JPH0254595A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0254595A JPH0254595A JP20557288A JP20557288A JPH0254595A JP H0254595 A JPH0254595 A JP H0254595A JP 20557288 A JP20557288 A JP 20557288A JP 20557288 A JP20557288 A JP 20557288A JP H0254595 A JPH0254595 A JP H0254595A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置の製造方法に関するもの
である。
である。
第３図は従来のＭＱＷ半導体レーザの一例を示す断面図
である。まず、半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に下クラッ
ド層となるｐ−ＡｕＧａＡｓ層２、活性層となるＭＱＷ
層３．上クラッド層となるｎ−ＡｆｌＧａＡｓ層４．コ
ンタクト層となるｎ−ＧａＡｓ層５を成長した後、電極
となる部分以外をエツチングしてコンタクト層５を除去
する。
である。まず、半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に下クラッ
ド層となるｐ−ＡｕＧａＡｓ層２、活性層となるＭＱＷ
層３．上クラッド層となるｎ−ＡｆｌＧａＡｓ層４．コ
ンタクト層となるｎ−ＧａＡｓ層５を成長した後、電極
となる部分以外をエツチングしてコンタクト層５を除去
する。
そして、両側のｐ側電極となる部分にＰ拡散を行ってＰ
領域として、その後にアニールをすることにより両サイ
ドのｐ型拡散領域６内のＭＱＷ層３ａを無秩序化して中
央部のＭＱＷ層のみを活性領域７としている。その後、
ｐ側電極８．ｎ側電極９の電極金属を形成している。
領域として、その後にアニールをすることにより両サイ
ドのｐ型拡散領域６内のＭＱＷ層３ａを無秩序化して中
央部のＭＱＷ層のみを活性領域７としている。その後、
ｐ側電極８．ｎ側電極９の電極金属を形成している。
上記のような従来のＭＱＷ半導体レーザにおいて、発振
しきい値を低くするためには活性領域７の幅を狭くしな
ければならない。しかし、従来例ではｎ側電極９をとリ
ボンディングするためにある程度のｎ側電極９の暢が必
要であり、したがって、活性領域７の幅を狭くすること
が困難であフた。
しきい値を低くするためには活性領域７の幅を狭くしな
ければならない。しかし、従来例ではｎ側電極９をとリ
ボンディングするためにある程度のｎ側電極９の暢が必
要であり、したがって、活性領域７の幅を狭くすること
が困難であフた。
また、製造工程において、ｐ型の拡散領域またはｎ領域
のエツジにマスクを合せることができないという問題点
があった。
のエツジにマスクを合せることができないという問題点
があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、活性領域の幅を狭くとることにより発振し
きい値を低くできるとともに、マスク合せの必要のない
簡単な工程で製造することができる半導体レーザ装置の
製造方法を得ることを目的としている。
れたもので、活性領域の幅を狭くとることにより発振し
きい値を低くできるとともに、マスク合せの必要のない
簡単な工程で製造することができる半導体レーザ装置の
製造方法を得ることを目的としている。
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体
基板上に下クラッド層、活性層、上クラッド層、コンタ
クト層を結晶成長させた後、全面に第１の膜を形成し、
この第１の膜をパターニングし、このパターニングによ
り形成された中央部のスリット上およびコンタクト層上
の所定部分以外を塗布膜で覆い、この塗布膜をマスクに
してコンタクト層の所定部分をエツチング除去した後、
スリット内および第１の膜上に第２の膜を形成し、さら
に、スリット内に達せず半導体基板まで達するように拡
散またはイオン注入を行い、その後、第２の膜を除去し
た後、同一面上に電極を形成するものである。
基板上に下クラッド層、活性層、上クラッド層、コンタ
クト層を結晶成長させた後、全面に第１の膜を形成し、
この第１の膜をパターニングし、このパターニングによ
り形成された中央部のスリット上およびコンタクト層上
の所定部分以外を塗布膜で覆い、この塗布膜をマスクに
してコンタクト層の所定部分をエツチング除去した後、
スリット内および第１の膜上に第２の膜を形成し、さら
に、スリット内に達せず半導体基板まで達するように拡
散またはイオン注入を行い、その後、第２の膜を除去し
た後、同一面上に電極を形成するものである。
（作用）
この発明においては、ｐ拡散工程・電極形成工程で同一
のマスクを使用することにより、容易な製造方法で活性
領域の幅を狭くすることができ、発振しきい値を低くす
ることができる。また、電極面積も広く取れるためワイ
ヤボンディング等も容易となる。
のマスクを使用することにより、容易な製造方法で活性
領域の幅を狭くすることができ、発振しきい値を低くす
ることができる。また、電極面積も広く取れるためワイ
ヤボンディング等も容易となる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明による半導体レーザ装置の一実施例を
示す断面図である。この図で、第３図と同一符号は同一
部分を示し、１０は前記コンタクト層５とｎ側電極９と
の間に形成された第１の膜である絶縁膜である。
示す断面図である。この図で、第３図と同一符号は同一
部分を示し、１０は前記コンタクト層５とｎ側電極９と
の間に形成された第１の膜である絶縁膜である。
次に、この半導体レーザ装置の製造工程を第２図（ａ）
〜（ｄ）により説明する。
〜（ｄ）により説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１上に下クラッド層となるｐ−ＡｆＧａＡｓ層２．活
性層となるＭＱＷ層３．上クラッド層となるｎ−Ａｌ１
！ＧａＡｓ層４およびコンタクト層となるｎ−ＧａＡｓ
層５を結晶成長した後、ｎ−ＧａＡＳ層５上に絶縁１１
ｉ １０、例えばＳｉＮを形成し、これをパターニング
して狭いスリット１１を形成する。次に、スリット１１
内および絶縁膜１０の両サイドから１０μｍ程度を残し
てレジスト等の塗布膜を塗布し、この塗布膜（図示せず
）をマスクにしてコンタクト層５をエツチングする（第
２図（ｂ））。次に、第２の膜、例えば５ｉｎ２膜１２
を第１の膜である絶縁膜１０上およびその間のスリット
１１内だけに形成し、その上から素子全体にｐ型の固相
拡散ソース１３を塗布し、拡散が基板１まで達し、かつ
両側の拡散フロントが絶縁膜１０のスリット１１内に達
しないようにＰ拡散しアニールする。このとき、両サイ
ドのＰ拡散領域６内のＭＱＷ層３ａは拡散による無秩序
化により両サイドをｐ−ＡＪＺＧａＡｓ化し、中央のＭ
ＱＷ層のみが活性領域７となる（第２図（ｃ））、その
後、残った固相拡散ソース１３と第２の膜であるＳ ｉ
０２ ＠ １２をエツチングにより取り除き（第２図
（ｄ））、両サイドのコンタクト層５上にｐ側電極８．
中央の絶縁膜１０上とスリット１１内にｎ側電極９の電
極金属を蒸着することにより第１図の半導体レーザ装置
が得られる。
板１上に下クラッド層となるｐ−ＡｆＧａＡｓ層２．活
性層となるＭＱＷ層３．上クラッド層となるｎ−Ａｌ１
！ＧａＡｓ層４およびコンタクト層となるｎ−ＧａＡｓ
層５を結晶成長した後、ｎ−ＧａＡＳ層５上に絶縁１１
ｉ １０、例えばＳｉＮを形成し、これをパターニング
して狭いスリット１１を形成する。次に、スリット１１
内および絶縁膜１０の両サイドから１０μｍ程度を残し
てレジスト等の塗布膜を塗布し、この塗布膜（図示せず
）をマスクにしてコンタクト層５をエツチングする（第
２図（ｂ））。次に、第２の膜、例えば５ｉｎ２膜１２
を第１の膜である絶縁膜１０上およびその間のスリット
１１内だけに形成し、その上から素子全体にｐ型の固相
拡散ソース１３を塗布し、拡散が基板１まで達し、かつ
両側の拡散フロントが絶縁膜１０のスリット１１内に達
しないようにＰ拡散しアニールする。このとき、両サイ
ドのＰ拡散領域６内のＭＱＷ層３ａは拡散による無秩序
化により両サイドをｐ−ＡＪＺＧａＡｓ化し、中央のＭ
ＱＷ層のみが活性領域７となる（第２図（ｃ））、その
後、残った固相拡散ソース１３と第２の膜であるＳ ｉ
０２ ＠ １２をエツチングにより取り除き（第２図
（ｄ））、両サイドのコンタクト層５上にｐ側電極８．
中央の絶縁膜１０上とスリット１１内にｎ側電極９の電
極金属を蒸着することにより第１図の半導体レーザ装置
が得られる。
なお、上記実施例ではｎ型の成長層にｐ型の固相拡散を
行ったものを示したが、ｐ型の成長相にｎ型の拡散を行
つてもよく、その上、固相拡散でない拡散方法またはイ
オン注入を用いても同様の効果を奏する。また、ＭＱＷ
レーザ以外の半導体レーザについて実施しても同様の効
果が得られる。
行ったものを示したが、ｐ型の成長相にｎ型の拡散を行
つてもよく、その上、固相拡散でない拡散方法またはイ
オン注入を用いても同様の効果を奏する。また、ＭＱＷ
レーザ以外の半導体レーザについて実施しても同様の効
果が得られる。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明は、拡散工程と電棒形成工
程を同一のマスクを使用して行っているため、アライメ
ントの必要のない簡単な工程で電極幅が広く、活性領域
幅が狭く形成でき、したがって、発振しきい値の低い半
導体レーザ装置を実現することができる。
程を同一のマスクを使用して行っているため、アライメ
ントの必要のない簡単な工程で電極幅が広く、活性領域
幅が狭く形成でき、したがって、発振しきい値の低い半
導体レーザ装置を実現することができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図は、第１図の半導体レーザ装置の製
造工程を示す断面図、第３図は従来の半導体レーザ装置
を示す断面図である。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｐ−ＡＪ
ＺＧａＡＳ下クラッド層、３はＭＱＷ活性層、４はｎ−
ＡｎＧａＡｓ上クラッド層、５はｎ−ＧａＡｓコンタク
ト層、６はｐ型拡散領域、７は活性領域、８はｐ側電極
、９はｎ側電極、１０は第１の絶縁膜、１１はスリット
、１２はＳｉＯ２膜、１３は固相拡散ソースである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第３図
示す断面図、第２図は、第１図の半導体レーザ装置の製
造工程を示す断面図、第３図は従来の半導体レーザ装置
を示す断面図である。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｐ−ＡＪ
ＺＧａＡＳ下クラッド層、３はＭＱＷ活性層、４はｎ−
ＡｎＧａＡｓ上クラッド層、５はｎ−ＧａＡｓコンタク
ト層、６はｐ型拡散領域、７は活性領域、８はｐ側電極
、９はｎ側電極、１０は第１の絶縁膜、１１はスリット
、１２はＳｉＯ２膜、１３は固相拡散ソースである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第３図
Claims (1)
- 半導体基板上に下クラッド層、活性層、上クラッド層、
コンタクト層を結晶成長させた後、全面に第１の膜を形
成し、この第１の膜をパターニングし、このパターニン
グにより形成された中央部のスリット上および前記コン
タクト層上の所定部分以外を塗布膜で覆い、この塗布膜
をマスクにして前記コンタクト層の前記所定部分をエッ
チング除去した後、前記スリット内および第１の膜上に
第２の膜を形成し、さらに、前記スリット内に達せず前
記半導体基板まで達するように拡散またはイオン注入を
行い、その後、前記第２の膜を除去した後、同一面上に
電極を形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20557288A JPH0254595A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20557288A JPH0254595A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254595A true JPH0254595A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16509112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20557288A Pending JPH0254595A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254595A (ja) |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20557288A patent/JPH0254595A/ja active Pending
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