JPH0255948B2 - - Google Patents

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JPH0255948B2
JPH0255948B2 JP1535882A JP1535882A JPH0255948B2 JP H0255948 B2 JPH0255948 B2 JP H0255948B2 JP 1535882 A JP1535882 A JP 1535882A JP 1535882 A JP1535882 A JP 1535882A JP H0255948 B2 JPH0255948 B2 JP H0255948B2
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JP
Japan
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conductive bar
parallel
parallel connection
power transistors
conductive
Prior art date
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Application number
JP1535882A
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English (en)
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JPS58131759A (ja
Inventor
Junji Matsumura
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Publication of JPS58131759A publication Critical patent/JPS58131759A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電力用トランジスタの並列接続構造
に関するものである。
電力用トランジスタTr…を第1図のように並
列接続して動作させる場合には、各電力用トラン
ジスタTrのhFEを揃えるなどの対策を講じて各電
力用トランジスタTr間の電流バランスを適正に
とることが、正常な動作を確保する上での必須条
件となる。
第2図は複数の電力用トランジスタTr…を並
列運転する場合の接続構造の従来例を示すもの
で、並設した複数の電力用トランジスタTr…間
に導電バーBを橋架して、各電力用トランジスタ
Tr…の共通電極間をこの導電バーBでトランジ
スタ並設順序に従つて連続的に接続し、この導電
バーBの一端部にリード線Lを接続して通電する
ようにしている。
ところが、このような並列接続構造では、各電
力用トランジスタTr…の共通電極に流入あるい
は流出する電流は、導電バーBの一端部から他
端部にかけて一定方向に流れるため、チヨツピン
グ周波数が高くなるにつれて、通電路のリアクタ
ンスなどに起因してそのオン・オフ動作時すなわ
ち過渡時に生じる電流のアンバランスが無視でき
なくなり、トランジスタ並設数が増大するにつれ
て、その影響はますます大きくなり、正常な並列
運転を行えなくなるという問題点を有する。
したがつて、この発明の目的は、過渡時の電流
アンバランスを抑え良好な並列運転を行うことの
できる電力用トランジスタの並列接続構造を提供
することである。
この発明の一実施例を第3図および第4図に示
す。すなわち、この電力用トランジスタの並列接
続構造は、並列配置した複数の電力用トランジス
タTr…と、前記各電力用トランジスタTr…の共
通電極間、すなわち各エミツタ電極間、ベース電
極間およびコレクタ電極間を、それぞれ前記電力
用トランジスタTr…の並列順序に従つて連続的
に接続するエミツタ用、ベース用、コレクタ用の
3本の並列接続用導電バー1…と、これら並列接
続用導電バー1…にそれぞれ対応させて3本設け
られ中間位置にリード線接続部2aを有し対応す
る前記各並列接続用導電バー1…上にこの並列接
続用導電バー1…との分離間隔をできるだけ小さ
くして重合配置し、その両端部を並列接続用導電
バー1の両端部に接続した分岐電路用導電バー2
…とからなるものである。
各電力用トランジスタTr…の内部電極の前記
並列接続用導電バー1との電気接続は、前記並列
接続用導電バー1を各電力用トランジスタTr…
に締付固定する端子ねじ3…を介して行われ、前
記端子ねじ3…による前記並列接続用導電バー1
の締付固定部は、他部面域に比して少し低い凹陥
段部1aとして、端子ねじ3のねじ頭がこの凹陥
段部1aに嵌没するようにし、この並列接続用導
電バー1の上方に配置される前記分岐電路用導電
バー2との分離間隔をできるだけ狭められるよう
にしている。
一方、前記分岐電路用導電バー2のリード線接
続部2aは、前記並列接続用導電バー1に背向す
る面側に向け突曲加工して、このリード線接続部
2aに螺着する端子ねじ4のねじ胴部が並列接続
用導電バー対向面側に突出するのを回避し、前記
並列接続用導電バー1の凹陥段部1aと同様に、
並列接続用導電バー1との分離間隔をできるだけ
狭められるようにしている。
また、この電力用トランジスタの並列接続構造
では、並列接続される電力用トランジスタTr…
のうち、右半部のトランジスタ群と左半部のトラ
ンジスタ群とで、各共通電極への電路が、並列接
続用導電バー1の右半部と分岐電路用導電バー2
の右半部からなる折り返し分岐電路と、並列接続
用導電バー1の左半部と分岐電路用導電バー2の
左半部からなる折り返し分岐電路とに分かれるた
め、各導電バー1,2の通電量は、電力用トラン
ジスタTr…の定格値、並設数などを同一とした
条件のもとでは、第2図に示す従来例の導電バー
Bの場合の通電量の半分となり、したがつてこれ
ら導電バー1,2の厚みは従来例の導電バーBの
厚みの1/2に設定している。
このように構成したため、並列接続される電力
用トランジスタTr…の各共通電極への通電路は、
並列配設される右半部の電力用トランジスタ群に
ついては、分岐電路用導電バー2の右半部と並列
接続用導電バー1の右半部からなる折り返し分岐
電路となり、また左半部の電力用トランジスタ群
については、分岐電路用導電バー2の左半部と並
列接続用導電バー1の右半部からなる折り返し分
岐電路が通電路となり、各折り返し分岐電路にお
ける通電電流が逆向きに並走して、通電に伴うイ
ンダクタンスを相殺し通電路におけるリアクタン
スの発生を効果的に抑制することができ、過渡時
における前記リアクタンスに起因する電流アンバ
ランスを防止し、正常な並列運転を行わせること
ができる。
また、並列接続用導電バー1の各電力用トラン
ジスタTr…の電極との接続部に凹陥段部1aを、
分岐電路用導電バー2のリード線接続部2aに突
曲部をそれぞれ形成して、端子ねじ3のねじ頭
部、端子ねじ4のねじ胴部の突出を抑えるように
したため、前記並列接続用導電バー1と分岐電路
用導電バー2の分離間隔を十分狭めることがで
き、通電に伴う前記インダクタンスの発生を一層
効果的に減殺することができる。
さらに、各導電バー1,2の配設構成は、電力
用トランジスタTr…の並設位置の中央より左右
に2分した対称位置としたため、収まりがよく、
制御盤などへの取付が容易になる。
以上にように、この発明の電力用トランジスタ
の並列接続構造は、並設した複数の電力用トラン
ジスタと、前記複数の電力用トランジスタの共通
電極間をトランジスタ並設順序によつて連続的に
接続する並列接続用導電バーと、中間位置にリー
ド線接続部を有し前記並列接続用導電バーに対し
並列され自己の両端部を前記並列接続用導電バー
の両端部に接続した分岐電路用導電バーとを備え
たものであるため、並列接続される電力用トラン
ジスタのうち右半部のトランジスタ群について
は、分岐電路用導電バーの右半部および並列接続
用導電バーの右半部からなる折り返し分岐電路が
通電路となり、左半部のトランジスタ群について
は、分岐電路用導電バーの左半部および並列接続
用導電バーの左半部からなる折り返し分岐電路が
通電路となつて、各通電路でリアクタンスの発生
が抑制され、このリアクタンスに起因する過渡時
における電流アンバランスの発生を防止し、正常
な並列運転を行うことができるという効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は電力用トランジスタの並列接続回路
図、第2図は従来例の正面図、第3図および第4
図はそれぞれこの発明の一実施例を示す正面図お
よび斜視図である。 1……並列接続用導電バー、1a……凹陥段
部、2……分岐電路用導電バー、2a……リード
線接続部、3,4……端子ねじ、Tr……電力用
トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 並設した複数の電力用トランジスタと、前記
    複数の電力用トランジスタの共通電極間をトラン
    ジスタ並設順序に従つて連続的に接続する並列接
    続用導電バーと、中間位置にリード線接続部を有
    し前記並列接続用導電バーに対し並設され自己の
    両端部を前記並列接続用導電バーの両端部に接続
    した分岐電路用導電バーとを備えた電力用トラン
    ジスタの並列接続構造。 2 前記分岐電路用導電バーは、前記並列接続用
    導電バーとの分離間隔を可及的に小さく設定して
    前記並列接続用導電バー上に重合配置したもので
    ある特許請求の範囲第1項記載の電力用トランジ
    スタの並列接続構造。
JP1535882A 1982-01-30 1982-01-30 電力用トランジスタの並列接続構造 Granted JPS58131759A (ja)

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JPS58131759A JPS58131759A (ja) 1983-08-05
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JPH073851B2 (ja) * 1988-01-28 1995-01-18 富士電機株式会社 パワートランジスタの並列接続方法
US9899328B2 (en) 2014-02-11 2018-02-20 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor module

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