JPH0270756A - イオン導電性材料およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン導電性材料およびその製造方法に関し、
詳しくは、特定の高分子共重合体架橋物に電解質を分散
させたイオン導電性材料およびその製造方法に関する。

〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕近年
、電池１表示素子（ＥＣＤ等）等の電子デバイスは、高
性能化、小形化、薄型化が一段と進んでいる。それに伴
いそれらに用いられるイオン導電性材料も高性能化はも
ちろんのこと、固体化、高信頼性、高柔軟性、高成形加
工性、耐湿性など種々の高度な要求がなされている。

従来、このようなイオン導電性材料としては、（ｉ）　
　電解質を水、水性溶剤または有機溶剤に溶解した電解
質溶液： （ｎ）　　ベータ・アルミナ（β−Ａｊ２，０．）　、
窒化リチウム（Ｌｉ、Ｎ）、　ヨウ化リチウム−アルミ
ナ（ＬｉＩ−Ａら０．）、　ヨウ化銀ルビジウム等の無
機質からなる固体電解質材料： （徂）高分子樹脂マトリックスに周期律表第■族または
第■族金属の塩を溶解、分散させた固体電解質材料： 等が知られている。

しかし、（ｉ）の電解質溶液は、材料に水または有機溶
剤等の液体を用いているため、電子デバイス外部への漏
液という問題が常に存在し、この漏液によりデバイスの
性能劣化や周辺部品の損傷を引き起こす場合がある。こ
の欠点を改善するために、電解質溶液中に高分子化合物
を混合して糊状あるいはゲル状にしたイオン導電性材料
もあるが。

この材料にしても漏液の危険性を完全に払拭できるもの
ではなかった。また、（ｉｉ）の固体電解質材料は本質
的に高信頼性の長寿命な電子デバイスに適用でき、かつ
、小形、薄型化の要求に応じうる材料である。しかし、
現状では室温で十分に導電性のある材料は得られておら
ず、広く実用化されるまでに至っていない。また、（■
）の固体電解質材料は本質的に（五）と同様、漏液とい
う問題が解決されうるばかりか、有機高分子特有の高柔
軟性、高成形加工性といった優れた特性の付与が期待で
きるので、前述の電子デバイスの広範な要求に応じうる
材料として注目をあびている。かかる固体電解質材料に
用いられる高分子のイオン導電性材料に要求される特性
としては イ）含有させる電解質（金属塩）の溶解量が十分に大き
く、かつ、イオンに解離させる能力が大きいこと。

口）解離したイオンが高分子マトリックス中を移動しや
すいこと。

等があげられる１以上の条件を満たす高分子構造として
はＰＥＯ（ポリエチレンオキシド）等のポリエーテルセ
グメントを含む架橋体が比較的よい導電性を示すため、
種々検討がなされている。しかし、ＰＥＯの単体を架橋
しただけでは分子運動性に限界があり、室温で十分な導
電率が得られていない。そこで、この欠点を改良するた
め、分子運動性の極めて高いシロキサンセグメントとＰ
ＥＯセグメントとを組み合わせた固体電解質の合成が試
みられている。例えば、特開昭６０−２１６４６３号公
報、特開昭６０−２１７２６３号公報および特開昭６３
−１４２０６１号公報には５ｉ−０−Ｃ結合により結合
されたシロキサンとＰＥＯとの共重合体の架橋物にリチ
ラムイオン等を分散させてイオン導電性材料としたもの
が記されている。しかし、５ｉ−ｏ−ｃ結合は水の存在
により容易に切断されるため、材料としての取扱が極め
て不便である。また、ソリッドステードアイオニクス（
Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｉｏｎｉｃｓ）、　１５゜２
３３　（１９８５）等にはポリエチレングリコールを側
鎖に有するポリシロキサンを２官能性イソシアナートに
より架橋固化させ、金属イオンを分散させてイオン導電
性材料としたものが開示されている。しかし、この場合
、十分な強度を出すまで固化させるには、ＮＣｏ基の量
をＯＨ基に対して十分に過剰に加えなければならないが
、残存したＮＣｏ基は電池などのデバイスに組み込んだ
場合、電極材と反応を起こす恐れがあり、実用化には問
題があった。さらに、特開昭６２−２０９１６０号公報
にはシロキサンとＰＥ○との架橋物の製造方法として白
金触媒によるヒドロシリル化反応や放射線（電子線等）
の照射による架橋方法を挙げ、これらに、金属イオンを
分散させて、イオン導電性材料としたものが開示されて
いる。しかし、これらの方法の場合、まず、白金触媒を
用いる場合は、系内に白金が残留することになり、得ら
れた固体電解質は着色を呈するので、表示素子には適さ
ないばかりか、リチウムイオン等のキャリアイオンの移
動度を低下させる恐れがあった。また、放射線による架
橋方法は以上のような欠点は除去できるが、設優に莫大
な費用がかかるため、実用化に至っていない。

このように、現在まで提案されたポリシロキサンと他の
高分子材料の架橋物からなる固体電解質は、いずれも特
性あるいは製造法に欠点を有しており、前述の電子デバ
イスへの応用としては満足すべきものではなかった。

本発明老らはかかる問題点を解決すべく鋭意検討した結
果、特定の共重合体架橋物中に特定の金属イオンを分散
させてなる材料が、上記のような欠点がなくイオン導電
性に優れることを見出し本発明に到達した。

本発明の目的は電池、表示素子などの電子デバイスの固
体電解質として好適に使用可能なイオン導電性材料およ
びその製造方法を提供するにある。

〔課題の解決手段とその作用〕

かかる本発明は。

（Ａ）１分子中に少なくとも２個のメルカプト基含有炭
化水素基を有するオルガノポリシロキサンと（Ｂ）１分
子中に少なくとも２個の脂肪族不飽和炭化水素基を有す
るポリオキシアルキレンとを反応させてなる共重合体架
橋物と、（Ｃ）周期律表第■族または第■族の金属イオ
ンとからなり、該金属イオンが前記共重合体架橋物中に
分散していることを特徴とするイオン導電性材料に関す
る。

これについて説明するに、（Ａ）成分のオルガノポリシ
ロキサンは、本発明のイオン導電材料の共重合体架橋物
を構成する主剤となるものであって、該共重合体架橋物
を形成するためには１分子中に２個以上のメルカプト基
含有炭化水素基を有することが必要であり、また、この
メルカプト基含有炭化水素が結合したシロキサン単位と
それ以外のシロキサン単位の比率が０．０１〜１００の
範囲内にあるものが好ましい。

本成分の分子構造は直鎖状９分枝状、環状、網状、三次
元構造の何れでもよいが、共重合体架橋物の形成の容易
さからその半数以上は直鎖状もしくは分枝状であること
が好ましい。また、その分子量は特に限定されないが、
製造の容易さ、共重合体架橋物としての適度の硬さを得
るためには２００〜９００の範囲内にあることが好まし
い。

（Ａ）成分のメルカプト基含有炭化水素基としては１例
えば、一般式ＢＳ−Ｒ’　（式中、ＲＧはメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基
、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等の炭素
数６〜２０のアルキレン基またはフェニレン基、ナフチ
レン基等の炭素数６〜ｚＯのアリール基である。）で示
される基が挙げられ、これらの中でもメルカプトアルキ
ル基が好ましく、メルカプトプロピル基が特に好ましい
。（Ａ）成分中のメルカプト基含有炭化水素基以上の有
機基としては１例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基
等のアリール基：ベンジル基、フェネチル基等のアラル
キル基が例示される。また、ケイ素原子に結合した基と
しては、少量の水素原子、水酸基、アルコキシ基が含ま
れてもよい、経済性および良好な共重合体架橋物の形成
性の観点からはケイ素原子に結合したオルガノ基の半数
以上はメチル基であることが好ましい。かかるオルガノ
ポリシロキサンとしては、例えば、分子鎖両末端がトリ
メチルシロキシ基で封鎖されたメチル（３−メルカプト
プロピル）シロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、
分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチ
ル（３−メルカプトプロピル）シロキサン・メチルフェ
ニルシロキサン共重合体が挙げられる。

（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンぼ上記（Ａ）成分の
架橋剤であり、架橋剤としての働きをするためには、１
分子中に少なくとも２個の脂肪族不飽和炭化水素基を含
有することが必要である０本成分の分子構造および化学
構造については特に限定されないが、共重合体架橋物の
形成の容易さ等から一般式Ｚ−Ｒ’−０−（Ｒ”Ｏ）、
−０−Ｒ１−Ｚ　（式中、Ｚは脂肪族不飽和炭化水素基
、　Ｒ”、　Ｒ２は二価炭化水素基。

ｎは１〜１００の整数である。）で示される分子鎖両末
端に脂肪族不飽和炭化水素基を有するポリオキシアルキ
レンが好ましい。かかるポリオキシアルキレンは上式中
、２がビニル基、アリル基、プロペニル基等の脂肪族不
飽和炭化水素基である。Ｒ９Ｒ２は、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘ
キシレン基。

ヘプチレン基、オクチレン基等のアルキレン基とかフヱ
ニルプロピレン基、プロピレンフェニレン基等のアリー
ル基とアルキレン基またはアルキル基とアリーレン基の
連鎖基等の二価の炭化水素基である。ｎは１〜１００の
範囲内であり、　５〜２０の範囲内である。

（Ｂ）成分は上記のような１分子中に少なくとも２個の
脂肪族不飽和炭化水素基を含有するポリオキシアルキレ
ンであるが、より高いイオン導電性を要求される場合に
は、このポリオキシアルキレンが一般式Ｑ−Ｒ３−０−
（Ｒ’Ｏ）＋＋ｔ−Ｒ’　（式中、Ｑは脂肪族不飽和炭
化水素基、　Ｒ”、　Ｒ’は二価炭化水素基。

Ｒ５はアルキル基またはアリール基９ｍは１〜１００の
整数である。）で示される分子鎖片末端のみに脂肪族不
飽和炭化水素基を有するポリオキシアルキレンを含有す
るものを使用することが好適である。ここで使用される
分子鎖片末端のみに脂肪族不飽和炭化水素基を有するポ
リオキシアルキレンは上記（Ａ）成分のメルカプト基に
付加反応し、共重合体架橋物中にポリオキシアルキレン
のグラフト鎖を形成させる働きをする。本発明において
は、かかるグラフト鎖が若干存在した方がイオン導電性
が向上する傾向にあるので、より高いイオン導電性が要
求される場合には、（Ｂ）成分としてこの種のポリオキ
シアルキレン含有することが好ましい。かかる分子鎖片
末端のみに脂肪族不飽和基を含有するポリオキシアルキ
レンは上式中、Ｑは上記と同様な脂肪族炭化水素基、　
Ｒ３，Ｒ’は上記と同様な二価炭化水素基、Ｒ５はメチ
ル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基：フェニル
基、ナフチル基等のアリール基である。

本発明のイオン専電性材料は、上記のような（Ａ）成分
と（Ｂ）成分とを反応させてなる共重合体架橋物と（Ｃ
）周期律表第■族または第■族の金属イオンからなるも
のであるが、この共重合体架橋物は、主に（Ａ）成分中
のメルカプト基と（Ｂ）成分中の脂肪族不飽和炭化水素
基との付加反応に依って形成されるものであるので、そ
の反応手段としてはメルカプト基と脂肪族不飽炭化水素
基との付加反応に用いられている従来公知の反応手段、
例えば、電子線、Ｘ線、紫外線等のエネルギー線を照射
する反応手段が利用できる。

また１本発明のイオン導電材料は上記のような共重合体
架橋物中に（Ｃ）周期律表第■族または第■族の金属イ
オンが分散しているものであるが、この（Ｃ）成分の金
属イオンは周期律表第１族または第■族に屓するもので
あればよく特に限定されない。かかる金属イオンとして
はリチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグ
ネシウム等のイオンが例示される。これらの中でも単位
面積あるいは単位重量当りのエネルギー密度を大きくす
るためにはリチウムイオンが好ましい、また。

本発明のイオン導電性材料を電池などに適用する場合は
、用いられる電極材と同種のイオン（例えば、電極材が
リチウムの場合はリチウムイオン）を選択する必要があ
る。

かかる（Ｃ）成分は、通常、金属塩の形態で使用される
。金属塩の種類としては、いずれでもよいが、イオン導
電性を嘉めるためには過塩素酸リチウム（ＬｉＣＱＯ，
）−ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ、）　ｔリンフッ化
リチウム（ＬｉＰＦ＠）ｌ三フッ化メタンスルホン酸リ
チウム（ＬｉＣＦｉＳＯ３）　ｅヨウ化リチウム（Ｌｉ
Ｉ）等が好ましい。

また、その分散量は共重合体架橋物中のオキシアルキレ
ン基のモル数［ＲＯ］に対する塩のモル数［Ｓ］（例え
ば［ＬｉＣＱＯ４］等）比［：Ｓ］／［ＲＯ］は０．０
０５〜０．０５とすることが好ましく、　より好ましく
は０．０１〜０．２５である。　これは［：Ｓ］／［Ｒ
Ｏ］が０．０５を越えると金属塩が均一に分散し難くな
り、またｏ、ｏｏｓ未満になると高いイオン導電性が得
難くなるからである。

本発明のイオン導電性材料は、一般のメルカプト基を有
する化合物と脂肪族不飽和炭化水素基を有する化合物と
の付加反応に使用されている従来公知の技術手段および
高分子物質中に金属塩を分散させる従来公知の技術手段
を組み合せることによって容易に製造される。これらの
１例を挙げれば、例えば（Ａ）成分と（Ｂ）成分との混
合物に紫外線等のエルネギ−線を照射し、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分とからなる共重合体架橋物を造り、これを有
機溶剤に膨潤させた後、（Ｃ）成分を混合し分散させる
方法、（Ａ）成分〜（Ｃ）成分からなる混合物に紫外線
等のエネルギー線を照射して（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
からなる共重合体架橋物を造ると同時に（Ｃ）成分を混
合し分散させる方法が挙げられるが、本発明のイオン導
電材料を製造するには、次のような製造方法が好ましい
。

すなわち。

ｒ（Ａ）１分子中に少なくとも２個のメルカプト基含有
炭化水素基を有するオルガノポリシロキサン。

（Ｂ）分子鎖両末端に脂肪族不飽和炭化水素基を有する
ポリオキシアルキレン 本成分中の脂肪族不飽和炭化水素基 のモル数と（Ａ）成分中のメルカプト 基のモル数の比率が（１：　５）〜（１０：１）となる
ような量、 （Ｃ）周期律表第１族または第■族の金属塩、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．５〜
２０重量部、 からなるイオン導電性材料用組成物に紫外線を照射して
、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを架橋反応させること
を特徴とする、イオン導電性材料の製造方法。」である
。

これについて説明するに、ここで使用される（Ａ）成分
と（Ｂ）成分は前記イオン導電性材料の説明の項で詳述
した（Ａ）成分と（Ｂ）成分と同じである。

（Ｂ）成分の配合割合は本成分中の脂肪族不飽和炭化水
素基のモル数と（ａ）成分中のメルカプト基のモル数の
比が（１：　５）〜（１０：１）の範囲内であす、（５
：　１）〜（１０：１）の範囲内が好ましく、（ｉ、ｏ
　：　ｔ、ｏ）〜（１，２：　１．０）の範囲内がより
好ましい。

これは（Ａ）成分と（Ｂ）成分はいずれの比率でも付加
反応が起こり、固体化した共重合体架橋物が得られるが
、（Ａ）成分中のメルカプト基のモル数が（Ｂ）成分中
の脂肪族不飽和炭化水素基よりも多くなると、本発明の
組成物中に未反応のメルカプト基が残存した状態となる
傾向にある。このようにして得られたイオン導電性材料
は、例えばこれを電池等に適用した場合、残存したメル
カプト基と電極材との反応等の弊害が起こることが予想
されるので、好ましくない。

（Ｃ）成分は前記イオン導電性材料の説明の項で詳述し
た（Ｃ）成分と同じであり、その配合量は（Ａ）成分と
（Ｂ）成分との合計ｊｉＬ１００重量部に対して０．５
〜２０重量部である。これは０．５重量部未満になると
イオン導電性が低下し実用に供さなくなるからであり、
一方、２０重量部を越えると（Ａ）成分と（Ｂ）成分中
に分散させることが困難になるからである。この方法に
おいては（Ａ）成分〜（Ｃ）成分からなるイオン導電性
材料用組成物に紫外線を照射し、前記（Ａ）成分と（Ｂ
）成分とを架橋反応させるのであるが、この架橋反応は
、一般に有機溶剤中で行うのが有利である。かかる有機
溶剤を使用する場合には上記（Ａ）成分〜（Ｃ）成分か
らなるイオン導電性材料用組成物を付加反応を阻害しな
い有機溶剤であり、（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を溶解分散
し得る有機溶剤中に溶解分散した後、これに紫外線を照
射する。かかる有機溶剤としては、例えば、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
類；ｎ−ヘキサン、ヘプタン等のアルカン類；テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル類等が挙げられる
。

また、この反応は、紫外線照射下での架橋反応を促進す
る作用効果を示す光増感剤の存在下で行うことが好まし
い、かかる光増感剤としては紫外線硬化型樹脂に通常用
いられる公知のものでよく、これには、アセトフェノン
、ベンゾフェノン、トリメチルシリル化ベンゾフェノン
、プロピオフェノン、３−メチルアセトフェノン、４−
メチルアセトフェノン、ベンゾインエチルエーテル、ジ
メチルポリシロキサンの両末端にベンゾインがエーテル
結合した化合物、（４−イソプロピル）フェニル−１−
ハイドロキシイソプロピルケトン、４−７リルアセトフ
エノン、３−ペンチルアセトフェノン、４−メトキシベ
ンゾフェノン等の芳香族ケトン、トリフェニルアミン等
のアミン化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ
化合物等が例示される。この光増感剤の使用量としては
（ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００重量部に対
し。

ｏ、ｏｏｔ〜３０重量部の範囲内であり、好ましくは０
．０５〜２０重量部の範囲内である。反応温度は特に限
定されないが、通常、室温ないし加熱下で行われる。紫
外線の発生源としては、従来から公知のものでよく、こ
れには例えば水素放電管、キセノン放電管、低圧中圧ま
たは高圧水銀灯等が挙げられる。紫外線の照射条件とし
ては照射単独で本混合物が半硬化状態になる程度でよく
、特に制限はない、溶媒を使用した場合は、紫外線照射
後の時点では通常、有機溶媒が硬化物に取り込まれた状
態になっているので、これを減圧処理する等の方法で取
り除く必要がある。

〔実施例〕

以下、実施例にて、本発明をより詳細に説明する。これ
らの例は本発明の範囲について限定をするものではない
。

なお、イオン導電率の測定は次の方法で行った。

イオン導電性高分子組成物試料をフィルム状に成形し、
測定用試料とした。この試料の厚さをマイクロメーター
で測定した後、試料の両面に直径１Ｇの円形プレート状
の白金電極を密着し、この全体を２５℃に温度制御され
た減圧容器内に設置し。

１０−’　Ｔｏｒｒ以下の高真空まで減圧して試料の状
態が十分に平衡に達した後、ＬＣＲメーター（横河ヒュ
ーレットバッカード社製４１９２Ａ）により５Ｈｚ〜１
３ＭＨｚの交流電圧を印加し、複素インピーダンス法に
より導電率を測定した。

実施例１ 下記に示される化合物（１）０．５７０ｇ、化合物（Ｉ
Ｉ）０．４３０ｇおよび過塩素酸リチウム２２．２■を
テトラヒドロフラン１−と混合し、超音波を照射して十
分に溶解せしめた。さらに光増感剤として（４−イソプ
ロピル）フェニル−１−ハイドロキシイソプロピルケト
ンを約２０■を加えた後、この溶液を３１四方のテフロ
ン製の皿に流し込み、垂直上方より、高圧水銀ランプか
らの１６０　Ｗ　／　ｔｙｍの紫外線を５備の距離で６
秒照射したところ、０．５ｍｍの厚さの透明なフィルム
を得た。さらにこれを７０℃で２日間減圧乾燥させた後
、イオン導電率を測定したところ、　３．２　Ｘ　１０
−’　Ｓ−■″″１の値が得られた。

化合物■： 化合物■： ＣＯ３−ＣＨ−ＣＨ，−０−（ＣＩ（□ＣＨ７０）、−
ＣＨ２−Ｃｌ１　＝　Ｃ１１゜実施例２ 実施例１で使用した化合物（１）０．５０５　ｇ　、化
合物■０．２５４　ｇ　、下記に示される化合物■０．
２４１ｇおよび過塩素酸リチウム２９．６■をテトラヒ
ドロフラン１ｍＱと混合し、超音波を照射して十分に溶
解せしめ、さらに光増感剤として（４−イソプロピル）
フェニル−１−ハイドロキシイソプロピルケトンを約２
０■を加えた後、実施例１と同様にして紫外線を照射し
、０．５冊の厚さの透明なフィルムを得た。さらに、こ
れを７０℃で２日間減圧乾燥させた後、イオン導電率を
測定したところ、　　５．８　Ｘ　１Ｏ−ｓＳ−ロー１
の値が得られた。

化合物■： ＣＩ□＝　ＣＨ−ＣＨ２−０−（Ｃ）ｌ、　ＣＨ，０）
、　−ＣＨ３実施例３ 実施例１で使用した化合物の０．２３４ｇ、下記に示さ
れる化合物（イ）０．７６６　ｇおよび過塩素酸リチウ
ム０．０４５７　ｇをテトラヒドロフラン１−と混合し
、超音波を照射して十分に溶解せしめ、さらに光増感剤
として（４−イソプロピル）・フェニル−１−ハイドロ
キシイソプロピルケトンを約２０■を加えた後、実施例
１と同様に紫外線を照射したところ、０．５ｍｍの厚さ
の透明なフィルムを得た。さらにこれを７０℃で２日間
減圧乾燥させた後、イオン導電率を測定したところ、１
．ＯＸ　１０−’　Ｓ　−ｃｙｎ−’　（７）値が得ら
れた。

化合物に）： ＣＨ，＝Ｃｌ１−ＣＨ，−０−（ＣＨ２Ｃｌ、Ｏ）、、
　（ＣＨ３ＣＯＯ）、。−ＣＨ２−ＣＨ＝　ＣＩ２ＣＨ
３ 実施例４ 実施例１で使用した化合物（１）０．１８８　Ｋ　、実
施例３で使用した化合物に）１．４０８ｇおよび下記に
示される化合物■０．４０４ｇおよび過塩素酸リチウム
４８．８■をテトラヒドロフランＩＩＩＩＱと混合し、
超音波を照射して十分に溶解せしめ、さらに光増感剤と
して（４−イソプロピル）フェニル−１−ハイドロキシ
イソプロピルケトンを約２０■を加えた後、実施例１と
同様に紫外線を照射したところ、０．５ｎｏの厚さの透
明なフィルムを得た。さらにこれを７０℃で２日間減圧
乾燥させた後、イオン導電率を測定したところ、　２．
９　Ｘ　１０−’　Ｓ−ロー１の値が得られた。

化合物■： Ｃ１２ＣＨ−（Ｊｌ、−０−（Ｃ１１２ＣＨ，Ｏ）２゜
（ＣＨ，ＣＨＯ）、、−ＣＨ３〔発明の効果〕 本発明のイオン尋電性材料は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分
とからなる特定の共重合体架橋物中に（Ｃ）成分の金属
イオンが分散しているので室温で高いイオン導電性を示
し、これを電子デバイス等へ適用した際には液漏れ、副
作用等の弊害がない等の特徴を有する。したがって高信
頼性の製品が得られるほか、無色透明のため幅広い用途
が期待できる。

また、そり製造方法は、簡便さ、省エネルギー性等に優
れるほか、設備投資に必要な経費が低減できる等の特徴
を有する。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ａ）１分子中に少なくとも２個のメルカプト基
   含有炭化水素基を有するオルガノポリシロキサンと（Ｂ
   ）１分子中に少なくとも２個の脂肪族不飽和炭化水素基
   を有するポリオキシアルキレンとを反応させてなる共重
   合体架橋物と、（Ｃ）周期律表第 I 族または第II族の
   金属イオンとからなり、該金属イオンが前記共重合体架
   橋物中に分散していることを特徴とするイオン導電性材
   料。
2. （２）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式Ｚ−
   Ｒ＾１−Ｏ−（Ｒ＾２Ｏ）ｎ−Ｏ−Ｒ＾１−Ｚ（式中、
   Ｚは脂肪族不飽和炭化水素基，Ｒ＾１，Ｒ＾２は二価炭
   化水素基，ｎは１〜１００の整数である。）で示される
   ものである、特許請求の範囲第１項記載のイオン導電性
   材料。
3. （３）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式Ｑ−
   Ｒ＾３−Ｏ−（Ｒ＾４Ｏ）ｍ−Ｒ＾５（式中、Ｑは脂肪
   族不飽和炭化水素基，Ｒ＾３，Ｒ＾４は二価炭化水素基
   ，Ｒ＾５はアルキル基またはアリール基，ｍは１〜１０
   ０の整数である。）で示される分子鎖片末端のみに脂肪
   族不飽和炭化水素基を有するポリオキシアルキレンを含
   有するものである、特許請求の範囲第１項記載のイオン
   導電性材料。
4. （４）（Ａ）１分子中に少なくとも２個のメルカプト基
   含有炭化水素基を有するオルガノポリシロキサン、 （Ｂ）１分子中に少なくとも２個の脂肪族不飽和炭化水
   素基を有するポリオキシアルキレン 本成分中の脂肪族不飽和炭化水素基 のモル数と（Ａ）成分中のメルカプト 基のモル数の比率が（１：５）〜（１０： １）となるような量、 （Ｃ）周期律表第 I 族または第II族の金属塩、（Ａ）
   成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．５
   〜２０重量部、 からなるイオン導電性材料用組成物に紫外線を照射して
   、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを架橋反応させること
   を特徴とする、イオン導電性材料の製造方法。
5. （５）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式Ｚ−
   Ｒ＾１−Ｏ−（Ｒ＾２Ｏ）ｎ−Ｏ−Ｒ＾１−Ｚ（式中、
   Ｚは脂肪族不飽和炭化水素基，Ｒ＾１，Ｒ＾２は二価炭
   化水素基，ｎは１〜１００の整数である。）で示される
   ものである、特許請求の範囲第４項記載のイオン導電性
   材料の製造方法。
6. （６）（Ｂ）成分のポリオキシアルキレンが一般式Ｑ−
   Ｒ＾３−Ｏ−（Ｒ＾４Ｏ）ｍ−Ｒ＾５（式中、Ｑは脂肪
   族不飽和炭化水素基，Ｒ＾３，Ｒ＾４は二価炭化水素基
   ，Ｒ＾５はアルキル基またはアリール基，ｍは１〜１０
   ０の整数である。）で示される分子鎖片末端のみに脂肪
   族不飽和炭化水素基を有するポリオキシアルキレンを含
   有するものである、特許請求の範囲第４項記載のイオン
   導電性材料の製造方法。