JPH0272705A - 電流電圧変換回路 - Google Patents

電流電圧変換回路

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JPH0272705A
JPH0272705A JP63224955A JP22495588A JPH0272705A JP H0272705 A JPH0272705 A JP H0272705A JP 63224955 A JP63224955 A JP 63224955A JP 22495588 A JP22495588 A JP 22495588A JP H0272705 A JPH0272705 A JP H0272705A
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transistor
current
transistors
collector
voltage
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Fumio Suzuki
文雄 鈴木
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 遺丘圀1 本発明は電流電圧変換回路に関し、特に電流ミラー回路
を用いた電流電圧変換回路に関するものである。
良米韮韮 従来のかかる電流電圧変換回路の構成を第2図に示ず、
ベースとコレクタとが°共通接続されてダイオード構成
とされたトランジスタ1とトランジスタ2とは、互いに
ベースが共通に接続されて電流ミラー回路を形成してい
る。
ダイオード構成のトランジスタ1は電流信号源Sによる
信号電流がそのコレクタに印加されており、当該信号電
流と等しい電流がトランジスタ2のコレクタ負荷である
抵抗素子Rに流れるようになっている。
従って、入力である電流信号源Sによる信号電流値を抵
抗Rの抵抗値倍した電圧が、当該抵抗Rの両端に得られ
て、電流電圧変換が行われるのである。尚、■は基準電
圧源を示している。
この様な従来の電流電圧変換回路において、電流信号源
Sの電流値を1.とじ、トランジスタlのコレクタ電流
をIcとし、また両トランジスタ1.2におけるベース
電流を等しいものとしてこれをIbとすると次式が成立
する。
1、=I。+2Ib・・・・・・(1)ここで、トラン
ジスタの電流増幅率をhf、とすると、(1)式は次式
となる。
1、=1.+21゜/h1.・・・・・・(2)したが
って、トランジスタ1のコレクタ電流■。
は次式で表わされる。
!、=1.  ・h、 r−/ (h r、+ 2 )
・・・・・・(3)トランジスタ1と2とのコレクタ・
エミッタ間電圧は等しくないなめに、いわゆるアーリー
効果によって両トランジスタのコレクタ電流には差異が
生ずる。この差異をΔIとすると、トランジスタ2のコ
レクタ電流I。1は(3)式より次式となる。
1−+=Ic十ΔI =1.  ・ h t、/ (h t、+ 2 )  
±△I・・・・・・ (4) よって、抵抗Rの両#A間電圧V。は(4)式を用いて
、 ■。=R(1,・h re/ (h t、十2 )±Δ
I)・・・・・・ (5) となり、この出力電圧■。はトランジスタの電流増幅率
及びアーリー効果の影響を受けることが判る。電流増幅
率及びアーリー効果は個々のトランジスタにより相違す
るので、高精度を要する電流電圧変換は実現できないこ
とになるのである。
九肌立旦追 そこで、本発明はこの様な従来のものの欠点を解決すべ
くなされたものであって、その目的とするところは、高
精度の電流電圧変換を実現可能な電流電圧変換回路を提
供することにある。
九肌座璽式 本発明によれば、電流号源がコレクタに接続された第1
トランジスタと、この第1トランジスタと電流ミラー回
路を構成すべくベースが共通接続された第2及び第3ト
ランジスタと、前記第1トランジスタのコレクタにベー
スが接続され前記第1〜第3トランジスタの〜ベース電
流を供給する第4トランジスタと、前記第2トランジス
タとカスコード接続された第5トランジスタと、前記第
3トランジスタとカスコード接続された第6トランジス
タと、前記第5トランジスタのベースバイアスとしてト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧の3倍の電圧を発
生するバイアス発生手段と、前記第5トランジスタのコ
レクタと前記第6トランジスタのベースとの共通接続点
と基準電圧との[ゴに設けられた抵抗素子とを含み、前
記抵抗素子の両端から前記電流信号源の電流に対応した
電圧出力を得るようにしたことを特徴とする電流電圧変
換回路が得られる。
衷想コ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例の回路図であり、第2図と同′
!J一部分は同一・符号により示されている。電流信号
源Sがコレクタに接続されな1−ランジスタ1と電流ミ
ラー回路を構成すべくベースが互いに共通接続されたト
ランジスタ2及び3が設けられている。これ等3個のト
ランジスタ1〜3のベース電流を供給するために1ヘラ
ンジスタ4が設けられており、このトランジスタ4のベ
ースはl・ランジスタ1のコレクタに接続され、そのエ
ミッタがトランジスタ1〜3のベース共通接続点に接続
されている。
トランジスタ2とカスコード接続されたトランジスタ5
が設けられており、トランジスタ5のコレクタと基準電
圧源Vとの間に出力抵抗素子Rが接続されている。また
、トランジスタ3とカスコード接続されたトランジスタ
6が設けられており、このトランジスタ6のベースがト
ランジスタ5のコレクタに接続されている。
トランジスタ5のベースバイアス回路として、ダイオー
ド構成とされた3個のトランジスタ7〜9が直列接続さ
れ、この3個のトランジスタ7〜9へ抵抗R1を介して
基準電圧源Vから直流バイアス電流が供給されている。
よって、トランジスタ5のベースバイアスとして、3・
VIIIEの電圧が発生されている。ここに、vegは
トランジスタのベース・エミッタ間電圧である。
かかる構成において、トランジスタ1〜3はカレントミ
ラー構成であるから、夫々のコレクタ電流はほぼ等しい
、このとき、トランジスタ5及び6のコレクタ電流もほ
ぼ等しくなっている。従って、トランジスタ1〜3,5
.6のベース電流も全て等しくIbとすることができる
トランジスタ4のエミッタ電流は3・I、となり、トラ
ンジスタの電流増幅率をり1.とすると、ベース電流は
3・I−/ht−となる。ここで、電流信号源Sの電流
を1.とすると、トランジスタ4のベース電流は非常に
小さく無視可能であり、よってトランジスタ1のコレク
タ電流も1.と考えることができる。
また、トランジスタ1及び2のコレクタ・エミッタ間電
圧は2・V[lEであるので、アーリー効果は両トラン
ジスタ1及び2に同様に作用することから、両トランジ
スタ1及び2のコレクタ電流は同一となる。従って、ト
ランジスタ2のコレクタ電流は■、となり、トランジス
タ5のコレクタ電流は1.−Ibとなる。
このとき、抵抗Rに流れる電流は、 It、 +(1,−1b ) =1.・・・・・・(6
)となり、よって、抵抗Rの両端電圧は■、・Rとなっ
て、アーリー効果及びトランジスタの電流増幅率の影響
を受けることがない。
尚、上記実施例ではNPN)−ランジスタを用いている
が、PNPトランジスタを用いても全く同様であること
は明らかである。
几匪立皇濃 叙上の如く、本発明によれば、電流ミラー回路を構成す
るトランジスタの電流増幅率及びアーリー効果をなくす
ように構成したので、高精度の電流電圧変換を行うこと
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の回路図、第2図は従来の電流
電圧変換回路を示す図である 主要部分の符号の説明 1.2.3・・・・・・カレントミラートランジスタ4
・・・・・・ベース電流供給トランジス、り5.6・・
・・・・カスコードトランジスタ7〜9・・・・・・バ
イアストランジスタS・・・・・・を流信号源 R・・・・・・抵抗素子 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電流号源がコレクタに接続された第1トランジス
    タと、この第1トランジスタと電流ミラー回路を構成す
    べくベースが共通接続された第2及び第3トランジスタ
    と、前記第1トランジスタのコレクタにベースが接続さ
    れ前記第1〜第3トランジスタのベース電流を供給する
    第4トランジスタと、前記第2トランジスタとカスコー
    ド接続された第5トランジスタと、前記第3トランジス
    タとカスコード接続された第6トランジスタと、前記第
    5トランジスタのベースバイアスとしてトランジスタの
    ベース・エミッタ間電圧の3倍の電圧を発生するバイア
    ス発生手段と、前記第5トランジスタのコレクタと前記
    第6トランジスタのベースとの共通接続点と基準電圧と
    の間に設けられた抵抗素子とを含み、前記抵抗素子の両
    端から前記電流信号源の電流に対応した電圧出力を得る
    ようにしたことを特徴とする電流電圧変換回路。
JP63224955A 1988-09-08 1988-09-08 電流電圧変換回路 Expired - Lifetime JPH0636484B2 (ja)

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JPH0272705A true JPH0272705A (ja) 1990-03-13
JPH0636484B2 JPH0636484B2 (ja) 1994-05-11

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5963096A (en) * 1996-08-29 1999-10-05 Nec Corporation Amplifier circuit
JP2007518223A (ja) * 2003-12-30 2007-07-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 発散制御機能を有したハイブリッド型マルチビーム電子放出デバイス

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