線の一端に結
合された制御電流源と、前記電流源のもう一方の
反対の極に各導電積層体を選択的に接続するスイ
ツチング手段とによつて構成されていることを特
徴とする上記磁気変換器。 ２８ 特許請求の範囲第２７項記載の磁気変換器
において、前記スイツチング手段は一方向の一方
のコア半体の隣接する導電積層体を前記電流源に
逐次接続すると共に、他方向の一方のコア半体の
隣接する導電積層体を前記電流源から逐次遮断す
るよう結合されていることを特徴とする上記磁気
変換器。 ２９ 電磁的に制御される磁気変換器において二
つの対応するコア部分を有し、変換ギヤツプを規
定するよう磁極が該変換ギヤツプ面で当接してい
る磁気コアとそれぞれが前記変換ギヤツプ面およ
び前記変換器面双方に対して反対方向に配向せし
められた角度関係で一方の前記磁気コア部分の幅
を横切つて延びる部分を有する第１および第２の
制御巻線とによつて構成されており、前記第１な
らびに第２の制御巻線部分、前記変換器面ならび
に変換ギヤツプ面とによつて、前記変換器幅を横
切つて前記変換ギヤツプのいずれかの側に反対方
向に漸増する断面積をそれぞれ有する反対に向け
られた可飽和くさび形部分が各前記コア部分内に
定められ、かつ前記第１および第２の制御巻線の
それぞれは、高透磁性変換領域を規定するように
変換ギヤツプを横切つて重なり前記反対方向に向
けられたくさび形部分の隣接不飽和高透磁性部分
を規定する部分を選択的に飽和させる制御電流を
受けるよう結合されていることを特徴とする上記
磁気変換器。 ３０ 特許請求の範囲第２９項記載の磁気変換器
において、前記制御電流を前記制御巻線に与える
電流印加手段を具備したことを特徴とする上記磁
気変換器。 ３１ 特許請求の範囲第２９項記載の磁気変換器
において、前記対向する磁気コア部分はモノリシ
ツク磁性体で構成され、かつ各コアは前記制御巻
線部分の一方を収容する開口をそれぞれ有してい
ることを特徴とする上記磁気変換器。 ３２ 特許請求の範囲第２９項記載の磁気変換器
において、各前記対向する磁気コア部分は、それ
ぞれ前記制御巻線を収容する開口を有する互いに
物理的に接触して積み重ねられた複数の磁気的積
層体で構成されており、かつ前記開口は各積み重
ねの後続の積層体にあつて漸次変位せしめられ前
記の角度関係を得るようにしたことを特徴とする
上記磁気変換器。 ３３ 特許請求の範囲第３２項記載の磁気変換器
において、前記開口は直線的に変位せしめられる
ことを特徴とする上記磁気変換器。 ３４ 特許請求の範囲第３２項記載の磁気変換器
において、前記開口は指数関数的形状で変位せし
められることを特徴とする上記磁気変換器。 ３５ 電磁的に制御される磁気変換において変換
ギヤツプを定めるように磁極が変換ギヤツプ面に
当接せしめて二つの対応するコア部分を有する磁
気コアであつて、それぞれがプレーナ面と中央巻
線窓とを有する複数の積み重ねられた磁性積層体
によつて構成されると共に各コアの後続の積層体
が前記変換器の幅に渡つて反対方向に漸増する深
さを有する磁気コアと、各前記コア部分の前記中
央巻線窓を通つてそれぞれ延びると共に前記変換
ギヤツプを横切つて重なり合う隣接不飽和高透磁
性積層体を規定して高透磁性変換領域を定めるよ
うにする各コア部分の選択された積層体を差動的
に飽和させる制御巻線とからなることを特徴とす
る上記磁気変換器。 ３６ 特許請求の範囲第３５項記載の磁気変換器
において、各前記積層体の前記プレーナ面は前記
制御巻線窓によつて定められるほぼ一定の幅を有
する制御磁束経路を備えることを特徴とする上記
磁気変換器。 ３７ 電磁的に制御される磁気変換器において、
変換ギヤツプを定めるように磁極が該変換ギヤツ
プ面で当接せしめられた二つの対応するコア部分
を有する磁気コアであつて、それぞれが前期変換
ギヤツプ面および前記変換ギヤツプに隣接する変
換器面の双方に対してほぼ直角に延びると共に該
変換器幅に沿つて反対方向に漸増する磁気抵抗を
有し、かつ中央制御巻線窓を定める制御磁束経路
が各前記コア部分によつて与えられる前記磁気コ
アとそれぞれが制御電流を受けて前記変換ギヤツ
プに隣接する前記変換器面の一部を選択的に飽和
させるよう結合されるようになつた各コア部分の
前記各制御巻線窓に配置された制御巻線とからな
ることを特徴とする上記磁気変換器。 ３８ 電磁的に制御される磁気変換器において、
変換ギヤツプを規定するように磁極が該変換ギヤ
ツプ面で当接せしめられるようにされ、それぞれ
が非磁性導電積層体によつて互いに隔離された複
数の積み重ねられた磁性積層体から成る二つの対
応するコア部分を有する磁気コアと、前記変換ギ
ヤツプ面ならびに変換器面それぞれから選択され
た距離で各前記コア部分の幅を横切つて延び、か
つ前記導電積層体に導電的に接続された導電駆動
線と各前記コア部分の前記導電積層体にそれぞれ
結合され、前記導電駆動線にそれぞれの制御電流
を選択的に与えて前記磁性積層体を前記変換器面
で差動的に飽和させるようにするスイツチング手
段とからなることを特徴とする上記磁気変換器。 ３９ 電磁的に制御される磁気変換器において、
変換ギヤツプを規定するように磁極が該変換ギヤ
ツプ面で当接せしめられると共に、それぞれが非
磁性導電積層体によつて互いに隔離された複数の
積み重ねられた磁性積層体からなる二つの対応す
るコア部分を有する磁気コアと、それぞれが前期
変換ギヤツプ面および前記変換器面から選択され
た距離で一方の前記磁気コアの幅を横切つて延び
ると共に前記導電積層体と導電的に接続されて前
記変換ギヤツプに隣接する各前記磁性積層体の一
部を選択的に飽和させるようにする導電駆動線に
よつて構成された第１および第２の制御巻線と、
各対向するコアの前記導電積層体にそれぞれの制
御電流を逐次与えて前記選択された磁性積層体の
部分の飽和を連続して行なう手段とからなり、各
コアの少なくとも一つの対向する磁気的積層体は
不飽和となつて、前記変換器面で変換ギヤツプに
渡つて広がる高透磁性変換領域を与えることを特
徴とする上記磁気変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64181784A | 1984-08-16 | 1984-08-16 | |
| US641817 | 1984-08-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154010A JPS6154010A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH028363B2 true JPH028363B2 (ja) | 1990-02-23 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (6)
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| JP (1) | JPS6154010A (ja) |
| KR (1) | KR920008411B1 (ja) |
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| DE (1) | DE3587634T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0668416A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-03-11 | Eastman Kodak Co | 磁気ヘッド |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3318997A (en) * | 1963-10-07 | 1967-05-09 | Iit Res Inst | Video recording and reproducing system with photoconductive switching of transducing elements |
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| US3686467A (en) * | 1969-08-08 | 1972-08-22 | Iit Res Inst | Magnetic transducer system and method |
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| SU1065876A1 (ru) * | 1981-12-05 | 1984-01-07 | Грозненский Ордена Трудового Красного Знамени Нефтяной Институт Им.Акад.М.Д.Миллионщикова | Способ магнитной записи и воспроизведени с немеханическим сканированием носител и сканирующа универсальна магнитна головка |
-
1985
- 1985-07-25 EP EP19900109205 patent/EP0395119A3/en not_active Withdrawn
- 1985-07-25 EP EP85305327A patent/EP0171957B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-25 DE DE85305327T patent/DE3587634T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1985-08-13 JP JP60177062A patent/JPS6154010A/ja active Granted
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