JPH0280594A - アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 - Google Patents
アモルファス水素化シリコン膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0280594A JPH0280594A JP22880588A JP22880588A JPH0280594A JP H0280594 A JPH0280594 A JP H0280594A JP 22880588 A JP22880588 A JP 22880588A JP 22880588 A JP22880588 A JP 22880588A JP H0280594 A JPH0280594 A JP H0280594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- light
- amorphous silicon
- silicon hydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
定電位電界析出法によるアモルファス水素化シリコン膜
の形成方法に関し、 析出速度の低下を無くして１μｍ以上の膜厚のアモルフ
ァス水素化シリコンの成膜を行えるようにすることを目
的とし、 定電位電界析出法によりアモルファス水素化シリコン膜
を析出するアモルファス水素化シリコン膜の形成方法に
おいて、電流の減少に伴いアモルファス水素化シリコン
膜に光を当てるようにした構成とする。
の形成方法に関し、 析出速度の低下を無くして１μｍ以上の膜厚のアモルフ
ァス水素化シリコンの成膜を行えるようにすることを目
的とし、 定電位電界析出法によりアモルファス水素化シリコン膜
を析出するアモルファス水素化シリコン膜の形成方法に
おいて、電流の減少に伴いアモルファス水素化シリコン
膜に光を当てるようにした構成とする。
本発明は定電位電界析出法によるアモルファス水素化シ
リコン（以下、ａ−５＋と略記する）膜の形成方法に関
する。
リコン（以下、ａ−５＋と略記する）膜の形成方法に関
する。
円筒基体上に感光層を形成した感光体の表面を一様に帯
電させ、この上に印字情報に基づいて、レーザ光等を選
択的に照射し感光層の帯電電位を選択的に減衰させて潜
像を形成した後、これを現像して形成されたトナー像を
記録紙に転写記録する電子写真装置は周知であるが、こ
の場合に使用される感光体としては、近年セレン系より
も、機械的強度の大きいａ −Ｓｉ膜の感光層を備えた
ものが用いられるようになってきている。
電させ、この上に印字情報に基づいて、レーザ光等を選
択的に照射し感光層の帯電電位を選択的に減衰させて潜
像を形成した後、これを現像して形成されたトナー像を
記録紙に転写記録する電子写真装置は周知であるが、こ
の場合に使用される感光体としては、近年セレン系より
も、機械的強度の大きいａ −Ｓｉ膜の感光層を備えた
ものが用いられるようになってきている。
従来、電子写真用感光体のような大面積円筒基体にａ−
Ｓｉ膜を形成する場合、第４図に示すような高周波プラ
ズマＣＶＤ （以下ＲＦ−ＣＶＤと略記する）装置が使
用されている。図中、１００は円筒基体（アルミニウム
製ドラム）で、この基体１００の表面へのａ−Ｓｉ膜の
形成は次のように行われる。
Ｓｉ膜を形成する場合、第４図に示すような高周波プラ
ズマＣＶＤ （以下ＲＦ−ＣＶＤと略記する）装置が使
用されている。図中、１００は円筒基体（アルミニウム
製ドラム）で、この基体１００の表面へのａ−Ｓｉ膜の
形成は次のように行われる。
まず、図示のように真空容器１内に基体１００を支持体
２に支持させてセットし、真空容器１内をロータリーポ
ンプ３と油拡散ポンプ４とで所定の真空度に排気した後
、メカニカルブースタポンプ５とロータリーポンプ６に
切り替える。排気開始と同時に、回転機構７により支持
体２を介し駆動されて基体１００は回転する。真空度が
所定値に達すると、基体１００はヒータ８により１５０
〜３５０℃に加熱される。９は各ポンプ系に設けられた
真空バルブである。一方、真空容器１内には、５ｉＪｈ
ボンベ１０等より反応性ガスがガス流量調整器１１等を
経て導入される。そして、所定の流量、圧力下で放電電
極１２と基体１００の間に高周波電源１３によってグロ
ー放電を発生させて導入ガスを分解し、これにより、基
体１００上にａ−Ｓｉ膜が堆積、形成される。１４は反
応性ガス供給系に設けられたバルブである。
２に支持させてセットし、真空容器１内をロータリーポ
ンプ３と油拡散ポンプ４とで所定の真空度に排気した後
、メカニカルブースタポンプ５とロータリーポンプ６に
切り替える。排気開始と同時に、回転機構７により支持
体２を介し駆動されて基体１００は回転する。真空度が
所定値に達すると、基体１００はヒータ８により１５０
〜３５０℃に加熱される。９は各ポンプ系に設けられた
真空バルブである。一方、真空容器１内には、５ｉＪｈ
ボンベ１０等より反応性ガスがガス流量調整器１１等を
経て導入される。そして、所定の流量、圧力下で放電電
極１２と基体１００の間に高周波電源１３によってグロ
ー放電を発生させて導入ガスを分解し、これにより、基
体１００上にａ−Ｓｉ膜が堆積、形成される。１４は反
応性ガス供給系に設けられたバルブである。
上述の手順で成膜される基体１００上のａ −５ｉ膜の
膜厚は、１０〜５０μｍ程度必要であるが、ＲＦ−ＣＶ
Ｄでは成膜速度は一般に３〜５μｍ／時程度であるため
、成膜には２〜１０数時間要していた。また、成膜時の
ガス圧を数トル程度と比較的高い値にしないと３〜５μ
ｍ／時の成膜速度が得られず、このようなガス圧で成膜
を行うと、成膜中に真空容器１内で多量のＳｉ原子を含
む粉状物質が発生して容器内を汚染する。従って、成膜
後にこの粉状物質の除去を行う必要があった。そして、
粉状物質が基体１００上に付着することにより、形成し
た膜にピンホール等の欠陥が生じ、歩留り低下の原因に
もなっている。さらに、このようなＲＦ−ＣＶＤ法によ
る成膜は装置が大掛かりとなるため、大量生産に向かず
、製造性に問題があった。また、ＣＶＤ法での５ｉｚＨ
ｈ等の原料ガスが高価であることや排ガス用処理施設が
必要となるため、コスト高になる問題点があった。
膜厚は、１０〜５０μｍ程度必要であるが、ＲＦ−ＣＶ
Ｄでは成膜速度は一般に３〜５μｍ／時程度であるため
、成膜には２〜１０数時間要していた。また、成膜時の
ガス圧を数トル程度と比較的高い値にしないと３〜５μ
ｍ／時の成膜速度が得られず、このようなガス圧で成膜
を行うと、成膜中に真空容器１内で多量のＳｉ原子を含
む粉状物質が発生して容器内を汚染する。従って、成膜
後にこの粉状物質の除去を行う必要があった。そして、
粉状物質が基体１００上に付着することにより、形成し
た膜にピンホール等の欠陥が生じ、歩留り低下の原因に
もなっている。さらに、このようなＲＦ−ＣＶＤ法によ
る成膜は装置が大掛かりとなるため、大量生産に向かず
、製造性に問題があった。また、ＣＶＤ法での５ｉｚＨ
ｈ等の原料ガスが高価であることや排ガス用処理施設が
必要となるため、コスト高になる問題点があった。
そこで、装置が簡単な液相からの電界析出による成膜方
法が検討されている（例えば、Ａ、に。
法が検討されている（例えば、Ａ、に。
八ｇｒａｗａｌ ａｎｄ Ａ、Ｅ、 Ａｕ５ｔｉ
ｎ、 Ｊｏｒｎａｌ ｏｆ ｔｂｅ Ｅｌｅｃ
ｔ−ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｔｙ＋ Ｖｏｌ、
１２８． １１ｈｌｌ） ａこの従来の電界析出装置
の概要を第５図に示す。この装置による成膜は次のよう
に行われる。
ｎ、 Ｊｏｒｎａｌ ｏｆ ｔｂｅ Ｅｌｅｃ
ｔ−ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｔｙ＋ Ｖｏｌ、
１２８． １１ｈｌｌ） ａこの従来の電界析出装置
の概要を第５図に示す。この装置による成膜は次のよう
に行われる。
反応容器２１内に、Ｓｉ原子を溶質として含んだ電界液
２２を入れ、この中に、アノード電極２３とカソード電
極である基板２４とを入れて、電解液２２上にパージ用
のＡｒあるいはＮ２を流しながら各電極に直流電源２５
から直流電流を供給して、基板２４上に定電位電界でａ
−Ｓｉ膜を析出させる。
２２を入れ、この中に、アノード電極２３とカソード電
極である基板２４とを入れて、電解液２２上にパージ用
のＡｒあるいはＮ２を流しながら各電極に直流電源２５
から直流電流を供給して、基板２４上に定電位電界でａ
−Ｓｉ膜を析出させる。
しかし、この場合、電流値の時間変化を示す第６図゛に
明らかなように、成膜に伴うカソード電極での抵抗の増
加により電流の流れが遮断されるため、電解析出が停止
し、膜厚が１１１ｍ程度までの成膜しか行えておらず、
膜厚の薄い太陽電池への応用が考えられているのみであ
る。従って、この電解析出により感光体の感光層を形成
するためには、引き続き電界析出が行われるようにする
ことのできる対策が必要である。
明らかなように、成膜に伴うカソード電極での抵抗の増
加により電流の流れが遮断されるため、電解析出が停止
し、膜厚が１１１ｍ程度までの成膜しか行えておらず、
膜厚の薄い太陽電池への応用が考えられているのみであ
る。従って、この電解析出により感光体の感光層を形成
するためには、引き続き電界析出が行われるようにする
ことのできる対策が必要である。
本発明は析出速度の低下を無くして１μｍ以上のａ−５
ｔ膜の成膜を行えるようにすることのできるａ−５ｉ膜
の形成方法を提供することを目的とするものである。
ｔ膜の成膜を行えるようにすることのできるａ−５ｉ膜
の形成方法を提供することを目的とするものである。
第１図は本発明の原理説明図で、図中、３１はＳｉ原子
を溶質として含んだ電解液を収納する反応容器、３３及
び３４は電解液中に対向配置されたアノード電極及び基
板（カソード電極）、３６は光源である。
を溶質として含んだ電解液を収納する反応容器、３３及
び３４は電解液中に対向配置されたアノード電極及び基
板（カソード電極）、３６は光源である。
成膜はこの装置を用いて定電位電界析出法により行われ
る。具体的には、各電極に直流電流を供給して基板３４
上に定電位電界でａ −３ｉ膜を析出させる。
る。具体的には、各電極に直流電流を供給して基板３４
上に定電位電界でａ −３ｉ膜を析出させる。
この成膜時に、本発明では、電流の減少に伴い光源３６
によってａ−５ｔ膜に光を当てるようにしている。
によってａ−５ｔ膜に光を当てるようにしている。
析出時間経過に伴う電流値の減少は、光を当てることに
より回復する。これは、光を当てることにより、ａ −
５ｉ膜による抵抗が軽減されるためである。
より回復する。これは、光を当てることにより、ａ −
５ｉ膜による抵抗が軽減されるためである。
従って、従来問題となっていた析出速度の低下をなくす
ことができ、１μｍを越えるａ −Ｓｉ膜の析出が可能
となる。
ことができ、１μｍを越えるａ −Ｓｉ膜の析出が可能
となる。
以下、第２図及び第３図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第２図は本発明を適用する電解析出装置の概要図（第２
図（ａ）は平面図、第２図［ｂ）は正面図）で、本装置
による成膜は次のように行われる。
図（ａ）は平面図、第２図［ｂ）は正面図）で、本装置
による成膜は次のように行われる。
ビー力、蓋ともステンレス製の反応容器３１内に電解液
を入れ、この中に、それぞれステンレスの支持棒３５に
保持されるアノード電極３３と基板（カソード電極）３
４とを入れて、これらの電極を図示しない直流電源に接
続する。さらに、基板３４に近接する位置に、容器３６
ａに収納された光源３６を入れる。光源としては、６０
０〜７００ｎｍの波長を持ったものであれば良く、高演
色形白色（例えばＷ−Ｓ Ｄ Ｌ）の蛍光灯を用いるこ
とができるが、白熱電球を用いても良い。容器３６ａと
しては、溶媒による光源の腐食を防ぎかつ光を透過する
もの、例えばプラスチックあるいはガラスにポリテトラ
フロロエチレン等のふっ素糸樹脂をコーティングしたも
のを用いる。電界液３２は、Ｓｉ原子を含む化合物を溶
質として持っており、具体的には次の構成のものを使用
した。
を入れ、この中に、それぞれステンレスの支持棒３５に
保持されるアノード電極３３と基板（カソード電極）３
４とを入れて、これらの電極を図示しない直流電源に接
続する。さらに、基板３４に近接する位置に、容器３６
ａに収納された光源３６を入れる。光源としては、６０
０〜７００ｎｍの波長を持ったものであれば良く、高演
色形白色（例えばＷ−Ｓ Ｄ Ｌ）の蛍光灯を用いるこ
とができるが、白熱電球を用いても良い。容器３６ａと
しては、溶媒による光源の腐食を防ぎかつ光を透過する
もの、例えばプラスチックあるいはガラスにポリテトラ
フロロエチレン等のふっ素糸樹脂をコーティングしたも
のを用いる。電界液３２は、Ｓｉ原子を含む化合物を溶
質として持っており、具体的には次の構成のものを使用
した。
成膜に際しては、電界液３２上に、供給口３７から供給
されて排気口３８から排気されるパージ用のＡｒ （あ
るいはＮ２）を流し、２枚の電極に直流電源から直流電
流を流して、基板３４上にａ −５ｉ膜を定電位電界で
析出させる。なお、アノード電極３３としてはカーボン
を用い、カソード電極である基板３４としてはステンレ
スやアルミニウム系の合金（Ｔｉ −６Ａ ｌ−４Ｖ）
等を用いた。この成膜時の電位は−２，５ｖで、電流値
は、光源３６による光の照射が無い状態で、第３図のよ
うに減少して行く。電流値とａ−５ｉ膜厚はファラデー
の法則に従い比例し、光の照射の無い状態では１０００
分で０．８５μｍの膜厚しか得られない。
されて排気口３８から排気されるパージ用のＡｒ （あ
るいはＮ２）を流し、２枚の電極に直流電源から直流電
流を流して、基板３４上にａ −５ｉ膜を定電位電界で
析出させる。なお、アノード電極３３としてはカーボン
を用い、カソード電極である基板３４としてはステンレ
スやアルミニウム系の合金（Ｔｉ −６Ａ ｌ−４Ｖ）
等を用いた。この成膜時の電位は−２，５ｖで、電流値
は、光源３６による光の照射が無い状態で、第３図のよ
うに減少して行く。電流値とａ−５ｉ膜厚はファラデー
の法則に従い比例し、光の照射の無い状態では１０００
分で０．８５μｍの膜厚しか得られない。
そこで、本発明では、光源３６からの光を基板３４上の
ａ−Ｓｉ膜に当てることにより、ａ −Ｓｉ膜による抵
抗を軽減させて電流値を回復させる。具体的には、第３
図に示すように、１分経過した時から光をａ−Ｓｉ膜に
当てて、基板３４の抵抗を小さくしてやることにより電
流値は回復した。また、膜厚の増加に伴い抵抗が増して
電流値が小さくなっていくので、５０分経過したところ
で電流値が回復するまで光の強さを増してやる。これに
よって、合計２５０分で９．７μｍのａ −５ｉ膜が得
られた。そして、溶質及び支持電界質、溶媒の濃度や電
圧等の実験条件が異なっても、光照射による電流値の回
復は同様に見られた。また、電解液がＫｚＳｉＦａ （
溶質）、ＨＦ（支持電界質）、アセトン（溶媒）でも同
様な結果が得られた。このようにして成膜された膜の特
性は、ａ −５ｉ：Ｈの暗導電率が１０−”Ｓ／ｃｍで
、明暗抵抗比が１０’ （３００ルクスの白色光下）
であった。
ａ−Ｓｉ膜に当てることにより、ａ −Ｓｉ膜による抵
抗を軽減させて電流値を回復させる。具体的には、第３
図に示すように、１分経過した時から光をａ−Ｓｉ膜に
当てて、基板３４の抵抗を小さくしてやることにより電
流値は回復した。また、膜厚の増加に伴い抵抗が増して
電流値が小さくなっていくので、５０分経過したところ
で電流値が回復するまで光の強さを増してやる。これに
よって、合計２５０分で９．７μｍのａ −５ｉ膜が得
られた。そして、溶質及び支持電界質、溶媒の濃度や電
圧等の実験条件が異なっても、光照射による電流値の回
復は同様に見られた。また、電解液がＫｚＳｉＦａ （
溶質）、ＨＦ（支持電界質）、アセトン（溶媒）でも同
様な結果が得られた。このようにして成膜された膜の特
性は、ａ −５ｉ：Ｈの暗導電率が１０−”Ｓ／ｃｍで
、明暗抵抗比が１０’ （３００ルクスの白色光下）
であった。
以上述べたように、本発明によれば、電流値の減少が防
げるので、析出速度の低下を無くすことができ、１μｍ
以上の膜厚のａ −５ｉ膜の成膜が可能となった。
げるので、析出速度の低下を無くすことができ、１μｍ
以上の膜厚のａ −５ｉ膜の成膜が可能となった。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図（ａｌ、 （ｂ）は本発明の実施例の電解析出装
置の概要図、 第３図は同、電流値の時間変化を示すグラフ、第４図は
従来のＲＦ−ＣＶＤ装置の概要図、第５図は同、電解析
出装置の概要図、 第６図は同、電流値の時間変化を示すグラフで、図中、 ３１は反応容器、 ３２は電解液、 ３３はアノード電極、 ３４は基板（カソード電極）、 ５は光源である。
置の概要図、 第３図は同、電流値の時間変化を示すグラフ、第４図は
従来のＲＦ−ＣＶＤ装置の概要図、第５図は同、電解析
出装置の概要図、 第６図は同、電流値の時間変化を示すグラフで、図中、 ３１は反応容器、 ３２は電解液、 ３３はアノード電極、 ３４は基板（カソード電極）、 ５は光源である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 定電位電界析出法によりアモルファス水素化シリコン
膜を析出するアモルファス水素化シリコン膜の形成方法
において、 電流の減少に伴いアモルファス水素化シリコン膜に光を
当てるようにしたことを特徴とするアモルファス水素化
シリコン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22880588A JPH0280594A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22880588A JPH0280594A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280594A true JPH0280594A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16882131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22880588A Pending JPH0280594A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280594A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103173829A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-06-26 | 济南大学 | 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
| CN104241439A (zh) * | 2013-06-09 | 2014-12-24 | 北京恒基伟业投资发展有限公司 | 一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP22880588A patent/JPH0280594A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103173829A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-06-26 | 济南大学 | 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
| CN104241439A (zh) * | 2013-06-09 | 2014-12-24 | 北京恒基伟业投资发展有限公司 | 一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1135162A (en) | Electrodeposition process for forming amorphous silicon | |
| JPH0280594A (ja) | アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 | |
| US5041350A (en) | Electrophotographic photoreceptor with inorganic compound in charge transport layer | |
| JPS6152652A (ja) | 電子写真画像形成部材の製造方法 | |
| FR2550355A1 (fr) | Element photoconducteur | |
| JP2772643B2 (ja) | 被膜作製方法 | |
| JP2595591B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61273551A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JP2811920B2 (ja) | 薄膜合成方法および薄膜合成装置 | |
| JP3606399B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPH01156758A (ja) | 電子写真感光体 | |
| WO2020183660A1 (ja) | 液浸部材、液浸露光装置、成膜方法および液浸部材の製造方法 | |
| JPS5931065B2 (ja) | 電子写真用感光体の製造法 | |
| JPS59104659A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5952251A (ja) | 電子写真用像形成部材の製造法 | |
| JPS6216420B2 (ja) | ||
| JPS63286858A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62174383A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| JPH0514274B2 (ja) | ||
| JPS61281873A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS62258463A (ja) | 光受容部材 | |
| JPH08262477A (ja) | 空間光変調素子の製造方法、 及び非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体 | |
| JPS6152232B2 (ja) | ||
| JPH01224772A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS6381363A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 |