JPS6325622A - 強誘電性複合膜 - Google Patents
強誘電性複合膜Info
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- JPS6325622A JPS6325622A JP61169496A JP16949686A JPS6325622A JP S6325622 A JPS6325622 A JP S6325622A JP 61169496 A JP61169496 A JP 61169496A JP 16949686 A JP16949686 A JP 16949686A JP S6325622 A JPS6325622 A JP S6325622A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/54—Additives having no specific mesophase characterised by their chemical composition
- C09K19/542—Macromolecular compounds
- C09K19/544—Macromolecular compounds as dispersing or encapsulating medium around the liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、強誘電性複合膜に関するものである。
更に詳しくは、室温付近で熱力学的に安定な強誘電相を
形成しうる液晶と熱可塑性ム(脂とを含有する強誘電性
複合膜に関するものである。
形成しうる液晶と熱可塑性ム(脂とを含有する強誘電性
複合膜に関するものである。
「従来の技術」
現在、液晶表示装置の主流をなしているのは、゛ン77
ビフェニル系混合液晶を用いたTN型(Twistec
l Nematic)のもので、この液晶表示装置の動
作原理は、分子長軸方向の誘電率ε、が分子軸垂直方向
のyi電率εよよりも大きいことに基づいている。液晶
表示装置のさしあたっての目標は、テレビ画面として実
用化することである。a晶テレビを単純マトリックス方
式によってCRTなみのきめ細かさにするためには、液
晶セルの応答速度はμSeeのオーダーになければなら
ないとされている。しかし、TN型セルの応答速度は、
たかだか1 m5ecのオーダーであり、たとえ単純マ
トリックス方式により液晶テレビを作ったとしても、画
面は非常に粗いものとなってしまう。
ビフェニル系混合液晶を用いたTN型(Twistec
l Nematic)のもので、この液晶表示装置の動
作原理は、分子長軸方向の誘電率ε、が分子軸垂直方向
のyi電率εよよりも大きいことに基づいている。液晶
表示装置のさしあたっての目標は、テレビ画面として実
用化することである。a晶テレビを単純マトリックス方
式によってCRTなみのきめ細かさにするためには、液
晶セルの応答速度はμSeeのオーダーになければなら
ないとされている。しかし、TN型セルの応答速度は、
たかだか1 m5ecのオーダーであり、たとえ単純マ
トリックス方式により液晶テレビを作ったとしても、画
面は非常に粗いものとなってしまう。
1975年Meyer らは、p−デシロキシベンノリ
テ゛ンー1〕゛−7ミ7−2−メチルブチルシンナメー
)(DOBAMBC)を合成し、そのカイラルスメクチ
ックC相(Sc車相)が強誘電性であることを見出した
。またこの液晶は、μsecのオーダーの高速応答性、
およびメモリー性を示すという、これまでの液晶技術の
常識をくつがえす画期的なものである。
テ゛ンー1〕゛−7ミ7−2−メチルブチルシンナメー
)(DOBAMBC)を合成し、そのカイラルスメクチ
ックC相(Sc車相)が強誘電性であることを見出した
。またこの液晶は、μsecのオーダーの高速応答性、
およびメモリー性を示すという、これまでの液晶技術の
常識をくつがえす画期的なものである。
もしDOBAMBCが室温付近で強誘電性を有するなら
ば、強誘電性液晶テレビとして飛躍的な発展を遂げる可
能性は非常に高い。しかしながら、現実には、DOBA
MBCは、64〜92°Cの温度範囲でしか強誘電性を
示さない。また、この液晶単独ではWi膜化しにくいと
いう欠点がある。
ば、強誘電性液晶テレビとして飛躍的な発展を遂げる可
能性は非常に高い。しかしながら、現実には、DOBA
MBCは、64〜92°Cの温度範囲でしか強誘電性を
示さない。また、この液晶単独ではWi膜化しにくいと
いう欠点がある。
一方、室温付近で、強誘電性を示す液晶としてp−n−
フルフオキシベンゾイックアシド−p’−(2−メチル
ブトキシカルボニル)フェニルエステル[p−n−al
koxybenzoic acid p’
(2−methylbutoxycarbonyl)p
henyl esterl(以下アルフキシ鎖長の炭素
数nを用いて、C−n例えばオクチルオキシのものをC
−8というように略記する)が知られている。この系列
の強誘電性液晶は、Sc本相がモノトロピックであり、
しかもSへ→Sc本転移温度がm、p、(結晶→S^転
移温度)よりもかなり低いので、Set相は熱力学的に
不安定相であり、そのため容易に結晶化してしまい、単
独での使用はSc本相の安定性という点に関して難点が
ある。まだ、この液晶も単独では薄膜化しにくいという
欠点がある。
フルフオキシベンゾイックアシド−p’−(2−メチル
ブトキシカルボニル)フェニルエステル[p−n−al
koxybenzoic acid p’
(2−methylbutoxycarbonyl)p
henyl esterl(以下アルフキシ鎖長の炭素
数nを用いて、C−n例えばオクチルオキシのものをC
−8というように略記する)が知られている。この系列
の強誘電性液晶は、Sc本相がモノトロピックであり、
しかもSへ→Sc本転移温度がm、p、(結晶→S^転
移温度)よりもかなり低いので、Set相は熱力学的に
不安定相であり、そのため容易に結晶化してしまい、単
独での使用はSc本相の安定性という点に関して難点が
ある。まだ、この液晶も単独では薄膜化しにくいという
欠点がある。
[発明が解決しようとした問題、α」
本発明者らは、かかる状況にあって、室温付近で熱力学
的に安定した強yf重相を形成しうる複合膜を提供すべ
く、鋭意検討した結果、エステル系カイラルスメクチッ
ク液晶群から選択した2種以上を混合し、この混合液晶
にさらに熱可塑性0(脂を混合したものは薄膜化するの
が容易であり、かつこの薄膜によって、上の目的が達成
されることを見出し、本発明を完成するに至ったもので
ある。
的に安定した強yf重相を形成しうる複合膜を提供すべ
く、鋭意検討した結果、エステル系カイラルスメクチッ
ク液晶群から選択した2種以上を混合し、この混合液晶
にさらに熱可塑性0(脂を混合したものは薄膜化するの
が容易であり、かつこの薄膜によって、上の目的が達成
されることを見出し、本発明を完成するに至ったもので
ある。
「問題、1.i、を解決するための手段」しかして本発
明の要旨とするところは、熱可塑[(JJIlf(A)
と、下記一般式(1)で表わされるエステル系カイラル
スメクチック液晶群の中から選ぼれた少なくとも2種類
の液晶混合物とを、含有することを特徴とする強誘電性
複合膜に存する。
明の要旨とするところは、熱可塑[(JJIlf(A)
と、下記一般式(1)で表わされるエステル系カイラル
スメクチック液晶群の中から選ぼれた少なくとも2種類
の液晶混合物とを、含有することを特徴とする強誘電性
複合膜に存する。
一般式(1)は、次のとおり。
[一般式(1)において、XはCnH2n、、 O−1
から選ばれた基、YはCmH141−1C+n H21
6+ 、 O−で表わされ、がっ、Iが1〜20の整数
の基、C2H3CHCH2−1 CI(。
から選ばれた基、YはCmH141−1C+n H21
6+ 、 O−で表わされ、がっ、Iが1〜20の整数
の基、C2H3CHCH2−1 CI(。
c2H9CHCH20−がら選ばれた基を表わす。]C
H。
H。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に係る複合膜に含まれる熱可塑性U(脂(A)は
、強yi電性混合物(B)と相溶性があれば、特に制限
はない。具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリ臭化ビニル
、ポリ7ツ化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
、塩化ビニル−エチレン共重合体、塩化ビニル−プロピ
レン共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、
塩化ビニル−ブタジェン共重合体、塩化ビニル−アクリ
ル酸エステル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル
共重合体、塩化ビニル−スチレン−アクリロニトリル三
元共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン−酢酸ビニル
共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラプルオロエ
チレン、ポリテトラフルオロクロルエチレン、ポリ7フ
化ビニリデン等のハロゲン化ビニル重合体または共重合
体; ポリビニルアルコール、ポリアリル7 ル:7−ル、ポ
リビニルエーテル、ポリアリルエーテル等の不飽和アル
コールまたはエーテルの重合体または共重合体; アクリル酸またはメタクリル酸等の不飽和カルボン酸の
重合体または共重合体; ポリ酢酸ビニル等のベリビニルエステル、ポリ7タル酸
等のポリアリルエステル等のアルコール残基中に不飽和
結合をもつものの重合体または共重合体; ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
マレイン酸エステルまたは7マル酸エステルの重合体等
の酸残基または酸残基とアルコール残基中に不飽和結合
をもつものの重合体または共重合体; アクリロニトリルまたはメタクリロニトリルの重合体ま
だは共重合体、ポリシアン化ビニリデン、マロノニトリ
ルまたは7マロニトリルの重合体または共重合体等の不
飽和ニトリル重合体または共重合体; ポリスチレン、ポリフル7アメチルスチレン、ポリパラ
メチルスチレン、スチレン−アルレフアメチルスチレン
共重合体、スチレン−バラメチルスチレン共重合体、ポ
リビニルベンゼン、ポリハロゲン化スチレン等の芳香族
ビニル化合物の重合体または共重合体; ポリビニルピリノン、ポリN−ビニルピロリノン、ポリ
N−ビニルピロリドン等の複素環式化合物の重合体また
は共重合体; ポリカーボネート等のポリエステル縮合物、ナイロン6
、ナイロン6・6等のポリアミド縮合物;無水マレイン
酸、無水7マル酸およびそのイミド化物を含む重合体ま
たは共重合体; ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、
ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ボリアリレ
ート等の耐熱性有機高分子;等があげられる。これら例
示は、本発明を限定するものではない。
、強yi電性混合物(B)と相溶性があれば、特に制限
はない。具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリ臭化ビニル
、ポリ7ツ化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
、塩化ビニル−エチレン共重合体、塩化ビニル−プロピ
レン共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、
塩化ビニル−ブタジェン共重合体、塩化ビニル−アクリ
ル酸エステル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル
共重合体、塩化ビニル−スチレン−アクリロニトリル三
元共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン−酢酸ビニル
共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラプルオロエ
チレン、ポリテトラフルオロクロルエチレン、ポリ7フ
化ビニリデン等のハロゲン化ビニル重合体または共重合
体; ポリビニルアルコール、ポリアリル7 ル:7−ル、ポ
リビニルエーテル、ポリアリルエーテル等の不飽和アル
コールまたはエーテルの重合体または共重合体; アクリル酸またはメタクリル酸等の不飽和カルボン酸の
重合体または共重合体; ポリ酢酸ビニル等のベリビニルエステル、ポリ7タル酸
等のポリアリルエステル等のアルコール残基中に不飽和
結合をもつものの重合体または共重合体; ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
マレイン酸エステルまたは7マル酸エステルの重合体等
の酸残基または酸残基とアルコール残基中に不飽和結合
をもつものの重合体または共重合体; アクリロニトリルまたはメタクリロニトリルの重合体ま
だは共重合体、ポリシアン化ビニリデン、マロノニトリ
ルまたは7マロニトリルの重合体または共重合体等の不
飽和ニトリル重合体または共重合体; ポリスチレン、ポリフル7アメチルスチレン、ポリパラ
メチルスチレン、スチレン−アルレフアメチルスチレン
共重合体、スチレン−バラメチルスチレン共重合体、ポ
リビニルベンゼン、ポリハロゲン化スチレン等の芳香族
ビニル化合物の重合体または共重合体; ポリビニルピリノン、ポリN−ビニルピロリノン、ポリ
N−ビニルピロリドン等の複素環式化合物の重合体また
は共重合体; ポリカーボネート等のポリエステル縮合物、ナイロン6
、ナイロン6・6等のポリアミド縮合物;無水マレイン
酸、無水7マル酸およびそのイミド化物を含む重合体ま
たは共重合体; ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、
ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ボリアリレ
ート等の耐熱性有機高分子;等があげられる。これら例
示は、本発明を限定するものではない。
本発明に係る複合膜に含まれる強誘電性液晶混合物(B
)は、前記一般式(+)で表わされるエステル系カイラ
ルスメクチック液晶群の中から選ばれた少なくとも2種
類の液晶を組み合せ混合されたものである。
)は、前記一般式(+)で表わされるエステル系カイラ
ルスメクチック液晶群の中から選ばれた少なくとも2種
類の液晶を組み合せ混合されたものである。
エステル系カイラルスメクチック液晶群から1種のみを
選んだ場合には、前記のごとき欠点が発現され、本発明
の目的が達成されないが、少なくとも2FII類を選び
組み合せ混合すると、本発明の目的が達成される。
選んだ場合には、前記のごとき欠点が発現され、本発明
の目的が達成されないが、少なくとも2FII類を選び
組み合せ混合すると、本発明の目的が達成される。
前記一般式(1)で表わされるエステル系カイラルスメ
クチック液晶の具体例としては、次のような化合物があ
げられる。
クチック液晶の具体例としては、次のような化合物があ
げられる。
p−n−へキシルオキシベンゾイックアシド−p゛−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 p−11−へブチルオキシベンゾイックアシド−p′−
(2−メチルブトキシアルボニル)フェニルエステル、 p 11−オクチルオキシベンゾイックアンド−1)
−(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル
、 1)−1+−7ナノオキシベンゾイノクアシドーp’
−(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル
、 +1−ローデカオキシベンゾイックアンド−p’ (
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、p
−n−ウンデカオキシベンゾイックアシド−p゛−(2
−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−ドデカオキシベンゾイックアンド−p゛−(2−
メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−)リデカオキシベンゾイック7シド−p′−(2
−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−テトラデ力オキシベンゾイ7り7シドーp’−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−ペンタデカオキシベンゾイック7シドーp’−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−へキサデカオキシベンゾイック7シドーp’−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル p−ローへブタデカオキシベンゾイック7シドーp“−
(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 p−n−オクタデカオキシベンゾイックアシド−p’−
(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル。
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 p−11−へブチルオキシベンゾイックアシド−p′−
(2−メチルブトキシアルボニル)フェニルエステル、 p 11−オクチルオキシベンゾイックアンド−1)
−(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル
、 1)−1+−7ナノオキシベンゾイノクアシドーp’
−(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル
、 +1−ローデカオキシベンゾイックアンド−p’ (
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、p
−n−ウンデカオキシベンゾイックアシド−p゛−(2
−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−ドデカオキシベンゾイックアンド−p゛−(2−
メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−)リデカオキシベンゾイック7シド−p′−(2
−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−テトラデ力オキシベンゾイ7り7シドーp’−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−ペンタデカオキシベンゾイック7シドーp’−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 pn−へキサデカオキシベンゾイック7シドーp’−(
2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル p−ローへブタデカオキシベンゾイック7シドーp“−
(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル、 p−n−オクタデカオキシベンゾイックアシド−p’−
(2−メチルブトキシカルボニル)フェニルエステル。
これら例示は、本発明を限定するものではない。
本発明者らの実験によれば、エステル系カイラルスメク
チック液晶群から選ばれた液晶を組み合せる場合、最も
少ない群の液晶成分の占める割合を3〜30モル%の範
囲とすると、本発明の目的が効果的に達成でさることが
分った。
チック液晶群から選ばれた液晶を組み合せる場合、最も
少ない群の液晶成分の占める割合を3〜30モル%の範
囲とすると、本発明の目的が効果的に達成でさることが
分った。
本発明の(B)成分である液晶混合物には、液晶分子の
配向を助けるために極性界面活性剤を添加することがで
きるし、カラー表示するために2色性色素を添加するこ
ともできる。
配向を助けるために極性界面活性剤を添加することがで
きるし、カラー表示するために2色性色素を添加するこ
ともできる。
前記熱可塑性(B脂(A)と液晶混合物(B)との配合
割合は、熱可塑性樹脂(A)の割合を20〜60重1%
の範囲とするのがよい、熱可塑性樹脂が20重量%未満
であると、本発明に係る組成物から薄膜を得るのが困難
となり、60重1%を超えると強誘電相を形成する薄膜
が得られな(なるので、好ましくない。
割合は、熱可塑性樹脂(A)の割合を20〜60重1%
の範囲とするのがよい、熱可塑性樹脂が20重量%未満
であると、本発明に係る組成物から薄膜を得るのが困難
となり、60重1%を超えると強誘電相を形成する薄膜
が得られな(なるので、好ましくない。
本発明に係る強誘電性薄膜は、平膜、スパイラル膜、中
空系膜等種々の形態で使用できる6平膜として使用する
場合には、極薄膜として使用されることが多く、その性
能を充分に発揮することができる。
空系膜等種々の形態で使用できる6平膜として使用する
場合には、極薄膜として使用されることが多く、その性
能を充分に発揮することができる。
本発明に係る強誘電性薄膜を調製するには、乾湿製膜法
、溶液流延法、溶液塗布法、水上延展法等のいずれの方
法によってもよい。性能を充分に発揮する平膜状の極薄
膜を得るには、熱、可塑性樹脂(A)と液晶混合物(B
)との混合物を、熱可塑性樹脂(A)の良溶媒または良
溶媒と貧溶媒との混合液に溶解し、溶液流延法、溶液塗
布法、水上延展法等によって製膜するのが好適である。
、溶液流延法、溶液塗布法、水上延展法等のいずれの方
法によってもよい。性能を充分に発揮する平膜状の極薄
膜を得るには、熱、可塑性樹脂(A)と液晶混合物(B
)との混合物を、熱可塑性樹脂(A)の良溶媒または良
溶媒と貧溶媒との混合液に溶解し、溶液流延法、溶液塗
布法、水上延展法等によって製膜するのが好適である。
本発明に係る強誘電性薄膜は、電気光学素子、大型液晶
ディスプレイ、温度センサー、液晶光シャッター、光変
調器等に応■することができる。
ディスプレイ、温度センサー、液晶光シャッター、光変
調器等に応■することができる。
[発明の効果]
本発明は次のように特別に顕著な効果を奏し、その産業
上の利用価値は極めて大である。
上の利用価値は極めて大である。
(1)本発明に係る複合膜は、熱可塑性樹脂を含んでい
るので、液晶単独の場合に較べて91膜化の毘作が容易
である。
るので、液晶単独の場合に較べて91膜化の毘作が容易
である。
(2)本発明に係る複合膜は、常温付近で強誘電相を形
成し、ディスプレイの用途に使用した場合、優れた輝度
が達成される。これは一般式(Nで表わされる液晶群か
ら選択した液晶単独と、熱可塑性ム(脂を含む複合膜で
は達成できなかった顕著な効果である。
成し、ディスプレイの用途に使用した場合、優れた輝度
が達成される。これは一般式(Nで表わされる液晶群か
ら選択した液晶単独と、熱可塑性ム(脂を含む複合膜で
は達成できなかった顕著な効果である。
(3)一般式(1)で表わされる液晶単独と熱可塑性樹
脂とを含む複合膜は、常温付近のわずがな温度変化によ
って液晶の結晶構造が変化する傾向が強いが、本発明に
係る複合膜は、常温付近で熱力学的に安定であり、わず
かの温度変化では結晶構造が変化しにくい性質をもって
いる。また、常温での分極反転時間が短く、スイッチ等
の用途に好適である。
脂とを含む複合膜は、常温付近のわずがな温度変化によ
って液晶の結晶構造が変化する傾向が強いが、本発明に
係る複合膜は、常温付近で熱力学的に安定であり、わず
かの温度変化では結晶構造が変化しにくい性質をもって
いる。また、常温での分極反転時間が短く、スイッチ等
の用途に好適である。
「実施例」
以下、本発明を実施例、比較例にもとづいて詳細に説明
するが、本発明はその要冑を超えない限り、以下の例に
限定されるものではない。
するが、本発明はその要冑を超えない限り、以下の例に
限定されるものではない。
実施例1〜2、比較例1
く強誘電性液晶混合物の調製〉
液晶として、前述の一般式(I)で表わされるp−オク
チルオキシベンゾイックアンド−p’−(2−メチルブ
トキシカルボニル)フェニルエステル(以下これをC−
8という)、p−n−ヘキシルオキシベンゾイックアン
ド−p’−(2−メチルブトキシカルボニル)フェニル
エステル(以下これをC−6という)とを、C−8/C
−6: 96/4.83/17(モル比)でそれぞれ
混合した強誘電性液晶混合物を得た。
チルオキシベンゾイックアンド−p’−(2−メチルブ
トキシカルボニル)フェニルエステル(以下これをC−
8という)、p−n−ヘキシルオキシベンゾイックアン
ド−p’−(2−メチルブトキシカルボニル)フェニル
エステル(以下これをC−6という)とを、C−8/C
−6: 96/4.83/17(モル比)でそれぞれ
混合した強誘電性液晶混合物を得た。
〈熱可塑性樹脂との混合〉
上の液晶混合物(実施例)と、C−8のみ(比較例)の
合計3種類の液晶に、ポリ塩化ビニル(平均重合度1.
050のもの)の粉末を、液晶/ポリ塩化ビニルとを重
量比で70/30の割合で混合した。
合計3種類の液晶に、ポリ塩化ビニル(平均重合度1.
050のもの)の粉末を、液晶/ポリ塩化ビニルとを重
量比で70/30の割合で混合した。
く複合膜のa!!!>
上の2種類の混合物を、それぞれシクロへキサノンに溶
解し、樹脂の濃度が10重量%の溶液を調製した。
解し、樹脂の濃度が10重量%の溶液を調製した。
上の重合体溶液のそれぞれを、283Kに保たれた水槽
中の水面の壁際に1滴静かに落とし、水面上に薄膜を形
成させ、直ちにすくい上げ、室温で真空乾燥して約30
nmの膜(水面展開膜)を得た。このようにして得られ
た水面展開膜をテフロン板上に40枚積層したのち、こ
の膜をリング状フレームに固定してから、フレームごと
テフロン板から剥離し、窒素雰囲気中で333にで数分
間処理して、皺や弛みのない複合膜を調製した。
中の水面の壁際に1滴静かに落とし、水面上に薄膜を形
成させ、直ちにすくい上げ、室温で真空乾燥して約30
nmの膜(水面展開膜)を得た。このようにして得られ
た水面展開膜をテフロン板上に40枚積層したのち、こ
の膜をリング状フレームに固定してから、フレームごと
テフロン板から剥離し、窒素雰囲気中で333にで数分
間処理して、皺や弛みのない複合膜を調製した。
〈複合膜についての光スイツチング効果〉ポリビニルア
ルコール(PVA)の薄膜で被われた透明電極の表面を
、キムフイプ(十條キンバリー(株)!%t)でラビン
グした。このように表面処理した透明電極間に、複合膜
をそう人した。第1図には光スイツチング効果測定に使
用した装置を示した。第1図において、1は試料の複合
膜、2は透明電極、3はHeNeレーザー、4は光ダイ
オード、5はパルス発振器、6はプリアンプ、7はディ
ジタルメモリーレコーダー、8はパーソナルコンピュー
ター、9はフロッピーディスクをそれぞれ示す。パルス
発振器には水銀リレーを用い、パルス立ち上がり時間が
数μSeeの単発パルスが発振できるようにしである。
ルコール(PVA)の薄膜で被われた透明電極の表面を
、キムフイプ(十條キンバリー(株)!%t)でラビン
グした。このように表面処理した透明電極間に、複合膜
をそう人した。第1図には光スイツチング効果測定に使
用した装置を示した。第1図において、1は試料の複合
膜、2は透明電極、3はHeNeレーザー、4は光ダイ
オード、5はパルス発振器、6はプリアンプ、7はディ
ジタルメモリーレコーダー、8はパーソナルコンピュー
ター、9はフロッピーディスクをそれぞれ示す。パルス
発振器には水銀リレーを用い、パルス立ち上がり時間が
数μSeeの単発パルスが発振できるようにしである。
セルの片側からHe−Neレーザー光#X(1mW>を
照射し、セルを透過した透過光を光ダイオードでキャッ
チし、その起電力を一旦デイノタルメモリーレコーダー
に記憶したのち、パーソナルコンピューターにてデータ
解析した。 第2図には、電界の極性を反転させてから
のセル透過光強度の経時変化曲線を示した。立ち上がり
時開τSを、光スイツチング時開と定義した。
照射し、セルを透過した透過光を光ダイオードでキャッ
チし、その起電力を一旦デイノタルメモリーレコーダー
に記憶したのち、パーソナルコンピューターにてデータ
解析した。 第2図には、電界の極性を反転させてから
のセル透過光強度の経時変化曲線を示した。立ち上がり
時開τSを、光スイツチング時開と定義した。
第 1 表
第1表は、本発明に係る複合膜は、室温近傍においても
、光スイツチング時間が短いことを示している。
、光スイツチング時間が短いことを示している。
f51図は、複合膜についての光スイツチング効果測定
に用いた測定装置の概略図を示し、第2図は、比較例1
の複合膜についての透過光強度の経時変化曲線を示す。 図において1は試料、2は透明電極、3はHe−Neレ
ーザー、4は光グイオード、5はパルス発振器、6はプ
レアンプ、7はディジタルメモリーレコーダー、8はパ
ーソナルフンビューター、9は70ツピーデイスクをそ
れぞれ示す。
に用いた測定装置の概略図を示し、第2図は、比較例1
の複合膜についての透過光強度の経時変化曲線を示す。 図において1は試料、2は透明電極、3はHe−Neレ
ーザー、4は光グイオード、5はパルス発振器、6はプ
レアンプ、7はディジタルメモリーレコーダー、8はパ
ーソナルフンビューター、9は70ツピーデイスクをそ
れぞれ示す。
Claims (4)
- (1)熱可塑性樹脂(A)と、下記一般式( I )で表
わされるエステル系カイラルスメクチック液晶群の中か
ら選ばれた少なくとも2種類の液晶混合物(B)とを含
有することを特徴とする強誘電性複合膜。 記 一般式( I )は、次のとおり。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) [一般式( I )において、XはCnH_2_n_+_
1O−、▲数式、化学式、表等があります▼で表わされ
、かつ、nが1〜 20の整数の基、▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれた基を表わし、YはC_mH_2_m_+_
1−、C_mH_2_m_+_1O−で表わされ、かつ
、mが1〜20の整数の基、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼から選ばれた基を表
わす。] - (2)液晶混合物(B)に含まれる複数の液晶において
、最も少ない液晶が占める割合が3〜30モル%の範囲
内であることを特徴とする、特許請求の範囲第(1)項
記載の強誘電性複合膜。 - (3)熱可塑性樹脂(A)と液晶混合物(B)を含有す
る複合膜において、熱可塑性樹脂(A)の割合が20〜
60重量%であることを特徴とする、特許請求の範囲第
(1)項ないし第(2)項いずれかに記載の強誘電性複
合膜。 - (4)複合膜が、熱可塑性樹脂(A)の良溶媒または良
溶媒と貧溶媒との混合液に溶解し、この溶液から製膜さ
れたものであることを特徴とする、特許請求の範囲第(
1)項ないし第(3)項いずれかに記載の強誘電性複合
膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61169496A JPS6325622A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 強誘電性複合膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61169496A JPS6325622A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 強誘電性複合膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325622A true JPS6325622A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15887598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61169496A Pending JPS6325622A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 強誘電性複合膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325622A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0323127A2 (en) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Polyplastics Co. Ltd. | Resin composition containing smectic liquid crystal |
JPH0236299A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 強誘電性液晶物質組成物及び液晶光学素子 |
JPH0273219A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶光学素子及びその製造方法 |
US5200108A (en) * | 1988-07-26 | 1993-04-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal composition, liquid crystal optical device produced by using the ferroelectric liquid crystal composition, and method of producing the liquid crystal optical device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028487A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Alps Electric Co Ltd | 液晶組成物 |
JPS60235885A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-22 | Alps Electric Co Ltd | 液晶組成物 |
JPS6147427A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶組成物 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61169496A patent/JPS6325622A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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JPS6028487A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Alps Electric Co Ltd | 液晶組成物 |
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US5200108A (en) * | 1988-07-26 | 1993-04-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal composition, liquid crystal optical device produced by using the ferroelectric liquid crystal composition, and method of producing the liquid crystal optical device |
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