JPH0280462A - イオン導電性材料およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン導電性材料およびその製造方法に関する
。

〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕近年
、電池２表示素子（ＥＣＤ等）等の電子デバイスは、高
性能化、小形化、薄型化が一段と進んでいる。それに伴
いそれらに用いられるイオン導電性材料も高性能化はも
ちろんのこと、固体化、高信頼性、高柔軟性、高成形加
工性、耐湿性など種々の高度な要求がなされている。

従来、このようなイオン心電性材料としては、（ｉ）　
　電解質を水、水性溶剤または有機溶剤に溶解した電解
質溶液： （ｉｉ）　　ベータ・アルミナ（β−Ａ１．Ｏ，）　、
窒化リチウム（Ｌｉ、Ｎ）　、　　ヨウ化リチウム−ア
ルミナ（ＬｉＩ−ＡＱ２０．）、　ヨウ化銀ルビジウム
等の無機質からなる固体電解質材料二 （■）高分子樹脂マトリックスに周期律表第１族または
第■族金属の塩を溶解、分散させた固体電解質材料： 等が知られている。

しかし、（ｉ）の電解質溶液は、材料に水または有機溶
剤等の液体を用いているため、電子デバイス外部への漏
液という問題が常に存在し、この漏液によりデバイスの
性能劣化や周辺部品の損傷を引き起こす場合がある。こ
の欠点を改善するために、電解質溶液中に高分子化合物
を混合して糊状あるいはゲル状にしたイオン導電性材料
もあるが。

この材料にしても漏液の危険性を完全に払拭できるもの
ではなかった。また、（ｉ）の固体電解質材料は本質的
に高信頼性の長寿命な電子デバイスに適用でき、かつ、
小形、薄型化の要求に応じろる材料である。しかし、現
状では室温で十分に導電性のある材料は得られておらず
、広く実用化されるまでに至っていない、また、（市）
の固体電解質材料は本質的に（ｎ）と同様、漏液という
問題が解決されうるばかりか、有機高分子特有の高柔軟
性、高成形加工性といった優れた特性の付与が期待でき
るので、前述の電子デバイスの広範な要求に応じろる材
料として注目をあびている。かかる固体電解質材料に用
いられる高分子のイオン心電性材料に要求される特性と
しては イ）含有させる電解質（金属塩）の溶解量が十分に大き
く、かつ、イオンに解離させる能力が大きいこと。

口）解離したイオンが高分子マトリックス中を移動しや
すいこと。

等があげられる６以上の条件を満たす高分子構造として
はＰＥＯ（ポリエチレンオキシド）等のポリエーテルセ
グメントを含む架橋体が比較的よい導電性を示すため、
種々検討がなされている。しかし、ＰＥＯの単体を架橋
しただけでは分子運動性に限界があり、室温で十分な導
電率が得られていない、そこで、この欠点を改良するた
め、分子運動性の極めて高いシロキサンセグメントとＰ
ＥＯセグメントとを組み合わせた固体電解質の合成が試
みられている０例えば、特開昭６０−２１６４６３号公
報、特開昭６０−２１７２６３号公報および特開昭６３
−１４２０６１号公報には５ｉ−０−Ｃ結合により結合
されたシロキサンとＰＥＯとの共重合体の架橋物にリチ
ウムイオン等を分散させてイオン導電性材料としたもの
が記されている。しかし、Ｓｉ　−０−Ｃ結合は水の存
在により容易に切断されるため、材料としての取扱が極
めて不便である。また、ソリッドステルドアイオニクス
（ＳｏＱｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｉｏｎｉｃｓ）、　１５゜
２３３　（１９８５）等にはポリエチレングリコールを
側鎖に有するポリシロキサンを２官能性イソシアナート
により架橋固化させ、金属イオンを分散させでイオン導
電性材料としたものが開示されている。しかし、この場
合、十分な強度を出すまで固化させるには、ＮＣｏ基の
量をＯＨ基に対して十分に過剰に加えなければならない
が、残存したＮＣｏ基は電池などのデバイスに組み込ん
だ場合、電極材と反応を起こす恐れがあり、実用化には
問題があった。さらに、特開昭６２−２０９１６９号公
報にはシロキサンとＰＥＯとの架橋物の製造方法として
白金触媒によるヒドロシリル化反応や放射線（電子線等
）の照射による架橋方法を挙げ、これらに、金属イオン
を分散させて、イオン導電性材料としたものが開示され
ている。しかし、これらの方法の場合、まず、白金触媒
を用いる場合は。

系内に白金が残留することになり、得られた固体電解質
は着色を呈するので、表示素子には適さないばかりか、
リチウムイオン等のキャリアイオンの移動度を低下させ
る恐れがあった。また、放射線による架橋方法は以上の
ような欠点は除去できるが、設備に莫大な費用がかかる
ため、実用化に至っていない。

このように、現在まで提案されたポリシロキサンと他の
高分子材料の架橋物からなる固体電解質は、いずれも特
性あるいは製造法に欠点を有しており、前述の電子デバ
イスへの応用としては満足すべきものではなかった。

本発明者らはかかる問題点を解決すべく鋭意検討した結
果、特定の共重合体架橋物中に特定の金かイオンを分散
させてなる材料が、上記のような欠点がなくイオン導電
性に優れることを見出し本発明に到達した。

本発明の目的は電池、表示素子などの電子デバイスの固
体電解質として好適に使用可能なイオン導電性材料およ
びその製造方法を提供するにある。

〔課題の解決手段とその作用〕

かかる本発明は、 （Ａ）１分子中に少なくとも２個のカルボキシル基含有
炭化水素基を有するオルガノポリシロキサンと（Ｂ）１
分子中に少なくとも２個の水酸基を有するポリオキシア
ルキレンとを反応させてなる共重合体架橋物と、（Ｃ）
周期律表第■族または第■族の金属イオンとからなり、
該金パイオンが前記共重合体架橋物中に分散しているこ
とを特徴とするイオン導電性材料に関する。

これについて説明するに、（Ａ）成分のオルガノポリシ
ロキサンは、本発明のイオン導電材料の共重合体架橋物
を構成する主剤となるものであって、該共重合体架橋物
を形成するためには１分子中に２個以上のカルボキシル
基含有炭化水素基を有することか必要であり、また、こ
のカルボキシル基基 含有炭化水へか結合したシロキサン単位とそれ以外のシ
ロキサン単位の比率が０．０１〜１００の範囲内にある
ものが好ましい。

本成分の分子構造は直鎖状１分枝状、環状、＃１状、三
次元請造の何れでもよいが、共重合体架橋物の形成の容
易さからその半数以上は直鎖状もしくは分枝状であるこ
とが好ましい、また、その分子量は特に限定されないが
、製造の容易さ、共重合体架橋物としての適度の硬さを
得るためには２００〜９００の範囲内にあることが好ま
しい。

（Ａ）成分のカルボキシル基含有炭化水素基としては、
例えば、−数式１１００Ｃ−Ｒ’　（式中、Ｒ’はメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基。

ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレ
ン基等の炭素数６〜２０のフルキレン基またはフェニレ
ン基、ナフチレン基等の炭素数６〜２０のアリール基で
ある。）で示される基が挙げられ。

これらの中でもカルボキシアルキル基が好ましく、カル
ボキシプロピル基が特に好ましい。（Ａ）成分中のカル
ボキシル基含有炭化水素基以外の有機基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；
フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベ
ンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が例示される
。また、ケイ素原子に結合した基としては、少量の水素
原子。

アルコキシ基が含まれてもよい、経済性および良好な共
重合体架橋物の形成性の観点からはケイ素原子に結合し
たオルガノ基の半数以上はメチル基であることが好まし
い。かかるオルガノポリシロキサンとしては、例えば１
分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチ
ル力ルボキシプロピルシロキサン・ジメチルシロキサン
共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖
されたメチルカルボキシプロピルシロキサン・メチルフ
ェニルシロキサン共重合体が挙げられる。

かかるオルガノポリシロキサンの合成方法としては種々
の方法が知られているが、その１つの方法としてはシア
ノ基を有するオルガノジクロロシランとシアノ基を有さ
ないジクロロシランとを共加水分解して得られる環状物
を酸水溶液中でかくはんし、シアノ基がカルボキシル基
に転化する反応と開環重合を起させる方法が挙げられる
〔ＰｏＱｙａａｅｒ　Ｃｏ＋＋ｕ＋＋ｕｎｉｃａｔｉｏ
ｎｓ、　２６．２４９　（１９８５）参照〕。

（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンは上記（Ａ）成分の
架橋剤であり、架橋剤としての働きをするためには、１
分子中に少なくとも２個の水酸基を含有することが必要
である。本成分の分子構造および化学構造については特
に限定されないが、共重合体架橋物の形成の容易さ等か
ら一般式ＨＯ−（Ｒ”０）ｎ−ＯＨ（式中、　Ｒ１は＝
梼＃イ本宇基、ｎは１〜１００の整数である。）で示さ
れる分子鎖両末端に水酸基を有するポリオキシアルキレ
ンが好ましい。かかるポリオキシアルキレンは上式中、
Ｒ１は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基。

ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン
基等のアルキレン基 である、ｎはＪ〜 １００の範囲内であり、　５〜２０の範囲内であること
が好ましい。

（Ｂ）成分は上記のような１分子中に少なくとも２個の
水酸基を有するポリオキシアルキレンであるが、より高
いイオン導電性を要求される場合にはアルキル基または
アリール基、　ｍは１〜１００の整数である。）で示さ
れる分子鎖片末端のみに水酸基を有するポリオキシアル
キレンを含有するものであることが好ましい。

かかる分子鎖片末端のみに水酸基を有するポリオキシア
ルキレンは上記（Ａ）成分と縮合反応し、共重合体架橋
物中にポリオキシアルキレンのグラフト鎖を形成させる
働きをする０本発明においては、かかるグラフト鎖が若
干存在した方がイオン導電性が向上する傾向にある。か
かる分子鎖月末あり、　Ｒ３はメチル基、エチル基、プ
ロピル基等のアルキル基；フェニル基、ナフチル基等の
７リール基である。

本発明のイオン導電性材料は、上記のような（Ａ）成分
と（Ｂ）成分とを反応させてなる共重合体架橋物と（Ｃ
）周期律表第■族または第■族の金属イオンからなるも
のであるが、この共重合体架橋物は、主に（Ａ）成分中
のカルボキシル基と（Ｂ）成分中の水酸基とのエステル
化反応によって形成されるものであるので、その反応手
段としてはカルボキシル基と水酸基との反応に用いられ
ている従来公知の反応手段、例えば、ルイス酸等のエス
テル化反応触媒を使用し、常温または加熱下に反応させ
る方法が利用できる。

（Ｃ）成分はイオン導電性付与剤であり、これは、周期
律表第１族または第■族に属するものであればよく特に
限定されない。かかる金属イオンとしではリチウム、ナ
トリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム等の金
属イオンが例示される。

これらの中でも単位体積あるいは単位重量当りのエネル
ギー密度を大きくするためにはリチウムイオンが好まし
い。また、本発明のイオン導電性材料を電池などに適用
する場合は、用いられる電極材と同種のイオン（例えば
、電極材がリチウムの場合はリチウムイオン）を選択す
る必要がある。

かかる（Ｃ）成分は、通常、金属塩の形態で使用される
。金属塩の種類としては、いずれでもよいが、イオン導
電性を高めるためには過塩素酸リチウム（ＬｉＣ１Ｏ，
）　、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）。

リンフッ化リチウム（ＬｘＰＦｉ）−三フッ化メタンス
ルホン酸リチウム（ＬｊｃＦ、５ｏｓ）　＋　ヨウ化リ
チウム■ （Ｌｉ番）等が好ましい。

また、その分散量は共重合体架橋物中のオキシアルキレ
ン基のモル数［Ｒ○］に対する塩のモル数［Ｓ］（例え
ば［ＬｉＣＱ０４コ等）比［Ｓ］／口ＲＯＩはｏ、ｏｏ
ｓ〜０．２５とすることが好ましく、　より好ましくは
０．０１〜０．０５である。　これは［Ｓ］／［ＲＯコ
が０．２５を越えると金属塩が均一に分散し難くなり。

また０、００５未満になると高いイオン導電性が得難く
なるからである。

本発明のイオン導電性材料は、一般のカルボキシル基を
有する化合物と水酸基を有する化合物とのエステル化反
応に使用されている従来公知の技術手段および高分子物
質中に金属塩を分散させる従来公知の技術手段を組み合
せることによって容易に製造される。これらの１例を挙
げれば１例えば（Ａ）成分と（Ｂ）成分との混合物に硫
酸、塩酸等のルイス酸を添加し、常温下または加熱下に
エステル化反応させることにより、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分とからなる共重合体架橋物を造り、これを有機溶剤
に膨潤させた後、（Ｃ）成分を混合し分散させる方法、
（Ａ）成分〜（Ｃ）成分からなる混合物にルイス酸を添
加し、これをエステル化反応により架橋して、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分とからなる共重合体架橋物を造ると同時
に（Ｃ）成分を分散させる方法が挙げられるが１本発明
のイオン導電材料を製造するには１次のような製造方法
が好ましい。

すなわち、 （Ａ）１分子中に少なくとも２個のカルボキシル基含有
炭化水素基を有するオルガノポリシロキサン （Ｂ）１分子中に少なくとも２個の水酸基を有するポリ
オキシアルキレン 本成分中の水酸基のモル数と（Ａ）成分中のカルボキシ
ル基のモル数の比率が （１：１０）〜（ｌｏｌｌ）となるような量。

（Ｃ）周期律表第夏衣または第■表の金属塩。

（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して
０．５〜２０重量部、 からなる混合物を、エステル化反応触媒の存在下に加熱
するという方法である。

これについて説明するに、ここで使用される（Ａ）成分
と（Ｂ）成分は前記イオン導電性材料の説明の項で詳述
した（Ａ）成分と（Ｂ）成分と同じである。

（Ｂ）成分の配合割合は本成分中の水酸基のモル数と（
Ａ）成分中のカルボキシル基のモル数の比が（１：　１
０）〜（１０：１）の範囲内であり、（１，０：　１．
２）〜（１，２：　１．０）の範囲内が好ましい。これ
は（Ａ）成分と（Ｂ）成分はいずれの比率でもエステル
化反応が起こり、固体化した共重合体架橋物が得られる
が、（Ａ）成分中のカルボキシル基のモル数（Ｂ）成分
中の水酸基の比率が大巾に異なると本発明のイオン導電
性材料中に未反応のカルボキシル基または水酸基が残存
した状態となる傾向にある。このようにして得られたイ
オン導電性材料を電池等に応用した場合には、電極材と
の反応等の弊害が起こることが予想されるので、好まし
くない。

（Ｃ）成分は前記イオン導電性材料の説明の項で詳述し
た（Ｃ）成分と同じであり、その配合量は（Ａ）成分と
（Ｂ）成分との合計量１００重量部に対して０．５〜２
０重量部である。これは０．５重量部未満になるとイオ
ン導電性が低下し実用に供さなくなるからであり、一方
、２０重量部を越えると均一な混合物として得られない
からである。

この方法においては（Ａ）成分〜（Ｃ）成分からなる混
合物をエステル化反応用触媒の存在下に加熱するのであ
るが、ここで使用されるエステル化反応用触媒は特に限
定されず、一般にカルボキシルＪ＆を有する化合物と水
酸基を有する化合物とのエステル化反応に使用されてい
る公知のエステル化反応触媒、例えば、硫酸、塩酸、硝
酸等が使用される。また、加熱はエステル化反応を促進
しすると同時にエステル化反応によって発生した副生物
である水を除去するための技術手段であり、その温度は
通常１５０℃以下である。

また、この架橋反応は一般に有機溶剤中で行うことが有
利である。かかる有機溶剤は、（Ａ）〜（Ｃ）成分を溶
解あるいは分散し得るものであり。

かつ、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とのエステル化反応を阻
害しないものであればよく、特に限定されない。

かかる有機溶剤としては、例えばテトラヒドロフラン、
ジオキサン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシドが挙げられる。

また、このエステル化反応は副生物として水を生成する
ので、最終的には本発明のイオン導電性材料を減圧下に
置くことが好ましく、例えば常圧下に有機溶剤の沸点以
下でエステル化反応をある程度進行させた後に、有機溶
剤を蒸発させ、しかる後に減圧下で加熱し、生成した水
の除去とエステル化反応の完結を同時に行う方法が推奨
される。

〔実施例〕

以下、実施例にて、本発明をより詳細に説明する。

なお、イオン導電率の測定は次の方法で行った。

イオン導電性材料をフィルム状に成形し、副室用試料と
した。この試料の厚さをマイクロメーターで測定した後
、試料の両面に直径１０の円形プレート状の白金電極を
密着し、この全体を任意の温度に設定できる減圧容器内
に設置し、１０−’Ｔｏｒｒ以下の高真空まで減圧して
試料の状態が十分に平衡に達した後、ＬＣＲメーター（
横河ヒューレットパッカード社製４１９２Ａ　）により
５　Ｈｚ〜１３Ｍ　Ｈｚの交流電圧を印加し、複素イン
ピーダンス法により導電率を測定した。

実施例１ 下記に示される化合物（■０．５９０　ｇ　、化合物■
０．４１０ｇおよび過塩素酸リチウム２８．４１１１ｇ
をテトラヒドロフラン２−と混合し、超音波を照射して
十分に溶解せせた。この溶液を３１四方のテフロン製の
皿に流し込み、ホットプレート上で１２０℃で２時間加
熱した後、真空乾燥器にて１４０℃で４日間真空乾燥し
たところ、０．３ｍの厚さの透明なフィルムを得た。こ
のフィルムの赤外吸収スペクトルを調べたところ、水酸
基に由来するピークが認めら九ないことと、カルボニル
基に由来するピークが１７４０ａ＋＋−１に位置するこ
とがら、エステル化反応はほぼ完全に行おれていること
がわかった。フィルムのイオン導電率を測定したところ
、２５℃で５．６×ｌ０−ｓＳ−ａｌｌ−１の値が得ら
れた。各測定温度と導電率の関係は図１に示すとおりで
ある。

化合物■： （ＣＨ，入−〇Ｘｌｌ 化合物■： ＨＯ−（ＣＨ，ＣＨ２０）、−Ｈ 実施例２ 実施例１で使用した化合物の０．５１４　ｇ　、化合物
■０．２３９　ｇ　、下記に示される化合物■０．２４
７ｇおよび過塩素酸リチウム３３．２！ｇをテトラヒド
ロフラン２ｍＱと混合し、超音波を照射して十分に溶解
せしめ、実施例１と同様な加熱乾燥処理を行ったところ
、　　０．３ｍｍの厚さの透明なフィルムを得た。さら
に、イオン導電率を測定したところ、２５℃で７．８　
Ｘ　１０−’　Ｓ−ロー１の値が得られた。

化合物■： ＨＯ−（ＣＨ，ＣＨ，Ｏ）、　−ＣＨ。

実施例３ 下記に示される化合物（イ）０．５１８ｇ、実施例１で
使用した化合物■０．４８２ｇおよび過塩素酸リチウム
３３．４■をテトラヒドロフラン２ＩｎＱと混合し、超
音波を照射して十分に溶解せしめ、実施例１と同様な加
熱乾燥処理を行ったところ、０．３ｎｎの厚さの透明な
フィルムを得た。イオン導電率を測定したトコロ、２５
℃テ３．２Ｘ１０−ｓＳ−３−”（１）値が得うレタ。

化合物に）： 実施例４ 上記の化合物に）０．４４２ｇ、化合物■０．２７４　
ｇ　、化合物（９０，２８４ｇおよび過塩素酸リチウム
３１．７■をテトラヒドロフラン２−と混合し、超音波
を照射して十分に溶解せしめ、実施例１と同様な加熱乾
燥処理を行ったところ、０．３ｍの厚さの透明なフィル
ムを得た。イオン導電率を測定したところ、２５℃で７
．４　Ｘ　１０−’　Ｓ−ｃｍ−”の値が得られた。

実施例５ 上記の化合物■０．５３０ｇ、下記に示される化合物Ｑ
１９０．４７０ｇおよび過塩素酸リチウム２８．４■を
テトラヒドロフラン２ａｌｌと混合し、超音波を照射し
て十分に溶解せしめ、実施例１と同様な加熱乾燥処理を
行ったところ、０．３Ｓｍの厚さの透明なフィルムを得
た。イオン導電率を測定したところ、２５℃で１．５　
Ｘ　１０−１０−５Ｓ−”の値が得られた。

化合物（ハ）： ＨＯ−（ＣＨ，Ｃ）１．０）＆−（Ｃ）Ｉ、ＣＨＯ）、
−８ＣＨ。

実施例６ 上記の化合物■０．５９　ｇ　、　　化合物■０．４１
０　ｇおよび三フッ化メタンスルホン酸リチウム２８．
４■をテトラヒドロフラン２ｍＱと混合し、超音波を照
射して十分に溶解せしめ、実施例１と同様な加熱乾燥処
理を行ったところ、０．３１の厚さの透明なフィルムを
得た。イオン導電率を測定したところ、２５℃で１．８
Ｘ１０−ｓＳ−ｃｓ−”の値が得られた。

〔発明の効果〕

本発明のイオン電性材料は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
からなる特定の共重合体架橋物中に（Ｃ）成分の金属イ
オンが分散しているので室温で高いイオン導電性を示し
、これを電子デバイス等へ適用した際には液漏れ、副作
用等の弊害がない等の特徴を有する。したがって高信頼
性の製品が得られるほか、無色透明のため幅広い用途が
期待できる。

また、その製造方法は、簡便さ、省エネルギー性等に優
れるほか、設備投資に必要な経費が低減できる等の特徴
を有する。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明の実施例１で得られたイオン導電性材料の
測定温度と導電率の関係を示したものである。なあ・、
図１にといてのはイオ〉導電率τあり、■は把灯Ｓｉｒ
である。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ａ）１分子中に少なくとも２個のカルボキシル
   基含有炭化水素基を有するオルガノポリシロキサンと（
   Ｂ）１分子中に少なくとも２個の水酸基を有するポリオ
   キシアルキレンとを反応させてなる共重合体架橋物と、
   （Ｃ）周期律表第 I 族または第II族の金属イオンとか
   らなり、該金属イオンが前記共重合体架橋物中に分散し
   ていることを特徴とするイオン導電性材料。
2. （２）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式ＨＯ
   −（Ｒ＾１Ｏ）＿ｎ−Ｈ　（式中、Ｒ＾１はアルキレン
   基，ｎは１〜１００の整数である。）で示されるもので
   ある、特許請求の範囲第１項記載のイオン導電性材料。
3. （３）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが、一般式Ｈ
   Ｏ−（Ｒ＾２Ｏ）＿ｍ−Ｒ＾３（式中、Ｒ＾２はアルキ
   レン基，Ｒ＾３はアルキル基またはアリール基，ｍは１
   〜１００の整数である。）で示される分子鎖片末端のみ
   に水酸基を有するポリオキシアルキレンを含有するもの
   である、特許請求の範囲第１項記載のイオン導電性材料
   。
4. （４）（Ａ）１分子中に少なくとも２個のカルボキシル
   基含有炭化水素基を有するオルガノポリシロキサン、 （Ｂ）１分子中に少なくとも２個の水酸基を有するポリ
   オキシアルキレン 本成分中の水酸基のモル数と（Ａ）成 分中のカルボキシル基のモル数の比 率が（１：１０）〜（１０：１）となるような量。 （Ｃ）周期律表第 I 族または第II族の金属塩、（Ａ）
   成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．５
   〜２０重量部、 からなる混合物を、エステル反応用触媒の存在下に加熱
   することを特徴とする、イオン導電性材料の製造方法。
5. （５）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式ＨＯ
   −（Ｒ＾１Ｏ）＿ｍ−ＯＨ（式中、Ｒ＾２はアルキレン
   基，ｎは１〜１００の整数である。）で示されるもので
   ある、特許請求の範囲第４項記載のイオン導電性材料の
   製造方法。
6. （６）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式ＨＯ
   −（Ｒ＾２Ｏ）−Ｒ＾３（式中、Ｒ＾２はアルキレン基
   ，Ｒ＾３はアルキル基またはアリール基，ｍは１〜１０
   ０の整数である。）で示される分子鎖片末端のみに水酸
   基を有するポリオキシアルキレンを含有するものである
   、特許請求の範囲第４項記載のイオン導電性材料の製造
   方法。