JPH021393B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021393B2 JPH021393B2 JP1641684A JP1641684A JPH021393B2 JP H021393 B2 JPH021393 B2 JP H021393B2 JP 1641684 A JP1641684 A JP 1641684A JP 1641684 A JP1641684 A JP 1641684A JP H021393 B2 JPH021393 B2 JP H021393B2
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- Japan
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- external electrode
- green sheet
- multilayer ceramic
- silver
- paste
- Prior art date
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- Expired
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- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層セラミツク基板に関し、特にその
外部電極の改良に関するものである。
外部電極の改良に関するものである。
近年、コストパフオーマンスという観点から多
層セラミツク基板の導体ペーストとして、高価な
金ペーストの代わりに、安価な銀−パラジウム系
ペーストや、銀−白金系ペーストなどを用いるこ
とが試みられている。
層セラミツク基板の導体ペーストとして、高価な
金ペーストの代わりに、安価な銀−パラジウム系
ペーストや、銀−白金系ペーストなどを用いるこ
とが試みられている。
通常、グリーンシート積層法で絶縁体グリーン
シート３に銀−パラジウム系ペーストや銀−白金
系ペーストなどを第１図に示すように断面Ｔの字
状に孔内に充填して内部電極１として形成して用
いた場合には内部電極１のランド側の部分の剥離
やふくれといつた現象は観測されない。しかし前
述のペーストを外部電極２として用いた場合には
外部電極２の外部に露出しているランド部分の剥
離やふくれといつた好ましくない現象が生じる。
従つて銀−パラジウム系ペーストや銀−白金体ペ
ーストを内部電極として用いることは困難であつ
た。
シート３に銀−パラジウム系ペーストや銀−白金
系ペーストなどを第１図に示すように断面Ｔの字
状に孔内に充填して内部電極１として形成して用
いた場合には内部電極１のランド側の部分の剥離
やふくれといつた現象は観測されない。しかし前
述のペーストを外部電極２として用いた場合には
外部電極２の外部に露出しているランド部分の剥
離やふくれといつた好ましくない現象が生じる。
従つて銀−パラジウム系ペーストや銀−白金体ペ
ーストを内部電極として用いることは困難であつ
た。
本発明の目的は、このような欠点を解決し、外
部電極として銀−パラジウム系ペーストや銀−白
金系ペーストなどを用いて、外部電極のランド部
の剥離やふくれの生じない多層セラミツク基板を
提供することにある。
部電極として銀−パラジウム系ペーストや銀−白
金系ペーストなどを用いて、外部電極のランド部
の剥離やふくれの生じない多層セラミツク基板を
提供することにある。
本発明によれば多層セラミツク積層体の最外層
に露出して設けられた外部電極と、該外部電極の
外形形状より小なる開口窓を有する絶縁シートを
開口窓と外部電極とを合せて１層以上積層するこ
とを特徴とする多層セラミツク基板が得られる。
に露出して設けられた外部電極と、該外部電極の
外形形状より小なる開口窓を有する絶縁シートを
開口窓と外部電極とを合せて１層以上積層するこ
とを特徴とする多層セラミツク基板が得られる。
以下、本発明を第２図〜第４図を参照し、本発
明の実施例について説明する。第２図に示すよう
にグリーンシートの所望の位置に設けた貫通孔内
を導電ペーストで充填形成させたバイアホール４
を介してグリーンシートの上下導通のためのラン
ド状の内部電極５を両面印刷して設けた絶縁体グ
リーンシート６とバイアホール４と接続してコン
デンサ形成用の内部電極７ａを下面に印刷した誘
電体グリーンシート８と誘電体グリーンシート８
のバイアホールの突設上端と接続してコンデンサ
を形成する内部電極７ｂを下面に印刷した絶縁体
グリーンシート９と、抵抗体１０を上面に印刷し
た絶縁体グリーンシート１１とを第２図の上下２
層を除いた状態で各シートを積み重ねて積層体１
２を形成する。次にこの積層体１２の最外層の外
側に、最外層に形成された外部電極５と対応する
同じ位置で、外部電極５の形状より小さい貫通孔
からなる窓部１３を設けた絶縁体グリーンシート
１４を積層する。これを温度110℃、圧力200Kg／
cm2の条件下で20分間熱圧着する。次に温度上昇速
度５℃／時間、最高温度450℃、最高温度保持時
間４時間の条件下で脱バインダー処理を行ない、
最高温度850℃まで上昇させた後、室温まで冷却
する温度プロフアイルで焼結し第３図の多層セラ
ミツク積層を得た。
明の実施例について説明する。第２図に示すよう
にグリーンシートの所望の位置に設けた貫通孔内
を導電ペーストで充填形成させたバイアホール４
を介してグリーンシートの上下導通のためのラン
ド状の内部電極５を両面印刷して設けた絶縁体グ
リーンシート６とバイアホール４と接続してコン
デンサ形成用の内部電極７ａを下面に印刷した誘
電体グリーンシート８と誘電体グリーンシート８
のバイアホールの突設上端と接続してコンデンサ
を形成する内部電極７ｂを下面に印刷した絶縁体
グリーンシート９と、抵抗体１０を上面に印刷し
た絶縁体グリーンシート１１とを第２図の上下２
層を除いた状態で各シートを積み重ねて積層体１
２を形成する。次にこの積層体１２の最外層の外
側に、最外層に形成された外部電極５と対応する
同じ位置で、外部電極５の形状より小さい貫通孔
からなる窓部１３を設けた絶縁体グリーンシート
１４を積層する。これを温度110℃、圧力200Kg／
cm2の条件下で20分間熱圧着する。次に温度上昇速
度５℃／時間、最高温度450℃、最高温度保持時
間４時間の条件下で脱バインダー処理を行ない、
最高温度850℃まで上昇させた後、室温まで冷却
する温度プロフアイルで焼結し第３図の多層セラ
ミツク積層を得た。
この本発明多層セラミツク基板は外部電極の剥
離やふくれを生じ易いランドの周縁部を絶縁体グ
リーンシート１４で押圧された状態で保持され
る。
離やふくれを生じ易いランドの周縁部を絶縁体グ
リーンシート１４で押圧された状態で保持され
る。
なお、本実施例では、剥離やふくれをおさえる
ための最外層の外側に積層する絶縁体グリーンシ
ートの層数を１層にした場合について述べたが、
第４図に示すように２層以上の場合についても試
作してみたところ１層の場合よりもさらに良好な
結果が得られた。
ための最外層の外側に積層する絶縁体グリーンシ
ートの層数を１層にした場合について述べたが、
第４図に示すように２層以上の場合についても試
作してみたところ１層の場合よりもさらに良好な
結果が得られた。
以上本発明により外部電極として銀−パラジウ
ム系ペーストや銀−白金系ペーストなどを用いた
場合の外部電極の剥離やふくれといつた従来の欠
点が解消され、外部電極として金ペーストより安
価な銀−パラジウム系ペーストや銀−白金系ペー
ストなどを用いることが可能となり低コスト化が
計れる利点がある。
ム系ペーストや銀−白金系ペーストなどを用いた
場合の外部電極の剥離やふくれといつた従来の欠
点が解消され、外部電極として金ペーストより安
価な銀−パラジウム系ペーストや銀−白金系ペー
ストなどを用いることが可能となり低コスト化が
計れる利点がある。
第１図は従来多層セラミツク基板の電極形成層
の断面図。第２図は本発明実施例の積層前の多層
セラミツク基板の断面図。第３図は第２図の完成
後の主要部を示す切り欠き斜視断面図。第４図は
本発明の他の実施例の積層前の多層セラミツク基
板の断面図。 １……内部電極、２……外部電極、３……絶縁
体グリーンシート、４……バイアホール、５……
内部電極ランド、６，９，１１……絶縁体グリー
ンシート、７ａ，７ｂ……（コンデンサ形成の）
内部電極、８……誘電体グリーンシート、１０…
…抵抗体、１２……積層体、１３……窓部、１４
……窓部を設けた絶縁体グリーンシート、１５…
…複数の絶縁体シート。
の断面図。第２図は本発明実施例の積層前の多層
セラミツク基板の断面図。第３図は第２図の完成
後の主要部を示す切り欠き斜視断面図。第４図は
本発明の他の実施例の積層前の多層セラミツク基
板の断面図。 １……内部電極、２……外部電極、３……絶縁
体グリーンシート、４……バイアホール、５……
内部電極ランド、６，９，１１……絶縁体グリー
ンシート、７ａ，７ｂ……（コンデンサ形成の）
内部電極、８……誘電体グリーンシート、１０…
…抵抗体、１２……積層体、１３……窓部、１４
……窓部を設けた絶縁体グリーンシート、１５…
…複数の絶縁体シート。
Claims (1)
- １ 多層セラミツク積層体の最外層に露出して設
けられた外部電極と該外部電極の外形形状より小
なる開口窓を有する絶縁シートを開口窓と外部電
極とを合せて１層以上積層していることを特徴と
する多層セラミツク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1641684A JPS60160698A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 多層セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1641684A JPS60160698A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 多層セラミツク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160698A JPS60160698A (ja) | 1985-08-22 |
| JPH021393B2 true JPH021393B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=11915629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1641684A Granted JPS60160698A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 多層セラミツク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160698A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561177B2 (ja) * | 1990-12-27 | 1996-12-04 | 小高工業株式会社 | 空缶処理装置 |
| JPH0528589U (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-16 | 株式会社岩内 | 空缶の圧潰処理装置 |
| JP2783751B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1998-08-06 | 富士通株式会社 | 多層セラミック基板の製造方法 |
| JP2002368419A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1641684A patent/JPS60160698A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160698A (ja) | 1985-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |