JPH0778914B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH0778914B2 JPH0778914B2 JP21468687A JP21468687A JPH0778914B2 JP H0778914 B2 JPH0778914 B2 JP H0778914B2 JP 21468687 A JP21468687 A JP 21468687A JP 21468687 A JP21468687 A JP 21468687A JP H0778914 B2 JPH0778914 B2 JP H0778914B2
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- JP
- Japan
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- protective layer
- magneto
- substrate
- layer
- optical disk
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は大容量データファイル等に使用される光磁気デ
ィスクに関し、詳しくは光磁気ディスクの構造の改良に
関するものである。
ィスクに関し、詳しくは光磁気ディスクの構造の改良に
関するものである。
（従来の技術） 光記録媒体の中でも消去、再記録が容易ということから
光磁気ディスクが注目されている。
光磁気ディスクが注目されている。
光磁気ディスクは、信号の記録がなされる光磁気記録層
のほか、通常、この記録層を保護するための誘電体層等
からなる保護層を基板上に順次積層することにより形成
されており、通常、透明なプラスチック材料で形成され
た上記基板を通して上記記録層に記録光および読取光を
入射せしめ、信号の記録および読取を行なっている。
のほか、通常、この記録層を保護するための誘電体層等
からなる保護層を基板上に順次積層することにより形成
されており、通常、透明なプラスチック材料で形成され
た上記基板を通して上記記録層に記録光および読取光を
入射せしめ、信号の記録および読取を行なっている。
上記基板を構成するプラスチック材料は大気中の水分を
吸収して膨張し、この状態でさらに温度差が生じるとこ
の基板と上記保護層等の界面に基板平面方向の応力不均
衡が生じるため光磁気記録層や保護層にクラックや膜剥
離が生じやすく、このようなクラックや膜剥離の発生に
伴ない記録媒体としての性能が劣化するという問題があ
る。
吸収して膨張し、この状態でさらに温度差が生じるとこ
の基板と上記保護層等の界面に基板平面方向の応力不均
衡が生じるため光磁気記録層や保護層にクラックや膜剥
離が生じやすく、このようなクラックや膜剥離の発生に
伴ない記録媒体としての性能が劣化するという問題があ
る。
そこで、このような問題を解決するため基板の外側に無
機物質からなる保護層を形成し、基板の吸湿を押えるよ
うにした光ディスクが知られている（特開昭57-176548
号公報）。
機物質からなる保護層を形成し、基板の吸湿を押えるよ
うにした光ディスクが知られている（特開昭57-176548
号公報）。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記従来技術における基板の外側に形成さ
れた保護層は3000〜4000Å程度の厚さに形成されてお
り、この保護層内での光損失が大きいため記録感度が低
下するという問題があった。
れた保護層は3000〜4000Å程度の厚さに形成されてお
り、この保護層内での光損失が大きいため記録感度が低
下するという問題があった。
また、この保護層を構成する物質によってはこの保護層
と基板との界面における入射光の界面反射光量が大き
く、やはり記録感度が低下するという問題があった。
と基板との界面における入射光の界面反射光量が大き
く、やはり記録感度が低下するという問題があった。
本発明はこのような問題を解決するため、記録感度の良
好性を保持しつつ、基板の吸湿膨張を防止し得る光磁気
ディスクを提供することを目的とするものである。
好性を保持しつつ、基板の吸湿膨張を防止し得る光磁気
ディスクを提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気ディスクは、樹脂基板の、記録層形成面
と反対側の面上にシリコンの窒化物からなる、下記条件
式を満足する保護層を形成し、この保護層により外部か
ら上記基板への水分の侵入を防止することを特徴とする
ものである。
と反対側の面上にシリコンの窒化物からなる、下記条件
式を満足する保護層を形成し、この保護層により外部か
ら上記基板への水分の侵入を防止することを特徴とする
ものである。
条件式:d≧100、かつｄ≦1000-2000・（ｎ1-ｎ0）（た
だしｎ1＞ｎ0）ここで、ｄ（Å）は保護層の層厚、ｎ1
は上記シリコンの窒化物の屈折率、ｎ0は樹脂基板の屈
折率である。
だしｎ1＞ｎ0）ここで、ｄ（Å）は保護層の層厚、ｎ1
は上記シリコンの窒化物の屈折率、ｎ0は樹脂基板の屈
折率である。
（発明の作用および効果） 本発明の光磁気ディスクによれば、樹脂基板の、記録層
形成面と反対側の面（以下、基板の外側の面と称する）
上に厚さ100Å以上のシリコン窒化物からなる緻密な保
護層を形成し、大気中等、外部からの水分の基板への侵
入を防止してこの基板の吸湿膨張がおこらないようにし
ているので、基板と、この基板に接して形成されている
記録層側の第１層の界面で応力バランスがくずれるおそ
れがなく、したがって光磁気記録層や、この記録層に接
して配される誘電体層等の保護層にクラックや膜剥離が
生じるおそれがなく、記録媒体の品質低下を招くおそれ
がない。
形成面と反対側の面（以下、基板の外側の面と称する）
上に厚さ100Å以上のシリコン窒化物からなる緻密な保
護層を形成し、大気中等、外部からの水分の基板への侵
入を防止してこの基板の吸湿膨張がおこらないようにし
ているので、基板と、この基板に接して形成されている
記録層側の第１層の界面で応力バランスがくずれるおそ
れがなく、したがって光磁気記録層や、この記録層に接
して配される誘電体層等の保護層にクラックや膜剥離が
生じるおそれがなく、記録媒体の品質低下を招くおそれ
がない。
しかも、上記基板の外側の面上の保護層の層厚は1000-2
000（ｎ1-ｎ0）、（ただしｎ1＞ｎ0）以下の範囲に限定
されており、この保護層と基板両者の屈折率が等しいと
きに上記保護層の最大層厚は1000Å、さらに上記両者の
屈折率の差が大きくなるにしたがって上記保護層の最大
層厚が小さくなるように設定されている。すなわち、保
護層の層厚は該保護層による光吸収が大きくなって、記
録感度に影響を及ぼすことのない程度に設定されてお
り、さらに上記両者の屈折率の差に伴なって入射光の界
面反射光量が増加するのでこのような屈折率の差をも考
慮し、屈折率の差が大きければこれに伴なって上記保護
層の最大層厚が薄くなるようにしているので、常に良好
な記録感度を維持することができる。
000（ｎ1-ｎ0）、（ただしｎ1＞ｎ0）以下の範囲に限定
されており、この保護層と基板両者の屈折率が等しいと
きに上記保護層の最大層厚は1000Å、さらに上記両者の
屈折率の差が大きくなるにしたがって上記保護層の最大
層厚が小さくなるように設定されている。すなわち、保
護層の層厚は該保護層による光吸収が大きくなって、記
録感度に影響を及ぼすことのない程度に設定されてお
り、さらに上記両者の屈折率の差に伴なって入射光の界
面反射光量が増加するのでこのような屈折率の差をも考
慮し、屈折率の差が大きければこれに伴なって上記保護
層の最大層厚が薄くなるようにしているので、常に良好
な記録感度を維持することができる。
（実施態様） 以下、本発明の実施態様について図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る光磁気ディスクの一実施態様を示
す断面図である。第１図に示すディスクは円板状の透明
基板１上に第１保護層２、光磁気記録層３および第２保
護層４を順次形成され、さらに基板１の記録層形成面と
反対側の面（基板の外側の面と称する）、および基板１
とこの基板１上に設けられた複数層２、３、４の側面全
周に亘り第３保護層５を形成されてなるものである。
す断面図である。第１図に示すディスクは円板状の透明
基板１上に第１保護層２、光磁気記録層３および第２保
護層４を順次形成され、さらに基板１の記録層形成面と
反対側の面（基板の外側の面と称する）、および基板１
とこの基板１上に設けられた複数層２、３、４の側面全
周に亘り第３保護層５を形成されてなるものである。
上記基板１は厚さ0.3mm〜5mm程度のPC、PMMA、アクリル
等の透明プラスチック材料よりなり、第１保護層２およ
び第２保護層４はSiO、SiO2、Si3Ｎ4、ZnS等の誘電体か
らなる、光磁気記録層３の酸化、腐食を防止するための
層であって、例えば1000Å程度の厚さに形成されてな
り、また光磁気記録層３は厚さが例えば1000Å程度の非
晶質希土類遷移金属合金からなる。なお、上記第１保護
層２、光磁気記録層３および第２保護層４はスパッタリ
ング法あるいは真空蒸着法等により形成される。
等の透明プラスチック材料よりなり、第１保護層２およ
び第２保護層４はSiO、SiO2、Si3Ｎ4、ZnS等の誘電体か
らなる、光磁気記録層３の酸化、腐食を防止するための
層であって、例えば1000Å程度の厚さに形成されてな
り、また光磁気記録層３は厚さが例えば1000Å程度の非
晶質希土類遷移金属合金からなる。なお、上記第１保護
層２、光磁気記録層３および第２保護層４はスパッタリ
ング法あるいは真空蒸着法等により形成される。
ところで、この光磁気ディスクにおいては、前述したよ
うに基板１の外側の面、さらには基板１およびこの上に
形成された薄層２、３、４の側面全周に亘って第３保護
層５が形成されている。この第３保護層５は、基板１上
に、上記複数層２、３、４を積層してなる光磁気ディス
クを真空雰囲気中に配設し、スパッタリング法または真
空蒸着法を用いてシリコンの窒化物を100Å以上、1000
Å以下の範囲で積層せしめて形成したものである。但
し、この第３保護層５は、スパッタリング法または真空
蒸着法を行なう際に、その真空圧あるいはチェンバのベ
ーキング条件等に応じてチェンバ内に存在する不純物と
しての酸素を含有する。この第３保護層５の層厚は、大
気中の水分や酸素が、基板１やこの基板１上に積層され
た薄層２、３、４に侵入するのを防止するのに充分な厚
さであり、かつ、この第３保護層５の存在により基板１
に入射する入射光の光量が減少して記録感度が実質的に
低下しない程度の厚さに設定されている。さらに、基板
１の屈折率ｎ0と第３保護層５の屈折率ｎ1が異なると、
これら両者の界面において、入射光の界面反射が生じ、
入射光量のロスが生じるのでこれら両者の屈折率ｎ0、
ｎ1の差に応じて第３保護層５の最大層厚ｄmaxを減少せ
しめるようにして記録感度が低下しないように調整して
いる。すなわち、第３保護層５の最大層厚ｄmaxは1000-
2000（ｎ1-ｎ0）（Å）（ただしｎ1＞ｎ0とする）とな
るようにしている。したがって、例えば基板１の屈折率
ｎ0が1.6、第３保護層５の屈折率ｎ1が1.7であれば、第
３保護層５の最大層厚ｄmaxは800Åである。
うに基板１の外側の面、さらには基板１およびこの上に
形成された薄層２、３、４の側面全周に亘って第３保護
層５が形成されている。この第３保護層５は、基板１上
に、上記複数層２、３、４を積層してなる光磁気ディス
クを真空雰囲気中に配設し、スパッタリング法または真
空蒸着法を用いてシリコンの窒化物を100Å以上、1000
Å以下の範囲で積層せしめて形成したものである。但
し、この第３保護層５は、スパッタリング法または真空
蒸着法を行なう際に、その真空圧あるいはチェンバのベ
ーキング条件等に応じてチェンバ内に存在する不純物と
しての酸素を含有する。この第３保護層５の層厚は、大
気中の水分や酸素が、基板１やこの基板１上に積層され
た薄層２、３、４に侵入するのを防止するのに充分な厚
さであり、かつ、この第３保護層５の存在により基板１
に入射する入射光の光量が減少して記録感度が実質的に
低下しない程度の厚さに設定されている。さらに、基板
１の屈折率ｎ0と第３保護層５の屈折率ｎ1が異なると、
これら両者の界面において、入射光の界面反射が生じ、
入射光量のロスが生じるのでこれら両者の屈折率ｎ0、
ｎ1の差に応じて第３保護層５の最大層厚ｄmaxを減少せ
しめるようにして記録感度が低下しないように調整して
いる。すなわち、第３保護層５の最大層厚ｄmaxは1000-
2000（ｎ1-ｎ0）（Å）（ただしｎ1＞ｎ0とする）とな
るようにしている。したがって、例えば基板１の屈折率
ｎ0が1.6、第３保護層５の屈折率ｎ1が1.7であれば、第
３保護層５の最大層厚ｄmaxは800Åである。
このようなシリコン窒化物の緻密な層である第３保護層
５を形成することにより、光磁気記録層３への酸素およ
び水分の侵入を防止することができるばかりでなく、基
板１への水分の侵入をも防止することができる。基板１
への水分の侵入を防止することで基板１の吸湿膨張を阻
止することができ、これにより基板１と第１保護層２の
界面における応力バランスが保持されるので基板１と第
１保護層２の界面等における層剥離の発生、および第
１、２保護層２、４や光磁気記録層３の層内におけるク
ラックの発生を防止することができる。
５を形成することにより、光磁気記録層３への酸素およ
び水分の侵入を防止することができるばかりでなく、基
板１への水分の侵入をも防止することができる。基板１
への水分の侵入を防止することで基板１の吸湿膨張を阻
止することができ、これにより基板１と第１保護層２の
界面における応力バランスが保持されるので基板１と第
１保護層２の界面等における層剥離の発生、および第
１、２保護層２、４や光磁気記録層３の層内におけるク
ラックの発生を防止することができる。
第２図は、基板1a上に、第１保護層2a、光磁気記録層3a
および第２保護層4aをこの順に積層形成したものを、互
いの光磁気記録層3aが内側になるような状態で接着層６
を介して貼り合わせた後、この外周全面に亘って第３保
護層5aを積層形成したものである。この場合にも第３保
護層5aの形成材料および層厚は第１図に示す第３保護層
５と同様にして形成すればよい。
および第２保護層4aをこの順に積層形成したものを、互
いの光磁気記録層3aが内側になるような状態で接着層６
を介して貼り合わせた後、この外周全面に亘って第３保
護層5aを積層形成したものである。この場合にも第３保
護層5aの形成材料および層厚は第１図に示す第３保護層
５と同様にして形成すればよい。
なお、本発明の実施態様としては必ずしも第１図または
第２図に示すような層構成のものに必られるものではな
く、例えば第１保護層は省略されたものであってもよ
い。
第２図に示すような層構成のものに必られるものではな
く、例えば第１保護層は省略されたものであってもよ
い。
（実施例） 以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例 屈折率1.6のPC基板上にシリコン窒化物よりなる第１保
護層、TbFeCoよりなる光磁気記録層、シリコン窒化物よ
りなる第２保護層をこの順にスパッタリング法を用いて
積層し、この後、PC基板の、記録層形成面と反対側の面
に、Si3Ｎ4ターゲットを用いたスパッタ法によりシリコ
ンの窒化物からなる第３保護層を形成して光磁気ディス
クを作製した。この光磁気ディスクの作製にあたって
は、第３保護層の形成に際し、アルゴンガス圧およびRF
投入電力の設定値を徐々に変化せしめ、これらの設定値
を変化させる度に光磁気ディスクを作製した。次にこの
ようにして作製した複数枚の光磁気ディスクの性能を測
定し、それぞれのディスクについて第３保護層を形成し
ていない場合と性能等を比較した。また、これらの各光
磁気ディスクについて温湿度サイクルテストを行なっ
た。次に、この性能等の変化の程度、すなわち第３保護
層の形成により反射率の変化が２％未満であるか否か、
記録感度の変化が５％未満であるか否か、C/Nの変化が1
dB未満である否か、また、温湿度サイクルテスト（Z/AD
サイクルテスト）により光磁気記録層にクラックや剥離
が生じたか否か、第３保護層にクラックや剥離が生じた
か否かにより各光磁気ディスクをＡ〜Ｇに類別した。こ
の類別の決定基準を下表に示す。
護層、TbFeCoよりなる光磁気記録層、シリコン窒化物よ
りなる第２保護層をこの順にスパッタリング法を用いて
積層し、この後、PC基板の、記録層形成面と反対側の面
に、Si3Ｎ4ターゲットを用いたスパッタ法によりシリコ
ンの窒化物からなる第３保護層を形成して光磁気ディス
クを作製した。この光磁気ディスクの作製にあたって
は、第３保護層の形成に際し、アルゴンガス圧およびRF
投入電力の設定値を徐々に変化せしめ、これらの設定値
を変化させる度に光磁気ディスクを作製した。次にこの
ようにして作製した複数枚の光磁気ディスクの性能を測
定し、それぞれのディスクについて第３保護層を形成し
ていない場合と性能等を比較した。また、これらの各光
磁気ディスクについて温湿度サイクルテストを行なっ
た。次に、この性能等の変化の程度、すなわち第３保護
層の形成により反射率の変化が２％未満であるか否か、
記録感度の変化が５％未満であるか否か、C/Nの変化が1
dB未満である否か、また、温湿度サイクルテスト（Z/AD
サイクルテスト）により光磁気記録層にクラックや剥離
が生じたか否か、第３保護層にクラックや剥離が生じた
か否かにより各光磁気ディスクをＡ〜Ｇに類別した。こ
の類別の決定基準を下表に示す。
なお、上表に示す類別Ａのディスクは性能変化およびサ
イクルテストの全ての項目においてその結果が良好であ
り、この類別Ａのディスクを作製することが要求され
る。次に、各光磁気ディスクについて第３保護層の屈折
率ｎと膜厚ｄ（Å）を測定し、Δｎ（Δｎ＝ｎ−1.6,1.
6は基板の屈折率）を横軸に、膜厚ｄを縦軸にとって各
光磁気ディスクをプロットしたときのグラフを第３図に
示す。なお、各光磁気ディスクは前述したＡ〜Ｇの類別
記号により表示されている。
イクルテストの全ての項目においてその結果が良好であ
り、この類別Ａのディスクを作製することが要求され
る。次に、各光磁気ディスクについて第３保護層の屈折
率ｎと膜厚ｄ（Å）を測定し、Δｎ（Δｎ＝ｎ−1.6,1.
6は基板の屈折率）を横軸に、膜厚ｄを縦軸にとって各
光磁気ディスクをプロットしたときのグラフを第３図に
示す。なお、各光磁気ディスクは前述したＡ〜Ｇの類別
記号により表示されている。
この第３図から明らかなように、ｄ≧100（Å）、かつ
ｄ≦1000-2000・（ｎ−1.6）（Å）（ただしｎ＞1.6）
の範囲にあるときに類別Ａに相当する良好な光磁気ディ
スクを作製することができる。
ｄ≦1000-2000・（ｎ−1.6）（Å）（ただしｎ＞1.6）
の範囲にあるときに類別Ａに相当する良好な光磁気ディ
スクを作製することができる。
第１図は本発明に係る光磁気ディスクの一実施態様を示
す断面図、第２図は第１図に示す実施例とは別の実施例
を示す断面図、第３図は良好な光磁気ディスクを作製し
得る範囲を示すグラフである。１……基板 2,2a……第１保護層 3,3a……光磁気記録層 4,4a……第２保護層 5,5a……第３保護層（保護層） ６……接着層
す断面図、第２図は第１図に示す実施例とは別の実施例
を示す断面図、第３図は良好な光磁気ディスクを作製し
得る範囲を示すグラフである。１……基板 2,2a……第１保護層 3,3a……光磁気記録層 4,4a……第２保護層 5,5a……第３保護層（保護層） ６……接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名原 明 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−292441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−253549（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透明樹脂基板上に少なくとも光磁気記録層
を形成されてなる光磁気ディスクにおいて、 前記樹脂基板の、前記記録層形成面と反対側の面上にシ
リコンの窒化物からなる保護層が形成され、 前記シリコンの窒化物の屈折率をｎ1、前記樹脂基板の
屈折率をｎ0、前記保護層の膜厚をｄ（Å）としたと
き、 ｄ≧100 かつｄ≦1000-2000・（ｎ1-ｎ0） （ただしｎ1＞ｎ0） であることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21468687A JPH0778914B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21468687A JPH0778914B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6457440A JPS6457440A (en) | 1989-03-03 |
| JPH0778914B2 true JPH0778914B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16659907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21468687A Expired - Fee Related JPH0778914B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778914B2 (ja) |
-
1987
- 1987-08-28 JP JP21468687A patent/JPH0778914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6457440A (en) | 1989-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |