JPH026086B2 - - Google Patents

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JPH026086B2
JPH026086B2 JP11597282A JP11597282A JPH026086B2 JP H026086 B2 JPH026086 B2 JP H026086B2 JP 11597282 A JP11597282 A JP 11597282A JP 11597282 A JP11597282 A JP 11597282A JP H026086 B2 JPH026086 B2 JP H026086B2
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JP
Japan
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resistor
transistor
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constant current
reference voltage
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JP11597282A
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JPS595321A (ja
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Kenji Kano
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は温度に依存しない基準電圧を得るた
めの基準電圧発生回路に関するものである。
第1図は従来の基準電圧発生回路である。
同図において、1は電流Iの定電流源、2はコ
レクタとベースを接続したトランジスタ、3はト
ランジスタ2コレクタと上記定電流源1との間に
介挿して接続された抵抗体であり、この抵抗体3
と上記定電流源1との接続点を出力端子10に接
続してある。
ここで、上記トランジスタ2のベース・エミツ
タ間電圧VBEの温度変化は、ANALYSIS AND
DESIGN OF ANALOG INTEGRATED
CIRCUITS(著者PAUL R.GRAY ROBERT G.
MEYER.出版者JOHN WILEY&SONS1977年)
第254頁〜第257頁の開示内容から次の式が導びき
出される。
すなわち、上記電圧VBEを絶対温度Tで微分す
ると、 −dVBE/dT=VGO−VBE/T …(1) が与えられる。
ただし、 VBE;絶対温度Tにおけるベース・エミツタ間電
圧 VGO;0〓で外挿した時のバンドギヤプを電子電
荷で除したもので、たとえばシリン(Si)の場
合1.205Vである。
(1)式において、上記電圧VBEの温度依存性をな
くすためには、絶対温度Tで微分した微分値
dVBE/dTが温度依存性のない定数αとすればよ
いことがわかる。
つまり、(1)式において、−dVBE/dT=αを用
いて下式のように表わされる。
VGO=VBE+αT …(2) したがつて、トランジスタ2のベース・エミツ
タ間電圧VBEに、絶対温度Tに比例する電圧を加
えて、VGOとなる電圧をつくれば、温度依存性の
ない電圧を発生させることができる。
第1図において、基準電圧発生回路の出力端子
10に得られる電圧V0は、抵抗体3の抵抗値を
R1とすると、つぎのようになる。
V0=VBE+R1I …(3) 上記定電流源1からの電流Iが絶対温度Tに比
例しており、したがつてR1Iが絶対温度Tに比例
しておれば、出力電圧VOがVGO(=1.205V)とな
つた時、温度に依存しない基準電圧となる。
第2図は絶対温度Tに比例する電流Iが生起さ
れる定電流源1の一例を示す。
同図において、Q1,Q2,Q3はそれぞれエミツ
タサイズの等しいトランジスタを示し、各トラン
ジスタQ1,Q2,Q3のベースとエミツタはそれぞ
れ共通に接続されて、各ベース・エミツタ間電圧
VBEが等しく、かつそれらのエミツタ電流が等し
い値となるような回路構成になされている。
いま、上記構成において、ベース電流が無視で
きるように各トランジスタQ1,Q2,Q3のhFEを
高く構成すると、次式が成立する。
すなわち、 I11=I12=I …(4) また、上記トランジスタQ1,Q2の各コレクタ
に接続されるとともにベースを互いに共通に接続
したトランジスタQ4,Q5のエミツタ電流をIBE4
IBE5とし、その各ベース・エミツタ間電圧VBE4
VBE5とすると、次のシヨツクレーの方程式が成立
する。すなわち、 VBE4=kT/qlnIE4/IS4 …(5) VBE5=kT/qlnIE5/IS5 …(6) ここで、IS4,IS5はトランジスタQ4,Q5の飽和
電流である。
上記トランジスタQ4,Q5のエミツタサイズ比
をn:1に構成すると、 IS4=n・IS5 …(7) が成立する。
上記(5)、(6)、(7)式より、 VBE5−VBE4=kT/qlnn・IE5/IE4 …(8) また、 R・IE4=VBE5−VBE4 …(9) であるから、 (8)式と(9)式より次式が成立する。
すなわち、 R・IE4=kT/qln(n・IE5/IE4)…(10
) ここで、ベース電流が無視できるように各トラ
ンジスタQ4,Q5のhEEを高く構成すると、次式が
成立する。
すなわち、 IE4=I11 …(11) IE5=I12 …(12) 上記(11)、(12)式より、(4)式は次式のとおりとな
る。
IE4=IE5=I …(13) この(13)式と(10)式より、次式が成立する。
R・I=kT/qln・n …(14) よつて、(14)式より、 I=kT/R・qln・n …(15) が成立する。
この(15)式において、 k/R・qln・n=一定…(16) であるから、第2図に示した定電流源1は絶対温
度Tに比例する電流Iを発生させることができ
る。
したがつて、前述したように第2図に示した定
電流源1を用いて、第1図の回路構成にすれば、
上記定電流源1から電流Iが絶対温度Tに比例し
ているから、出力電圧V0がVGO(=1.205V)とな
つた時、温度に依存しない基準電圧となる。
ところが、この第1図に示した基準電圧発生回
路によれば、その出力電圧V0は温度に依存しな
い基準電圧1.205Vのみで任意の値を得ることが
できず、使い勝手が悪い。
従来、これを改善するために、第3図で示すよ
うに、第1図における温度に依存しない基準電圧
V0(=VGO=1.205V)を第2および第3の抵抗体
4,5で分割して、その出力端子11に任意の値
の出力電圧VOXを得るようにしたものが知られて
いる。
すなわち、上記定電流源1と抵抗体3との接続
点12に、抵抗値R2の第2の抵抗体4と、抵抗
体R3の第3の抵抗体5からなる直列体を接続し、
両抵抗体4,5の接続点を出力端子11とするこ
とにより、上記定電流源1と抵抗体3との接続点
12に得られる温度に依存しない基準電圧V0(=
1.205V)を、第2および第3の抵抗体4,5で
分割して、その出力端子11に任意の値の出力電
圧V0xを得るように構成している。
すなわち、第3図で示した基準電圧発生回路に
よれば、その出力電圧V0xは次式で表わされる。
V0x=R3(VBE+R1I)/R1+R2+R3…(1
7) この電圧V0xが温度に依存しないようにするた
めには、R1Iが絶対温度Tに比例するから、 VBE+R1I=VGO=1.205V …(18) でなければならない。
したがつて、上記出力端子11に温度に依存し
ないでかつ基準電圧V0(=1.205V)に近い任意の
値の出力電圧V0xを得るようにするためには、R3
≫R1であることが必要であり、この条件を満た
すたには、電流Iを大きくするか、抵抗体5の抵
抗値R3を大きくしなければならない。
他方、抵抗体3に流れる電流をI1とし、抵抗体
4に流れる電流をI2とすると、それらはつぎのよ
うになる。
I1=(R2+R3)I−VBE/(R1+R2+R3
…(19) I2=R1I+VBE/R1+R2+R3…(20) 上記(19)、(20)式より、トランジスタ2のバ
イアス電流I1が大きく変動することは、このトラ
ンジスタ2のベース・エミツタ間電圧を変動させ
る要因となり、正確な基準電圧V0を得るために
好ましくない。
上記バイアス電流I1は、上記(19)式から明ら
かなよ令うに絶対温度Tに比例する項(R2+R3
Iと、それと逆の温度関係もつ項VBEの差である
から、大きな温度係数をもたせないために、(R2
+R3)I≫VBEであることが必要である。そのた
めには、電流Iを大きな値にするか、第2の抵抗
体4と第(3)の抵抗体5との合成抵抗値R2+R3
大きな値にしなければならない。
この発明は上記欠点を改善するためになされた
もので、第1の定電流源に直列接続された第1の
トランジスタのベース・エミツタ間電圧を抵抗分
割し、その抵抗分割点に絶対温度に比例した電流
を発生する第2の定電流源からの電流を流入させ
るという簡単な構成により、温度に依存しない任
意の基準電圧を容易に得ることができる基準電圧
発生回路を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図面にしたがつて
説明する。
第4図はこの発明に係る基準電圧発生回路の一
例を示すものである。
同図において、31は電流I1の第1の定電流
源、32はコレクタが上記第1の定電流源31に
接続され、エミツタが接地された第1のトランジ
スタ、33はベースが上記第1のトランジスタ3
2のコレクタに接続され、エミツタが上記第1の
トランジスタ32のベースに接続された第2のト
ランジスタである。
34は抵抗値R1の第1の抵抗体で、一端が上
記第2のトランジスタ33のエミツタに接続され
ている。35は抵抗値がR2の第2の抵抗体であ
り、上記第1の抵抗体34の他端と上記第1のト
ランジスタ32のエミツタとの間に介挿して接続
されている。36は絶対温度Tに比例した電流I2
を発生する第2の定電流源、37は抵抗値がR3
の第3の抵抗体であり、この抵抗体37は上記第
1の抵抗体34と第2の抵抗体35との接続点と
上記定電流源36との間に接続されており、この
抵抗体37と上記定電流源36との接続点を出力
端子13に接続してある。
上記構成において、第2のトランジスタ33の
エミツタの接続点は低インピーダンスであるか
ら、その等価回路は第5図で示すとおりである。
よつて、出力端子13に得られる電圧Vpyは次
式で与えられる。
すなわち、 Vpy=IR3+R1I21−VBE …(21) Vpy=IR3+R2I22 …(22) I=I21+I22 …(23) 上記(21)式より、 I21=Vpy−IR3+VBE/R1 …(24) 上記(22)、(23)式より、 I21=−Vpy+(R2+R3)I/R2 …(25) 上記(24)式および(25)式より、 Vpy=R2・VBE/R1+R2+(R1・R2/R1+R2+R3)I=
R2/R1+R2[VBE+{R1+R3(R1+R2)/R2}I]…(2
6) この電圧が、温度に依存しないようにするため
には、 {R1+R3(R1+R2)/R2}I …(27) が絶対温度Tに比例するから、 VBE+{R1+R3(R1+R2)/R2}I =VGO=1.205V …(28) でなければならない。
したがつて、(28)式から抵抗値R1と抵抗値R2
の比を変えれば、0Vから1.205Vまでの任意の基
準電圧V0yを容易に得ることができる。
また、この回路で、第1のトランジスタ32の
バイアス電流はほぼI1となり、温度依存性の少な
い値とすることは容易である。
以上のように、この発明によれば、第1のトラ
ンジスタのベース・エミツタ間に接続された第1
の抵抗体と第2の抵抗体との直列体における分割
接続点に、絶対温度に比例した電流を生起する第
2の定電流源からの電流を加えるようにしたか
ら、上記第1の抵抗体の抵抗値と第2の抵抗体の
抵抗値との比を変えるだけで、温度依存性のない
任意の基準電圧を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の基準電圧発生回路の一例を示す
電気回路図、第2図は絶対温度に比例する電流が
生起される定電流源の一例を示す電気回路図、第
3図は従来の基準電圧発生回路の他の例を示す電
気回路図、第4図はこの発明による基準電圧発生
回路の一例を示す電気回路図、第5図は第4図の
等価回路図である。 13……出力端子、31……第1の定電流源、
32……第1のトランジスタ、33……第2のト
ランジスタ、34……第1の抵抗体、35……第
2の抵抗体、36……第2の定電流源、37……
第3の抵抗体。なお、図中の同一符号は同一もし
くは相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1の定電流源にコレクタを接続した第1の
    トランジスタと、第1のトランジスタのコレクタ
    にベースを接続しかつ上記第1のトランジスタの
    ベースにエミツタを接続した第2のトランジスタ
    と、第2のトランジスタのエミツタに一端を接続
    した第1の抵抗体と、第1の抵抗体の他端と上記
    第1のトランジスタのエミツタとの間に接続され
    た第2の抵抗体と、絶対温度に比例した電流を発
    生する第2の定電流源と、一端を第2の定電流源
    に接続しかつ他端を第1の抵抗体と第2の抵抗体
    との接続点に接続した第3の抵抗体とを備え、上
    記第2の定電流源と第3の抵抗体との接続点から
    温度依存性のない任意の基準電圧を取り出すよう
    に構成したことを特徴とする基準電圧発生回路。
JP11597282A 1982-07-01 1982-07-01 基準電圧発生回路 Granted JPS595321A (ja)

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JPS595321A JPS595321A (ja) 1984-01-12
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6172320A (ja) * 1984-09-18 1986-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基準電圧発生回路

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JPS595321A (ja) 1984-01-12

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