JPH0258890A

JPH0258890A - 銅張積層板

Info

Publication number: JPH0258890A
Application number: JP21098588A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Hoshii; 星井　光博
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1988-08-25
Filing date: 1988-08-25
Publication date: 1990-02-28
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH0787261B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、銅張積層板に関し、詳しくは銅張積層板の基
板表面にカーボン抵抗体等の厚膜抵抗体を形成し、この
厚膜抵抗体を銅箔電極の抵抗体接続用端子部に接続した
ものである。

〔背景技術〕

銅張積層板の表面に印刷により厚膜抵抗体を形成する場
合、基板表面で銅箔電極の抵抗体接続用端子部を対向さ
せ、基板表面に印刷されたカーボン抵抗体等の厚膜抵抗
体の両端部を抵抗体接続用端子部に接続していた。この
場合、銅箔の抵抗体接続用電極の上に直接に厚膜抵抗体
を接続すると、銅箔の経時的な酸化進行のために抵抗体
接続用端子部と厚膜抵抗体との間の接触抵抗が増大し、
抵抗値の経時的変動が大きくて抵抗体接続用端子部間の
抵抗値が不安定になるという問題がある。

この対策として、従来にあっては、■銅箔電極の抵抗体
接続用端子部を覆って基板にＡｇｍ脂ペーストを印刷し
、焼き付けによってＡｇ電極を形成し、このＡｇ電極の
上から抵抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続する方法
、■銅箔電極の抵抗体接続用端子部をＡｕメツキし、こ
のＡｕメツキ電極に厚膜抵抗体を接続する方法、■銅箔
電極の抵抗体接続用端子部をＡｇメツキし、このＡｇメ
ツキ電極に厚膜抵抗体を接続する方法等が用いられてい
た。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のように抵抗体接続用端子部３を覆
ってＡｇ樹脂ペーストを印刷してＡｇ電極６を形成する
方法では、印刷により塗布されるＡｇ樹脂ペーストによ
り銅箔電極２の抵抗体接続用端子部３を位置ずれなく確
実に被覆する必要のため、第６図に示すように、抵抗体
接続用端子部３よりも−回り大きなＡｇｔ極６を形成す
る必要がある。したがって、−回り大きなＡｇ電極６の
ため基板１上に余分なスペースが必要となり、基板１の
小型化の支障となったり、あるいは限られた基板面積の
上でパターン設計が困難になるなどの問題があった。更
に、Ａｇではマイグレーションが顕著であるため、対向
するＡｇ電極６．６間にマイグレーションが成長してＡ
ｇ電極６．６間をショートさせる恐れがあった。

また、抵抗体接続用端子部をＡｕメツキする方法では、
ＡｕとＣｕとの拡散により渦中放置において抵抗値の変
化率が不安定になるので、この拡散現象を防止するため
にはＡｕメツキ層の下に下地Ｎ＋メツキを施す必要があ
り、このための処理に手間がかかっていた。さらに、メ
ツキ材料のＡｕが高価であった。

また、抵抗体接続用端子部をＡｇメツキする方法でも、
Ａｇメツキが錆び易く、硫化物被膜を作り易いため、渦
中放置において抵抗値の変化率が大きく、したがってＡ
ｇメツキ層の上に保護メツキを施す必要があり、同じよ
うにこのための処理に手間がかかっていた。さらに、Ａ
ｇメツキ電極の場合にも、マイグレーションの問題があ
る。

しかして、本発明の目的は、経時的に安定した厚膜抵抗
体を形成することができ、しかもその為に基板上に余分
なスペースを占めることがなく、さらに抵抗体接続用端
子部の構造が簡単でコストも低摩な銅張積層板を提供す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の銅張積層板は、基板に配線された銅箔電極の抵
抗体接続用端子部の表面にニッケルメッキを施し、前記
基板の表面に形成された厚膜抵抗体をこのニッケルメッ
キを介して前記端子部に接続させたことを特徴としてい
る。

〔作用〕

本発明にあっては、銅箔電極の抵抗体接続用端子部の上
にニッケルメッキ単層を形成し、このニッケルメッキの
上から抵抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続すること
により、常温常温、高温放置及び渦中放置の各環境下に
おける抵抗変化率の安定性を向上させることができた。

しかも、抵抗体接続用端子部にＡｕメツキやＡｇメツキ
を施す場合のように下地メツキや保護メツキを必要とせ
ず、ニッケルメッキだけの単層メツキ構造であるので、
構造が簡単であってメツキ処理も容易に行え、コストも
低摩となる。また、メツキ法によっているので、抵抗体
接続用端子部にのみニッケルメッキを施すことができ、
Ａｇ樹脂ペーストを抵抗体接続用端子部に印刷及び焼き
付けする場合のようにニッケルメッキが抵抗体接続用端
子部の縁がらはみ出さず、基板上で余分なスペースを占
めることがない、更に、Ａｇを用いた場合のようにマイ
グレーションの問題もない。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を添付図に基づいて詳述する。

第１図に示すように、フェノール系樹脂基板やエポキシ
系樹脂基板等の基板ｌの表面には銅箔電極２の配線パタ
ーンが形成されており、厚膜抵抗体５を設ける箇所では
、銀箔電極２の抵抗体接続用端子部３が所定距離をおい
て対向させられている。この両紙抗体接続用端子部３に
は、Ｎ１−Ｐ無電解メツキを施してＮｉメツキ電極が形
成されている。そして、第２図に示すように、両紙抗体
接続用端子部３間において基板１表面にカーボン抵抗ペ
ースト等の抵抗ペースト５ａを印刷すると共にこの抵抗
ペースト５ａの両端部をＮｉメツキ４の上から両紙抗体
接続用端子部３に印刷し、この抵抗ペースト５ａを乾燥
させた後、抵抗ペースト５ａを焼き付けてカーボン抵抗
体等の厚膜抵抗体５を形成すると共に厚膜抵抗体５の両
端部をＮｉメツキ４を介して抵抗体接続用端子部３に接
続しである。

上記のようにして単層Ｎ＋メツキを施された抵抗体接続
用端子部に接続された厚膜抵抗体の特性を評価するため
、下記のような比較例１〜４及び本発明の実施例につい
て、常温常温、高温放置及び湿中放置の各条件下におけ
る経時的な抵抗変化率を測定した。尚、抵抗変化率は、
測定開始時ｔ＝０における抵抗値をＲｏ、測定時間ｔに
おける抵抗値をＲ＋ｔ＋とじた時、（Ｒｒｔ＋　　Ｒｏ　）　／　Ｒ。

で定義されるものである。

■（比較例１）銅箔電極の抵抗体接続用端子部に直接厚
膜抵抗体を接続したもの。

■（比較例２）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にＡｕ電
解メツキを施し、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜
抵抗体を接続したもの。

■（比較例３）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にＡｇ電
解メツキを施し、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜
抵抗体を接続したもの。

■く比較例４）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にポリマ
ー型Ｃｕ４［ペースト（アサヒ化学；ＡＣＰ−０２０Ｊ
）を印刷及び焼付けし、この上から抵抗体接続用端子部
に厚膜抵抗体を接続したもの。

■（実施例）　銅箔電極の抵抗体接続用端子部にＮ１−
Ｐ無電解メツキを施し、このニッケルメッキの上から抵
抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続したもの。

これらの各条件下における測定結果を第３図〜第５図に
示す。

（常温常湿における測定結果）常温常温（温度２０〜２５℃、相対湿度５０〜６０％Ｒ
Ｈ＞の条件下において抵抗値の経時的な変化率を測定し
たところ、第３図のような結果を得た。

すなわち、上記比較例１の銅箔そのままの抵抗体接続用
端子部、及び比較例４のＣｕ導電ペーストで抵抗体接続
用端子部を被覆したものでは、銅箔の酸化進行により厚
膜抵抗体との間の接触抵抗が増大し、このため次第に大
きな立ち上がりを示しながら抵抗変化率（抵抗値）が大
きくなっており、極めて不安定な経時特性を示している
。これに対し、比較例２，３及び本実施例の場合には、
抵抗変化率が小さく（１％以内）、経時的にも安定した
ほぼ一定の抵抗値を示している。

（高温放置時における測定結果）高温放置（温度８５°Ｃ）の条件下において抵抗値の経
時的な変化率を測定したところ、第４図のような結果を
得た。

すなわち、比較例１では、始めは抵抗変化率が徐々に増
大しているが、数１０時間経過の頃から変化率が急激に
増大する。また、比較例４では、始めのうちは抵抗変化
率が減少するが、数１０時間経過したころから抵抗変化
率が反対に増大し始め、抵抗値の変動が大きく、やはり
抵抗変化率が極めて不安定である。これに対し、比較例
２．３及び本実施例では、高温により厚膜抵抗体中のレ
ジンが収縮するので、始めのうちは抵抗変化率が比較的
大きく減少しているが、数１０時間経過した頃から抵抗
変化率がほぼ一定となり、この後は抵抗値もほぼ一定値
に安定する。

（湿中放置時における測定結果）湿中放置（温度４０℃、相対湿度９５％ＲＨ＞の条件下
において経時的な抵抗変化率を測定したところ、第５図
のような結果を得た。

比較例１では、急激に抵抗変化率が増大し、経時的特性
が極めて不安定である。比較例４でも、比較例１に次い
で抵抗変化率の増大が著しく、経時的特性が極めて不安
定である。また、Ａｕメツキ電極を用いた比較例２では
、下地のＣｕとメツキ層のＡｕとの間で拡散が進み、や
はり大きな抵抗変化率を示しており、しかも数１００時
間経過しても抵抗変イヒ率が安定していない。したがっ
て、Ａｕメツキの場合にはＣｕとの拡散を防止するため
にＮｉ等の下地メツキを必要とする。さらに、Ａｇメツ
キ電極を用いた比較例３では、Ａｇメツキが錆び易く、
硫化物被膜を作り易いため、Ａｕメツキ電極よりも大き
な抵抗変化率を示している。したがって、Ａｇ電極では
、Ａｇメツキの発錆防止のためには、Ａｇメツキの上に
保護メツキ等を必要とする。

これに対し、本実施例のＮ１−Ｐメツキでは、単層メツ
キで最も小さな抵抗変化率を示しており、しかも数１０
０時間経過した頃から抵抗変化率が一定値に達し、経時
的な安定性にも優れている。

以上の実験結果より、銅箔電極の上にニッケルメツキを
施した抵抗体接続用端子部にあっては、常温常温、高温
放置及び渦中放置のいずれの条件下においても抵抗変化
率（抵抗値）の安定性に優れていることが明らかである
。しかも、下地メツキや保護メツキなどを施すことなく
、単層ニッケルメッキで充分な抵抗変化率の安定性が得
られる。

なお、上記実施例においては、ニッケルメッキとしてＮ
１−Ｐ無電解メツキを施した実施例について説明したが
、これに限らず、Ｎ１−Ｂ無電解メツキやＮｉ電解メツ
キを施したものも良好な結果が得られる。また、ニッケ
ルメッキであれば、電解メツキであると無電解メツキで
あるとを問わない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、銅箔電極の抵抗体接続用端子部に接続
される厚膜抵抗体の常温常温、高温放置及び湿中放１の
各環境下における抵抗変化率を安定させることができ、
抵抗値の経時的な変化が小さくて安定で信頼性の高い厚
膜抵抗体を得ることができる。しかも、ニッケルメッキ
によれば、単層メツキ構造とすることができ、Ａｕメツ
キ電極やＡｇメツキ電極のように下地メツキや保護メツ
キを必要としないので、抵抗体接続用端子部の電極構造
を簡単にすることができ、メツキ処理も容易に行え、製
造コストも安価にすることができる。

さらに、メツキ法によれば抵抗体接続用端子部からはみ
出さないようにＮｉメツキを施すことができるので、ペ
ースト塗布法に比べて抵抗体接続用端子部の電極スペー
スを小さくでき、余分なスペースを見込む必要がなくて
配線パターン設計なども容易に行える。更に、Ａｇを用
いないので、マイグレーションの心配もない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は同上
の断面図、第３図は常温常湿の条件下における抵抗変化
率の経時変化を示すグラフ、第４図は高温放置の条件下
における抵抗変化率の経時変化を示すグラフ、第５図は
渦中放置の条件下における抵抗変化率の経時変化を示す
グラフ、第６図は従来例の平面図である。１・・・基板　　　　　　２・・・銅箔電極３・・・抵
抗体接続用端子部４・・・ニッケルメッキ　５・・・厚膜抵抗体特許出願
人　株式会社　村田製作所代理人　　弁理士　中　野　雅　房第２図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板に配線された銅箔電極の抵抗体接続用端子部
の表面にニッケルメッキを施し、前記基板の表面に形成
された厚膜抵抗体をこのニッケルメッキを介して前記端
子部に接続させたことを特徴とする銅張積層板。