JPH0273219A - 液晶光学素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶光学素子及びその製造方法に関し、より
詳しく言うと、本発明は、高度に配向した強誘電性液晶
を有し、液晶表示素子、液晶記録素子等として好適に利
用できる液晶光学素子及びこれを簡単なプロセスで歩留
よく製造することができる液晶光字素・子の製造方法に
関する。

〔従来の技術〕

近年、液晶材料として強誘電性液晶を用い、これを高度
に配向制御し、かつこの液晶材料を電極が配設された二
枚の基板に挟持してなる液晶光学素子が、電界等の外部
刺激に対して高速応答性、コントラスト比等に優れるな
どの優れた特性を有することなどから注目され、液晶表
示素子、液晶記憶素子等として盛んに研究されるように
なってきた。

このように優れた特性を得るためには、強誘電性液晶か
らなる液晶材料を高度に配向制御する必要があり、その
ため、各種の配向制御方法が提案されてきている。

例えば、強誘電性液晶として低分子の強誘電性液晶を用
いる場合、その配向制御には、従来、ラビング法、剪断
法、温度勾配法、斜方蒸着法などが用いられている。

しかしながら、従来主流のネマチック液晶を用いる液晶
光学素子と比較して高速応答性、メモリー性を有する強
誘電性液晶を用いた液晶光学素子の製造は未だ実用化さ
れていない。その原因としては、次のような理由が挙げ
られる。

■　素子のセル厚を数μｍ以下にしなければならないた
め素子の大面積化が困難である。

■　基板に予めポリマー（ポリイミド等）をコートして
ラビングなどの処理によって配向制御する方法は、予め
基板に行う操作及び制御が複雑であるなどの欠点があり
、また、基板として通常ガラス基板を用いるため、複雑
な搬送工程を有する製造装置を極めて清浄に保つ必要が
あり、しかも連続的生産が難しい。

■　室温付近で熱力学的に安定な強誘電性液晶相（カイ
ラルスメクチックＣ相）を示す液晶が少ない。

例えば、特開昭６３−２５６２２号公報には、低分子の
強誘電性液晶と熱可塑性樹脂とを混合して用い液晶材料
の製膜性を向上させ、常温付近で強誘電性相を発現させ
、温度変化による結晶構造の変化を少なくさせる方法が
記載されている。しかしながら、この方法においては、
強誘電相の熱力学的安定性を得るために樹脂と液晶の組
み合わせを特定せねばならず、また、配向処理方法とし
てラビング法などを用いなければならず、工程が複雑に
なり、大面積化が困難である。

また、特開昭６３−１０９１４９号公報には、強誘電性
液晶パネル作製時のスペーサー材の散布、配向膜塗布、
ラビング処理、液晶の注入などの工程を省略するために
液晶を高分子物質に混合して複合膜をつくり、その後−
軸延伸し、さらにその後液晶が等吉相を示す温度まで加
熱して冷却することで液晶が配向した複合膜を得る方法
が記載されている。しかしながら、この方法においては
、−軸延伸したことで配向した高分子に沿って液晶分子
を配向させるというラビング処理と類似の作用により液
晶材料を配向させているので等吉相からの徐冷が必要で
あり生産性が悪い、液晶材料の高度な配向が得られず得
られた素子のコントラストが低い、気泡を噛込むなど延
伸処理後２枚の基板間に液晶材料を挟持することが難し
い、強誘電性液晶と高分子の種類によって配向性が変わ
るので最適化を要するといったような問題がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、前記事情に基づいてなされたもので、本発明
の目的は、前記の課題を解決し、電界等の外部刺激に対
する高速応答性、コントラスト比等の液晶光学素子とし
ての基本特性に優れ、しかも十分な屈曲性を有し、かつ
製膜性に優れ大面積化が容易であるなどの優れた特長を
有する液晶光学素子を提供することにある。

本発明の目的はまた、室温付近（−２０℃〜４０℃）で
結晶化又はガラス化しない熱力学的に安定な強誘電外相
を有する液晶光学素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、簡単なプロセスで歩留よく連続的
に量産することができ、しかも基板に配向制御のための
特定な前処理操作を施すことなしに、容易に同慶の配向
を得ることができるなどの優れた利点を有する実用上著
しく有利な液晶光学素子の製造方法を提供することにあ
る。

本発明の目的はまた、基板の光学的異方性の影響を受け
ない高コントラストの液晶光学素子を簡単工程で製造で
きる液晶光学素子の製造方法を提供することにある。

さらに、本発明の目的は液晶光学素子に用いる偏光板を
無駄なく利用できるようにする液晶光学素子の製造方法
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

すなわち本発明は、熱可塑性樹脂、強誘電性高分子液晶
及び低分子の強誘電性液晶からなる強誘電性液晶組成物
を電極が配設された２枚の可撓性基板で挟持した液晶光
学素子を提供するものである。

本発明において用いられる、前記可撓性基板としては、
各種の材質のものを使用することができるが、通常、生
産性、汎用性、加工性等の点から強度、耐熱性、透明性
、耐久性などに優れたプラスチックからなる基板等が好
適に使用される。

この可撓性を有するプラスチックの具体例としては、例
えば、−軸又は二軸延伸ポリエチレンテレフタレートな
どの結晶性ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスル
ホンなどの非結晶性ポリマ、ポリエチレン、ポリプロピ
レン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ナイロン
等のポリアミドなどを挙げることができる。

これらの中でも、特に−軸又は二輪延伸ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエーテルスルホンなどが好ましい。

本発明において、前記二枚の基板は、互いに同じ材質の
ものであってもよく、又は相違する材質のものであって
もよいが、通常、上記の二枚の基板のうち少なくとも一
方の基板を光学的に透明なものとし、透明な電極を設け
て使用する。

本発明において使用する前記基板の形状としては、特に
制限はなく、使用目的等に応じて各種の形状のものを使
用することができるが、通常、板状、シート状又はフィ
ルム状のものなどが好適に使用することができ、特に、
連続的生産方式に有利であることなどからフィルム状の
ものが好適に使用される。

基板の厚みは、基板の透明度、可撓性の程度、強度、加
工性などの材質、素子の使用目的などに応じて適宜選定
することができ、通常２０〜１０ＯＯμｍ程度の範囲内
に設定される。

本発明において、前記電極としては、通常用いられるも
の、例えば、金属膜、導電性酸化物膜などの導電性無機
膜、導電性有機膜など各種のものを使用することができ
る。

本発明において、前記二枚の電極のうち少なくとも一方
の電極として、通常、光学的に透明又は半透明のものを
使用することが望ましく、少なくとも一枚の透明又は半
透明の電極は、透明な基板側に設けることが望ましい。

この透明又は半透明の電極の具体例としては、例えば、
ＮＥＳＡ膜といわれる酸化錫膜、ＩＴＯ膜といわれる酸
化錫を混入した酸化インジウム膜、酸化インジウム膜、
金やチタンなどの蒸着膜或いは他の薄膜状の金属又は合
金などを挙げることができる。これらの電極は、公知の
手法などの各種の手法、例えば、スパッタリング法、蒸
着法、印刷法、塗布法、メツキ法、接着法など、又はこ
れらを適宜組み合わせた手法を用いて、基板又は液晶層
等の所定の面上に設けることができる。

これらの電極の形状としでは、特に制限はなく、基板等
の所定の面上の全面にわたるものであってもよく、スト
ライブ状のものであってもよく、又は他の所望の形状の
ものであってもよい。

本発明における強誘電性液晶組成物に用いられる熱可塑
性樹脂としては、Ｔｇが好ましくは３０”Ｃ以上のもの
、さらに好ましくは７０゛Ｃ以上のものが用いられる。

具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリ臭化ビニル、ポリフ
ッ化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−エチレン共重合体、塩化ビニル−プロピレン共重
合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニ
ル−ブタジェン共重合体、塩化ビニル−アクリル酸エス
テル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体
、塩化ビニル−スチレン−アクリロニトリル三元共重合
体、塩化ビニル−塩化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体
、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリテトラフルオロクロルエチレン、ポリフッ化ビニリ
デン等のハロゲン化ビニル重合体又は共重合体： ポリビニルアルコール、ポリアリルアルコール、ポリビ
ニルエーテル、ポリアリルエーテル等の不飽和アルコー
ル若しくはエーテルの重合体又は共重合体； アクリル酸若しくはメタアクリル酸等不飽和カルボン酸
の重合体又は共重合体； ポリ酢酸ビニル等のポリビニルエステル、ポリフタル酸
等のポリアリルエステル等のアルコール残基中に不飽和
結合をもつものの重合体又は共重合体； ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
マレイン酸エステル若しくはフマル酸エステルの重合体
等の酸残基又は酸残基とアルコール残基中に不飽和結合
をもつものの重合体或いは共重合体； アクリロニトリル若しくはメタアクリロニトリルの重合
体又は共重合体、ポリシアン化ビニリデン、マロノニト
リル若しくはフマロニトリルの重合体又は共重合体等の
不飽和ニドＩＪル重合体或いは共重合体； ポリスチレン、ポリα−メチルスチレン、ポリｐ−メチ
ルスチレン、スチレン−α−メチルスチレン共重合体、
スチレン−ｐ−メチルスチレン共重合体、ポリビニルベ
ンゼン、ポリハロゲン化スチレン等の芳香族ビニル化合
物の重合体又は共重合体； ポリビニルピリジン、ポリ−Ｎ−ビニルピロリジン、ポ
リ−Ｎ−ビニルピロリドン等の複素環式化合物の重合体
又は共重合体； ポリカーボネート等のポリエステル縮金物、ナイロン６
、ナイロン６．６等のポリアミド縮合物； 無水マレイン酸、無水フマール酸及びそのイミド化物を
含む重合体又は共重合体； ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、
ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリスルホン、ポリエーテルフルホン、ボリアリレ
ート等の耐熱性有機高分子等が挙げられる。

本発明においては熱可塑性樹脂は構造材料として用いる
ので液晶材料との相溶性は大きくても、小さくてもいず
れでもよい。

次に、本発明において用いられる強誘電性高分子液晶と
しては、側鎖に強誘電性の液晶特性を発現する基を有す
る強誘電性の液晶ポリマーが好ましく使用される。これ
らの中でも特にカイラルスメクチフクＣ相をとるものが
好適に使用される。

側鎖型強誘電性高分子液晶の具体例としては、例えば、
以下の各々の一般式からなる繰り返し単位を有するポリ
マー、コポリマー又はこれらのブレンド物等を挙げるこ
とができる。

〔１〕ポリアクリレート系（特願昭６１−３０５２５１
号及び特願昭６２−１０６３５３号として本出願人が出
願） （ＣＨ，−Ｃ８← Ｃｏｏ−（ＣＨｚ）＊−０−Ｒ 〔式中、ｋは１〜３０までの整数であり、であり、Ｘは
−ＣＯＯ−又は一０ＣＯ−であり、Ｒｚは−ＣＯＯＲ３
、−０ＣＯＲｔ、−ＯＦ？１、又は−Ｒ３であり、ここ
でＲ１は （式中、ｍ及びｎは、各々独立に、０〜９の整数であり
、９は、０又は１であり、Ｒ４及びＲ２は、それぞれ−
ＣＬ、ハロゲン原子又はＣＮであり、但し、Ｒ５が−Ｃ
１（、である場合には、ｎは０ではなく、Ｃ１は不斉炭
素原子を表し、００′　はｎ≠０の場合不斉炭素原子を
意味する。）で表される基を表す。〕このポリマーの数
平均分子量は、好ましくは、１．０００〜４００．００
０である。１，０００未満であるとこのポリマーのフィ
ルム、塗膜としての成形性に支障を生じる場合があり、
一方、４ｏｏ、ｏｏｏを超えると応答時間が長くなる等
の好ましくない結果の現れることがある。そして、数平
均分子量の特に好ましい範囲は、Ｒ，の種類、ｋの値、
Ｒ３の光学純度等に依存するので一概に規定できないが
１，０００から２００，０００である。

このポリマーの一般的な合成方法は、下式、ｃＨ，＝ｃ
ｎ Ｃ０Ｏ−（ＣＩｌｚ）＊−０Ｒｔ （ここで、ｋ、Ｒ，、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ２、ｍ及び
ｎは前記のものである。） で示される七ツマ−を公知の方法で重合することにより
得ることができる。

なお、ポリアクリレート系のうち、次式で示す液晶のカ
イラルスメクチックＣ相を示す温度Ｔ　ｌ　ｅ、及び平
均分子量Ｍ７の例を示すと、次の通りである。

（ａ）　　ｋ＝１２．Ｍ、、＝５３００．Ｔ、、　　　
：５〜１２℃ （ｂ）　　ｋ＝１４．Ｍ、、＝６５００．Ｔ、、　　　
：１３〜月℃ （ＩＩ）ポリエーテル系（特願昭６１−３０９４６６号
として本出願人が出願したものなど）−〇ＣＩＩ□ＣＨ
）− Ｌ−ｃＨ２）、−〇−Ｒ１ （式中、ｋ、Ｒｔ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、ｍ、ｎ及
びχは前記（Ｎと同じである。） このポリマーの数平均分子量は、好ましくは、１．００
０〜４００，０００”ｉ’ある。１，０００未満である
止このポリマーのフィルム、塗膜としての成形性に支障
を生じる場合があり、一方４゜ｏ、ｏｏｏを超えると応
答速度が遅くなる等の好ましくない結果の現れることが
ある。そして、数平均分子量の特に好ましい範囲は、Ｒ
，の種類、ｋの値、Ｒ１の光学純度等に依存するので一
概に規定できないが、１．０００〜２００，０００であ
る。

このポリマーの一般的な合成方法は、下記一般式 ％式％ Ｘは前記と同じである。） で示されるモノマーを公知の方法で重合することにより
得ることができる。

なお、ポリエーテル系のうち、次式で示す液晶のカイラ
ルスメクチックＣＭを示す温度Ｔ　Ｅ　Ｃ及び平均分子
量Ｍ、の例を示すと、次の通りである。

（ａ）ｋ＝８．　　Ｍ、ｌ＝２８００．　　Ｔ、ｃ”　
　２４〜５０℃（ｂ）ｋ＝１０．Ｍ、＝２４００．Ｔ、
、　　　：１９〜５０℃ （Ｉ［）ポリシロキサン系（特願昭６２−１１４７１６
号として本出願人が出願したものなど）Ｒ＆ しＣＩりｋ−０−Ｒ。

（式中、Ｒ１は低級アルキル基であり、ｋ、Ｒ，、Ｒｔ
、Ｆｒｆｆ、Ｒ４、Ｒ３、ｍ、ｎ及びＸは前記と同じで
ある。）二のポリマーの数平均分子量は、特に限定され
ないが、１，０００〜４００，０００であることが好ま
しい。この数平均分子量が１，０００未満ではこのポリ
マーのフィルム塗膜としての成形性に支障を生じる場合
があり、一方、４００．０００を超えると電界応答速度
が遅い等の好ましくない結果の現れることがある。数平
均分子量の特に好ましい範囲は、Ｒ，基の種類、ｋ、ｍ
、ｎの値、Ｒ４基の光学純度等に依存するので一概に規
定できないが、通常、１，０００〜２００，０００であ
る。

このポリマーは例えば、下式、 ＡＯ−５４＋− （式中、Ｒ１は前記と同じ意味を有する。）で表される
繰り返し単位からなるアルキルヒドロポリシロキサンと
下式 ％式％ （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ６、ｋ、ｍ、及び
ｎは前記と同し意味を有する。） で表される液晶ユニット化合物とを一定条件で反応させ
ることにより合成することができる。

なお、ポリシロキサン系のうち次式で示す液晶Ｓａｌじ
相を示す温度Ｔ８ど及び平均分子ＩＪＩＭ、の例を示す
と、次の通りである。

（ａ）ｋ＝６．Ｍ、ｌ　＝１６４００．Ｔ、ｃ　　ニア
０〜９０゛Ｃ （ｂ）ｋ＝８．Ｍ、＝１５０００．　　Ｔ、Ｃ：　３９
〜９１℃ （ＩＶ）ポリエステル系（特願昭６１−２０６８５１号
として本出願人が出願したものなど）〔式中のＲ７はＨ
，Ｃ１ｈ又はｃｔｕｓ、Ｓは１〜２０の整数、ＡはＯ（
酸素）又は−ｃｏｏ−、ｔは０又は１、Ｒ＋−Ｒｚ、Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ５、ｋ、ｍ及びｎは前記と同じ意味を有す
る。） 又は、 〔式中のｓ、Ａ、、ｔ、Ｒ＋、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６
、ｋｌｍ及びｎは前記と同じ意味を有する。）これらの
ポリマーは、通常のポリエステルの縮重合反応によって
得られる。すなわち、上記構造の二塩基酸又はこれらの
酸クロライドと、二価アルコールの縮重合反応によって
得られる。

これらのポリマーの数平均分子１１，０００〜４０．０
００の範囲にあることが好ましい、この分子量が１，０
００未満ではこのポリマーのフィルムや塗膜としての成
形性に支障が生じる場合かり、一方、４００，０００を
超えると応答速度が遅い等の好ましくない結果の現れる
ことがある。

数平均分子量の特に好ましい範囲は、Ｒ２の種類、ｋの
値、Ｒ４の光学純度等に依存するので一概に規定できな
いが、通常１，０００〜２００，０００である。

（Ｖ） 前記（１）ポリアクリレート系、（Ｉｔ）ポリエーテル
系、ＣＩ）ポリシロキサン系及び（ＩＶ）ポリエステル
系の繰り返し単位を含む共重合体。

前記（１３〜（ＩＶ）の繰り返し単位を含む具体例とし
ては次のものがある。

■（１）の繰り返し単位と、以下の繰り返し単位を含む
共重合体。

（式中Ｒ６はＨ，Ｃｔｈ　、　ＣＩ、Ｐ　、　Ｂｒ、又
は■であり、Ｒ９はＣ１〜、。のアルキル又はアリール
である。）この共重合体の数平均分子量Ｍ、は１，００
０〜４００，０００であり、好ましくは１，０００〜２
００，０００である。

また、（Ｉ）の繰り返し単位は、２０〜９０％が好まし
い。

■〔１〕の繰り返し単位の前駆体単量体であるＣＩｌ□
；ＣＨ Ｃ０Ｏ−（ＣＩｌ□）ｋ−ＯＲ。

と以下の単量体との重合によって得られる共重合体。

〔式中、Ｒ１１１はＣ０〜２゜のアルキル又はアリール
である。〕 ■（１）（７）繰り返し単位と一４ＣＨ，−Ｃ１−Ｃ０
０（ＣＨｉ）　ＬＩＯＲ＋　ｒ の繰り返し単位を含む共重合体。

（式中Ｕは１〜３０の整数であり、Ｒ，は、あり、Ｘｌ
は−ｃｏｏ−−ｏｃｏ−又は−ＣＨ＝Ｎ−であり、Ｒ１
□は−ＣＯＯＲＩ：ｌ　、−０ＣＯＲ＋、ｌ、−ＯＲ＋
３又は−ＲＩ３であり、ＲＩ３は０１〜．。のアルキル
、フルオロアルキル又はクロロアルキルである。） 本発明に用いられる強誘電性高分子液晶とじては、ポリ
マー中の側鎖の末端部分に不斉炭素が１又は２存在する
ものに限定されるものではなく、側鎖の末端部分に不斉
炭素が３以上含まれるものも使用できる。

本発明で用いられる低分子の強誘電性液晶としては、例
えば、次のものがある。

■ （ここで、２は３〜３０の整数である。）■　４−　（
４’　−（１，２−ジメチロールプロピオニルオキシド
デシルオキシ）ベンゾイルオキシ〕安息香酸２−メチル
ブチルエステル■　４−　（４’　−（１２−（２，２
−ジアセトキシプロピオニルオキシ）ドデシルオキシ）
ベンゾイルオキシ〕安息香酸２−メチルブチルエステル
■　４’−（１，２−ジメチロールプロピオニルオキシ
ドデシルオキシ）ビフェニル−４−カルボン酸２−メチ
ルブチルエステル ■　４’−（１２−（２２−ジアセトキシプロピオニル
オキシ）ドデシルオキシ〕ビフェニルー４−カルボン酸
２−メチルブチルエステル■　４’　−（４’　−（１
，２−ジメチロールプロピオニルオキシドデシルオキシ
）ベンゾイルオキシ〕ビフェニル−４−カルボン酸２−
メチルブチルエステル ■　４’　−（４’　＝（１２−（２，２−ジアセトキ
シプロピオニルオキシ）ドデシルオキシ）ベンゾキシ〕
ビフェニルー４−カルボン酸２−メチルブチルエステル ■　４−　（４’　−（１，２−ジメチロールプロピオ
ニルオキシ）ドデシルオキシビフェニル−４′−カルボ
ニルオキシ〕安息香酸２−メチルブチルエステル ■　４−　（４’　−（１２−（２，２−ジアセトキシ
プロピオニルオキシ）ドデシルオキシ）ビフェニル−４
′−カルボニルオキシ〕安息香酸２−メチルブチルエス
テル ［相］　ＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシロキシベンジリデン
−アミノ−２−メチルブチルシンナメート）■　４′−
オクチルオキシビフェニル−４−カルボン酸２−メチル
ブチルエステル ＠　　４−（４’−オクチルオキシビフェニル−４カル
ボニルオキシ）安息香酸２−メチルブチルエステル ■　４−オクチルオキシ安息香酸４−（２−メチルブチ
ルオキシ）フェニルエステル ｏ　４′−オクチルオキシビフェニル−４−カルボン酸
３−メチル−２−クロロペンチルエステル■　３−メチ
ル−２−クロロペンタン１４’、４−オクチルオキシビ
フェニルエステル ■　ｐ−へキシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート＠４−（２−メチルブ
チルベンジリデン）−４−オクチルアニリン等のカイラ
ルスメクチックＣ相を呈する強誘電性の液晶化合物が用
いられる。

本発明においては、本発明の目的に支障のない範囲で、
液晶材料にさらに他の液晶状ポリマーを混合して使用す
ることも可能である。

前記熱可塑性樹脂（Ａ）と強誘電性高分子液晶及び低分
子の強誘電性液晶を含む液晶成分（Ｂ）の混合比は好ま
しくは（Ａ）の割合を２０〜９０重量％、（Ｂ）の割合
を８０〜１０重量％、さらに好ましくは（Ａ）の割合を
２０〜６０重量％、（Ｂ）の割合を８０〜４０重量％と
する。（Ｂ）が少なすぎると液晶光学素子を形成した際
の光透過率が小さくなったり、後述の曲げ配向処理で十
分な配向が得られないことがある。一方多すぎると製膜
性が悪化したり、液晶光学素子としたときの耐衝撃性が
悪くなることがある。

液晶成分（Ｂ）中の強誘電性高分子液晶の配合割合は後
述する曲げ変形処理に於ける配向性及び大面積化に有利
な製膜性を向上させるために３〜９０モル％、好ましく
は１０モル％〜８０モル％とする。

本発明における強誘電性液晶組成物には前記熱可塑性樹
脂と液晶成分のほかに１種類以上の２色性色素を混入さ
せてもよい。２色性色素としてはアントラキノン系、ア
ゾ系、ジアゾ系、メロシアニン系等の色素が挙げられる
。

熱可塑性樹脂と液晶成分の混合方法は特に限定されない
が、次に示すような単純混合法と溶液混合法が挙げられ
る。

単純混合法は室温又は液晶の粘度が小さくなる温度（カ
イラルスメクチックＣ相（Ｓａｃ“）、スメクチックＡ
相（Ｓａ＋Ａ）、ネマチック相（Ｎ）、等吉相（Ｉｓｏ
）又はこれらの混相など結晶相やガラス相でない温度〕
で熱可塑性樹脂と液晶成分とを混練する方法である。

溶液混合法は熱可塑性樹脂と液晶成分とを適当な溶媒に
溶解させて混合する方法である。溶媒としてはメチレン
クロライド、クロロホルム、トルエン、キシレン、テト
ラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミドなど種々のものが利用で
きる。

本発明において、前記強誘電性液晶組成物から液晶光学
素子を得る方法は、２枚の電極付き基板と強誘電性液晶
組成物の膜を積層する方法と、電極付き基板に強誘電性
液晶組成物を塗布等により製膜してこれに電極付き基板
を積層する方法、両側の基板に液晶組成物を製膜したも
のを積層する方法等がある。

液晶組成物の膜を形成しこれを積層する方法は、キャス
ト法、押出し法、プレス法など通常のポリマーに対して
行われる製膜法を用いて強誘電性液晶物質の膜をつくり
、その両側を少なくとも一方が透明な電極を有する可撓
性基板で挟持し液晶光学素子とする。

基板上に塗膜を形成して積層する塗布法は、製膜と同時
に配向処理も行うことができるが、その好適な操作条件
や膜厚等の範囲が広いという利点があり、本発明におい
て好ましい方法である。塗布法としては、加熱塗布法、
溶液塗布法、水面塗布法など各種の方法があり、例えば
バーコータによる塗布法、ダイレクトグラビアロール法
、マイクログラビア法などが挙げられる。

上記の積層工程は、通常２本の加圧ローラーを用いて常
温以上で行う。

液晶光学素子中の強誘電性液晶組成物の膜厚としては、
通常、０．５〜１０μｍ、好ましくは０．５〜４μｍ程
度の範囲内に設定するのが適当である。

第２図は、本発明の液晶光学素子の製造における配向工
程及びラミネート加工等による挟持工程の前工程として
好適に使用することができる塗布法による強誘電性液晶
組成物の製膜方法の一例を表す略示図である。

第２図中の１は電極付可撓性基板、２は強誘電性液晶組
成物、３は強誘電性液晶組成物２を塗布した電極付可撓
性基板１からなる積層基板、４はロールコータ−１５は
誘導ロール、６は供給ロール、７はかき取り用ドクター
ナイフを表す。

なお、強誘電性液晶組成物を薄い膜として仕上げる場合
等においては、基板間の導通を防止するために、製膜も
しくは挟持段階において、基板間に例えば、酸化ケイ素
や絶縁性プラスチック等の絶縁性スペーサー材を設けて
もよく、あるいは、予め、基板と強誘電性液晶組成物層
の間に薄いポリマー等の絶縁膜を塗布法等により設けて
おくこともできる。

この絶縁膜の膜厚としては、特に制限はないが、通常、
１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下とするのが適当
である。

このように塗布製膜された強誘電性液晶組成物に対向基
板を重ね合わせて挟持する方法としては、例えば、加圧
ローラ等を用いる通常のラミネート方法などが好適に使
用することができる。

なお、第１図にはこの加圧ローラを用いるラミ２−ト方
法の、最も節単な例の一つを示す。

第１図中の、８は加圧ローラ対を示し、３は強誘電性液
晶組成物２を塗布した電極付可撓性基板】を示し、１′
は対向する電極付可撓性基板を表す。

本発明において、液晶光学素子の連続的かつ高速量産的
な作製方法としては、例えば、一方の電極付可撓性プラ
スチック基板を高速に移動させながら、これに強誘電性
液晶を上記の塗布法等を用いて連続的に製膜し、次いで
対向する電極付プラスチック基板を重ね合せて連続的に
ラミネートする方法が特に好適に使用することができる
。

本発明における液晶組成物の配向方法としては、例えば
上記の如くして作製された液晶光学素子を特定な方向に
曲げ変形処理することにより該液晶光学素子中の強誘電
性液晶を配向せしめる。本発明においては、強誘電性高
分子液晶等を含むマルチドメイン状態におけるマクロな
弾性率が小さい強誘電性液晶組成物を用いでいるので単
に曲げるだけでも充分な配向状態を実現することができ
る。

この曲げ変形処理による高度の配向の実現は、第３図に
例示するように曲げ変形による微小な剪断応力が曲げ変
形を受けた近傍の強誘電性液晶部分に加わることにより
達成されるものと考えられる。

第３図は、曲げ変形処理により、液晶光学素子中の強誘
電性液晶の曲げ変形部分近傍に加わる剪断応力の分布状
態の様子の一例を示す略示図であり、図中の（ａ）は、
液晶光学素子９を曲げ変形処理している状態の一例を示
す略示図であり、■及び１′は、それぞれ、電極付可撓
性基板、２は強誘電性液晶組成物、１０′は液晶光学素
子ｌの曲げ変形部分を表し、（ｂ）はこの曲げ変形部分
近傍ＩＯの部分拡大図であり、１１等の矢印は変形処理
により強誘電性液晶組成物に加わった剪断応力の分布の
状態の一例を表す。

強誘電性液晶組成物は、ネマチック液晶と比較して弾性
率が大きいので、曲げ変形を施すと−様な変形よりもド
メイン単位の相互のすべりによる変形となり易い。した
がって、剪断方向に対して配向方向は垂直となる。

第４図は、本発明の配向方法の一例として、本のローラ
２を用いて、液晶光学素子１を連続的に移動させながら
曲げ変形処理を行う方式−例を示す略示図である。

なお、第４図中の１０′は、液晶光学素子９の曲げ変形
部分を表す６ 本発明の曲げ変形処理においては、この曲げ変形処理の
基板面上の曲げ方向を基板の光学的主軸方向（配向方向
）から強誘電性液晶組成物のほぼチルト角８分又は９０
°−θ分だけ又は基板の長手方向から強誘電性液晶のほ
ぼチルト角８分又は９０＠−θ分だけ傾けることが重要
である。ここで曲げ方向とは基板を折り曲げた場合にで
きる二つの面の境界線の方向を意味する。

基板が一軸又は二軸延伸ＰＥＴ等の光学的異方性を有す
る基板を使用する場合は、曲げ方向を基板の光学的主軸
方向に対してθ又は９０°−θ分だけ傾けて曲げ変形処
理を行う。

第５図は液晶光学素子の曲げ方向と偏光子との関係を示
す説明図である。９は強誘電性液晶物質を挟持した液晶
光学素子、１２は基板の光学的主軸方向、１３、Ｉ４は
素子の曲げ方向、Ｉ５．１６は偏光子の偏光軸、１７は
ある方向に電界が印加されたときの液晶の配向方向（暗
）、１８は１７と逆向きに電界が印加されたときの液晶
の配向方向（明）を示している。

例えば、１３の方向に沿って曲げ変形を与えると液晶の
ドメインは１３の点線と平行な方向に配向する。このと
き電界を印加しその符号を変えることで液晶分子１７．
１８の方向間をスイッチングし、２枚の偏光子１５．１
６を直交させて９の外側に液晶のチルト角θだけずらし
て配置することで高コントラストの明暗の状態を得るこ
とができる。もちろん２枚の偏光子の偏光軸を平行とし
、いずれも１５又は１６の方向にしてもよく、その場合
、明暗の関係が逆になる。

また、２色性色素を混入した場合には、一般に知られた
ゲストホストモードでの動作が可能になり、偏光子を１
枚に省略できる。その偏光軸の方向は通常液晶の配向方
向とθだけずらして配置する。

それぞれの角度の関係θ（又は９０°−θ）、偏光子と
配向方向との関係は正確に合っていることが望ましいが
、通常、１０”以下の範囲でずれは許容される。好まし
くは５°以下のずれにするとで高コントラストが実現で
きる。

この曲げ変形処理による配向は、液晶の種類によっては
適当な温度に加熱することにより、より有効に行うこと
ができる。

本発明における前記曲げ変形処理による配向は、通常、
強誘電性液晶組成物が、少な（とも、等吉相とスメクチ
ックＡ相との混相を示す温度又は等吉相とカイラルスメ
クチックＣ相との混相を示す温度からスメクチックＡ相
又はカイラルスメクチックＣ相を示す温度範囲で行うか
或いは強誘電性液晶組成物が等吉相を示す温度、等吉相
とスメクチックＡ相の混相を示す温度又は等吉相とカイ
ラルスメクチックＣ相の混相を示す温度からスメクチッ
クＡ相又はカイラルスメクチックＣ相を示す温度まで冷
却しながら行うことが望ましい。

また、液晶セル全体を均一な配向とするには、液晶光学
素子Ａを連続的に移動させながら曲げ変形処理を行うの
が好適である。

本発明の配向方法において、前記曲げ変形処理による配
向は、各種の装置および方式を用いて行うことができる
が、通常、少なくとも一本の自由回転ローラを用いて、
液晶光学素子を移動させながら曲げ変形処理する方法、
好ましくは少なくとも二本の自由回転ローラ間を連続的
に移動させながら曲げ変形処理する方法が好適に使用す
ることができる。

以下に、本発明の曲げ変形処理による配向についてより
詳細に説明する。

本発明の配向方法において、前記曲げ変形処理における
液晶光学素子の曲げの度合は、曲率半径で表して、通常
、５〜１，０００ｍ、好ましくは１０〜５００ｍｍの範
囲内となる度合に設定して行うのが適当である。

この曲率半径が、小さすぎると、基板を損傷したり、細
いパターンの電極を断線する恐れがあり、一方、大きす
ぎると、液晶部分に充分な剪断応力が印加されず、良好
な配向状態が得られないことがある。　本発明の配向方
法において、前記曲げ変形処理による強誘電性液晶の配
向は、該曲げ変形処理を、液晶光学素子を移動しながら
行うことによって、より有効にかつ効率よく行うことが
でき、特に液晶光学素子を、少なくとも二本の自由回転
ローラ間を連続的に移動させることによって曲げ変形処
理することにより、さらに有効に、かつ高速量産的に行
うことができる。

この曲げ変形処理における液晶光学素子の移動速度とし
ては、曲げ部分の曲率半径、温度、強誘電性液晶の種類
等に依存するので、−様に規定することができないが、
通常は、塗布製膜工程及びラミネート処理工程に適合し
た連続製造プロセスのライン速度に合せた速度で充分で
あり、したがって、曲げ変形処理による配向工程を含め
た各工程のライン速度を同一の速度に設定することがで
き、これにより、液晶光学素子の連続高速生産プロセス
を効率よく実現することができ、量産性を著しく高める
ことができる。

前記連続的生産プロセス等において、曲げ変形処理にお
ける液晶光学素子の移動速度の具体的な大きさとしては
、例えば、通常、０．１〜５０ｍ／分（０，１６〜８３
．３ｃｔａ／秒）程度の範囲内とするのが好適である。

なお、上記に例示の曲げ変形処理における液晶光学素子
の移動速度は、主として、塗布条件によって決定された
ものである。

したがって、曲げ変形処理のみに適合した移動速度は、
特に制限はなく、上記の範囲よりもさらに広い範囲の大
きさとすることもできるが、その移動速度があまり大き
すぎると、基板の種類によっては曲げ変形時に割れなど
の損傷を受けることがあり、一方、あまり小さすぎると
、配向は充分に得られるが、製造時間が長くなり、実用
性が低くなる。

前記曲げ変形処理による配向処理においては、必ずしも
精密な温度設定を必要としないが、広範囲の、特に非常
に大きいライン速度（製品の巻取り速度に対応する速度
）においても極めて良好な配向を得るためには、強誘電
性液晶組成物が等吉相を示す温度、等吉相とスメクチッ
クＡ相の混相を示す温度又は等吉相とカイラルスメクチ
ックＣ相の混相を示す温度からスメクチックＡ相又はカ
イラルスメクチックＣ相を示す温度まで冷却しながら曲
げ変形処理を行うのが好ましい。

以下に、この等吉相温度から液晶相温度まで冷却しなが
ら曲げ変形処理による配向処理を行う配向方法の一例を
図面を参照しながら概説する。

第６図は、本発明の配向方法の特に好適な方法の一例と
して、上記の等吉相温度から液晶相温度まで冷却しなが
ら曲げ変形処理による配向処理を施す連続的な配向方法
の一例を占める略示図である。

第６図中の９は液晶光学素子、１９及び２０は、それぞ
れ自由回転ローラ、２１は加熱装置を表し、Ｔ１、Ｔ２
、及びＴ３は、それぞれ、加熱装置２１、自由回転ロー
ラ１９及び自由回転ローラ２０の温度を表す。

第６図に示す配向方法の例では、液晶光学素子９を連続
的に移動させながら、温度をＴ１に設定しである加熱装
置ｔ２１により等吉相を示す温度に加熱し、次いで、温
度がそれぞれＴ２及びＴ、の二本の自由回転ローラ１９
及び２０の間を移動させながら、液晶光学素子９中の強
誘電性液晶組成物をその液晶相温度まで冷却しつつ曲げ
変形処理による配向処理を行う、このとき２本のローラ
による基板の曲げ方向と基板の主軸方向と直角方向との
傾きａはθ又は９０°−θとなるようにする。

ロールは２本に限らず１本でも３本以上でもよい。

好ましくは２本以上とする。上記において、温度Ｔ１は
、少なくとも液晶光学素子ｌが曲げ変形処理を受けはじ
めた時点まで等吉相を達成するのに充分な温度とすれば
よく、温度Ｔ２及びＴ、は、液晶光学素子１が曲げ変形
処理を終了するまでに液晶相を示す温度まで冷却するこ
とができる温度範囲の温度に設定すればよい。

ここで、温度Ｔ、は、通常は、Ｔよ及びＴ３より高い温
度に設定するのが好適である。

一方、温度Ｔ２とＴ、は、同じであってもよく、あるい
は相違していてもよく、いずれでもよいが、液晶光学素
子９の熱容量を考慮しつつ温度制御を容易にし、長時間
安定に運転するために、通常、温度Ｔ、をＴ２より低く
保つのが好適である。

なお、本発明の配向方法において、曲げ変形処理による
配向に用いる自由回転ローラの使用方式としては、特に
制限はないが、通常、第６図に示すように、少なくとも
二本の複数の自由回転ローラを逐次的に組合わせて配列
し、これらのローラ間に液晶光学素子を連続的に移動さ
せることにより曲げ変形処理を行う方式が特に好適に使
用することができる。

以上のように、本発明の配向方法は、基板等に煩雑な前
処理を要することなく、極めて簡単な操作で高度の配向
を達成することができ、高速応答性、コントラスト比等
に優れた液晶光学素子を効率よく得ることができ、しか
も高速の連続量産プロセスを容易に実現することができ
るなどの優れた利点を有する実用上著しく有利な液晶光
学素子の配向方法であり、各種の、電極付可撓性基板挟
持型強誘電性液晶光学素子の製造工程における配向方法
として好適に利用することができる。

次に基板がＰＥＳ　（ポリエーテルスルホン）、ＰＳ（
ポリスルホン）等の光学異方性をもたない基板の場合に
は基板の長手方向に対してほぼθ又は９０’−θだけ曲
げ方向を傾けて曲げ配向処理を行う。第７図及び第８図
はそれぞれａ＝Ｏ°とａ＝θのときの液晶光学素子の上
下電極間に電場を印加させ、偏光子を用いて表示素子と
する場合の液晶分子２２の傾き、偏光子の方向（２３，
２４）と偏光板原反との関係を示す説明図である。

液晶分子２２は液晶分子長軸から＋θ、−θ傾いて暗状
態、明状態を呈する。ａ＝０として曲げ変形処理を行う
と偏光板２５は第７図のように２６のむだな部分を生ず
るが、ａ−θとして曲げ変形処理を行うと第８図のよう
に偏光板２５はむだなく利用できる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。

実施例１〜６ ■低分子の強誘電性液晶Ｉ ■低分子の強誘電性液晶■ （Ｎ“　：カイラルネマチック相） ■強誘電性高分子液晶 Ｍｎ＝３０００ 上記の■と■の混合液晶（混合モル比１：３）と強誘電
性高分子液晶■の混合モル比を（■十■）：■−９：１
としたもの（ＡＩ）、及び４：６としたものＣＡｔ　）
を調製し、相転移挙動を調べたところ次のようになった
。

（Ｓｌ：顕微鏡観察ではガラス的な相だが未同定。

少なくとも一２０゛Ｃまでは結晶化しなかった。）Ｂ、
ポリカーボネート Ｍｗ＝２００００、Ｔｇ＝　１　５０℃１Ａ、　、Ａ２
のいずれも強誘電性高分子液晶■の混合によって室温付
近でのカイラルスメクチックＣ相が安定化され、低温時
にも結晶化による配向状態の破壊がなされにくくなった
。

次に熱可塑性樹脂としては次の３つを用いた。

Ｂ１ポリクロルスチレン Ｍｗ＝５００００、Ｔｇ＝９０℃１ Ｂｔポリ２−ビニルピリジン Ｍｗ＝４００００、Ｔｇ＝　１　０４℃、ポリマーの違
いによる効果を調べるために液晶成分と熱可塑性樹脂の
混合比はすべて重量比で２＝１とした。これらの混合物
はジクロルメタンに溶解し、すべて１０重量％の溶液と
した。

可撓性基板としてはＩＴＯ電極付きのＰＥ５（ポリエー
テルスルホン）基板（幅１５０ｍ、厚み１２５μｍ）を
両側に用いた。

液晶組成物の基板への塗布工程はマイクログラビアコー
ターを用いて前記溶液を片側のロール状基板に連続的に
塗布することにより行ったのち、対向基板とともに２本
の加圧ローラー間を通してラミネートした。このときの
強誘電性液晶組成物の厚みは約５μｍであった。これら
を第９図に示す配向装置を用いて曲げ変形処理による配
向処理を行った。

第９図の装置において、配向ロールの温度はＴ＝７０℃
，Ｔｚ＝９０°ｃ、Ｔ、＝７０°ｃ、Ｔ。

＝４０℃であり、配向ロールの直径１００ｍｍ、配向ロ
ールの中心間距離１２０ａｏ、ライン速度３ｍ／ｍｉｎ
とし、配向処理ののち測定用として１５０ａｍＸ２００
園に切り出した液晶光学素子を、２５　”Ｃ、クロスニ
コル下で±１０■の電圧を印加してコントラスト比を測
定したところ表示の結果が得られた。

得られた液晶光学素子はすべてについて双安定性が発現
し、２４時間放置後も通過光量は５％以下の変化しかな
かった。） この結果Ｔｇの低い熱可塑性樹脂を用いたものほど曲げ
変形時に有効な剪断力が液晶材料に印加されて高度な配
向が得られることが判明した。これらはいずれも室温で
の曲げ変形に対して配向は安定であり、曲率半径５０薗
まで曲げても配向が壊れることはなかった。

実施例７ 実施例１〜６と同じ方法で熱可塑性樹脂としてＴｇの低
いポリビニルアセテート（Ｔｇ＝　３２　’Ｃ）を用い
て液晶光学素子を得た。このものはＡ、の系でコントラ
スト比８０、ＡｔＯ系でコントラスト比７１が得られた
が、室温での変形に対してやや安定性に劣り、曲率半径
１１００ａｎ程度の曲げて再配向が起きてコントラスト
比は２０以下まで低下した。

比較例１ 強誘電性高分子液晶を含まない■と■のみの混合液晶（
モル比１：３）と熱可塑性樹脂Ｂ、との重量比１：２の
混合物を用いて実施例１〜６と同じ方法で塗布、配向処
理を行ったところ得られた液晶光学素子のコントラスト
比は１８であった。

このように強誘電性高分子液晶をわずか１０％加えただ
けでも曲げに配向処理が極めて良好に行われることが実
施例１との比較から明らかである。

実施例８ 低分子の強誘電性液晶 と実施例１〜６で用いた強誘電性高分子液晶■をモル比
７：３で混合し、次のような相転移挙動を示す混合液晶
とした。

（Ｓｌ：未同定。少なくとも一３０℃までは結晶化しな
かった。） この混合結晶とポリ塩化ビニルの重量比３：２の混合物
をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解して１５重量％
の溶液とした。スクリーン印刷法によってＩＴＯ付き一
軸延伸ＰＥＴ基板（１００μｍ厚、輻２００ｍｍ）に塗
布し、溶媒蒸発後、約６μｍ厚の複合膜を得た。これに
対向基板として塗布されていない同し基板をラミネート
後基板の光学主軸方向に対して液晶のチルト鶏骨（２５
℃でａ−１４℃）だけ傾けた方向に曲げ変形を与えなが
ら等吉相より冷却した。

第６図の方法において、Ｔ＋　＝９０”Ｃ，Ｔ２−８　
＋’ｃ、Ｔ３　＝４０’ｃ、ライン速度４．０ｍ／ｍｉ
ｎ、配向ロール直径１００１、ロール中心間距離−１２
０ｍｍとし、配向処理を行った。

得られた液晶光学素子を２００ｍｍＸＩ８０ｍ［ｌに切
り出したのちコントラスト比を測定したところ、２５゛
Ｃで±５Ｖの電圧印加で６２となった。

また、３５゛Ｃ以下の全カイラルスメクチックＣ相温度
域で双安定性が確認できた。曲げ変形に対する安定性は
曲率半径２０ａｍまで良好であった。

比較例２ 実施例７と同様な方法で熱可塑性樹脂を全く用いずに混
合液晶のみを塗布配向処理した。コントラスト比は２５
゛Ｃ２±５Ｖで１０５が得られたが切断工程で配向が一
部乱れ、また曲げに対しては曲率半径７０ＩｎＩＢ以下
で大きく配向が壊れた。

このように熱可塑性樹脂の混合によって室温付近では膜
の機械的安定性が増し、加熱変形時には軟化して液晶の
配向制御を容易にすることが明らかとなった。また強誘
電性高分子液晶を混入することでその配向が著しく向上
する。この効果は少量で現れるので本来の高速安定性を
損なうことはない。

（発明の効果〕 本発明は以下に示す効果を存している。

（１）　　本発明の液晶光学素子は電界等の外部刺激に
対する高速応答性、コントラスト比等の液晶光学素子と
しての基本特性に優れ、しかも十分な屈曲性を有し、製
膜性に優れ大面積化が容易である。

（２）本発明の液晶光学素子は室温付近で結晶化せず、
熱力学的に安定である。

（３）本発明の液晶光学素子の製造方法は曲げ変形処理
という極めて簡単かつ容易な操作により高速かつ連続的
に高度の配向を達成することができる。

（４）　　基板の光学的異方性の影響を受けずに高コン
トラストの液晶光学素子を実現できる。

（５）基板に煩雑な特定の前処理を施すことなく、容易
に高度の配向を得ることができる。

（６）液晶光学素子の素子構成として用いる偏光板を無
駄なく利用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の配向工程の前工程として好適に使用
することができるラミネート方式による液晶光学素子の
製造方法を表す略示図である。 第１図中の、１．１′は電極付可撓性基板、２は強誘電
性液晶組成物、３は強誘電性液晶物質２を塗布した電極
付可撓性基板１からなる積層基板、８は加圧ローラ対を
示し、１′は対向する電極付可撓性基板を表す。 第２図は、本発明の配向工程およびラミネート加工等に
よる挟持工程の前工程として好適に使用することができ
る塗布法による強誘電性液晶物質の製膜方法の一例を表
す略示図である図中の１は電極付可撓性基板、２は強誘
電性液晶組成物、３は強誘電性液晶物質２を塗布した電
極付可撓性基板１からなる積層基板、４は、ロールコー
タ−５は誘導ロール、６は供給ロール、７はかき取り用
のドクターナイフを表す。 第３図は、本発明の発明方法において、曲げ変形処理に
より、液晶光学素子中の強誘電性液晶の曲げ変形部分に
加わる剪断応力の分布状態の様子の一例を示す略示図で
ある。（ａ）は液晶光学素子を曲げ変形処理している状
態の一例を示す略示図であり、（ｂ）はこの曲げ変形部
分近傍の部分拡大図である。 図中の、９は液晶光学素子、Ｉ及び１′は、それぞれ電
極付可撓性基板、２は強誘電性液晶組成物、１０′は液
晶光学素子９の曲げ変形部分、１１等の矢印は曲げ変形
処理により曲げ変形部分近傍１０の強誘電性液晶に加わ
った剪断応力の分布の状態の一例を表す。 第４図は、本発明における配向方法の例を表す略示図で
ある。図中の９は液晶光学素子、１２は自由回転ローラ
、１０′は曲げ変形部分を表す。 第５図は、本発明における配向方法について曲げ方向と
偏光子の関係を示す説明図である。図中の、９は液晶光
学素子、１２は基板の光学的主軸方向、１３．１４は曲
げ方向、１５．１６は偏光板の偏光軸である。 第６図は、本発明における配向方法の例を表す略示図で
ある。図中の、９は液晶光学素子、１９．２０は、それ
ぞれ自由回転ローラ、２１は加熱装置を表す。 第７図及び第８図はそれぞれａ＝Ｏ°とａ＝θのときの
液晶光学素子の上下電極間に電場を印加させ、偏光子を
用いて表示素子とする場合の液晶分子の傾き、偏光子の
方向と偏光板原反との関係を示す説明図である。 第９図は本発明における配向方法の例を表す略示図であ
る。配向ロールが３本のものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、熱可塑性樹脂、強誘電性高分子液晶及び低分子の強
   誘電性液晶からなる強誘電性液晶組成物を電極が配設さ
   れた２枚の可撓性基板で挟持した液晶光学素子。 ２、熱可塑性樹脂２０〜９０重量％及び強誘電性高分子
   液晶を強誘電性高分子液晶及び低分子の強誘電性液晶の
   合計量に対し３〜９０モル％含む液晶成分８０〜１０重
   量％からなる強誘電性液晶組成物を電極が配設された２
   枚の可撓性基板で挟持した液晶光学素子。 ３、熱可塑性樹脂がガラス転移温度Ｔｇが３０℃以上の
   ものである請求項１又は２記載の液晶光学素子。 ４、熱可塑性樹脂、強誘電性高分子液晶及び低分子の強
   誘電性液晶からなる強誘電性液晶組成物を電極が配設さ
   れた２枚の可撓性基板で挟持した液晶光学素子を曲げ変
   形処理により配向させる液晶光学素子の製造方法。 ５、曲げ変形処理を強誘電性液晶組成物が等方相とスメ
   クチックＡ相、等方相とカイラルスメクチックＣ相、ス
   メクチックＡ相、又はカイラルスメクチックＣ相のいず
   れかを示す温度範囲で行うか或いは強誘電性液晶組成物
   が等方相を示す温度、等方相とスメクチックＡ相の混相
   を示す温度又は等方相とカイラルスメクチックＣ相の混
   相を示す温度からスメクチックＡ相又はカイラルスメク
   チックＣ相を示す温度まで冷却しながら行う請求項４記
   載の液晶光学素子の製造方法。 ６、曲げ変形処理の曲げ方向を該基板面上で基板の光学
   的主軸方向（配向方向）から強誘電性液晶のほぼチルト
   角θ分若しくは９０゜−θ分だけ傾けて行うか、又は基
   板の長手方向からほぼチルト角θ分若しくは９０゜−θ
   分だけ傾けて行う請求項４又は５記載の液晶光学素子の
   製造方法。