CN103173829A - 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 - Google Patents
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103173829A CN103173829A CN2013101368622A CN201310136862A CN103173829A CN 103173829 A CN103173829 A CN 103173829A CN 2013101368622 A CN2013101368622 A CN 2013101368622A CN 201310136862 A CN201310136862 A CN 201310136862A CN 103173829 A CN103173829 A CN 103173829A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrochemical deposition
- cadmium telluride
- semiconductor film
- cdte
- telluride semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明属于薄膜涂覆技术领域，尤其涉及一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法。本发明的技术方案为：一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，包括如下四个步骤：1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制；2）沉积基底的清洗及处理；3）CdTe薄膜的电化学沉积；4）将沉积的CdTe薄膜转移到快速退火炉中退火处理，得到最终的CdTe半导体多晶薄膜，其特征在于：在所述步骤3）中的CdTe薄膜的电化学沉积是在光源照射下沉积。用简单有效的能量激发方式来提高电化学沉积法制备碲化镉半导体薄膜的效率实现其连续生长，达到一定的沉积厚度，并且既有工艺简单、容易操作、成本低廉的特点。
Description
技术领域
本发明属于薄膜涂覆技术领域，尤其涉及一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法。
背景技术
CdTe 是重要的II-VI族化合物半导体材料，具有直接带隙结构（CdTe多晶薄膜在室温下的直接带隙为1.45 eV），可具有n 型和p 型两种导电类型，而且两种载流子的迁移率都较高，吸收系数大于105cm-1，与太阳光谱十分匹配，是一种理想的太阳电池材料，应用前景广泛。
CdTe多晶薄膜的制备技术很多，有近十余种制备技术，如物理气相沉积法、近空间升华法、气相输运沉积法、溅射法、电化学沉积法、喷涂沉积法、金属有机化学气相沉积法、丝网印刷沉积法等。其中，电化学沉积法是公认的工艺简单，可控性和重复性较好的低成本方法。中国专利CN100590893（一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜的制备方法）给出的酸性条件下电化学沉积法制备碲化镉薄膜的方法，以及本专利申请人之前申请的中国专利CN102392282A（一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法）给出的碱性条件下电化学沉积法制备碲化镉半导体薄膜的方法，
上述技术都没法实现碲化镉半导体薄膜的连续生长，即沉积到一定厚度之后薄膜无法继续生长，膜厚无法达到太阳能电池的要求，并且存在制备速率慢、效率低、耗时间从而相应的增加了成本等不足，因此对于电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜普遍存在沉积速率慢的问题，寻找一种电化学沉积法制备碲化镉半导体薄膜的方法，成为摆在我们眼前的一个非常重要的问题。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有技术的不足，提供了一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法。本发明的技术方案工艺简单、容易操作、成本低廉，实现碲化镉半导体薄膜的连续生长，提高了电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的效率，同时也提高了碲化镉的结晶度，制备出厚度满足太阳能电池要求的CdTe半导体薄膜。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，包括如下四个步骤：1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制；2）沉积基底的清洗及处理 ；3）CdTe薄膜的电化学沉积；4）将沉积的CdTe薄膜转移到快速退火炉中退火处理，得到最终的CdTe半导体多晶薄膜，其特征在于：在所述步骤3）中的CdTe薄膜的电化学沉积是在光源照射下沉积。
本发明所述光源为氙灯、汞氙灯、金卤灯、卤钨灯、LED灯、荧光灯或阳光。因为碲化镉是一种半导体材料,光照能够增加载流子的浓度提高导电性,使得沉积电流增加,提高表面反应速度,从而提高制备效率,在相同的时间内(与非光照相对比)制备出较厚的碲化镉半导体薄膜；表面反应速度提高使得Te2-和Cd2+的结合通过扩散控制来调节，最终得到的碲化镉结晶度提高。
本发明所述光源照射的功率为1-1000mW/cm2。
本发明所述步骤1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制：按照0.0001 ~ 0.5mol/L二氧化碲（TeO2）、0.005 ~ 5mol/L镉盐和0.005 ~ 0.5mol/L 络合剂三种原料放入盛有去离子水的大烧杯中，充分搅拌使TeO2、硫酸镉以及络合剂全部溶解，用KOH调节pH为7.5-11.5，备用。
本发明所述络合剂为乙二胺四乙酸（EDTA）、氨三乙酸（NTA）或羟乙基乙二胺三乙酸（HEDTA）。
所述的镉盐为乙酸镉、或硝酸镉、或氯化镉、或硫酸镉或它们的水合物。
本发明所述步骤2）沉积基底的清洗及处理：将需要的沉积基底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗各15分钟，转移至快速退处理，冷却后备用。所用的沉积基底为FTO 导电玻璃、ITO 导电玻璃、沉积CdS 薄膜的ITO 或FTO 导电玻璃或者沉积ZnO 的ITO 或FTO 导电玻璃。
本发明所述步骤3）CdTe薄膜的电化学沉积：将沉积基底放于步骤1）配制的碱性前躯体沉积溶液中，利用光源照射，在20℃～90℃的温度以及-0.5V～-2.0V的阴极电位下沉积，沉积时间为10～600min，取出CdTe薄膜，用去离子水清洗，并在100℃下干燥。
本发明所述沉积温度优选为81℃～90℃。
本发明所述沉积阴极电位优选-0.5V～-0.9V。
本发明的有益效果是：用简单有效的能量激发方式来提高电化学沉积法制备碲化镉半导体薄膜的效率实现其连续生长，达到一定的沉积厚度，并且既有工艺简单、容易操作、成本低廉的特点，而且能够制备出致密、均匀、结晶度良好的碲化镉半导体薄膜来满足太阳能电池以及其他元器件性能的要求，利用本发明技术制备的CdTe半导体薄膜可用于组装太阳能电池，对提高电池的生产效率具有重要意义。
附图说明
图1 本发明实施例1制备的碲化镉半导体薄膜断面图，
图2本发明实施例1制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，
图3 本发明实施例2有光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜断面图，
图4 本发明实施例2无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜断面图，
图5 本发明实施例3增强光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜断面图，
图6 本发明实施例4有光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜表面扫描电镜图，
图7本发明实施例4无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜表面扫描电镜图，图8本发明实施例5制备的碲化镉半导体薄膜表面扫描电镜图，
图9本发明实施例6无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，
图10本发明实施例7无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，
图11本发明实施例8光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，
图12本发明实施例9光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜的XRD图，
图13本发明实施例10沉积过程中光照和停止光照的沉积电流对比图，
图14本发明实施例11有光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，
图15为本发明实施例11无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，
下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
具体实施方式
实施例1
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，包括如下四个步骤：
1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制：按照0.0001 ~ 0.5mol/L二氧化碲（TeO2）、0.005 ~ 5mol/L镉盐和0.005 ~ 0.5mol/L 络合剂三种原料放入盛有去离子水的大烧杯中，充分搅拌使TeO2、硫酸镉以及络合剂全部溶解，用KOH调节pH为9.0，备用；
2）沉积基底的清洗及处理：将需要的沉积基底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗各15分钟，转移至快速退处理，冷却后备用；
3）CdTe薄膜的电化学沉积：将沉积基底放于步骤1）配制的碱性前躯体沉积溶液中，利用光源照射，在40℃的温度以及-0.6V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min，取出CdTe薄膜，用去离子水清洗，并在100℃下干燥；
4）将沉积的CdTe薄膜转移到快速退火炉中退火处理，得到最终的CdTe半导体多晶薄膜。
从图1和图2可看出制备的碲化镉半导体薄膜很厚，并且非常致密结晶度也非常好。
实施例2
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为9.0，步骤3）在光照为15mW/cm2，40℃的温度以及-0.8V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min。 制备的碲化镉半导体薄膜断面图如图3。
图4为无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜断面图，其他制备方法和参数都与图3相同。
从图3和图4可看出，有光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜很厚，并且非常致密结晶度也非常好。
实施例3
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例2相同，只是其中：步骤3）的光照为15mW/cm2。制备的碲化镉半导体薄膜断面图如图5。
与实施例2中的图4相比，本实施例在光照强度增强下制备的碲化镉半导体薄膜很厚。
实施例4
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为11，步骤3）在光照为15mW/cm2，90℃的温度以及-1.1V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min。 制备的碲化镉半导体薄膜表面扫描电镜图如图6。
图7为无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜表面扫描电镜图，其他制备方法和参数都与图6相同。
从图6和图7可看出，有光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜好，致密均匀。
实施例5
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为10，步骤3）在光照为60mW/cm2，40℃的温度以及-0.8V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min。 制备的碲化镉半导体薄膜表面扫描电镜图如图8，表面起伏小，晶粒比较大且非常均匀。
实施例6
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为10，步骤3）无光照，50℃的温度以及-0.8V的阴极电位下沉积，沉积时间为30min，沉积基底是ＩＴＯ， 制备的碲化镉半导体薄膜XRD图如图9，从中看出结晶度不好。
实施例7
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为10.5，步骤3）无光照，60℃的温度以及-1.3V的阴极电位下沉积，沉积时间为30min，沉积基底是ＩＴＯ，制备的碲化镉半导体薄膜XRD图如图10，
实施例8
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为10.5，步骤3）光照条件下，60℃的温度以及-1.3V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min，沉积基底是ＩＴＯ上面做了一层ＣｄＳ，制备的碲化镉半导体薄膜XRD图如图11，结晶度非常好，ＣｄＴｅ衍射峰非常强。
实施例9
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为9，步骤3）在光照条件下，70℃的温度以及-1.0V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min，沉积基底是ＩＴＯ上面做了一层ＣｄＳ，制备的碲化镉半导体薄膜XRD图如图12，结晶度非常好，ＣｄＴｅ衍射峰非常强。
实施例10
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为9，步骤3）30℃的温度以及-1.0V的阴极电位下沉积，沉积过程中光照和停止光照的沉积电流对比图如图13，可以明显的看到光照条件下沉积电流很大，从而可以再相同的时间内制备出更厚的ＣｄＴｅ薄膜，提高沉积速率，使ＣｄＴｅ薄膜厚度达到太阳能电池的需求。
实施例11
一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，步骤与实施例1相同，其中：步骤1）调节pH为10.5，步骤3）在光照条件下，60℃的温度以及-1.3V的阴极电位下沉积，沉积时间为60min，沉积基底是FＴＯ，制备的碲化镉半导体薄膜XRD图如图14。
图15为无光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜XRD图，其他制备条件与图14相同，
从图14和图15可看出，有光照条件下制备的碲化镉半导体薄膜结晶度非常好，ＣｄＴｅ衍射峰非常强。
Claims (9)
1.一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，包括如下四个步骤：1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制；2）沉积基底的清洗及处理 ；3）CdTe薄膜的电化学沉积；4）将沉积的CdTe薄膜转移到快速退火炉中退火处理，其特征在于：在所述步骤3）中的CdTe薄膜的电化学沉积是在光源照射下沉积。
2.根据权利要求1所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述光源为氙灯、汞氙灯、金卤灯、卤钨灯、LED灯、荧光灯或阳光。
3.根据权利要求1所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述光源照射的功率为1-1000mW/cm2。
4.根据权利要求1所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述步骤1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制：按照按照0.0001 ~ 0.5mol/L二氧化碲、0.005 ~ 5mol/L镉盐和0.005 ~ 0.5mol/L络合剂三种原料放入盛有去离子水的大烧杯中，充分搅拌使TeO2、硫酸镉以及络合剂全部溶解，用KOH调节pH为7.5-11.5，备用。
5.根据权利要求4所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述络合剂为乙二胺四乙酸、氨三乙酸或羟乙基乙二胺三乙酸。
6.根据权利要求4所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述的镉盐为乙酸镉、或硝酸镉、或氯化镉、或硫酸镉或它们的水合物。
7.根据权利要求1所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述步骤3）CdTe薄膜的电化学沉积：将沉积基底放于步骤1）配制的碱性前躯体沉积溶液中，利用光源照射，在20℃～90℃的温度以及-0.5V～-2.0V的阴极电位下沉积，沉积时间为10～600min，取出CdTe薄膜，用去离子水清洗，并在100℃下干燥。
8.根据权利要求7所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述沉积温度优选为81℃～90℃。
9.根据权利要求7所述的一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征在于：所述沉积阴极电位优选-0.5V～-0.9V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013101368622A CN103173829A (zh) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013101368622A CN103173829A (zh) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103173829A true CN103173829A (zh) | 2013-06-26 |
Family
ID=48634002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013101368622A Pending CN103173829A (zh) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103173829A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107740132A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-27 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种电化学沉积制备碲化镉材料的方法 |
| CN109666959A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-23 | 华中科技大学 | 一种含锗硫系化合物的电化学制备方法 |
| EP4276919A1 (en) | 2022-05-10 | 2023-11-15 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing a semi-finished cdte based thin film solar cell device |
| EP4276920A1 (en) | 2022-05-10 | 2023-11-15 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing a semi-finished cdte based thin film solar cell device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280594A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Fujitsu Ltd | アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 |
| CN1534799A (zh) * | 2003-03-26 | 2004-10-06 | 佳能株式会社 | 光电元件的制造方法 |
| JP2009114481A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Canon Inc | 電析膜の形成方法、薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| CN102159753A (zh) * | 2008-08-01 | 2011-08-17 | 法国电力公司 | 用于光伏结构中的透明导电氧化物薄膜的形成方法 |
| CN102362014A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-22 | 阿西莫公司 | 在半导体衬底的表面上实行电化学反应的装置及方法 |
| CN102392282A (zh) * | 2011-11-26 | 2012-03-28 | 济南大学 | 一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
-
2013
- 2013-04-19 CN CN2013101368622A patent/CN103173829A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280594A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Fujitsu Ltd | アモルファス水素化シリコン膜の形成方法 |
| CN1534799A (zh) * | 2003-03-26 | 2004-10-06 | 佳能株式会社 | 光电元件的制造方法 |
| JP2009114481A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Canon Inc | 電析膜の形成方法、薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| CN102159753A (zh) * | 2008-08-01 | 2011-08-17 | 法国电力公司 | 用于光伏结构中的透明导电氧化物薄膜的形成方法 |
| CN102362014A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-22 | 阿西莫公司 | 在半导体衬底的表面上实行电化学反应的装置及方法 |
| CN102392282A (zh) * | 2011-11-26 | 2012-03-28 | 济南大学 | 一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107740132A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-27 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种电化学沉积制备碲化镉材料的方法 |
| CN109666959A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-23 | 华中科技大学 | 一种含锗硫系化合物的电化学制备方法 |
| EP4276919A1 (en) | 2022-05-10 | 2023-11-15 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing a semi-finished cdte based thin film solar cell device |
| EP4276920A1 (en) | 2022-05-10 | 2023-11-15 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing a semi-finished cdte based thin film solar cell device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jiang et al. | Pure Sulfide Cu 2 ZnSnS 4 Thin Film Solar Cells Fabricated by Preheating an Electrodeposited Metallic Stack. | |
| CN107871795B (zh) | 一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜的带隙梯度的调控方法 | |
| CN105826425B (zh) | 一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法 | |
| CN106298995A (zh) | 一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料及其在太阳能电池中的应用 | |
| CN102034898A (zh) | 一种太阳电池用铜铟硫光电薄膜材料的制备方法 | |
| CN107946393B (zh) | 基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104962962A (zh) | 一种深共晶溶液中电化学共沉积CZTS(Se)薄膜的方法 | |
| CN104795456B (zh) | 电沉积法制备三带隙铁掺杂铜镓硫太阳能电池材料的方法 | |
| CN102392282B (zh) | 一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法 | |
| CN113078239B (zh) | 一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法 | |
| CN102637755B (zh) | 一种纳米结构czts薄膜光伏电池及其制备方法 | |
| CN101127308B (zh) | 一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法 | |
| CN112201725A (zh) | 一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| CN103173829A (zh) | 一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法 | |
| CN103762257A (zh) | 铜锌锡硫吸收层薄膜及铜锌锡硫太阳能电池的制备方法 | |
| CN102637777A (zh) | 一种太阳电池光吸收层Cu2O纳米薄膜的化学制备工艺 | |
| CN101982567A (zh) | 一种用于太阳能电池的铜铟硒硫薄膜的制备方法 | |
| CN102270699A (zh) | 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法 | |
| CN102618853A (zh) | 一种铜锌锡硒薄膜的制备方法 | |
| CN104241439A (zh) | 一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| CN106591914A (zh) | 一种电沉积法制备的铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层 | |
| CN104037267A (zh) | 一种对铜锌锡硒薄膜太阳能电池吸收层改性的方法 | |
| CN104600144A (zh) | 基于体异质结结构吸光层的高效铜铟镓硒薄膜光电池 | |
| CN103952675A (zh) | 一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法 | |
| CN101882653A (zh) | 基于纳米CdS薄膜的太阳能电池制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130626 |