JPH0266747A - 平板状情報記録担体 - Google Patents
平板状情報記録担体Info
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- JPH0266747A JPH0266747A JP63219014A JP21901488A JPH0266747A JP H0266747 A JPH0266747 A JP H0266747A JP 63219014 A JP63219014 A JP 63219014A JP 21901488 A JP21901488 A JP 21901488A JP H0266747 A JPH0266747 A JP H0266747A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、大容敗、偽密度記録を可能とした平板伏晴報
記録担本(光ディスク)に関するものである。
記録担本(光ディスク)に関するものである。
従来の技術
金・蜀材料を含む記録膜を有する光ディスクでは。
記@摸の酸化劣化を防ぐためて、記録膜を耐湿性保護膜
で保護する等の手段が用いられている。特に希土類と1
金属のアモルファス合金からなる光@気記録摸は酸化し
易い材料であるため、保護、漢の没割は非常に大きい。
で保護する等の手段が用いられている。特に希土類と1
金属のアモルファス合金からなる光@気記録摸は酸化し
易い材料であるため、保護、漢の没割は非常に大きい。
従来、光磁気記録膜を有する光ディスクの保護膜材料と
して、A5N 、 Si3N4等ノ窒化物ヤ5in2゜
Ta205 等の酸化物が検討されてきた。
して、A5N 、 Si3N4等ノ窒化物ヤ5in2゜
Ta205 等の酸化物が検討されてきた。
以下、第3図を参照しながら、従来の光ディスクの構成
の一1列を説明する。基板8及び基板13はポリカーボ
ネイトからなる成形基板である。この基板8の上には、
保護膜9、光磁気記録膜10及びj呆護摸11が順次積
層されその後、接着層12によって、基板と接着される
。ここで保護膜9はZnSであり保護膜11ばAlNで
あり、GdTbFeC。
の一1列を説明する。基板8及び基板13はポリカーボ
ネイトからなる成形基板である。この基板8の上には、
保護膜9、光磁気記録膜10及びj呆護摸11が順次積
層されその後、接着層12によって、基板と接着される
。ここで保護膜9はZnSであり保護膜11ばAlNで
あり、GdTbFeC。
からなる記録膜10を両側から保護している。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の保護膜では、まだ記録膜の酸化防
正に対し問題がある。窒化物から成る保、護膜では、保
護膜中に大きな応力が残留するために、膜にクラックを
生じ易く、このクラックから水分や酸素が浸入して記録
膜を酸化させていた。
正に対し問題がある。窒化物から成る保、護膜では、保
護膜中に大きな応力が残留するために、膜にクラックを
生じ易く、このクラックから水分や酸素が浸入して記録
膜を酸化させていた。
また、酸化物からなる保護膜の場合は、耐湿性能が充分
ではなく、記録膜の酸化が進行するという問題があった
。
ではなく、記録膜の酸化が進行するという問題があった
。
課題を解決するだめの手段
本発明は、上記問題点を解決するだめに、アルミニウム
、窒素を主成分とする窒化アルミニウムに、酸素とイ、
t−!Jウムの少くとも一方を含有する誘眠体を保護層
として用いるものである。
、窒素を主成分とする窒化アルミニウムに、酸素とイ、
t−!Jウムの少くとも一方を含有する誘眠体を保護層
として用いるものである。
作用
本発明ば、上記した手段を施すことにより、1莫中の残
留応力が低下して、I耐クラツク性が向上し又、イツト
リウムは非常に活性な元素であるために浸入して来る酸
素と結合するだめ、光ディスクの盪化劣化の進行がおさ
えられ、[耐侯件の良好な光ディスクが得られる。
留応力が低下して、I耐クラツク性が向上し又、イツト
リウムは非常に活性な元素であるために浸入して来る酸
素と結合するだめ、光ディスクの盪化劣化の進行がおさ
えられ、[耐侯件の良好な光ディスクが得られる。
実施例
以下1本発明の実施例について、第11図fa)を参照
しながら説明する。基板17(1,ポリカーボネイトか
ら成る成型基板で、この片面に保護1@ 2 、記録膜
3.保護摸4を碩積層し、その後、接着層5によりポリ
カーボネイトfluの基板6を接着している。
しながら説明する。基板17(1,ポリカーボネイトか
ら成る成型基板で、この片面に保護1@ 2 、記録膜
3.保護摸4を碩積層し、その後、接着層5によりポリ
カーボネイトfluの基板6を接着している。
記、護膜3は例えばGclTbFeCo光磁気記録媒体
であり、保護膜2.dZnS、4は酸素とイツトリウム
の少くとも一方を含有する窒化γルミニウム誘電体層で
ある。これら三層の膜(は、マグネトロンスパッタ法で
成膜した。酸素とイツトリウムの少く61、 とも一方を含有する窒化アルミニウム膜の成膜には、ホ
ットプレス或は常圧焼結法で作製したターゲットを用い
た。イツトリウムを含有するターゲットを用いてスパッ
タ法で成膜すると、スパッタレートが向上するというメ
リットもある。又、第1図(b)は本発明の一実施例で
、基板1+に前述のよりなZnS保護層、記録膜、酸素
とイツトリウムを含有するAβN保護層が順次形成され
、樹脂のオーバーコート層が施された単板構造の光ディ
スクである。
であり、保護膜2.dZnS、4は酸素とイツトリウム
の少くとも一方を含有する窒化γルミニウム誘電体層で
ある。これら三層の膜(は、マグネトロンスパッタ法で
成膜した。酸素とイツトリウムの少く61、 とも一方を含有する窒化アルミニウム膜の成膜には、ホ
ットプレス或は常圧焼結法で作製したターゲットを用い
た。イツトリウムを含有するターゲットを用いてスパッ
タ法で成膜すると、スパッタレートが向上するというメ
リットもある。又、第1図(b)は本発明の一実施例で
、基板1+に前述のよりなZnS保護層、記録膜、酸素
とイツトリウムを含有するAβN保護層が順次形成され
、樹脂のオーバーコート層が施された単板構造の光ディ
スクである。
以上のように構成された単板構造の光ディスクにおいて
、恒温恒湿環境放置試験を行なりで、保護膜に酸素とイ
ツトリウムを含有するディスクと含有し々いディスクの
劣化を比較した。光磁気ディスクでは、記録媒体の劣化
は、保磁力の低下、反射率の変化、或は孔食の発生とし
て現われる。
、恒温恒湿環境放置試験を行なりで、保護膜に酸素とイ
ツトリウムを含有するディスクと含有し々いディスクの
劣化を比較した。光磁気ディスクでは、記録媒体の劣化
は、保磁力の低下、反射率の変化、或は孔食の発生とし
て現われる。
80”C80%RHでの耐候テストでは、保護膜に酸素
とイノ) l)ラムを含有する効果は、主として孔食の
発生の差として現われる。第2図に示すように窒化アル
ミニウムのみの保護膜では約200時間で孔食が発生し
、DER(ディフェクトエラーレート)が初期値の約3
倍に増加したのに比べ保護膜に酸素とイツトリウムを含
有する窒化アルミニウムを用いると、約200時間での
孔食の発生は非常に低くおさえられ、DERの増加・け
初期値の1.3倍以下にとどまっている。
とイノ) l)ラムを含有する効果は、主として孔食の
発生の差として現われる。第2図に示すように窒化アル
ミニウムのみの保護膜では約200時間で孔食が発生し
、DER(ディフェクトエラーレート)が初期値の約3
倍に増加したのに比べ保護膜に酸素とイツトリウムを含
有する窒化アルミニウムを用いると、約200時間での
孔食の発生は非常に低くおさえられ、DERの増加・け
初期値の1.3倍以下にとどまっている。
又、酸素とイツトリウムのどちらか一方を含有する保護
膜を有する場合も80°C80πRH約200時間後の
DEHの増加は、酸素とイツトリウムを含有しない保護
膜を有するものに比べて小さい。孔食の発生は、保護膜
中の残留応力のだめに、外部環境の変化で微小クラック
が生じ、そこから水分が浸入して、記録膜を酸化したか
、或は膜中のある元素、成分、異物などを核として、記
録膜の酸化が始まり、孔食が形成されると考えられるが
、酸素とイツトリウムの片方又は両方を含有する窒化物
を保護膜として用いることにより。
膜を有する場合も80°C80πRH約200時間後の
DEHの増加は、酸素とイツトリウムを含有しない保護
膜を有するものに比べて小さい。孔食の発生は、保護膜
中の残留応力のだめに、外部環境の変化で微小クラック
が生じ、そこから水分が浸入して、記録膜を酸化したか
、或は膜中のある元素、成分、異物などを核として、記
録膜の酸化が始まり、孔食が形成されると考えられるが
、酸素とイツトリウムの片方又は両方を含有する窒化物
を保護膜として用いることにより。
残留応力が酸素とイソl−IJウムの両方又は片方を含
有しない場合のK N!Aに低減され耐クラツク性が向
上され、水分や酸素の浸入が阻止されて孔食の発生がお
さえられると考えられる。窒化アルミーウムターゲット
へのイツトリウムの添加量ば5 atに以下で充分であ
る。
有しない場合のK N!Aに低減され耐クラツク性が向
上され、水分や酸素の浸入が阻止されて孔食の発生がお
さえられると考えられる。窒化アルミーウムターゲット
へのイツトリウムの添加量ば5 atに以下で充分であ
る。
まだ、ディスクは貼り合せ構造をとらずとも。
単板構造でもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれンコ、アルミニウムと窒素か
ら成る保護膜に酸素とイツトリウムの少くとも一方を添
υIするようにしたことにより、孔食の発生がおさえら
れ、優れた保護機能を実現することが可能となり、その
効果は犬なるものがある。
ら成る保護膜に酸素とイツトリウムの少くとも一方を添
υIするようにしたことにより、孔食の発生がおさえら
れ、優れた保護機能を実現することが可能となり、その
効果は犬なるものがある。
第1図は本発明の一実施例における基板上にZnSnS
保護光磁気記録膜、酸素とイツトリウムを含有するAl
N保護膜を有する竿板状晴報記、録担体の断面図、第2
図はその耐侯性試験によるDER(ディフェクトエラー
レ−1−)の変化を示す特性図、第3図は従来例である
。酸素酸:はイソt−!Jウムを含有しないAlN保護
膜を有する平板状隋報記録用体の断面図である。 1・・・基板、2・・・・・ZnSnS保護光・・・・
・記録膜。 4・・・・・・酸素とイツトリウムを含有するA4N保
護膜。
保護光磁気記録膜、酸素とイツトリウムを含有するAl
N保護膜を有する竿板状晴報記、録担体の断面図、第2
図はその耐侯性試験によるDER(ディフェクトエラー
レ−1−)の変化を示す特性図、第3図は従来例である
。酸素酸:はイソt−!Jウムを含有しないAlN保護
膜を有する平板状隋報記録用体の断面図である。 1・・・基板、2・・・・・ZnSnS保護光・・・・
・記録膜。 4・・・・・・酸素とイツトリウムを含有するA4N保
護膜。
Claims (4)
- (1)光学的、或は磁気的に情報を記録・再生或は消去
可能な光ディスクで、少なくとも平板状基板上に形成す
る記録膜の前記平板状基板に近い側と遠い側に誘電体層
を有し、少なくとも一層の誘電体層が、窒素とアルミニ
ウムを主成分とし、酸素を含有することを特徴とする平
板状情報記録担体。 - (2)光ディスクの少なくとも一層の誘電体層が、窒素
とアルミニウムを主成分とし、酸素とイットリウムの片
方又は両方を含有することを特徴とする請求項1記載の
平板状情報記録担体。 - (3)光ディスクの記録膜が、希土類−遷移金属を主成
分とする請求項1または2記載の平板状情報記録担体。 - (4)光ディスクの平板状基板上に順次形成する薄膜で
、記録膜より、前記平板状基板に近い側に形成する誘電
体膜がZnSを主成分とする誘電体であり、かつ、前記
記録膜より前記平板状基板に遠い側に誘電体膜を有する
ことを特徴とする請求項1、2または3記載の平板状情
報記録担体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219014A JP2910036B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 平板状情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219014A JP2910036B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 平板状情報記録担体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0266747A true JPH0266747A (ja) | 1990-03-06 |
JP2910036B2 JP2910036B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16728904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63219014A Expired - Fee Related JP2910036B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 平板状情報記録担体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2910036B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414825B1 (en) * | 1998-10-06 | 2002-07-02 | Tdk Corporation | Thin film device, thin film magnetic head and magnetoresistive element |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62192944A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
JPS62290585A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Unitika Ltd | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63219014A patent/JP2910036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62192944A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
JPS62290585A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Unitika Ltd | 光記録媒体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414825B1 (en) * | 1998-10-06 | 2002-07-02 | Tdk Corporation | Thin film device, thin film magnetic head and magnetoresistive element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2910036B2 (ja) | 1999-06-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |