JPH06342872A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06342872A JPH06342872A JP6080028A JP8002894A JPH06342872A JP H06342872 A JPH06342872 A JP H06342872A JP 6080028 A JP6080028 A JP 6080028A JP 8002894 A JP8002894 A JP 8002894A JP H06342872 A JPH06342872 A JP H06342872A
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
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- H01L2924/1304—Transistor
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Abstract
(57)【要約】
【目的】各半導体片の電極と端子導体との間のインダク
タンスを小さく、かつその値の差も小さくして高速動作
の際に過大なサージ電圧が加わることなく、また各半導
体片過渡電流のバランスがとれる半導体装置を提供す
る。 【構成】金属基板７の上に固着された絶縁板３１上にト
ランジスタ片１，エミッタ端子板４及びコレクタ端子板
２を搭載し、外囲器８より導出するコレクタ端子２１，
エミッタ端子４１を板面を平行に近接して配置し、その
端部を相対する板面と反対方向に折り曲げる。 【効果】各電極から端子に流れる電流が平行に逆行する
ことによりインダクタンスが小さくなり、スイッチング
時に大きな過電圧が加わることなく、またインダクタン
スの差が少なくなってターンオン電流のずれがなくな
り、大きなターンオン損失のずれが生じることがない。
タンスを小さく、かつその値の差も小さくして高速動作
の際に過大なサージ電圧が加わることなく、また各半導
体片過渡電流のバランスがとれる半導体装置を提供す
る。 【構成】金属基板７の上に固着された絶縁板３１上にト
ランジスタ片１，エミッタ端子板４及びコレクタ端子板
２を搭載し、外囲器８より導出するコレクタ端子２１，
エミッタ端子４１を板面を平行に近接して配置し、その
端部を相対する板面と反対方向に折り曲げる。 【効果】各電極から端子に流れる電流が平行に逆行する
ことによりインダクタンスが小さくなり、スイッチング
時に大きな過電圧が加わることなく、またインダクタン
スの差が少なくなってターンオン電流のずれがなくな
り、大きなターンオン損失のずれが生じることがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の電極を有する半
導体片を複数個内蔵し、半導体片の各電極に共通外部端
子が直接あるいは間接に接続される半導体装置に関す
る。
導体片を複数個内蔵し、半導体片の各電極に共通外部端
子が直接あるいは間接に接続される半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】上述のような半導体装置の一例としての
トランジスタモジュールを図２（ａ），（ｂ）に示す。
図２において、２個のトランジスタ片１がコレクタ端子
板２を介して絶縁板３１の上に固着され、トランジスタ
片１上のエミッタ電極およびベース電極はそれぞれ導線
６のボンディングにより絶縁板３１上に固定されたエミ
ッタ端子板４，ベース端子板５と接続されている。コレ
クタ端子板２，エミッタ端子板４，ベース端子板５の端
部は垂直に立ち上がって、それぞれ外部引出し端子２
１，４１，接続用端子５１が形成されている。別にベー
ス駆動用の補助エミッタ端子４２，補助ベース端子５２
が接続板３２の上に固定され、それぞれエミッタ端子板
４，ベース接続用端子５１に接続されている。絶縁板３
１，３２は共通の金属基板７の上に固着されており、こ
の基板に鎖線８で示す外囲器を接着し、その中に樹脂を
充填することによりトランジスタ片１が外部雰囲気から
遮蔽されている。ところが、このような半導体装置は、
トランジスタ片１から各端子の接続孔９までにインダク
タンスＬｓを有しているため、高周波動作をさせた場
合、次の二つの課題があった。
トランジスタモジュールを図２（ａ），（ｂ）に示す。
図２において、２個のトランジスタ片１がコレクタ端子
板２を介して絶縁板３１の上に固着され、トランジスタ
片１上のエミッタ電極およびベース電極はそれぞれ導線
６のボンディングにより絶縁板３１上に固定されたエミ
ッタ端子板４，ベース端子板５と接続されている。コレ
クタ端子板２，エミッタ端子板４，ベース端子板５の端
部は垂直に立ち上がって、それぞれ外部引出し端子２
１，４１，接続用端子５１が形成されている。別にベー
ス駆動用の補助エミッタ端子４２，補助ベース端子５２
が接続板３２の上に固定され、それぞれエミッタ端子板
４，ベース接続用端子５１に接続されている。絶縁板３
１，３２は共通の金属基板７の上に固着されており、こ
の基板に鎖線８で示す外囲器を接着し、その中に樹脂を
充填することによりトランジスタ片１が外部雰囲気から
遮蔽されている。ところが、このような半導体装置は、
トランジスタ片１から各端子の接続孔９までにインダク
タンスＬｓを有しているため、高周波動作をさせた場
合、次の二つの課題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一つは、前記インダク
タンスＬｓとトランジスタ片１のスイッチング時間ｔｆ
で決定されるサージ電圧ＶｓがＶｓ＝Ｌｓ×Ｉｃ／ｔｆ
によりトランジスタに過大電圧が加わることである。こ
こで、Ｉｃはトランジスタ片１に流れる電流値である。
タンスＬｓとトランジスタ片１のスイッチング時間ｔｆ
で決定されるサージ電圧ＶｓがＶｓ＝Ｌｓ×Ｉｃ／ｔｆ
によりトランジスタに過大電圧が加わることである。こ
こで、Ｉｃはトランジスタ片１に流れる電流値である。
【０００４】他の一つは、複数のトランジスタ片を並列
にて用いた場合、各々のトランジスタ片１から接続孔９
までのインダクタンスが異なり、トランジスタ片１がタ
ーンオンする際に流れるターンオン電流の間にずれを生
じ、高周波動作では大きなターンオン損失のずれとなっ
て現れることである。本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、各半導体片の電極と端子導体の外部端部との間のイ
ンダクタンスを小さく、かつその値の差も小さくして高
速動作の際に過大なサージ電圧が加わることなく、また
各半導体片過渡電流のバランスがとれる半導体装置を提
供することを目的とする。
にて用いた場合、各々のトランジスタ片１から接続孔９
までのインダクタンスが異なり、トランジスタ片１がタ
ーンオンする際に流れるターンオン電流の間にずれを生
じ、高周波動作では大きなターンオン損失のずれとなっ
て現れることである。本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、各半導体片の電極と端子導体の外部端部との間のイ
ンダクタンスを小さく、かつその値の差も小さくして高
速動作の際に過大なサージ電圧が加わることなく、また
各半導体片過渡電流のバランスがとれる半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置は、金属基板上に絶縁板を介
して複数の半導体片と複数の端子板がそれぞれ固定さ
れ、半導体片の電極と端子板の露出面とが導線で接続さ
れ、各端子板にはそれぞれ端子導体が連結され、該端子
導体が金属基板上の外囲器より導出されるものにおい
て、前記端子導体のうちコレクタ端子導体とエミッタ端
子導体とが近接して板面を平行に端子板より立ち上げら
れ、かつコレクタ端子導体とエミッタ端子導体の外囲器
より突出した部分が相対する板面と反対方向に折り曲げ
られたこととする。また、コレクタ端子導体とエミッタ
端子導体の板面が外囲器の短辺方向と平行であることが
有効である。
めに、本発明の半導体装置は、金属基板上に絶縁板を介
して複数の半導体片と複数の端子板がそれぞれ固定さ
れ、半導体片の電極と端子板の露出面とが導線で接続さ
れ、各端子板にはそれぞれ端子導体が連結され、該端子
導体が金属基板上の外囲器より導出されるものにおい
て、前記端子導体のうちコレクタ端子導体とエミッタ端
子導体とが近接して板面を平行に端子板より立ち上げら
れ、かつコレクタ端子導体とエミッタ端子導体の外囲器
より突出した部分が相対する板面と反対方向に折り曲げ
られたこととする。また、コレクタ端子導体とエミッタ
端子導体の板面が外囲器の短辺方向と平行であることが
有効である。
【０００６】
【作用】端子導体に流れる電流の方向が逆である、例え
ばコレクタ端子導体とエミッタ端子導体とをその板面を
平行に近接して配置することにより、各電極から端子へ
流れる電流によって生ずる磁界が打ち消されてインダク
タンスが小さくなり、またその値もほぼ等しくなって上
記の目的が達成される。
ばコレクタ端子導体とエミッタ端子導体とをその板面を
平行に近接して配置することにより、各電極から端子へ
流れる電流によって生ずる磁界が打ち消されてインダク
タンスが小さくなり、またその値もほぼ等しくなって上
記の目的が達成される。
【０００７】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を示
し、図２と共通の部分には同一の符号が付されている。
２個のトランジスタ片１は、図２の場合と同様絶縁板３
１を介して金属基板７の上に固着されたコレクタ端子板
２の上に固着されている。しかし、図２の場合と異なり
コレクタ端子板２はトランジスタ片１の配列方向に垂直
に広がっており、端部の中央から外部引出し端子２１が
立ち上がっている。コレクタ端子板２の露出面には絶縁
板３３が固着され、さらにその上にエミッタ端子板４が
固着されている。エミッタ端子板４の端部中央からはコ
レクタ端子２１と間隔を置いて平行にエミッタ端子４１
が立てられている。エミッタ端子板４の上には絶縁板３
４を介してベース端子板５が固着され、ベース端子板５
の端部中央からはエミッタ端子４１と間隔を置いて平行
にベース接続用端子５１が立てられている。トランジス
タ片１の上のエミッタ電極およびベース電極は、トラン
ジスタ片１の配列方向に垂直な平行導線６によってそれ
ぞれエミッタ端子板４，ベース端子板５と接続されてお
り、基板上に絶縁体３５を介して固定された補助エミッ
タ端子４２はエミッタ端子４１と、また補助ベース端子
５２はベース接続用端子５１と導線６１，６２で接続さ
れるが、導線６１，６２は密に縒り合わされている。こ
の結果、コレクタ端子２１よりエミッタ端子４１に流れ
る電流あるいは補助ベース端子５２から補助エミッタ端
子４２に流れる電流は、トランジスタ片１から平行な経
路を通って逆行することになり、トランジスタ片１から
各端子の接続孔９までのインダクタンスが小さくなる。
また、トランジスタ片１からコレクタ端子２１，エミッ
タ端子４１の接続孔９までの経路は平行でほぼ等しくな
るため、インダクタンスもほぼ等しくなる。図の実施例
ではコレクタ端子２１，エミッタ端子４１をそれぞれコ
レクタ端子板２，エミッタ端子板４の端部の中央から立
ち上げているが、端部の端から立ち上げてもインダクタ
ンスに対する効果は大きく変わらない。
し、図２と共通の部分には同一の符号が付されている。
２個のトランジスタ片１は、図２の場合と同様絶縁板３
１を介して金属基板７の上に固着されたコレクタ端子板
２の上に固着されている。しかし、図２の場合と異なり
コレクタ端子板２はトランジスタ片１の配列方向に垂直
に広がっており、端部の中央から外部引出し端子２１が
立ち上がっている。コレクタ端子板２の露出面には絶縁
板３３が固着され、さらにその上にエミッタ端子板４が
固着されている。エミッタ端子板４の端部中央からはコ
レクタ端子２１と間隔を置いて平行にエミッタ端子４１
が立てられている。エミッタ端子板４の上には絶縁板３
４を介してベース端子板５が固着され、ベース端子板５
の端部中央からはエミッタ端子４１と間隔を置いて平行
にベース接続用端子５１が立てられている。トランジス
タ片１の上のエミッタ電極およびベース電極は、トラン
ジスタ片１の配列方向に垂直な平行導線６によってそれ
ぞれエミッタ端子板４，ベース端子板５と接続されてお
り、基板上に絶縁体３５を介して固定された補助エミッ
タ端子４２はエミッタ端子４１と、また補助ベース端子
５２はベース接続用端子５１と導線６１，６２で接続さ
れるが、導線６１，６２は密に縒り合わされている。こ
の結果、コレクタ端子２１よりエミッタ端子４１に流れ
る電流あるいは補助ベース端子５２から補助エミッタ端
子４２に流れる電流は、トランジスタ片１から平行な経
路を通って逆行することになり、トランジスタ片１から
各端子の接続孔９までのインダクタンスが小さくなる。
また、トランジスタ片１からコレクタ端子２１，エミッ
タ端子４１の接続孔９までの経路は平行でほぼ等しくな
るため、インダクタンスもほぼ等しくなる。図の実施例
ではコレクタ端子２１，エミッタ端子４１をそれぞれコ
レクタ端子板２，エミッタ端子板４の端部の中央から立
ち上げているが、端部の端から立ち上げてもインダクタ
ンスに対する効果は大きく変わらない。
【０００８】なお、トランジスタ片の各電極については
バイポーラトランジスタでの呼称を用いたが、トランジ
スタとしてはこれに限定されることなく例えばＭＯＳＦ
ＥＴ，ＩＧＢＴ等の電圧駆動型トランジスタやサイリス
タ等であってもよい。要は半導体装置外部に導出される
主端子のうち、電流の流れる方向が逆である（例えばコ
レクタとエミッタ，ソースとドレイン，カソードとアノ
ード）端子同志の板面を平行に近接させることである。
バイポーラトランジスタでの呼称を用いたが、トランジ
スタとしてはこれに限定されることなく例えばＭＯＳＦ
ＥＴ，ＩＧＢＴ等の電圧駆動型トランジスタやサイリス
タ等であってもよい。要は半導体装置外部に導出される
主端子のうち、電流の流れる方向が逆である（例えばコ
レクタとエミッタ，ソースとドレイン，カソードとアノ
ード）端子同志の板面を平行に近接させることである。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、金属基板上に絶縁板を
介して複数の半導体片と複数の端子板がそれぞれ固定さ
れ、半導体片の電極と端子板の露出面とが導線で接続さ
れ、各端子板にはそれぞれ端子導体が連結され、該端子
導体が金属基板上の外囲器より導出されるものにおい
て、前記端子導体のうちコレクタ端子導体とエミッタ端
子導体とが近接して板面を平行に端子板より立ち上げら
れ、かつコレクタ端子導体とエミッタ端子導体の外囲器
より突出した部分が相対する板面と反対方向に折り曲げ
られたことによって、各電極から端子に流れる電流が平
行に逆行することによりインダクタンスが小さくなり、
スイッチング時に大きな過電圧が加わることなく、また
インダクタンスの差が少なくなってターンオン電流のず
れがなくなり、大きなターンオン損失のずれが生じるこ
とがない。
介して複数の半導体片と複数の端子板がそれぞれ固定さ
れ、半導体片の電極と端子板の露出面とが導線で接続さ
れ、各端子板にはそれぞれ端子導体が連結され、該端子
導体が金属基板上の外囲器より導出されるものにおい
て、前記端子導体のうちコレクタ端子導体とエミッタ端
子導体とが近接して板面を平行に端子板より立ち上げら
れ、かつコレクタ端子導体とエミッタ端子導体の外囲器
より突出した部分が相対する板面と反対方向に折り曲げ
られたことによって、各電極から端子に流れる電流が平
行に逆行することによりインダクタンスが小さくなり、
スイッチング時に大きな過電圧が加わることなく、また
インダクタンスの差が少なくなってターンオン電流のず
れがなくなり、大きなターンオン損失のずれが生じるこ
とがない。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図で（ａ）が平面
図，（ｂ）が正面図
図，（ｂ）が正面図
【図２】従来のトランジスタモジュールを示す構成図で
（ａ）が平面図，（ｂ）が正面図
（ａ）が平面図，（ｂ）が正面図
１ トランジスタ片 ２ コレクタ端子板 ４ エミッタ端子板 ５ ベース端子板 ６ 導線 ７ 基板 ８ 外囲器 ２１ コレクタ端子 ３１ 絶縁板 ３３ 絶縁板 ３４ 絶縁板 ４１ エミッタ端子 ４２ 補助エミッタ端子 ５１ ベース接続用端子 ５２ 補助ベース端子
Claims (2)
- 【請求項１】金属基板上に絶縁板を介して複数の半導体
片と複数の端子板がそれぞれ固定され、半導体片の電極
と端子板の露出面とが導線で接続され、各端子板にはそ
れぞれ端子導体が連結され、該端子導体が金属基板上の
外囲器より導出されるものにおいて、前記端子導体のう
ちコレクタ端子導体とエミッタ端子導体とが近接して板
面を平行に端子板より立ち上げられ、かつコレクタ端子
導体とエミッタ端子導体の外囲器より突出した部分が相
対する板面と反対方向に折り曲げられたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、コレ
クタ端子導体とエミッタ端子導体の板面が外囲器の短辺
方向と平行であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6080028A JPH0783087B2 (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6080028A JPH0783087B2 (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61239742A Division JPS6393126A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342872A true JPH06342872A (ja) | 1994-12-13 |
| JPH0783087B2 JPH0783087B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=13706827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6080028A Expired - Lifetime JPH0783087B2 (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783087B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646445A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case |
| US9627284B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| WO2018043535A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | ローム株式会社 | パワーモジュール、駆動回路付パワーモジュール、および産業機器、電気自動車またはハイブリッドカー |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104620379A (zh) | 2012-11-09 | 2015-05-13 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
-
1994
- 1994-04-19 JP JP6080028A patent/JPH0783087B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646445A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case |
| US9627284B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| WO2018043535A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | ローム株式会社 | パワーモジュール、駆動回路付パワーモジュール、および産業機器、電気自動車またはハイブリッドカー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0783087B2 (ja) | 1995-09-06 |
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