JPH0266173A - タングステンシリサイド膜の形成方法 - Google Patents
タングステンシリサイド膜の形成方法Info
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- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、減圧気相成長法によるタングステンシリサイ
ド膜の形成方法に間するものである。
ド膜の形成方法に間するものである。
（従来の技術）
従来、減圧気相成長法によるタングステンシリサイド（
ＷＳｉｔ）膜の形成においては、反応ガスとしてシラン
（ＳｔＨａ）と六フッ化タングステン（ＷＦ、＞の混合
ガスを用いる方法と、ジクロロシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ
ｌ ２）と六フッ化タングステンの混合ガスを用いる方
法との２つの方法がある。
ＷＳｉｔ）膜の形成においては、反応ガスとしてシラン
（ＳｔＨａ）と六フッ化タングステン（ＷＦ、＞の混合
ガスを用いる方法と、ジクロロシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ
ｌ ２）と六フッ化タングステンの混合ガスを用いる方
法との２つの方法がある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、この２つのタングステンシリサイド（Ｗ Ｓ
ｉ 、、 ｘ ＝ ２．０〜２．８）膜の形成方法のう
ち、前者のシランを用いる方法には、パターンにおける
堆積膜の段差被覆性が悪いという問題があり、近頃は後
者が注目されるようになってきた。
ｉ 、、 ｘ ＝ ２．０〜２．８）膜の形成方法のう
ち、前者のシランを用いる方法には、パターンにおける
堆積膜の段差被覆性が悪いという問題があり、近頃は後
者が注目されるようになってきた。
本発明は、この後者の、反応ガスとしてジクロロシラン
と六フッ化タングステンの混合ガスを用いる方法の問題
点を解決するものである。
と六フッ化タングステンの混合ガスを用いる方法の問題
点を解決するものである。
反応ガスとしてジクロロシランと六フッ化タングステン
の混合カスを用いたプロセスの問題点としては、 １、下地（Ｓｉｎ□などの絶縁膜、ｐｏｌｙ−３ｉ）と
の密着性が悪く、剥がれを生じ易い。
の混合カスを用いたプロセスの問題点としては、 １、下地（Ｓｉｎ□などの絶縁膜、ｐｏｌｙ−３ｉ）と
の密着性が悪く、剥がれを生じ易い。
２、比抵抗値のウェハー面内分布を均一にすることが難
しい。
しい。
等がある。
その原因としては成膜温度が５００〜７００℃とかなり
高温であり、成膜の初期から結晶化が始まるため、膜中
の過剰Ｓｉが下地との界面に排出されて、形成膜の上層
と下層とで組成比Ｘが異なり、下層にゆくほどＸの値が
低下することが考えられる。
高温であり、成膜の初期から結晶化が始まるため、膜中
の過剰Ｓｉが下地との界面に排出されて、形成膜の上層
と下層とで組成比Ｘが異なり、下層にゆくほどＸの値が
低下することが考えられる。
第１図の曲線ａは、従来の生成膜の深さ方向の組成比Ｘ
の変化を、膜の表面から次第にエツチングしその部分の
組成を逐次分析するという周知のオージェ電子分光分析
方法で測定した結果である７（発明の目的） 本発明の目的は、上記のタングステンシリサイド膜の絶
縁膜等下地に対する密着性、およびウェハー面内比抵抗
分布を改善することにある。
の変化を、膜の表面から次第にエツチングしその部分の
組成を逐次分析するという周知のオージェ電子分光分析
方法で測定した結果である７（発明の目的） 本発明の目的は、上記のタングステンシリサイド膜の絶
縁膜等下地に対する密着性、およびウェハー面内比抵抗
分布を改善することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明は、ジクロロシランと六フッ化タングステンの混
合ガスを反応ガスとして、減圧気相成長法でタングステ
ンシリサイド膜を形成する場合に、その成膜の初期に一
定時間、上記反応ガスに、シランを添加する方法を採用
したものである。
合ガスを反応ガスとして、減圧気相成長法でタングステ
ンシリサイド膜を形成する場合に、その成膜の初期に一
定時間、上記反応ガスに、シランを添加する方法を採用
したものである。
（作用）
成膜初期におけるシランの添加は、シランが熱分解され
ることによって、シリコンを従来よりも充分に生成膜中
にＩｐ、給することになり、界面付；デでの組成比Ｘの
低下が防止される結果、界面での密着性の向上が得られ
る。更にウェハー面内比抵抗分布の不良も、この界面付
近での■成比Ｘの低下が原因であったと見られ、比抵抗
分布は極めて均一になることが判明した。
ることによって、シリコンを従来よりも充分に生成膜中
にＩｐ、給することになり、界面付；デでの組成比Ｘの
低下が防止される結果、界面での密着性の向上が得られ
る。更にウェハー面内比抵抗分布の不良も、この界面付
近での■成比Ｘの低下が原因であったと見られ、比抵抗
分布は極めて均一になることが判明した。
（実施例）
第１図の曲線すは、本発明の方法により生成、されたタ
ングステンシリサイド膜の組成比Ｘの、前記同様の、オ
ージェ電子分光分析の測定値にノー、って描かれた膜の
深さ方向のプロファイルｒ：あミ１、この膜の成膜条件
は、温度は５００ ’Ｃ１反応カスはジクロロシラン９
０ｓｃｃｍ、六フッ化タングステン２．３ｓｅｃｍ（こ
れらは従来通り）・に対して、この１更に本発明で新し
く、シラン１００ ｓ ｃ ｃｍを成膜の初期に、成膜
開始後４０秒間添加したものである。
ングステンシリサイド膜の組成比Ｘの、前記同様の、オ
ージェ電子分光分析の測定値にノー、って描かれた膜の
深さ方向のプロファイルｒ：あミ１、この膜の成膜条件
は、温度は５００ ’Ｃ１反応カスはジクロロシラン９
０ｓｃｃｍ、六フッ化タングステン２．３ｓｅｃｍ（こ
れらは従来通り）・に対して、この１更に本発明で新し
く、シラン１００ ｓ ｃ ｃｍを成膜の初期に、成膜
開始後４０秒間添加したものである。
ここで採用したシラン添加の４０秒間の時間は、反応ガ
スとしてジクロロシランと六フッ化タングステンのみを
用いた第１図の曲線ａで組成比Ｘの低下が見られる部分
の厚さの膜を堆積するのに要する時間に対応して決めら
れたものである。
スとしてジクロロシランと六フッ化タングステンのみを
用いた第１図の曲線ａで組成比Ｘの低下が見られる部分
の厚さの膜を堆積するのに要する時間に対応して決めら
れたものである。
図で見る通り、シランを上述のように添加した場合には
、下地との界面付近における組成比の低下は消失し、膜
の深さ方向の組成比の分布が改善されて均一化される。
、下地との界面付近における組成比の低下は消失し、膜
の深さ方向の組成比の分布が改善されて均一化される。
この結果、次の副次的効果が得られる。
まず、界面付近での組成比の改善によフて、膜の下地へ
の密着性の向上が達成されたことである。
の密着性の向上が達成されたことである。
次には膜中の組成比が均一化・安定化するためか、ウェ
ハー面内比抵抗分布が良好となり、本実施例の条件にお
いては、４インチウェハーで、従来法では面内比抵抗分
布の偏差が±１１．２％、膜厚分布の備差が±４％であ
ったものが、比抵抗分布の偏差±３．６％、膜厚分布の
偏差±３．３％になるという好結果が得られたことであ
る。
ハー面内比抵抗分布が良好となり、本実施例の条件にお
いては、４インチウェハーで、従来法では面内比抵抗分
布の偏差が±１１．２％、膜厚分布の備差が±４％であ
ったものが、比抵抗分布の偏差±３．６％、膜厚分布の
偏差±３．３％になるという好結果が得られたことであ
る。
（発明の効果）
本発明の方法によって、膜深さ方向に安定・均一な組成
をもち、密着性に優れ、面内比抵抗分布が良好なタング
ステンシリサイド膜を得ることができる。
をもち、密着性に優れ、面内比抵抗分布が良好なタング
ステンシリサイド膜を得ることができる。
第１図は、タングステンシリサイド膜の厚さ方向の組成
比Ｘを示す図である。
比Ｘを示す図である。
Claims (1)
- （１）ジクロロシランと六フッ化タングステンの混合ガ
スを反応ガスとして用い、減圧気相成長法でタングステ
ンシリサイド膜を形成する方法において、成膜の初期に
一定時間、前記反応ガスの中にシランを添加したことを
特徴とするタングステンシリサイド膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21878588A JPH07100860B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | タングステンシリサイド膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21878588A JPH07100860B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | タングステンシリサイド膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266173A true JPH0266173A (ja) | 1990-03-06 |
| JPH07100860B2 JPH07100860B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16725340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21878588A Expired - Lifetime JPH07100860B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | タングステンシリサイド膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100860B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231056A (en) * | 1992-01-15 | 1993-07-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten silicide (WSix) deposition process for semiconductor manufacture |
| EP0591086A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| JPH06310548A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-11-04 | Applied Materials Inc | タングステンシリサイドの成膜方法 |
| EP0746027A2 (en) * | 1995-05-03 | 1996-12-04 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon/tungsten silicide multilayer composite formed on an integrated circuit structure, and improved method of making same |
| JP2008187190A (ja) * | 2008-02-21 | 2008-08-14 | Renesas Technology Corp | タングステンシリサイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP21878588A patent/JPH07100860B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231056A (en) * | 1992-01-15 | 1993-07-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten silicide (WSix) deposition process for semiconductor manufacture |
| USRE40114E1 (en) * | 1992-01-15 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Tungsten silicide (WSIX) deposition process for semiconductor manufacture |
| EP0591086A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| EP0591086A3 (en) * | 1992-09-30 | 1994-09-21 | Ibm | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| JPH06283453A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-10-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置製造方法 |
| JPH06310548A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-11-04 | Applied Materials Inc | タングステンシリサイドの成膜方法 |
| EP0746027A2 (en) * | 1995-05-03 | 1996-12-04 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon/tungsten silicide multilayer composite formed on an integrated circuit structure, and improved method of making same |
| EP0746027A3 (en) * | 1995-05-03 | 1998-04-01 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon/tungsten silicide multilayer composite formed on an integrated circuit structure, and improved method of making same |
| US5940733A (en) * | 1995-05-03 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure |
| JP2008187190A (ja) * | 2008-02-21 | 2008-08-14 | Renesas Technology Corp | タングステンシリサイド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07100860B2 (ja) | 1995-11-01 |
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