JPH0282641A - セラミック多層基板 - Google Patents
セラミック多層基板Info
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- JPH0282641A JPH0282641A JP23360688A JP23360688A JPH0282641A JP H0282641 A JPH0282641 A JP H0282641A JP 23360688 A JP23360688 A JP 23360688A JP 23360688 A JP23360688 A JP 23360688A JP H0282641 A JPH0282641 A JP H0282641A
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- Pending
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子回路の基板として利用されるセラミック
多層基板に関するものである。
多層基板に関するものである。
（従来の技術）
窒化アルミニウム（以下ＡＩＩＮと記す）は、高絶縁性
の上に高熱伝導性を持つ材料であるため、ＡＩＩＮの回
路基板は、急速に普及しつつある。この種の高密度実装
用のセラミック多層基板について、第４図により説明す
る。
の上に高熱伝導性を持つ材料であるため、ＡＩＩＮの回
路基板は、急速に普及しつつある。この種の高密度実装
用のセラミック多層基板について、第４図により説明す
る。
同図は、従来のセラミック多層基板の透視図で、Ａｌ２
Ｎを焼結したセラミック基板１の内部および表面にタン
グステン（Ｗ）からなる導電路２ａと２ｂおよび３ａと
３ｂが形成され、その内導電路２ｂおよび３ａが厚さ方
向の、同様にタングステンからなる導通路４で接続され
ている。
Ｎを焼結したセラミック基板１の内部および表面にタン
グステン（Ｗ）からなる導電路２ａと２ｂおよび３ａと
３ｂが形成され、その内導電路２ｂおよび３ａが厚さ方
向の、同様にタングステンからなる導通路４で接続され
ている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の構成では、ＡｆｌＮ焼結体である
セラミック基板１とタングステンからなる導電路２ａ、
２ｂ、３ａおよび３ｂとの結合が十分でなく、特に、セ
ラミック基板１の上面の導電路３ａおよび３ｂが欠損し
やすいという問題があった。
セラミック基板１とタングステンからなる導電路２ａ、
２ｂ、３ａおよび３ｂとの結合が十分でなく、特に、セ
ラミック基板１の上面の導電路３ａおよび３ｂが欠損し
やすいという問題があった。
また、焼成時の雰囲気によってタングステンが酸化され
るため、内部の導電路２ａおよび２ｂの導電性が悪くな
りやすいという問題もあった。
るため、内部の導電路２ａおよび２ｂの導電性が悪くな
りやすいという問題もあった。
本発明は上記の問題を解決するもので、量産性良い、高
信頼性のセラミック多層基板を提供するものである。
信頼性のセラミック多層基板を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は導電路を一種類以
上の侵入形窒化物で形成するものである。
上の侵入形窒化物で形成するものである。
（作 用）
上記の構成により、導電路が侵入形窒化物なのでＡｌ１
１Ｎからなるセラミック基板との結合性が良く、また、
酸化されにくいため、焼成時の雰囲気によって導電路が
劣化することが少ない。従って、量産性が良く高信頼性
のセラミック多層基板を得ることができる。
１Ｎからなるセラミック基板との結合性が良く、また、
酸化されにくいため、焼成時の雰囲気によって導電路が
劣化することが少ない。従って、量産性が良く高信頼性
のセラミック多層基板を得ることができる。
（実施例）
本発明の一実施例について、第１図ないし第４図により
説明する。なお、第４図は従来例を示すが、本実施例は
、従来例の導電路２ａ、 ２ｂ、 ３ａおよび３ｂと、
導通路４の材質が、タングステンから窒化チタンに替っ
たのみで、外観上の変化はないので、第４図を本発明に
よるセラミック多層基板の外観を示す透視図として使用
する。
説明する。なお、第４図は従来例を示すが、本実施例は
、従来例の導電路２ａ、 ２ｂ、 ３ａおよび３ｂと、
導通路４の材質が、タングステンから窒化チタンに替っ
たのみで、外観上の変化はないので、第４図を本発明に
よるセラミック多層基板の外観を示す透視図として使用
する。
本発明によるセラミック多層基板の製造手順について、
第１図の側面断面図および第２図の平面図により説明す
る。
第１図の側面断面図および第２図の平面図により説明す
る。
まず、窒化チタン（ＴｉＮ）に結合剤としてポリビニル
ブチラールを５重量％、溶媒としてイソプロピルアルコ
ールを加えたペースト状Ｔ ｉ Ｎ ／＜ −ストを準
備する。次に、ＡＱＮに焼結助剤として酸化イツトリウ
ム（Ｙ２Ｏ，）を５重量％添加した１００Ｘ１００Ｘ
２ ｍｍのＡＩＩＮの成形体５を形成し、その表面に、
上記のＴｉＮペーストを用いて、第２図（ａ）の形状に
導電路２ａおよび２ｂを印刷し、乾燥させる。次に、Ａ
ｌ２Ｎに焼結助剤としてＹ２Ｏ３を５重量％添加した１
００Ｘ１００Ｘ０．１＋＋ｏ（７）ＡＪＮ（７）成形体
６を形成し、第２図（ｂ）のように複数の導通孔６ａを
加工して重ね、その上に、さらにＴｉＮペーストを用い
て、第２図（ｃ）の形状ば導電路３ａおよび３ｂを印刷
し、乾燥させる。次に、これを５００ｇ／ａ（の圧力で
厚さ方向に圧縮し、一体化させる。さらに、脱脂処理を
施した後、窒素雰囲気中で１９００℃、２時間の焼成す
ると、第４図に示すセラミック多層基板が得られる。
ブチラールを５重量％、溶媒としてイソプロピルアルコ
ールを加えたペースト状Ｔ ｉ Ｎ ／＜ −ストを準
備する。次に、ＡＱＮに焼結助剤として酸化イツトリウ
ム（Ｙ２Ｏ，）を５重量％添加した１００Ｘ１００Ｘ
２ ｍｍのＡＩＩＮの成形体５を形成し、その表面に、
上記のＴｉＮペーストを用いて、第２図（ａ）の形状に
導電路２ａおよび２ｂを印刷し、乾燥させる。次に、Ａ
ｌ２Ｎに焼結助剤としてＹ２Ｏ３を５重量％添加した１
００Ｘ１００Ｘ０．１＋＋ｏ（７）ＡＪＮ（７）成形体
６を形成し、第２図（ｂ）のように複数の導通孔６ａを
加工して重ね、その上に、さらにＴｉＮペーストを用い
て、第２図（ｃ）の形状ば導電路３ａおよび３ｂを印刷
し、乾燥させる。次に、これを５００ｇ／ａ（の圧力で
厚さ方向に圧縮し、一体化させる。さらに、脱脂処理を
施した後、窒素雰囲気中で１９００℃、２時間の焼成す
ると、第４図に示すセラミック多層基板が得られる。
第３図は１本発明によるセラミック多層基板の平面図で
、各導電路２ａ、２ｂ、３ａおよび３ｂのそれぞれの両
端Ａ−Ａ’、 Ｂ−Ｂ’、 Ｃ−Ｃ’およびＤ−Ｄ’間
で導通の有無を確認したところ、金属に等しい導電性を
示した。また、導通路４で接続された導電路２ｂおよび
３ａの各両端の組合わせ。
、各導電路２ａ、２ｂ、３ａおよび３ｂのそれぞれの両
端Ａ−Ａ’、 Ｂ−Ｂ’、 Ｃ−Ｃ’およびＤ−Ｄ’間
で導通の有無を確認したところ、金属に等しい導電性を
示した。また、導通路４で接続された導電路２ｂおよび
３ａの各両端の組合わせ。
Ｂ−Ｃ，Ｂ−Ｃ′、 Ｂ’−ＣおよびＢ’−Ｃ’間でも
。
。
金属に等しい導電性を示した。しかし、導通路で接続さ
れない導電路２ａと、導電路３ａおよび３ｂ。
れない導電路２ａと、導電路３ａおよび３ｂ。
導電路２ｂと導電路３ｂの両端の各両端間では導電性を
示さなかった。
示さなかった。
このことより、Ｔ ｉ Ｎペーストを印刷した部分は、
完全に導電路として機能している。しかも、この導電路
２ａ、２ｂ、３ａおよび３ｂは、堅固にＡＪＮ焼結体と
結合していた。さらに、タングステンから成る導電路を
持った従来のセラミック多層基板の成形体と、本発明に
よるセラミック多層基板の成形体を、窒素９９Ｖｏ１％
、酸素１■０１％雰囲気中で同時に焼成したところ、従
来のセラミック多層基板では、タングステンが酸化され
、導電路が導電性を示さなかったのに対し、本発明によ
るセラミック多層基板の導電路は、導電性を保持してい
た。これは本発明によるＡｌ２Ｎのセラミック多層基板
の優位性を示すものである。
完全に導電路として機能している。しかも、この導電路
２ａ、２ｂ、３ａおよび３ｂは、堅固にＡＪＮ焼結体と
結合していた。さらに、タングステンから成る導電路を
持った従来のセラミック多層基板の成形体と、本発明に
よるセラミック多層基板の成形体を、窒素９９Ｖｏ１％
、酸素１■０１％雰囲気中で同時に焼成したところ、従
来のセラミック多層基板では、タングステンが酸化され
、導電路が導電性を示さなかったのに対し、本発明によ
るセラミック多層基板の導電路は、導電性を保持してい
た。これは本発明によるＡｌ２Ｎのセラミック多層基板
の優位性を示すものである。
なお、本実施例では、侵入形窒化物にＴ ｉ Ｎを用い
たが、他の侵入形窒化物を単体で、あるいは複数の侵入
形窒化物の複合体を用いても、Ａｌ２Ｎ焼結体との結合
力および耐酸化性には変りはない。
たが、他の侵入形窒化物を単体で、あるいは複数の侵入
形窒化物の複合体を用いても、Ａｌ２Ｎ焼結体との結合
力および耐酸化性には変りはない。
また、Ａｌ２Ｎの焼結助剤として、Ｙ２Ｏ，を用いたが
、他の有効な焼結助剤を添加しても、また添加しなくて
も本発明が有効であることには変わりない。さらに、Ｔ
ｉＮペーストを得るだめの結合剤としてポリビニルブチ
ラールを用いたが、他の樹脂を用いてもよく、また、溶
媒にイソプロピルアルコールを用いたが他の溶剤を用い
てもよい。
、他の有効な焼結助剤を添加しても、また添加しなくて
も本発明が有効であることには変わりない。さらに、Ｔ
ｉＮペーストを得るだめの結合剤としてポリビニルブチ
ラールを用いたが、他の樹脂を用いてもよく、また、溶
媒にイソプロピルアルコールを用いたが他の溶剤を用い
てもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、 ＡｆｌＮのセ
ラミック基板の中および表面上に、侵入形窒化物の単体
あるいは複数の侵入形窒化物の複合体から成る導電路を
設けることによって、セラミック基板との結合が強くし
かも耐酸化性にすぐれた導電路を持つ量産性が良く高信
頼性のセラミック多層基板を得ることができる。
ラミック基板の中および表面上に、侵入形窒化物の単体
あるいは複数の侵入形窒化物の複合体から成る導電路を
設けることによって、セラミック基板との結合が強くし
かも耐酸化性にすぐれた導電路を持つ量産性が良く高信
頼性のセラミック多層基板を得ることができる。
第１図は本発明によるセラミック多層基板の側面断面図
、第２図は本発明で使用したＴｉＮペーストの印刷パタ
ーンおよびＡｌ２Ｎの成形体の平面図、第３図は本発明
によるセラミック多層基板の平面図、第４図は本発明お
よび従来例の対象となるセラミック多層基板の透視図で
ある。 １ ・・・セラミック基板、 ２ａ、 ２ｂ、 ３ａ。 ３ｂ・・・導電路、 ４ ・・・導通路、５，６・・・
窒化アルミニウム成形体、 ６ａ・・・導通孔。 特許出願人 松下電器産業株式会社
、第２図は本発明で使用したＴｉＮペーストの印刷パタ
ーンおよびＡｌ２Ｎの成形体の平面図、第３図は本発明
によるセラミック多層基板の平面図、第４図は本発明お
よび従来例の対象となるセラミック多層基板の透視図で
ある。 １ ・・・セラミック基板、 ２ａ、 ２ｂ、 ３ａ。 ３ｂ・・・導電路、 ４ ・・・導通路、５，６・・・
窒化アルミニウム成形体、 ６ａ・・・導通孔。 特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (1)
- 窒化アルミニウムを焼結したセラミック基板の中および
焼結体表面上に、侵入形窒化物の単体あるいは複数の侵
入形窒化物の複合体から成る導電路を設けたことを特徴
とするセラミック多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23360688A JPH0282641A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | セラミック多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23360688A JPH0282641A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | セラミック多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282641A true JPH0282641A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16957684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23360688A Pending JPH0282641A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | セラミック多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163378A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 配線基板およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23360688A patent/JPH0282641A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163378A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 配線基板およびその製造方法 |
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