JPH0262653U - - Google Patents

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JPH0262653U
JPH0262653U JP14178788U JP14178788U JPH0262653U JP H0262653 U JPH0262653 U JP H0262653U JP 14178788 U JP14178788 U JP 14178788U JP 14178788 U JP14178788 U JP 14178788U JP H0262653 U JPH0262653 U JP H0262653U
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン注
入装置を示す概略図である。第2図は、第1図の
絶縁体部分の詳細例を示す断面図である。第3図
は、絶縁体の他の例を示す断面図である。第4図
は、この考案の他の実施例に係るイオン注入装置
を部分的に示す断面図である。第5図は、絶縁体
と導体とを組み合わせた例を示す断面図である。
第6図は、従来のイオン注入装置の一例を示す概
略図である。第7図は、第6図の試料の回りを拡
大して部分的に示す断面図である。第8図は、従
来例およびこの考案の実施例の場合の試料表面上
でのビーム電流密度分布の例を示す図である。 2……イオン源、26……イオンビーム、30
……試料室、32……試料、34……ホルダ、3
8……絶縁体、48……導体、50……直流電源

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) イオン源と、試料保持用のホルダが収納さ
    れた試料室とを備え、イオン源から引き出された
    イオンビームをホルダ上の試料に照射してそれに
    イオン注入を行うようにした装置において、前記
    ホルダ上の試料の周辺部近傍からその上流側にか
    けての領域においてイオンビームの発散を静電的
    に抑制する発散抑制手段を備えることを特徴とす
    るイオン注入装置。 (2) 前記発散抑制手段が、ホルダ上の試料の周
    辺部近傍からその上流側にかけての領域を取り囲
    む絶縁体を備える請求項1記載のイオン注入装置
    。 (3) 前記発散抑制手段が、ホルダ上の試料の周
    辺部近傍からその上流側にかけての領域を取り囲
    む導体と、この導体にイオンビームの極性と同じ
    極性の直流電圧を印加する直流電源とを備える請
    求項1記載のイオン注入装置。
JP14178788U 1988-10-29 1988-10-29 Pending JPH0262653U (ja)

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