JPH0252422B2 - - Google Patents
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- JPH0252422B2 JPH0252422B2 JP54145339A JP14533979A JPH0252422B2 JP H0252422 B2 JPH0252422 B2 JP H0252422B2 JP 54145339 A JP54145339 A JP 54145339A JP 14533979 A JP14533979 A JP 14533979A JP H0252422 B2 JPH0252422 B2 JP H0252422B2
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- forming
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
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- Element Separation (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は集積回路の製造方法に関するもので
あり、より具体的にはセルフアラインされ
（selfaligned）、酸化分離された（axide
isolated）、ウオールド・エミツタの（walled
emitter）集積回路の製造方法に関するものであ
る。
あり、より具体的にはセルフアラインされ
（selfaligned）、酸化分離された（axide
isolated）、ウオールド・エミツタの（walled
emitter）集積回路の製造方法に関するものであ
る。
酸化層分離されたバイポーラ集積回路の利点、
例えば高速動作性及び高密度性、は良く知られて
いる。このような集積回路構造においては、エピ
タキシヤル層をつらぬいてその下部の基板まで延
在される分離用酸化層により素子間分離を行つて
いる。従つて素子は、その端面においては酸化層
により、その底面においてはエピタキシヤル層と
基板間のpn接合により、それぞれ分離されてい
る。ウオールドエミツタ構造、すなわちエミツタ
領域が酸化物層により終端される構造、を採用す
ればさらに高速動作及び高集積密度化が可能であ
る。集積密度を最大にするには、ミスアラインメ
ントに対するスペースマージンを切詰める必要
上、電極領域をセルフアラインとする必要があ
る。
例えば高速動作性及び高密度性、は良く知られて
いる。このような集積回路構造においては、エピ
タキシヤル層をつらぬいてその下部の基板まで延
在される分離用酸化層により素子間分離を行つて
いる。従つて素子は、その端面においては酸化層
により、その底面においてはエピタキシヤル層と
基板間のpn接合により、それぞれ分離されてい
る。ウオールドエミツタ構造、すなわちエミツタ
領域が酸化物層により終端される構造、を採用す
ればさらに高速動作及び高集積密度化が可能であ
る。集積密度を最大にするには、ミスアラインメ
ントに対するスペースマージンを切詰める必要
上、電極領域をセルフアラインとする必要があ
る。
このような酸化層分離されたウオールド・エミ
ツタ構造の利点は知られているが、このような構
造を実際に高歩留りで製造できるような方法がな
かつた。従来の製造方法は、住々にしてエミツ
タ・コレクタ間のリーク及び短絡又はその一方を
招来するものであつた。この現象は分離用酸化層
近傍における特殊な拡散プロフイル、特に局部酸
化を用いる工程で生ずる周知の“ピーキング
（beaking）”、に起因するものである。このよう
な歩留りの限界を克服するため、従来はエピタキ
シヤル・ベースとしたり、あるいは高速動作及び
高密度を犠性にしてきた。
ツタ構造の利点は知られているが、このような構
造を実際に高歩留りで製造できるような方法がな
かつた。従来の製造方法は、住々にしてエミツ
タ・コレクタ間のリーク及び短絡又はその一方を
招来するものであつた。この現象は分離用酸化層
近傍における特殊な拡散プロフイル、特に局部酸
化を用いる工程で生ずる周知の“ピーキング
（beaking）”、に起因するものである。このよう
な歩留りの限界を克服するため、従来はエピタキ
シヤル・ベースとしたり、あるいは高速動作及び
高密度を犠性にしてきた。
従つて本発明の一つの目的は、酸化層分離ウオ
ールド・エミツタ構造の高歩留り製造方法を提供
することにある。
ールド・エミツタ構造の高歩留り製造方法を提供
することにある。
本発明の他の目的は、高密度、高速動作のセル
フアライン集積回路の製造方法を提供することに
ある。
フアライン集積回路の製造方法を提供することに
ある。
本発明の更に他の目的は、素子の電流利得とベ
ース直列抵抗値とを独立に制御できる高速集積回
路の製造方法を提供することにある。
ース直列抵抗値とを独立に制御できる高速集積回
路の製造方法を提供することにある。
本発明の一実施例においては、まず酸化分離ア
イランドを形成したシリコンウエーハを酸化レジ
スト層で被覆する。次に酸化レジスト層をエツチ
ングして、アイランド間においてレジスト層下部
のシリコン層を露出させる開口を形成する。これ
らの開口を通して不純物を添加しイナクテイブ
（inactive）ベース領域のドーピングを行う。次
に基板を酸化性雰囲気中で加熱して露出シリコン
表面上に厚めの酸化領域を形成する。フオトレジ
スト層、酸化分離領域及び厚めの酸化領域を併用
して酸化レジスト層内に第２の開口群を形成し、
開口を限定する。単一の複合マスキング操作で開
けられたこれらの開口は、アクテイブ・ベース及
びエミツタ、ベースコンタクト領域並びにコレク
タコンタクト領域間のセルフアラインメントを可
能とする。これらの選択された開口を通してドー
パント不純物を供給し、アクテイブベース領域の
ドーピングを行なう。同様に選択された開口を通
して更に不純物を供給し、エミツタ領域を形成す
る。更に不純物を独立に供給し、ベースコンタク
ト領域及びコレクタコンタクト領域を形成する。
このようにして形成した構造は、酸化分離領域で
終端されるベース領域及びエミツタ領域を有す
る。アクテイブベース領域、イナクテイブベース
領域及びベースコンタクト領域を独立にドープす
ることができ、従つてデバイス特性の最適設計が
可能である。
イランドを形成したシリコンウエーハを酸化レジ
スト層で被覆する。次に酸化レジスト層をエツチ
ングして、アイランド間においてレジスト層下部
のシリコン層を露出させる開口を形成する。これ
らの開口を通して不純物を添加しイナクテイブ
（inactive）ベース領域のドーピングを行う。次
に基板を酸化性雰囲気中で加熱して露出シリコン
表面上に厚めの酸化領域を形成する。フオトレジ
スト層、酸化分離領域及び厚めの酸化領域を併用
して酸化レジスト層内に第２の開口群を形成し、
開口を限定する。単一の複合マスキング操作で開
けられたこれらの開口は、アクテイブ・ベース及
びエミツタ、ベースコンタクト領域並びにコレク
タコンタクト領域間のセルフアラインメントを可
能とする。これらの選択された開口を通してドー
パント不純物を供給し、アクテイブベース領域の
ドーピングを行なう。同様に選択された開口を通
して更に不純物を供給し、エミツタ領域を形成す
る。更に不純物を独立に供給し、ベースコンタク
ト領域及びコレクタコンタクト領域を形成する。
このようにして形成した構造は、酸化分離領域で
終端されるベース領域及びエミツタ領域を有す
る。アクテイブベース領域、イナクテイブベース
領域及びベースコンタクト領域を独立にドープす
ることができ、従つてデバイス特性の最適設計が
可能である。
第１図は、従来方法により製造した素子の一部
分を示す断面図である。この一例においては、埋
込み層２２をもつ半導体ウエハ２０が製造され
る。基板２０の上部及び埋込み層２２はエピタキ
シヤル層である。エピタキシヤル層は、酸化分離
層２８によつてアイランド２４のごとき複数アイ
ランドに分離されている。この集積回路ウエーハ
には上述のアイランドを多数形成できるのである
が、本発明の説明上それで十分であるから、アイ
ランドを１個だけ図示している。アイランド２４
内にバイポーラ・トランジスタを形成するのであ
るが、各トランジスタはこの集積回路内の多数の
トランジスタの一つとなる。勿論この集積回路に
は、抵抗器、ダイオードその他の素子を付加し得
よう。多くの場合、基板ウエーハ２０はｐ型であ
り、埋込み層２２はハイドープのｎである。エピ
タキシヤル領域２４の一例は、厚み約1.5ミクロ
ン、比抵抗約１Ω−cmのｎ型ドープ層である。第
１図に示す構造は、酸化層分離の集積回路を形成
するうえで慣用される構造である。参照符号３２
で示す周知の酸化層の“ピーク（beak）”は、酸
化分離層２８の形成工程で自然に発生する。第１
図の構造を製造する工程は半導体の技術分野にお
いて周知であるから、これ以上の詳細な説明を要
しないであろう。
分を示す断面図である。この一例においては、埋
込み層２２をもつ半導体ウエハ２０が製造され
る。基板２０の上部及び埋込み層２２はエピタキ
シヤル層である。エピタキシヤル層は、酸化分離
層２８によつてアイランド２４のごとき複数アイ
ランドに分離されている。この集積回路ウエーハ
には上述のアイランドを多数形成できるのである
が、本発明の説明上それで十分であるから、アイ
ランドを１個だけ図示している。アイランド２４
内にバイポーラ・トランジスタを形成するのであ
るが、各トランジスタはこの集積回路内の多数の
トランジスタの一つとなる。勿論この集積回路に
は、抵抗器、ダイオードその他の素子を付加し得
よう。多くの場合、基板ウエーハ２０はｐ型であ
り、埋込み層２２はハイドープのｎである。エピ
タキシヤル領域２４の一例は、厚み約1.5ミクロ
ン、比抵抗約１Ω−cmのｎ型ドープ層である。第
１図に示す構造は、酸化層分離の集積回路を形成
するうえで慣用される構造である。参照符号３２
で示す周知の酸化層の“ピーク（beak）”は、酸
化分離層２８の形成工程で自然に発生する。第１
図の構造を製造する工程は半導体の技術分野にお
いて周知であるから、これ以上の詳細な説明を要
しないであろう。
第２図は、更に処理を行つた後の第１図と垂直
な断面を示す断面図である。エピタキシヤルアイ
ランド２４を含むこの断面は、シリコンアイラン
ドと酸化層ピークを示している。従来の製造方法
においては、まず二酸化シリコンその他のマスク
層をシリコン表面上に成長又は堆積する。次にこ
のマスク層を選択的にパターン化し、シリコン表
面の一部を露出せしめる。この開口すなわち窓を
通してエピタキシヤル層内に不純物を拡散し又は
イオン打込みを行ない、ベース領域３７を形成す
る。エピタキシヤル領域のベース接合のプロフア
イルは、シリコン表面の形状ならびに酸化層ピー
ク３２の存在及びその形状で決まり、第２図示す
ような形状となる。この結果、シリコンが酸化分
離層２８と接するエピタキシヤル層のエツヂにお
いて、接合が浅くなる。このベース拡散に続い
て、シリコン表面上にマスク層を再度成長又は堆
積させ、選択的なパターン化によりエミツタ領域
を限定する。何らかのミスアラインメントが生じ
た場合でもエミツタ領域が酸化層に接するよう
に、エミツタ領域用マスクを酸化分離層２８に重
ね合わせる必要がある。エミツタ領域用マスクを
酸化分離層２８上に重ね合わせておけば、破線３
９で例示するごとく、必然的に酸化分離層がある
程度エツチングされる。特に重要なことは、これ
によつてビーク領域３２がエツチングされること
である。続いてベース３７内にエミツタ４１を拡
散すると、上記ビーク領域のエツチングに起因し
て、ベース・エミツタ接合のプロフアイルは曲線
４３で示すようなものとなろう。酸化分離層２８
の近傍においては、ベース幅はその内部における
幅よりも狭くなる。このように酸化分離層の近傍
においてベース幅が狭くなると、コレクタ・エミ
ツタ間のリーク、コレクタ・エミツタ間耐圧の低
下あるいは最悪の場合にはコレクタ・エミツタ間
の短絡を引起こす。
な断面を示す断面図である。エピタキシヤルアイ
ランド２４を含むこの断面は、シリコンアイラン
ドと酸化層ピークを示している。従来の製造方法
においては、まず二酸化シリコンその他のマスク
層をシリコン表面上に成長又は堆積する。次にこ
のマスク層を選択的にパターン化し、シリコン表
面の一部を露出せしめる。この開口すなわち窓を
通してエピタキシヤル層内に不純物を拡散し又は
イオン打込みを行ない、ベース領域３７を形成す
る。エピタキシヤル領域のベース接合のプロフア
イルは、シリコン表面の形状ならびに酸化層ピー
ク３２の存在及びその形状で決まり、第２図示す
ような形状となる。この結果、シリコンが酸化分
離層２８と接するエピタキシヤル層のエツヂにお
いて、接合が浅くなる。このベース拡散に続い
て、シリコン表面上にマスク層を再度成長又は堆
積させ、選択的なパターン化によりエミツタ領域
を限定する。何らかのミスアラインメントが生じ
た場合でもエミツタ領域が酸化層に接するよう
に、エミツタ領域用マスクを酸化分離層２８に重
ね合わせる必要がある。エミツタ領域用マスクを
酸化分離層２８上に重ね合わせておけば、破線３
９で例示するごとく、必然的に酸化分離層がある
程度エツチングされる。特に重要なことは、これ
によつてビーク領域３２がエツチングされること
である。続いてベース３７内にエミツタ４１を拡
散すると、上記ビーク領域のエツチングに起因し
て、ベース・エミツタ接合のプロフアイルは曲線
４３で示すようなものとなろう。酸化分離層２８
の近傍においては、ベース幅はその内部における
幅よりも狭くなる。このように酸化分離層の近傍
においてベース幅が狭くなると、コレクタ・エミ
ツタ間のリーク、コレクタ・エミツタ間耐圧の低
下あるいは最悪の場合にはコレクタ・エミツタ間
の短絡を引起こす。
第２図と同様な第３図の断面図で示す他の従来
例においては、更に不都合な結果を招く。この例
においては、エピタキシヤル領域２４の表面に成
長又は堆積させたマスク層１５を通してベース１
４をインプラントする。層１５は、例えば酸化分
離層２８上にも形成した窒化シリコン層であつて
もよいし、新たに堆積した層であつてもよい。パ
ターン化したフオトレジスト層をマスクに使用し
てこの層を通して所定箇所にベース領域をインプ
ラントすることができる。この場合にも、ベー
ス・エピタキシヤル層の接合プロフアイル１６
は、酸化層ピーク３２及びエピタキシヤル層２４
の表面形状によつて決まる。次に層１５をパター
ン化して、第４図に示すようにベース１４内にエ
ミツタ１７を選択拡散する。エミツタ用マスクの
ミスアライメントを許容すると、同様にピーク３
２がエツチングされてその形状が変化する。引続
いてエミツタ１７の拡散を行う際に、エミツタ・
ベース接合のプロフアイルはまたも図示のように
なり、同様にエミツタ・コレクタ間リークが過大
となつたりエミツタ・コレクタ間が短絡したりす
る。
例においては、更に不都合な結果を招く。この例
においては、エピタキシヤル領域２４の表面に成
長又は堆積させたマスク層１５を通してベース１
４をインプラントする。層１５は、例えば酸化分
離層２８上にも形成した窒化シリコン層であつて
もよいし、新たに堆積した層であつてもよい。パ
ターン化したフオトレジスト層をマスクに使用し
てこの層を通して所定箇所にベース領域をインプ
ラントすることができる。この場合にも、ベー
ス・エピタキシヤル層の接合プロフアイル１６
は、酸化層ピーク３２及びエピタキシヤル層２４
の表面形状によつて決まる。次に層１５をパター
ン化して、第４図に示すようにベース１４内にエ
ミツタ１７を選択拡散する。エミツタ用マスクの
ミスアライメントを許容すると、同様にピーク３
２がエツチングされてその形状が変化する。引続
いてエミツタ１７の拡散を行う際に、エミツタ・
ベース接合のプロフアイルはまたも図示のように
なり、同様にエミツタ・コレクタ間リークが過大
となつたりエミツタ・コレクタ間が短絡したりす
る。
本発明の製造方法においては、第１図の工程
後、第５図に示すようにウエーハ表面に酸化レジ
スト膜を形成する。膜３４として窒化シリコン膜
が好適であるが、酸化アルミニウムその他の酸化
物レジストを採用することもできる。膜３４を窒
化シリコン膜とすれば、これを、シランとアンモ
ンニアの混合ガスを用いる気相堆積（CVD）法
その他の慣用手法により形成できる。膜厚の一好
適例は500Åないし2000Åの範囲であり、工程上
の必要性に応じてシリコン表面との間に２酸化シ
リコン層３５を介在させてもよい。
後、第５図に示すようにウエーハ表面に酸化レジ
スト膜を形成する。膜３４として窒化シリコン膜
が好適であるが、酸化アルミニウムその他の酸化
物レジストを採用することもできる。膜３４を窒
化シリコン膜とすれば、これを、シランとアンモ
ンニアの混合ガスを用いる気相堆積（CVD）法
その他の慣用手法により形成できる。膜厚の一好
適例は500Åないし2000Åの範囲であり、工程上
の必要性に応じてシリコン表面との間に２酸化シ
リコン層３５を介在させてもよい。
酸化レジスト層３４上にフオトレジスト層３６
を形成し、慣用のフオトリソグラフイーによりパ
ターン化を行う。次にパターン化したフオトレジ
スト層をエツチング・マスクとして酸化レジスト
層内に開口ないし窓を作成する。これらの開口
は、インアクテイブなベース領域を限定すると共
にセルフアライン構造の基礎となる。このような
単一のリバース・マスタを用いれば、イナクテイ
ブなデバイス領域を限定することにより、アクテ
イブなデバイス領域間に必要な厳密さでアライメ
ントを直接達成することができる。開口３８のパ
ターン化に用いるマスクと酸化分離層２８との関
係を第５ａ図に示す。参照符号４０を付した線は
分離領域のエツヂである。酸化レジスト層内の開
口３８を形成するためのマスク開口３８は、エピ
タキシヤル領域の外側まで拡大され酸化分離層２
８に重なつている。このような重なりをもたせる
ことにより、アラインメントの許容精度を緩和し
ている。開口３８ａが領域２４を完全にまたいで
おりさえすれば、相当量のミスアライメントが許
容できる。パターン化されたフオトレジスト層３
６は、酸化レジスト層３４のエツチマスク及びイ
オン・インプランテーシヨン・マスクとして使用
される。酸化層３５が不必要であれば、これをエ
ツチ段階で取除く。エピタキシヤル層の酸化層除
去部分を“露出部分”と称する。これは、酸化レ
ジスト層に被れておらず、次の酸化に対して露出
していることを、意味する。開口３８を通して硼
素イオンをインプラントさせ、ｐドープのイナク
テイブ・ベース領域を形成する。このように、フ
オトレジスト層３６と酸化レジスト層３４の組合
せにより、インプラントすべきイオンに対して障
壁となし、不必要な部分へのイオンの突抜けを防
止することができる。上記の工程に代えて、フオ
トレジスト層３６をマスクとして使用し、層３
４，３５をパターン化してもよい。フオトレジス
トを除去したのち、層３４，３５及び酸化分離層
２８でマスクできる程度の低エネルギーイオンを
用いて所望のパターンにイナクテイブ・ベースを
インプラントする。
を形成し、慣用のフオトリソグラフイーによりパ
ターン化を行う。次にパターン化したフオトレジ
スト層をエツチング・マスクとして酸化レジスト
層内に開口ないし窓を作成する。これらの開口
は、インアクテイブなベース領域を限定すると共
にセルフアライン構造の基礎となる。このような
単一のリバース・マスタを用いれば、イナクテイ
ブなデバイス領域を限定することにより、アクテ
イブなデバイス領域間に必要な厳密さでアライメ
ントを直接達成することができる。開口３８のパ
ターン化に用いるマスクと酸化分離層２８との関
係を第５ａ図に示す。参照符号４０を付した線は
分離領域のエツヂである。酸化レジスト層内の開
口３８を形成するためのマスク開口３８は、エピ
タキシヤル領域の外側まで拡大され酸化分離層２
８に重なつている。このような重なりをもたせる
ことにより、アラインメントの許容精度を緩和し
ている。開口３８ａが領域２４を完全にまたいで
おりさえすれば、相当量のミスアライメントが許
容できる。パターン化されたフオトレジスト層３
６は、酸化レジスト層３４のエツチマスク及びイ
オン・インプランテーシヨン・マスクとして使用
される。酸化層３５が不必要であれば、これをエ
ツチ段階で取除く。エピタキシヤル層の酸化層除
去部分を“露出部分”と称する。これは、酸化レ
ジスト層に被れておらず、次の酸化に対して露出
していることを、意味する。開口３８を通して硼
素イオンをインプラントさせ、ｐドープのイナク
テイブ・ベース領域を形成する。このように、フ
オトレジスト層３６と酸化レジスト層３４の組合
せにより、インプラントすべきイオンに対して障
壁となし、不必要な部分へのイオンの突抜けを防
止することができる。上記の工程に代えて、フオ
トレジスト層３６をマスクとして使用し、層３
４，３５をパターン化してもよい。フオトレジス
トを除去したのち、層３４，３５及び酸化分離層
２８でマスクできる程度の低エネルギーイオンを
用いて所望のパターンにイナクテイブ・ベースを
インプラントする。
フオトレジスト層３６を除去し、シリコンウエ
ハを酸化性雰囲気中で加熱する。この加熱処理に
よつてインプラントされた硼素イオンが再分布
し、第６図に示すようなｐドープのイナクテイ
ブ・ベース領域４２及び４４が形成される。この
高温酸化性雰囲気により、酸化レジスト層３４を
通して露出されているシリコン表面も局部的に酸
化される。比較的厚手の酸化領域４６，４８は数
千Åの厚みとなり得ようとし、また局所酸化に伴
つてシリコン表面下にめり込んでいる。
ハを酸化性雰囲気中で加熱する。この加熱処理に
よつてインプラントされた硼素イオンが再分布
し、第６図に示すようなｐドープのイナクテイ
ブ・ベース領域４２及び４４が形成される。この
高温酸化性雰囲気により、酸化レジスト層３４を
通して露出されているシリコン表面も局部的に酸
化される。比較的厚手の酸化領域４６，４８は数
千Åの厚みとなり得ようとし、また局所酸化に伴
つてシリコン表面下にめり込んでいる。
続いて第７図に示すように、ウエーハ表面にフ
オトレジスト層５０を形成し、オーバーサイズ・
マスター・マスクを用いてパターン化する。この
オーバーサイズ・マスター・マスクは、同時にコ
レクタ・コンタクト５１、アクテイブ・ベース及
びエミツタ５２、ならびにベース・コンタクト５
３用の開口も提供する。次に、フオトレジスト層
５０、厚手の酸化層４６，４８及び酸化分離層２
８を利用して、誘電体層３４（必要に応じて誘電
体層３５も）をエツチングする。素子用開口を既
成の酸化層で限定し、フオトレジスト層５０内の
開口をオーバサイズとすることができるので、ア
ライメントの精度が緩和される。単一のマスタ・
マスクを使用してすべての開口を一時に形成する
ことにより、装置のセルフアラインメントを達成
することができる。
オトレジスト層５０を形成し、オーバーサイズ・
マスター・マスクを用いてパターン化する。この
オーバーサイズ・マスター・マスクは、同時にコ
レクタ・コンタクト５１、アクテイブ・ベース及
びエミツタ５２、ならびにベース・コンタクト５
３用の開口も提供する。次に、フオトレジスト層
５０、厚手の酸化層４６，４８及び酸化分離層２
８を利用して、誘電体層３４（必要に応じて誘電
体層３５も）をエツチングする。素子用開口を既
成の酸化層で限定し、フオトレジスト層５０内の
開口をオーバサイズとすることができるので、ア
ライメントの精度が緩和される。単一のマスタ・
マスクを使用してすべての開口を一時に形成する
ことにより、装置のセルフアラインメントを達成
することができる。
酸化レジスト層内に複数個の開口を形成したの
ち、フオトレジスト層５０を除去することができ
る。このフオトレジスト層に代えて次の工程で新
たなフオトレジスト層の形成及びそのパターン化
を行ない、ウエーハの所定の露出部分にドーパン
ト不純物を供給することができる。例えば第８図
に示すように、フオトレジスト層５６をパターン
化して以前の開口５２を再度形成させることもで
きる。この層５６のパターン化を行うフオトマス
クもまた、アラインメント精度の緩いオーバサイ
ズ・マスクとすることができる。このパターン化
したフオトレジスト層５６をイオン・インプラン
テーシヨン・マスクとして使用し、その開口５２
を通して硼素その他のドーパント不純物を供給
し、アクテイブ・ベース領域を形成する。次にマ
スク用フオトレジスト層を除去する。同様にして
他のフオトレジスト層をウエーハ表面に形成する
のであるが、第８図と同様であるため図示を省略
する。このフオトレジスト層をパターン化して、
開口５１及び５２を再度形成する。砒素その他の
逆導電型のドーパント不純物を開口５１及び５２
を通して供給し、コレクタ・コンタクト領域及び
エミツタ・コンタクト領域をそれぞれ形成する。
パターン化フオトレジスト層を再度除去し、新た
なフオトレジスト層をウエーハ表面上に形成す
る。この新たなフオトレジスト層を再度パターン
化して、今度は開口５３を形成する。フオトレジ
スト層、酸化分離層及びイオン・インプランテー
シヨン・マスクとなる厚手の酸化領域を使用し
て、第１のドーパント型のドーパントイオンを開
口を通して供給し、ベースコンタクト領域をドー
プする。 上記基本工程については多数の変更例
を実施することができる。このような変更例の一
つとして、第５図に示すようにリバース・マスタ
ー・マスクの使用に先立つて、誘電層３４，３５
を通して硼素イオンをインプラントすることによ
りベースコンタクト５３を形成することもでき
る。このコンタクトは、パターン化されたフオト
レジスト層をマスクとして用いることにより、選
択的にインプラントすることができる。インプラ
ンテーシヨン工程の後、第５図に示すようにマス
ター・マスクを供給して工程を続行する。
ち、フオトレジスト層５０を除去することができ
る。このフオトレジスト層に代えて次の工程で新
たなフオトレジスト層の形成及びそのパターン化
を行ない、ウエーハの所定の露出部分にドーパン
ト不純物を供給することができる。例えば第８図
に示すように、フオトレジスト層５６をパターン
化して以前の開口５２を再度形成させることもで
きる。この層５６のパターン化を行うフオトマス
クもまた、アラインメント精度の緩いオーバサイ
ズ・マスクとすることができる。このパターン化
したフオトレジスト層５６をイオン・インプラン
テーシヨン・マスクとして使用し、その開口５２
を通して硼素その他のドーパント不純物を供給
し、アクテイブ・ベース領域を形成する。次にマ
スク用フオトレジスト層を除去する。同様にして
他のフオトレジスト層をウエーハ表面に形成する
のであるが、第８図と同様であるため図示を省略
する。このフオトレジスト層をパターン化して、
開口５１及び５２を再度形成する。砒素その他の
逆導電型のドーパント不純物を開口５１及び５２
を通して供給し、コレクタ・コンタクト領域及び
エミツタ・コンタクト領域をそれぞれ形成する。
パターン化フオトレジスト層を再度除去し、新た
なフオトレジスト層をウエーハ表面上に形成す
る。この新たなフオトレジスト層を再度パターン
化して、今度は開口５３を形成する。フオトレジ
スト層、酸化分離層及びイオン・インプランテー
シヨン・マスクとなる厚手の酸化領域を使用し
て、第１のドーパント型のドーパントイオンを開
口を通して供給し、ベースコンタクト領域をドー
プする。 上記基本工程については多数の変更例
を実施することができる。このような変更例の一
つとして、第５図に示すようにリバース・マスタ
ー・マスクの使用に先立つて、誘電層３４，３５
を通して硼素イオンをインプラントすることによ
りベースコンタクト５３を形成することもでき
る。このコンタクトは、パターン化されたフオト
レジスト層をマスクとして用いることにより、選
択的にインプラントすることができる。インプラ
ンテーシヨン工程の後、第５図に示すようにマス
ター・マスクを供給して工程を続行する。
最終のフオトレジスト層をウエーハ表面から剥
離させたのち非酸化性又は微弱酸化性雰囲気中で
ウエーハを加熱し、インプラントされた各イオン
を同時に再分布させる。このように非酸化性又は
微弱酸化性雰囲気を使用すれば、デバイスコンタ
クト用の開口を形成するフオトレジスタ工程を行
うことなく、デバイス領域のコンタクト形成を直
ちに行うことができる。デバイスのメタライゼー
シヨンのために短時間のバツフア・エツチを行う
だけでよい。インプラントすべきイオンの種類、
注入エネルギー及び注入量ならびに再分布のため
の温度及び時間を適宜選択することにより、各々
のデバイス領域の深さ及びドープ量を調整し、第
９図に示すような最適デバイスを製造することが
できる。同図において、４２及び４４は以前に形
成されたイナクテイブ・ベース領域である。アク
テイブベース領域５８とエミツタ領域６０は、
各々同一の開口を通してインプラントされるの
で、厳密なアライメントが保たれる。コレクタ・
コンタクト領域は参照符号６２で、ベース・コン
タクト領域は参照符号６４でそれぞれされてい
る。一例として、エミツタ領域６０には35KeV
の注入エネルギーで５×1015cm-2の量だけ砒素が
注入されるが、これに限定されるものではない。
ベース５８には、約95KeVの注入エネルギーで
８×1012cm-2の量だけ硼素が注入される。硼素と
砒素の拡散係数の差異により、両ドーパントを約
1000℃で同一時間、例えば30分間再分布させる
と、ベース用ドーパントがエミツタ用ドーパント
よりも深く拡散して、約1000Åの実効ベース幅が
実現される。エミツタ約25Ω／cm2の面積抵抗率に
相当するドープ量を有し、このエミツタの下側の
ベースは、約0.5ミクロン全深さにおいて３×103
〜７×103Ω／cm2の面積抵抗率に相当するドープ
量を右する。イナクテイブ・ベース４４及びベー
ス・コンタクト６４は、アクテイブ・ベースとは
全く独立に、ベース動作に最適となるようにドー
プできる。このイナクテイブ・ベースは100Ω／
cm2における深さが約0.7ミクロンである。イナク
テイブ・ベースをこのようにハイドープすること
は、ベース抵抗を下げる上で好都合であり、エミ
ツタとアクテイブ・ベースとのセルフアラインメ
ントが実際に保たれる関係上、可能でもある。エ
ミツタはアクテイブ・ベース領域内でセルフアラ
インメントを保ち、また上述した製造工程をとる
ため、エミツタがハイドープのインナクテイブ・
ベースとオーバラツプすることは起り得ない。従
来の製造方法においては、エミツタとイナクテイ
ブ・ベースとの間に何らかのミスアラインメント
が生ずると次の工程でエミツタとハイドープのイ
ナクテイブ・ベースとのオーバーラツプが生じ、
許容範囲外のエミツタ・ベース間耐圧の低下及び
エミツタ・ベース間逆方向リーク電流の増加が引
起された。しかしながら本発明の製造方法によれ
ば、エミツタとベースとのセルフアラインメント
に基いて、耐圧の低下をきたすことなくイナクテ
イブ・ベースのハイドープ化が可能である。それ
だけでなく、ベース・コンタクト領域６４を極め
てハイドープにして、ベース直列抵抗を低減する
と共にベース領域へのオーミツク接触を確実にす
ることもできる。このようにアクテイブ・ベー
ス、イナクテイブ・ベース及びベース・コンタク
トを独立に制御することにより、トランジスタの
利得向上に有効なアクテイブ・ベース領域のロー
ドープ化が可能であり、また動作速度の向上につ
ながるベース抵抗の低減に有効な他のベース領域
のハイドープ化が可能である。
離させたのち非酸化性又は微弱酸化性雰囲気中で
ウエーハを加熱し、インプラントされた各イオン
を同時に再分布させる。このように非酸化性又は
微弱酸化性雰囲気を使用すれば、デバイスコンタ
クト用の開口を形成するフオトレジスタ工程を行
うことなく、デバイス領域のコンタクト形成を直
ちに行うことができる。デバイスのメタライゼー
シヨンのために短時間のバツフア・エツチを行う
だけでよい。インプラントすべきイオンの種類、
注入エネルギー及び注入量ならびに再分布のため
の温度及び時間を適宜選択することにより、各々
のデバイス領域の深さ及びドープ量を調整し、第
９図に示すような最適デバイスを製造することが
できる。同図において、４２及び４４は以前に形
成されたイナクテイブ・ベース領域である。アク
テイブベース領域５８とエミツタ領域６０は、
各々同一の開口を通してインプラントされるの
で、厳密なアライメントが保たれる。コレクタ・
コンタクト領域は参照符号６２で、ベース・コン
タクト領域は参照符号６４でそれぞれされてい
る。一例として、エミツタ領域６０には35KeV
の注入エネルギーで５×1015cm-2の量だけ砒素が
注入されるが、これに限定されるものではない。
ベース５８には、約95KeVの注入エネルギーで
８×1012cm-2の量だけ硼素が注入される。硼素と
砒素の拡散係数の差異により、両ドーパントを約
1000℃で同一時間、例えば30分間再分布させる
と、ベース用ドーパントがエミツタ用ドーパント
よりも深く拡散して、約1000Åの実効ベース幅が
実現される。エミツタ約25Ω／cm2の面積抵抗率に
相当するドープ量を有し、このエミツタの下側の
ベースは、約0.5ミクロン全深さにおいて３×103
〜７×103Ω／cm2の面積抵抗率に相当するドープ
量を右する。イナクテイブ・ベース４４及びベー
ス・コンタクト６４は、アクテイブ・ベースとは
全く独立に、ベース動作に最適となるようにドー
プできる。このイナクテイブ・ベースは100Ω／
cm2における深さが約0.7ミクロンである。イナク
テイブ・ベースをこのようにハイドープすること
は、ベース抵抗を下げる上で好都合であり、エミ
ツタとアクテイブ・ベースとのセルフアラインメ
ントが実際に保たれる関係上、可能でもある。エ
ミツタはアクテイブ・ベース領域内でセルフアラ
インメントを保ち、また上述した製造工程をとる
ため、エミツタがハイドープのインナクテイブ・
ベースとオーバラツプすることは起り得ない。従
来の製造方法においては、エミツタとイナクテイ
ブ・ベースとの間に何らかのミスアラインメント
が生ずると次の工程でエミツタとハイドープのイ
ナクテイブ・ベースとのオーバーラツプが生じ、
許容範囲外のエミツタ・ベース間耐圧の低下及び
エミツタ・ベース間逆方向リーク電流の増加が引
起された。しかしながら本発明の製造方法によれ
ば、エミツタとベースとのセルフアラインメント
に基いて、耐圧の低下をきたすことなくイナクテ
イブ・ベースのハイドープ化が可能である。それ
だけでなく、ベース・コンタクト領域６４を極め
てハイドープにして、ベース直列抵抗を低減する
と共にベース領域へのオーミツク接触を確実にす
ることもできる。このようにアクテイブ・ベー
ス、イナクテイブ・ベース及びベース・コンタク
トを独立に制御することにより、トランジスタの
利得向上に有効なアクテイブ・ベース領域のロー
ドープ化が可能であり、また動作速度の向上につ
ながるベース抵抗の低減に有効な他のベース領域
のハイドープ化が可能である。
第１０図は、第９図のデバイスのアクテイブ・
ベース及びエミツタの断面図である。アクテイ
ブ・ベースのエピタキシヤル領域内の接合のプロ
フアイルは、第２図に示したような従来の製造方
法によるものと類似である。しかしながら、エミ
ツタ６０のエツヂは、ベース５８のエツヂと完全
に平行となつている。従つて、デバイス全域でエ
ミツタ深さが変化してもベース深さも同様に変化
するので、有効ベース幅、すなわちエミツタ直下
のベース領域の幅、はデバイス全域にわたつて一
定に保たれる。このベース幅は酸化分離層近傍で
あつても一定に保たれるので、前述したコレク
タ・エミツタ間の不都合な特性が生じない。この
ようなベース幅の均一性は、ベース不純物及びエ
ミツタ不純物を完全に同一な開口を通して供給し
たことにより達成されたものである。ベースのイ
ンプランテーシヨンとエミツタのインプランテー
シヨンの中間では、酸化分離層のエツチング等の
変形が生じない。第１０図の結果を第２図及び第
４図の従来方法による結果と対比すれば、本発明
の利点が明らかになろう。
ベース及びエミツタの断面図である。アクテイ
ブ・ベースのエピタキシヤル領域内の接合のプロ
フアイルは、第２図に示したような従来の製造方
法によるものと類似である。しかしながら、エミ
ツタ６０のエツヂは、ベース５８のエツヂと完全
に平行となつている。従つて、デバイス全域でエ
ミツタ深さが変化してもベース深さも同様に変化
するので、有効ベース幅、すなわちエミツタ直下
のベース領域の幅、はデバイス全域にわたつて一
定に保たれる。このベース幅は酸化分離層近傍で
あつても一定に保たれるので、前述したコレク
タ・エミツタ間の不都合な特性が生じない。この
ようなベース幅の均一性は、ベース不純物及びエ
ミツタ不純物を完全に同一な開口を通して供給し
たことにより達成されたものである。ベースのイ
ンプランテーシヨンとエミツタのインプランテー
シヨンの中間では、酸化分離層のエツチング等の
変形が生じない。第１０図の結果を第２図及び第
４図の従来方法による結果と対比すれば、本発明
の利点が明らかになろう。
第１１図は、本発明の更に他の実施例の断面図
である。この実施例においては、コレクタ・コン
タクト６２は酸化分離層６３によつてイナクテイ
ブ・ベースから分離されている。。このような構
造とすれば、コレクタ・コンタクトの拡散領域と
イナクテイブ・ベースの拡散領域が接触しないの
で、コレクタ・ベース間耐圧が向上する。しかし
第１１図に示すデバイスは、第９図に示すデバイ
スに比べて、いくぶんスペースをとる欠点もあ
る。第１１図に示す分離コレクタ・デバイスとす
るには、もとの酸化分離層の幾何学的形状を変更
する必要がある。その他の工程はすべて上述した
ものと同様であり、これら異る二種の構造を同一
の集積回路内で実現することもできる。コレク
タ・ベース間耐圧をそれほど高める必要がない場
合には、第９図に示すデバイス構成により集積密
度を高めることができる。コレクタ・ベース間耐
圧を高めたい部分については、第１１図に示す構
成とすることができる。
である。この実施例においては、コレクタ・コン
タクト６２は酸化分離層６３によつてイナクテイ
ブ・ベースから分離されている。。このような構
造とすれば、コレクタ・コンタクトの拡散領域と
イナクテイブ・ベースの拡散領域が接触しないの
で、コレクタ・ベース間耐圧が向上する。しかし
第１１図に示すデバイスは、第９図に示すデバイ
スに比べて、いくぶんスペースをとる欠点もあ
る。第１１図に示す分離コレクタ・デバイスとす
るには、もとの酸化分離層の幾何学的形状を変更
する必要がある。その他の工程はすべて上述した
ものと同様であり、これら異る二種の構造を同一
の集積回路内で実現することもできる。コレク
タ・ベース間耐圧をそれほど高める必要がない場
合には、第９図に示すデバイス構成により集積密
度を高めることができる。コレクタ・ベース間耐
圧を高めたい部分については、第１１図に示す構
成とすることができる。
第１図乃至第４図は従来例による集積回路の部
分断面図、第５図乃至第１０図は本発明の一実施
例による集積回路の部分断面図（第５ａ図はマス
クと分離用構造との関係を示す平面図）、第１１
図は本発明の他実施例による集積回路の部分断面
図である。 ２０……半導体ウエーハ、２２……埋込み層領
域、２４……エピタキシヤルアイランド、２８…
…酸化分離層、３４……酸化レジスト層、３６…
…フオトレジスト層、３８……酸化レジスト層内
の開口、４２，４４……イナクテイブベース領
域、４６，４８……厚手の酸化領域、５０……フ
オトレジスト層、５８……ベース領域、６０……
エミツタ領域。
分断面図、第５図乃至第１０図は本発明の一実施
例による集積回路の部分断面図（第５ａ図はマス
クと分離用構造との関係を示す平面図）、第１１
図は本発明の他実施例による集積回路の部分断面
図である。 ２０……半導体ウエーハ、２２……埋込み層領
域、２４……エピタキシヤルアイランド、２８…
…酸化分離層、３４……酸化レジスト層、３６…
…フオトレジスト層、３８……酸化レジスト層内
の開口、４２，４４……イナクテイブベース領
域、４６，４８……厚手の酸化領域、５０……フ
オトレジスト層、５８……ベース領域、６０……
エミツタ領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に、セルフアラインされ、ウオ
ールドエミツタ分離集積回路デバイスを製造する
方法であつて、 第１導電率型の一部分を有する半導体基板を与
える工程、平面図をみた場合、絶縁分離領域の隔
離した部分間で前記基板の前記部分を取囲む絶縁
分離領域を与える工程、 前記基板の前記部分上に酸化レジストマスク層
を与える工程、 前記酸化レジストマスク層において第１、第２
の離隔した並列開口を形成し、前記第１、第２の
離隔した開口は、前記基板の前記部分間で、前記
絶縁分離領域の第１離隔した部分まで第１方向に
延び、前記第１方向と直角の第２方向にて前記絶
縁分離領域まで延びていない前記並列開口を形成
する工程、 前記第１、第２の開口を介して、前記第１導電
率型と反対のは第２導電率型のドーパントにより
前記基板の前記部分のドーピング部分によつて第
１、第２の並列セルフアラインされた離隔イナク
テイブベース領域を前記基板の前記部分に形成
し、前記イナクテイブベース領域は、アクテイブ
領域及びエミツタ領域を受け入れる前記基板の第
３領域によつて離隔される工程、 前記第１、第２イナクテイブベース領域上の第
１、第２開口に第１、第２酸化物領域を形成する
工程、 前記第２導電率型の不純物により前記基板の第
３領域を第１の深さまでドープすることによつ
て、前記イナクテイブベース領域間に前記アクテ
イブベース領域を形成し、前記アクテイブベース
領域は、前記イナクテイブベース領域間及びそれ
らと接触して延びているアクテイブベース領域を
形成する工程、 前記第１、第２酸化物領域の少なくとも一部を
マスクとして使用し、前記イナクテイブベース領
域間の前記アクテイブベース領域にそれとセルフ
アラインされたエミツタ領域を形成し、前記基板
の前記第３領域内に、前記第１の型の不純物によ
り前記第１の深さ以下の第２の深さまでドープす
る工程、 前記第１酸化物領域の少なくとも一部をマスク
として使用し、前記第２の型の不純物により、前
記基板の前記部分に第４ベース接触領域を選択的
にドープし、前記第４ベース接触領域は、前記イ
ナクテイブベース領域の１つと隣接し、前記１つ
のイナクテイブ領域と前記絶縁分離領域との間に
存在するようにする前記第１酸化物を使用する工
程、 を具える集積回路デバイスの製造方法。 ２ 第１導電率型不純物によりドープされたシリ
コン基板を横方向に取囲む１個又はそれ以上の酸
化物分離領域、前記基板上にある酸化レジスト層
を形成する工程、 前記酸化レジスト層を選択的にエツチングし、
前記酸化レジスト層を介して前記基板の局部的に
露出するまで延びている第１の離隔した少なくと
も２個の開口を形成し、ここで、前記開口は、ま
た、前記酸化物分離領域の対抗部分に対して第１
方向にある前記基板上に前記酸化物分離領域まで
延長しているが、前記酸化物分離領域の他の部分
に対して第１方向と直角な第２方向の前記基板上
に前記酸化物分離領域まで延長させないで、第１
の離隔した開口を形成する工程、 前記離隔した開口の下方に露出した基板の離隔
部分を、前記第１の型の不純物と反対の第２の型
の不純物により第１の深さまでドープする工程、 前記基板のドープした離隔部分を前記第１深さ
以下の第２深さまで酸化し、その上に離隔した酸
化膜マスクを形成し、前記第１深さと第２深さの
間の前記基板のドープした離隔領域部分は、不純
物ベース領域として機能するように残存させる工
程、 前記酸化物レジスト層を選択的にエツチング
し、その中に追加の複数の開口を形成し、第１の
追加開口は、前記離隔した酸化物マスク間に横方
向に配置され、第２の追加開口は、第１の前記離
隔した酸化物マスクと横方向に隣接し、アライン
して配置され、前記第１の前記酸化物マスクによ
り前記第１の追加開口と分離されており、第３の
追加開口は、少なくとも第２の前記離隔した酸化
物マスクにより前記第１の追加開口と横方向に分
離して配置される工程、 前記第１、第２の追加開口の結合を通じて露出
した前記基板部分に前記第２の型の不純物を第３
の深さまでドープし、前記第１、第３の開口の結
合を通じて露出した基板部分に前記第１の型の不
純物を第３の深さ以下の第４の深さまでドープす
る工程、を具えるバイポーラ集積回路デバイスの
製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JPS57149770A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
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| US4465528A (en) * | 1981-07-15 | 1984-08-14 | Fujitsu Limited | Method of producing a walled emitter semiconductor device |
| DE3174397D1 (en) * | 1981-08-08 | 1986-05-22 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Method of producing a monolithic integrated solid-state circuit with at a least one bipolar planar transistor |
| US4443931A (en) * | 1982-06-28 | 1984-04-24 | General Electric Company | Method of fabricating a semiconductor device with a base region having a deep portion |
| JPS59161067A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-11 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | バイポ−ラ型半導体装置の製造方法 |
| US4498227A (en) * | 1983-07-05 | 1985-02-12 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Wafer fabrication by implanting through protective layer |
| US4630096A (en) * | 1984-05-30 | 1986-12-16 | Motorola, Inc. | High density IC module assembly |
| US4574469A (en) * | 1984-09-14 | 1986-03-11 | Motorola, Inc. | Process for self-aligned buried layer, channel-stop, and isolation |
| US4573257A (en) * | 1984-09-14 | 1986-03-04 | Motorola, Inc. | Method of forming self-aligned implanted channel-stop and buried layer utilizing non-single crystal alignment key |
| US4583282A (en) * | 1984-09-14 | 1986-04-22 | Motorola, Inc. | Process for self-aligned buried layer, field guard, and isolation |
| JPS61222137A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-10-02 | Sharp Corp | チップ識別用凹凸パターン形成方法 |
| US4883772A (en) * | 1986-09-11 | 1989-11-28 | National Semiconductor Corporation | Process for making a self-aligned silicide shunt |
| JPS63114261A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-05-19 | フェアチャイルド セミコンダクタ コーポレーション | トランジスタ用の自己整合型ベース分路 |
| IT1231913B (it) * | 1987-10-23 | 1992-01-15 | Sgs Microelettronica Spa | Procedimento di fabbricazione di transistori ad alta frequenza. |
| US5338695A (en) * | 1992-11-24 | 1994-08-16 | National Semiconductor Corporation | Making walled emitter bipolar transistor with reduced base narrowing |
| GB0318146D0 (en) * | 2003-08-02 | 2003-09-03 | Zetex Plc | Bipolar transistor with a low saturation voltage |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507422A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 | ||
| JPS5010579A (ja) * | 1973-05-25 | 1975-02-03 | ||
| JPS5119484A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Hitachi Ltd | Handotaisochito sonoseizohoho |
| JPS5248978A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-19 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS5278387A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS52114280A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-24 | Nec Corp | Bipolar type transistor |
Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
| US4079402A (en) * | 1973-07-09 | 1978-03-14 | National Semiconductor Corporation | Zener diode incorporating an ion implanted layer establishing the breakdown point below the surface |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507422A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 | ||
| JPS5010579A (ja) * | 1973-05-25 | 1975-02-03 | ||
| JPS5119484A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Hitachi Ltd | Handotaisochito sonoseizohoho |
| JPS5248978A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-19 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS5278387A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS52114280A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-24 | Nec Corp | Bipolar type transistor |
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