JPH0255360A - レジスト処理装置 - Google Patents
レジスト処理装置Info
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- JPH0255360A JPH0255360A JP20755588A JP20755588A JPH0255360A JP H0255360 A JPH0255360 A JP H0255360A JP 20755588 A JP20755588 A JP 20755588A JP 20755588 A JP20755588 A JP 20755588A JP H0255360 A JPH0255360 A JP H0255360A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はウェハ状基板上に半導体集積回路素子のパター
ンを形成するレジスト処理工程に係り、特にレジスト塗
布や現像などの一連の処理装置に関する。
ンを形成するレジスト処理工程に係り、特にレジスト塗
布や現像などの一連の処理装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］従来、ウェハ
上に半導体集積回路素子のパターンを形成するホトレジ
スト処理工程はウェハ上に形成されたシリコンのＰ形結
晶あるいはＮ形結晶膜上に感光性を有するレジストを塗
布する塗布工程と、これに所望のパターンを描いたマス
クをのせ、露光する露光工程と、露光により感光したレ
ジストを現像液で処理することにより余分なレジストを
除去する現像・工程とから成りこれらの工程を繰り返し
ながらＰ形結晶、Ｎ形結晶を積層して所望の回路素子を
形成している。これらの工程を行うホトレジスト工程は
具体的には、センダーと呼ばれろ搬送機構にセットされ
たキャリアからウェハを必要があればレジスト塗布の前
処理工程の表面乾燥のためのデバイトレージョンベーク
処理を行うホットプレート上に搬送し、その後ＨＭＤＳ
（ヘキサメチルデシラン）処理等で表面の水酸基を除去
され表面処理が行われる。表面処理済のウェハは均一で
ムラのない膜厚のレジストを塗布するためのコータでウ
ェハを高速回転させながらレジスト液を塗布する。その
後、レジスト液溶剤除去のため、プリベークを行い、必
要に応じて冷却して露光処理装置に搬送するためレシー
バと呼ばれる搬送機構によりウェハは一旦キャリアに収
納される。露光装置によりレジストにパターンを露光し
た後の現像処理工程ではレジスト塗布前処理工程と同様
にセンダーを用いてキャリアに収納されたウェハを処理
装置に搬送する。露光装置で単一波長光で露光した場合
には、定在波効果によるホトレジストパターン（ホトレ
ジスト側壁形状）の変形を軽減するため必要ならば現像
前にポストエクスポージャーベータと呼ばれるベーキン
グを行った後、スピン式、デイツプ式、スプレー式等の
方法で現像液を供給し現像を行い現像液の洗浄と共に現
像を停止させるリンスを行った後、レジスト膜中又は表
面に残留した現像液、リンス液を蒸発除去し、レジスト
の硬化、ウェハとの密着強化を行うためのポストベータ
、ハードベーク等を行い、現像工程終了後、イオン注入
等の次工程に搬送するためのレシーバで再び処理済ウェ
ハがキャリアに収納される。これらは例えば特開昭６１
−２６３２２４号に記載されている。
上に半導体集積回路素子のパターンを形成するホトレジ
スト処理工程はウェハ上に形成されたシリコンのＰ形結
晶あるいはＮ形結晶膜上に感光性を有するレジストを塗
布する塗布工程と、これに所望のパターンを描いたマス
クをのせ、露光する露光工程と、露光により感光したレ
ジストを現像液で処理することにより余分なレジストを
除去する現像・工程とから成りこれらの工程を繰り返し
ながらＰ形結晶、Ｎ形結晶を積層して所望の回路素子を
形成している。これらの工程を行うホトレジスト工程は
具体的には、センダーと呼ばれろ搬送機構にセットされ
たキャリアからウェハを必要があればレジスト塗布の前
処理工程の表面乾燥のためのデバイトレージョンベーク
処理を行うホットプレート上に搬送し、その後ＨＭＤＳ
（ヘキサメチルデシラン）処理等で表面の水酸基を除去
され表面処理が行われる。表面処理済のウェハは均一で
ムラのない膜厚のレジストを塗布するためのコータでウ
ェハを高速回転させながらレジスト液を塗布する。その
後、レジスト液溶剤除去のため、プリベークを行い、必
要に応じて冷却して露光処理装置に搬送するためレシー
バと呼ばれる搬送機構によりウェハは一旦キャリアに収
納される。露光装置によりレジストにパターンを露光し
た後の現像処理工程ではレジスト塗布前処理工程と同様
にセンダーを用いてキャリアに収納されたウェハを処理
装置に搬送する。露光装置で単一波長光で露光した場合
には、定在波効果によるホトレジストパターン（ホトレ
ジスト側壁形状）の変形を軽減するため必要ならば現像
前にポストエクスポージャーベータと呼ばれるベーキン
グを行った後、スピン式、デイツプ式、スプレー式等の
方法で現像液を供給し現像を行い現像液の洗浄と共に現
像を停止させるリンスを行った後、レジスト膜中又は表
面に残留した現像液、リンス液を蒸発除去し、レジスト
の硬化、ウェハとの密着強化を行うためのポストベータ
、ハードベーク等を行い、現像工程終了後、イオン注入
等の次工程に搬送するためのレシーバで再び処理済ウェ
ハがキャリアに収納される。これらは例えば特開昭６１
−２６３２２４号に記載されている。
このような塗布工程や現像工程の処理時間は、露光工程
の所要時間と比均すると長時間を要するため歩留りが悪
くなってしまう。γのため、同時に同一工程を２装置設
計２ラインにして行っていたが高価な露光装置の処理速
度に追いつかず、露光装置の即動時間が短縮されてしま
うという欠点があった。
の所要時間と比均すると長時間を要するため歩留りが悪
くなってしまう。γのため、同時に同一工程を２装置設
計２ラインにして行っていたが高価な露光装置の処理速
度に追いつかず、露光装置の即動時間が短縮されてしま
うという欠点があった。
本発明の目的は上記のような欠点を解消し、効率がよく
、従って製品の単位も低価格で製造できるレジスト処理
装置を提供することにある。
、従って製品の単位も低価格で製造できるレジスト処理
装置を提供することにある。
［発明の概要］
上記の目的を達成するため本発明のレジスト処理装置は
、塗布または現像装置及び熱処理装置を含むレジスト処
理ラインを３連に配列することを特徴とする。
、塗布または現像装置及び熱処理装置を含むレジスト処
理ラインを３連に配列することを特徴とする。
［実施例］
本発明のレジスト処理装置を現像工程に適用した一実施
例を第１図の構成図を参照して説明する。
例を第１図の構成図を参照して説明する。
第１図の構成図に図示の現像装置は３連の装置１．２．
３からなり、それぞれ１連毎にコンパクトホットプレー
ト１２．２２．３２にキャリアからウェハを搬送するセ
ンダー１１．２１．３０−１．３０−２とポストエクス
ポージャーベークを行うポットプレート１台からなるコ
ンパクトホットプレート１２．２２．３２と、コンパク
トホットプレート１２．２２．３２で加熱されたウェハ
を処理時間ｙＡ整のため一時載置するバッファ１３．２
３．３３を介して現像を行うために加熱されたウェハを
冷却する冷却装置１４．２４．３４と、デベロッパー１
５．２５．３５及び現像後残留した現像液、リンス液除
去のためのホットプレートを備えたポストベーク装置１
６．２６．３６及び一連の処理済ウェハをキャリアに収
納するレシーバ１７．２７．３７−１．３７−２等が一
つの筐体上に被処理体例えば半導体ウェハが予め定めら
れたプログラムにより自動的に走行し、夫々の処理を受
ける如く構成されている。これらは図示されているよう
に被処理ウェハがほぼ直線状に走行する過程において各
処理を受ける如く構成されている。これらは３ライン平
面的に配列されているが、立体的に積み重ねることは操
作上監視が困難なので回避されているが踏み台を設けれ
ば立体的配列も考えられる。装置１．２のセンダー１１
．２１上にはオペレータがキャリアを搬送して載置でき
るが３連の装置１．２．３の幅が１１０〜１２０ｃｍあ
るため、装置３の位置にオペレータがキャリアを搬送し
て載置するのは困難であり、装置１．２のセンダー１１
．２１の横に装置３のセンダー３０−１及び３０−２を
設け、ここにオペレータ又は搬送ロボットがキャリアを
載置すればロボットアームあるいは搬送ベルトがキャリ
アを装置３の位置に自動的に搬送する。装置３のコンパ
クトホットプレート３２に搬送するためキャリアを一時
載置するフラットバッファ３１を設ける。キャリアをセ
ンダー３０−１あるいは３０−２からフラットバッファ
３１に搬送するには時間がかかるため、センダーを２台
設けることにより、処理時間の遅延を防止することがで
きる。同様に装置３のレシーバにおいてもオペレータが
キャリアを扱うのに困難なため、装置１及び２のレシー
バ１７及び２７の横に装置３のレシーバ３７−１及び３
７−２を設け、ロボットアームあるいは搬送ベルトで搬
送する。
３からなり、それぞれ１連毎にコンパクトホットプレー
ト１２．２２．３２にキャリアからウェハを搬送するセ
ンダー１１．２１．３０−１．３０−２とポストエクス
ポージャーベークを行うポットプレート１台からなるコ
ンパクトホットプレート１２．２２．３２と、コンパク
トホットプレート１２．２２．３２で加熱されたウェハ
を処理時間ｙＡ整のため一時載置するバッファ１３．２
３．３３を介して現像を行うために加熱されたウェハを
冷却する冷却装置１４．２４．３４と、デベロッパー１
５．２５．３５及び現像後残留した現像液、リンス液除
去のためのホットプレートを備えたポストベーク装置１
６．２６．３６及び一連の処理済ウェハをキャリアに収
納するレシーバ１７．２７．３７−１．３７−２等が一
つの筐体上に被処理体例えば半導体ウェハが予め定めら
れたプログラムにより自動的に走行し、夫々の処理を受
ける如く構成されている。これらは図示されているよう
に被処理ウェハがほぼ直線状に走行する過程において各
処理を受ける如く構成されている。これらは３ライン平
面的に配列されているが、立体的に積み重ねることは操
作上監視が困難なので回避されているが踏み台を設けれ
ば立体的配列も考えられる。装置１．２のセンダー１１
．２１上にはオペレータがキャリアを搬送して載置でき
るが３連の装置１．２．３の幅が１１０〜１２０ｃｍあ
るため、装置３の位置にオペレータがキャリアを搬送し
て載置するのは困難であり、装置１．２のセンダー１１
．２１の横に装置３のセンダー３０−１及び３０−２を
設け、ここにオペレータ又は搬送ロボットがキャリアを
載置すればロボットアームあるいは搬送ベルトがキャリ
アを装置３の位置に自動的に搬送する。装置３のコンパ
クトホットプレート３２に搬送するためキャリアを一時
載置するフラットバッファ３１を設ける。キャリアをセ
ンダー３０−１あるいは３０−２からフラットバッファ
３１に搬送するには時間がかかるため、センダーを２台
設けることにより、処理時間の遅延を防止することがで
きる。同様に装置３のレシーバにおいてもオペレータが
キャリアを扱うのに困難なため、装置１及び２のレシー
バ１７及び２７の横に装置３のレシーバ３７−１及び３
７−２を設け、ロボットアームあるいは搬送ベルトで搬
送する。
また、これらの装置は清浄空気中に設置されてなければ
ならず、清浄空気の送風装置からのクリ−ントンネルは
幅１３０ｃｍであるため、３連にしても不都合は生じな
い。このような３ラインの現像工程のそれぞれの装置を
個々に説明する。
ならず、清浄空気の送風装置からのクリ−ントンネルは
幅１３０ｃｍであるため、３連にしても不都合は生じな
い。このような３ラインの現像工程のそれぞれの装置を
個々に説明する。
即ち、センダー１１．２１及び３０−１あるいは３０−
２から搬送されフラットバッファ３１上に載置されたキ
ャリアからウェハが搬送されるポストエクスポージャー
ベータを行うホットプレートは単一のコンパクトホット
プレート１２．２２．２３から成っている。ここでは、
単一波長光で露光されたレジストは定在波効果により側
壁面が波形に感光しているため、これを直線に補正する
ために行われるベークであって１００℃１分加熱される
。加熱後、バッファに一時載置され、処理時間を調整す
る。その後、現像を行うため加熱ウェハの冷却を行うた
めプレートを備えた冷却装置１４．２４，３４で冷却を
行う。
２から搬送されフラットバッファ３１上に載置されたキ
ャリアからウェハが搬送されるポストエクスポージャー
ベータを行うホットプレートは単一のコンパクトホット
プレート１２．２２．２３から成っている。ここでは、
単一波長光で露光されたレジストは定在波効果により側
壁面が波形に感光しているため、これを直線に補正する
ために行われるベークであって１００℃１分加熱される
。加熱後、バッファに一時載置され、処理時間を調整す
る。その後、現像を行うため加熱ウェハの冷却を行うた
めプレートを備えた冷却装置１４．２４，３４で冷却を
行う。
冷却後現像を行うデベロッパー１５．２５．３５は第２
図の断面図に示すようにドレインボックス（図示せず）
に導くドレイン管４４を下方に設けたカップ４３が降下
した状態で冷却装置１４゜２４．３４から搬送されたウ
ェハ４２がスピンモータ４０に固定されたスピンチャッ
ク４１上に載置されると、カップ４３が上昇し、スピン
モータ４ｏの回転により、回転するウェハ４２上に液供
給系に接続されたノズル４５より現像液が吐出される。
図の断面図に示すようにドレインボックス（図示せず）
に導くドレイン管４４を下方に設けたカップ４３が降下
した状態で冷却装置１４゜２４．３４から搬送されたウ
ェハ４２がスピンモータ４０に固定されたスピンチャッ
ク４１上に載置されると、カップ４３が上昇し、スピン
モータ４ｏの回転により、回転するウェハ４２上に液供
給系に接続されたノズル４５より現像液が吐出される。
過剰の現像液は排液としてドレイン管４４からドレイン
ボックスに回収され、気体はニゲシーストパイプ４６よ
り排気される。現像液の処理が終了すると再び同操作で
ノズルよりリンス液をウェハ上に吐出させ、現像液の洗
浄と共に現像を停止させる。この処理後、カップ４３が
下降し処理済ウェハをスピンチャック４１上よりポスト
ベーク装置１６．２６．３６のホットプレート上に搬送
する。
ボックスに回収され、気体はニゲシーストパイプ４６よ
り排気される。現像液の処理が終了すると再び同操作で
ノズルよりリンス液をウェハ上に吐出させ、現像液の洗
浄と共に現像を停止させる。この処理後、カップ４３が
下降し処理済ウェハをスピンチャック４１上よりポスト
ベーク装置１６．２６．３６のホットプレート上に搬送
する。
ポストベーク装置１６．２６．３６は現像によりホトレ
ジストパターン形式処理済ウェハをホットプレート上に
載置してホトレジスト広巾あるいは表面に残留した現像
液、リンス液を蒸発除去し、ホトレジストの硬化、ウェ
ハとの密着性強化を行うための熱処理を行う。処理温度
、時間はパターン形状が軟化変形しない範囲で設定すれ
ばよい。
ジストパターン形式処理済ウェハをホットプレート上に
載置してホトレジスト広巾あるいは表面に残留した現像
液、リンス液を蒸発除去し、ホトレジストの硬化、ウェ
ハとの密着性強化を行うための熱処理を行う。処理温度
、時間はパターン形状が軟化変形しない範囲で設定すれ
ばよい。
以上の処理が行われると、ウェハはレシーバ１７．２７
に載置されたキャリアに搬送される。レシーバ３７−１
．３７−２に載置されたキャリアにはセンダーと同様に
ポストベーク装置３６より搬送ベルト等で搬送されたウ
ェハが収納される。
に載置されたキャリアに搬送される。レシーバ３７−１
．３７−２に載置されたキャリアにはセンダーと同様に
ポストベーク装置３６より搬送ベルト等で搬送されたウ
ェハが収納される。
３ラインの処理は３ライン同期させてもよいし、非同期
で夫々異なる品種に対応させてもよい。この場合ＡＳＩ
Ｃ対応として好適である。
で夫々異なる品種に対応させてもよい。この場合ＡＳＩ
Ｃ対応として好適である。
以上説明の３ラインの現像工程は一実施例であり、これ
らの装置に限定されないことは言うまでもない、即ち、
本発明の３ラインは現像工程のみでなく、塗布工程、塗
布工程現像工程を有するものなどにも好適に採用できる
。
らの装置に限定されないことは言うまでもない、即ち、
本発明の３ラインは現像工程のみでなく、塗布工程、塗
布工程現像工程を有するものなどにも好適に採用できる
。
［発明の効果］
本発明のレジスト処理装置によれば、３連の処理装置に
したため、クリーンベルトの拡張を必要とせず、現在の
クリーンベルトを使用することで簡単にしかも省スペー
ス化が実現でき、しかも歩留りのよい処理を行うことが
できる。
したため、クリーンベルトの拡張を必要とせず、現在の
クリーンベルトを使用することで簡単にしかも省スペー
ス化が実現でき、しかも歩留りのよい処理を行うことが
できる。
第１図は本発明のレジスト処理装置の一実施例の構成図
、第２図はデベロッパーの断面図を示す図である。 １１．２１．３０−１．３０−２・・・・センダー１２
．２２．３２・・・・・コンパクトホットプレート１３
、２３．３３・・・・・バッファ １４．２４．３４・・・・・冷却装置
、第２図はデベロッパーの断面図を示す図である。 １１．２１．３０−１．３０−２・・・・センダー１２
．２２．３２・・・・・コンパクトホットプレート１３
、２３．３３・・・・・バッファ １４．２４．３４・・・・・冷却装置
Claims (1)
- レジスト塗布またはレジスト現像部及び熱処理部を含む
レジスト処理ラインを３連に配列することを特徴とする
レジスト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20755588A JPH0255360A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | レジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20755588A JPH0255360A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | レジスト処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255360A true JPH0255360A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16541674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20755588A Pending JPH0255360A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | レジスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0255360A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50148080A (ja) * | 1974-05-20 | 1975-11-27 | ||
| JPS5227367A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Photo resist processing apparatus |
| JPS56100417A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Fujitsu Ltd | Forming method for resist pattern |
| JPS60117626A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60178626A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS6189632A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20755588A patent/JPH0255360A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50148080A (ja) * | 1974-05-20 | 1975-11-27 | ||
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| JPS60117626A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60178626A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS6189632A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
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